JPS5965990A - Magnetic bubble transfer gate - Google Patents

Magnetic bubble transfer gate

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JPS5965990A
JPS5965990A JP57175009A JP17500982A JPS5965990A JP S5965990 A JPS5965990 A JP S5965990A JP 57175009 A JP57175009 A JP 57175009A JP 17500982 A JP17500982 A JP 17500982A JP S5965990 A JPS5965990 A JP S5965990A
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JP
Japan
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transfer
transfer path
bubble
magnetic field
arrow
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JP57175009A
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Japanese (ja)
Inventor
Kimihide Matsuyama
公秀 松山
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

PURPOSE:To realize the transfer of a bubble between loop-like transfer lines by power consumption being as minute as possible in a transfer gate which is capable of executing optionally the transfer of a bubble by providing a band- like conductor pattern which is formed so that a part of the transfer line s overlapped. CONSTITUTION:A bubble is transferred to a position of 36 through positions of 34 and 35 on the second transfer line 22 by a counterclockwise in-face rotating magnetic field. When the bubble comes to the position of 36, the rotating magnetic field is directed to the direction as indicated with an arrow 27. When a current pulse is impressed from this phase to a conductor pattern 24 in the direction as indicated with an arrow 25, a bias magnetic field distribution is induced in a gap part between the second transfer line and the third transfer line due to disorder of a current distribution caused by the first notch and the second notch provided on the conductor pattern 24. The bubble of the position of 36 receives driving force for going toward a position of 37 by this bias magnetic field distribution and is transferred to the position of 37. During this time, the bubble is held in the position 37 by a cavity of the bias magnetic field distribution, which is generated in the position of 37.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気パズル素子に於けるトランスファーゲート
に関するものである。更に詳しく述べれば、2つのルー
プ状の転送路間で任意にバブルの転送を行ないうるトラ
ンスファーゲートに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transfer gate in a magnetic puzzle element. More specifically, the present invention relates to a transfer gate that can arbitrarily transfer bubbles between two loop-shaped transfer paths.

磁気バブル素子は本質的にシリアルアクセスのメモリー
デバイススであるため、記憶密度の向上によりメモリー
の大容量化を図ろうとすると情報のアクセスが遅くなる
という欠点を有している。
Since magnetic bubble elements are essentially serial access memory devices, they have the disadvantage that access to information becomes slow when attempting to increase memory capacity by improving storage density.

このような磁気バブル素子の有する欠点を克服するため
に、既に1981年11月にアイ・イー・イー・イー・
トランザクション・オン・マグネティり7. (I E
EE Transaetion on Magneti
cs )誌第MAG−17巻、第3号、@ 3038頁
〜第3040頁に発表された論文においてオンチップキ
ャッシェ方式と呼ばれる新しい素子構成の磁気バブル素
子が提案され、アクセスタイムの短縮に非常に有効であ
ることが示されている。蒸1図は上記論文に示されてい
るオンチップキャッシュ方式の素子構成を模型的に示し
たものである。第1図にお′いて1はバブル発生器、2
はバブル検出器である。4V!キヤツシユ用マイナール
ープでアクセス頻度の高い情報(バブル列)が格納され
る。5はストレージ用マイナーループでアクセス頻度の
低い情報が格納される。メジャー転送路3とキャッシュ
用マイナーループ4との間のバブルの転函は第1のトラ
ンスファーゲート6により行なわれる。キャッジ−用マ
イナーループ4とストレージ用マイナーループ5.!:
の間のバブルの転送は、7の第2のトランスファーゲー
トにより行なわれる。第2図は、上記論文に示されてい
る第2のトランスファーゲートに用いられるコンダクタ
バタンの具体的な形状を示したものである。第2図によ
り理解できるように従来のコンダクタバタンは幅の狭い
蛇行部を有しており、その電気抵抗が高いため、バブル
を安定に転送するのに必要な消費電力が大きくなるとい
う重大な欠点を有]、ている。
In order to overcome the drawbacks of such magnetic bubble elements, in November 1981, I.E.
Transaction on magnetism7. (IE
EE Transaction on Magneti
In a paper published in the magazine MAG-17, No. 3, @ pages 3038-3040, a magnetic bubble element with a new element configuration called the on-chip cache method was proposed, and it was found to be extremely effective in shortening access time. has been shown to be effective. Figure 1 schematically shows the element configuration of the on-chip cache method described in the above paper. In Figure 1, 1 is a bubble generator, 2
is a bubble detector. 4V! Frequently accessed information (bubble string) is stored in the cache minor loop. 5 is a storage minor loop in which information that is accessed infrequently is stored. Transfer of bubbles between the major transfer path 3 and the cache minor loop 4 is performed by a first transfer gate 6. Minor loop 4 for cache and minor loop 5 for storage. ! :
The transfer of bubbles between is performed by 7 second transfer gates. FIG. 2 shows the specific shape of the conductor button used in the second transfer gate shown in the above paper. As can be understood from Figure 2, the conventional conductor batten has a narrow meandering section, which has a high electrical resistance, resulting in a major drawback in that the power consumption required to stably transfer the bubble increases. have].

本発明の目的はオンチップキャッシュ方式に必要なルー
プ状の転送路間のバブルの転送をできる限り微小な消費
電力で実現【7うる磁気バブルトジンスファーゲートを
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble transfer gate that can realize bubble transfer between loop-shaped transfer paths necessary for an on-chip cache method with as little power consumption as possible.

すなわち本発明は磁気バブルを保持し2得2)磁性薄膜
上に形成された第1の転送路及び第1の転送路と一定の
間隔を保って形成されたループ状の第2の転送路、及び
第2の転送路と一定の間隔を保って形成されたループ状
の第3の転送路を有する磁気バブル素子に形成するトラ
ンスファーゲートに於いて、前記第2の転送路と第3の
転送路との間に、その一部がそれぞれ第2及び第3の転
送路の一部と重なるように形成された帯状のコンダクタ
バタンであり、かつ該コンダクタバタンと第2の転送路
との交叉部近傍に第1の切り込み及び該コンダクタバタ
ンと第3の転送路との交叉部近傍に第2の切り込みが形
成されていることを特徴とする磁気バブルトランスファ
ーゲートである。
That is, the present invention has the following advantages: 2) a first transfer path formed on a magnetic thin film; and a loop-shaped second transfer path formed at a constant distance from the first transfer path; and a transfer gate formed in a magnetic bubble element having a loop-shaped third transfer path formed at a constant interval from the second transfer path, the second transfer path and the third transfer path and a band-shaped conductor batten formed so that a part thereof overlaps with a part of the second and third transfer paths, respectively, and near the intersection of the conductor batten and the second transfer path. The magnetic bubble transfer gate is characterized in that a first notch is formed in the conductor button and a second notch is formed near the intersection of the conductor button and the third transfer path.

次に、第3図に示す本発明の実施の一例をもとに本発明
の詳細な説明する。第3図において21は第1の転送路
22はループ状の第2の転送路、23はノ1−プ状の第
3の転送路、破線で示される矢印33はバーズルの転送
方向、44はバイアス磁界の向き、2・1はコンダクタ
バタン、45.46は訪コンダククパクンに設けた第1
及び第2の切り込吟で也る。本実施例及び鱗に示す第2
、第3の実施例に於いて第1の転送路21、第2の転送
路22、及び@3の転送路iia性薄膜に選択的にイオ
ン注入を施すことにより形成される。第1の転送路21
と第2の転送路22との間のバブルの転送手段はすでに
公知であるのでここでは説明を省略する。第20転込路
22から第3の転送路23へのバブルの転送は以下のよ
うに行なわれる。反時計回りの面内回転磁界(以下、単
に回転磁界と呼ぶ)により第2の転送路22上でバブル
社34.35の位置を経て36の位置へ転送されて(る
Next, the present invention will be explained in detail based on an example of implementation of the present invention shown in FIG. In FIG. 3, 21 is a first transfer path, 22 is a loop-shaped second transfer path, 23 is a knob-shaped third transfer path, an arrow 33 shown by a broken line is the transfer direction of the burzle, and 44 is a loop-shaped second transfer path. The direction of the bias magnetic field, 2.1 is the conductor baton, 45.46 is the first
And also the second incision gin. The second example shown in this example and the scales
In the third embodiment, the first transfer path 21, the second transfer path 22, and the transfer path @3 are formed by selectively implanting ions into the IIA thin film. First transfer path 21
Since the bubble transfer means between the transfer path 22 and the second transfer path 22 is already known, the explanation thereof will be omitted here. Transfer of bubbles from the 20th transfer path 22 to the third transfer path 23 is performed as follows. It is transferred to the position 36 via the positions 34 and 35 on the second transfer path 22 by a counterclockwise in-plane rotating magnetic field (hereinafter simply referred to as a rotating magnetic field).

バブルが36の位置に来たとき回転磁界は矢印27の方
向を向いている。この位相からコンダクタバタン24に
矢印25の向きに電、流パルスを印加すると、コンダク
タバタン24に設けられた第1の切り込み及び第2の切
り込みによって生じた電流分布の乱れにより、第2の転
送路と第3の転送路との間の間隙部にバイアス磁界分布
が誘起される。
When the bubble reaches position 36, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 27. When a current pulse is applied to the conductor button 24 in the direction of the arrow 25 from this phase, the disturbance in the current distribution caused by the first and second notches provided in the conductor button 24 causes the second transfer path to change. A bias magnetic field distribution is induced in the gap between the transfer path and the third transfer path.

36の位置のバブルはこのバイアス磁界分布により37
の位置へ向かう駆動力を受け37の位置へ転送される。
The bubble at position 36 becomes 37 due to this bias magnetic field distribution.
The driving force directed toward position 37 is received and transferred to position 37.

電流パルスを31の矢印で示される位相範囲に渡って印
加し続ければこの間バブルは37の位置に生じているバ
イアス磁界分布の(はみにより37の位置に保持される
。電流パルスが切れた時点では回転磁界は矢印28の方
向を向いており、このとき37の位置にはパズルを引き
つげるチャージドウオールが形成されているう以後バブ
ルは回転磁界によるこのチャージドウオールの移動に伴
ない第3の転送路に沿って38の位置へ転送される。
If the current pulse is continued to be applied over the phase range shown by the arrow 31, the bubble will be held at the position 37 due to the bias magnetic field distribution generated at the position 37. In this case, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 28, and at this time, a charged wall that pulls the puzzle is formed at position 37.Then, the bubble is transferred to the third direction as the charged wall is moved by the rotating magnetic field. 38 locations along the route.

第3の転送路から第2の転送路へのバブルの転送は以下
のようにして行なわれる。第3の転送路23上でバブル
は39.40の位置を軽て4Iの位置へ転送されて(る
。バブルが41のfILINに来たとき回転磁界は矢印
29の方向を向いている。
Transfer of bubbles from the third transfer path to the second transfer path is performed as follows. On the third transfer path 23, the bubble is transferred from the position 39.40 to the position 4I. When the bubble reaches fILIN 41, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 29.

この位相からコンダクタパタン24に矢印26の向きの
電流パルスを矢印29に示される位相範囲で印加すれば
第2の転送路から第3の転送路へのバブルの転送の場合
と同様にしてバブルを第3の転送路から第2の転送路へ
転送することができる。
From this phase, if a current pulse in the direction of arrow 26 is applied to the conductor pattern 24 in the phase range shown by arrow 29, bubbles are generated in the same manner as in the case of transferring bubbles from the second transfer path to the third transfer path. It is possible to transfer from the third transfer path to the second transfer path.

矢印30は雷、流パルスが切れたときの回転磁界の方向
である。第3の転送路から第2の転送路へのパズルの転
送ti39.40.41.42.43の位置をIIII
次経て行なわれる。上記のバブルの転送においてコンダ
クタパタンに電流パルスを印加しなげればバブルは第2
転送路また社第3の転送路をそのまま転送し続ける。
Arrow 30 is the direction of the rotating magnetic field when the lightning or current pulse breaks. Transfer the puzzle from the third transfer path to the second transfer path ti39.40.41.42.43 position III
This will be done in the following steps. In the above bubble transfer, if no current pulse is applied to the conductor pattern, the bubble will be transferred to the second
The transfer route continues to be transferred using the third transfer route.

上記の実施例に示されるコンダクタパタン24は、第2
図に示した従来のコンダクタパタンに比べ導体幅が広い
ため、電気抵抗が小さい。したがって、本発明の実施に
よりループ状転送路間のパズルの転送をわずかな消*電
力で安定に行ないう不磁気パズルトランヌファ−ゲート
を実匁、することができる。
The conductor pattern 24 shown in the above embodiment is
Compared to the conventional conductor pattern shown in the figure, the conductor width is wider, so the electrical resistance is lower. Therefore, by implementing the present invention, a nonmagnetic puzzle transfer gate that stably transfers puzzles between loop-shaped transfer paths with a small amount of power dissipation can be realized.

第4図は、第2の転送路22の中心軸と第3の転送路2
3の中心軸を若干ずらし、かつコンダクタパタンの切り
込みの位置を変えた本発明の第2の実施例である。45
.46はコンダクタパタン24の縞1及び81¥2の切
り込みである。第2の転送路22を転送中のノープルが
36の位置に来たときにコンダクタパタン24に矢印2
5の向^に矢印31で示される位相範囲の雷、流パルス
を印加すれば、第3図を用いて説明した原理にもとづき
バブルは37の位置を経て第3の転送路23へ転送され
る。矢印27は上記電流パルス印7o時の回転磁界の方
向、矢印28tま同電流パルス停止時の1回転磁界の方
向である。同様に、第3の転送路23を転送中のバブル
が41の位置に来たときにコンダクタパタン24に矢印
26の向きに矢印32で示される位相範囲の電流パルス
を印加すればバブルは420位置を経て第2の転送路2
2へ転送される。矢印29iま上記′11i流パルス印
加時の回転磁界の方向、失t・υ30は同平流パルス停
止時の回転磁界の方向である。
FIG. 4 shows the central axis of the second transfer path 22 and the third transfer path 2.
This is a second embodiment of the present invention in which the center axis of 3 is slightly shifted and the position of the cut in the conductor pattern is changed. 45
.. 46 is the stripe 1 of the conductor pattern 24 and the cut of 81 yen 2. When the no-pull being transferred through the second transfer path 22 reaches position 36, the arrow 2 appears on the conductor pattern 24.
If a lightning or flow pulse with a phase range shown by an arrow 31 is applied in the direction of 5, the bubble will be transferred to the third transfer path 23 via the position 37 based on the principle explained using FIG. . Arrow 27 is the direction of the rotating magnetic field when the current pulse mark 7o is applied, and arrow 28t is the direction of the rotating magnetic field when the current pulse is stopped. Similarly, when the bubble being transferred through the third transfer path 23 reaches position 41, if a current pulse in the phase range indicated by arrow 32 is applied to the conductor pattern 24 in the direction of arrow 26, the bubble will move to position 420. through the second transfer path 2
Transferred to 2. The arrow 29i indicates the direction of the rotating magnetic field when the '11i flow pulse is applied, and the loss t·υ30 indicates the direction of the rotating magnetic field when the same current pulse is stopped.

第5図はコンダクタパタンの切り込み45及46の位置
を変えた本発明の第3の実施例である。4y2の転送路
22を転送中のバブルが36の位置に来たときにコンダ
クタパタン24に矢印25の向きに矢印31で示される
位相範囲の電流パルスを印加すれば第3図を用いて説明
した原理にもとづきバブルFi37の位置を経て第3の
転送路23へ転送される。矢印27は上記′#i流パル
ス印加時の回転磁界の方向、矢印28は同電流パルス停
止時の回転磁界の方向である。同様に、第3の転送路を
転送中のバブルが37の位置に来たときにコンダクタパ
タン24に矢印26の向きに矢印32で示される位相範
囲の雷、流パルスを印加すればバブルは36の位置を経
て第2の転送路22へ転送される。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention in which the positions of the notches 45 and 46 in the conductor pattern are changed. When the bubble being transferred through the 4y2 transfer path 22 reaches the position 36, if a current pulse in the phase range shown by the arrow 31 is applied to the conductor pattern 24 in the direction of the arrow 25, as explained using FIG. Based on the principle, the signal is transferred to the third transfer path 23 via the position of the bubble Fi 37. Arrow 27 indicates the direction of the rotating magnetic field when the above-mentioned '#i current pulse is applied, and arrow 28 indicates the direction of the rotating magnetic field when the same current pulse is stopped. Similarly, when the bubble being transferred through the third transfer path reaches position 37, if a lightning or current pulse with a phase range shown by arrow 32 is applied to the conductor pattern 24 in the direction of arrow 26, the bubble will move to position 36. The data is transferred to the second transfer path 22 via the position .

第1の転送路、第2の転送路、第3の転送路、コンダク
タパタンの形状としては館3図、第4図、第5図の実施
例[ソ、外にもいりいろな形状のものが考えら矛lるが
第2図を用いて説明したごとき原理によりバブルを転送
し得る形状のものでオ)れげすべて本発明に含まれるこ
とはいうまでもない。また、本発明の実施例では第1の
転送路、ff(2の転送路、及び第3の転送路が磁性薄
膜に選択的にイオン注入を施すことにより形成されh磁
気バブル索子を示したが、第1、第2及び第3の転送路
がパーマロイ等の軟磁性バタンで形成された磁気バブル
索子に於いても本発明を実施すり、げ同様の効果が得ら
hることは明白である。
The shapes of the first transfer path, second transfer path, third transfer path, and conductor pattern are as shown in Figures 3, 4, and 5. However, it goes without saying that any shape that can transfer bubbles according to the principle explained using FIG. 2 is included in the present invention. In addition, in the embodiment of the present invention, the first transfer path, ff (second transfer path, and third transfer path) were formed by selectively implanting ions into the magnetic thin film, and exhibited a magnetic bubble cord. However, it is clear that similar effects can be obtained by implementing the present invention in magnetic bubble cords in which the first, second, and third transfer paths are formed of soft magnetic batons such as permalloy. It is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はオンチップキャッシュ方式の磁気バブル素子の
概略図、第2図は従来のコンダクタパタンを示す図、第
3図、第4図、第5図は本発明の、トランスファーゲー
トの実施例であり、同時に該トランスファーゲートを用
いた磁気バブル素子の動作を示す図。 1はバブル発生器、2はバブル検出器、3はメジャー転
送路、4はキャッシュ用マイナーループ、5はストレー
ジ用マイナー、ループ、6は第1のトランスファーゲー
ト、7は第2のトランスファーゲート、21は第1の転
送路、22けループ状の第2の転送路、23はループ状
の第3の転送路、24はコンダククバタン、25.26
は電流パルスの向き、27,28,29t30は回転磁
界の方向、31.32は市1流パルスの印加位相範囲、
33はバブルの転送方向、34935,36,37.3
B、39゜4()+4]t42+43は転送中のバブル
の位置、44はバイアス磁界の向き、45.46は各々
フンダクタバクンの第1及び第2の切り込みである。 第1図 第 2 図 3 図 と 第4図
Figure 1 is a schematic diagram of an on-chip cache type magnetic bubble element, Figure 2 is a diagram showing a conventional conductor pattern, and Figures 3, 4, and 5 are examples of a transfer gate according to the present invention. FIG. 4 is a diagram showing the operation of a magnetic bubble element using the transfer gate. 1 is a bubble generator, 2 is a bubble detector, 3 is a major transfer path, 4 is a minor loop for cache, 5 is a minor loop for storage, 6 is a first transfer gate, 7 is a second transfer gate, 21 is the first transfer path, 22-digit loop-shaped second transfer path, 23 is the loop-shaped third transfer path, 24 is the conductor, 25.26
is the direction of the current pulse, 27, 28, 29t30 is the direction of the rotating magnetic field, 31.32 is the applied phase range of the city 1 style pulse,
33 is the bubble transfer direction, 34935, 36, 37.3
B, 39°4()+4]t42+43 is the position of the bubble during transfer, 44 is the direction of the bias magnetic field, and 45.46 are the first and second incisions of the fundactor back, respectively. Figure 1 Figure 2 Figure 3 and Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 磁気パズルを保持し得る磁性薄膜上に形成された
第1の転送路及び第1の転送路と一定の間隔を保って形
成されたループ状の第2の転送路、及び第2の転送路と
一定の間隔を保って形成されたループ状の第3の転送路
を有する磁気パズル素子に形成するトランスファーゲー
トに於いて、前記第2の転送路と第3の転送路との間に
、その一部がそれぞれ第2及び第3の転送路の一部と重
なるように形成された帯状のコンダクタバタンであり、
かつ該コンダクタバタンと第2の転送路との交叉部近傍
に第1の切り込み及び該コンダクタバタンと第3の転送
路との交叉部近傍に第2の切り込みが形成されているこ
とを特徴とする磁気バブルトランスファーゲート。 2、前記第2の転送路と第3の転送路はその長手方向が
互いに平行となるように形成されている芋ねト良叙九す
才特許請求の範囲第1項に記載の磁気バブルトランスフ
ァーゲート。 3 磁気バブル転送路が磁性薄膜上に選択的にイオン注
入されたバタン列によって構成されたー各t#枠七す違
術許請求の範囲第1項に記載の磁気バブルトランスファ
ーゲート。
[Claims] 1. A first transfer path formed on a magnetic thin film capable of holding a magnetic puzzle, and a loop-shaped second transfer path formed at a constant distance from the first transfer path. , and a transfer gate formed in a magnetic puzzle element having a loop-shaped third transfer path formed at a constant interval from the second transfer path, wherein the second transfer path and the third transfer path are connected to each other. A band-shaped conductor baton is formed between the transfer path and the transfer path so that a portion thereof overlaps with a portion of the second and third transfer paths, respectively,
A first cut is formed near the intersection of the conductor button and the second transfer path, and a second cut is formed near the intersection of the conductor button and the third transfer path. Magnetic bubble transfer gate. 2. The magnetic bubble transfer according to claim 1, wherein the second transfer path and the third transfer path are formed so that their longitudinal directions are parallel to each other. Gate. 3. The magnetic bubble transfer gate according to claim 1, wherein the magnetic bubble transfer path is constituted by a row of battens selectively implanted with ions on a magnetic thin film.
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