JPS5849158A - 脳室カテ−テルおよびその製造方法 - Google Patents
脳室カテ−テルおよびその製造方法Info
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- JPS5849158A JPS5849158A JP57097902A JP9790282A JPS5849158A JP S5849158 A JPS5849158 A JP S5849158A JP 57097902 A JP57097902 A JP 57097902A JP 9790282 A JP9790282 A JP 9790282A JP S5849158 A JPS5849158 A JP S5849158A
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- A61M25/0015—Making lateral openings in a catheter tube, e.g. holes, slits, ports, piercings of guidewire ports; Methods for processing the holes, e.g. smoothing the edges
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- A61M27/00—Drainage appliance for wounds or the like, i.e. wound drains, implanted drains
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
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- A61M27/006—Cerebrospinal drainage; Accessories therefor, e.g. valves
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は脳を髄@1)圧力を軽減することによ)水1
1iI[O状態を制御するに用いられる脳富用カデーデ
ルO形状をなした脳を髄液分流装置に関する。さらに、
こO発aa上述のカテーテルの製造法およびm富から身
体の他部へ脳液を分流させる方法に関する。
1iI[O状態を制御するに用いられる脳富用カデーデ
ルO形状をなした脳を髄液分流装置に関する。さらに、
こO発aa上述のカテーテルの製造法およびm富から身
体の他部へ脳液を分流させる方法に関する。
脳を髄液の流路障害又はくも膜絨毛を介して脳の静脈血
への不適切な吸収は水頭症の原因となる。そのための外
科療法は脳を髄液の圧力調整のための分流を必要とする
。すなわち、一般に、有孔シリコーンゴ^カテーテルを
脳のIII&1go一つに設定し、その有孔先端を前方
角近傍に位置させる。そして、脳を髄液は圧力調整パル
プを通シ、ついで通常は右6房又は腹腔に分#Iされる
。この分流紘脳室カテーテルの入口孔が詰ると機能しな
くなる。又、パルプの不遥轟な動作によシ脳室がつぶれ
、排水過剰となp分流が不遜切なものとなる。
への不適切な吸収は水頭症の原因となる。そのための外
科療法は脳を髄液の圧力調整のための分流を必要とする
。すなわち、一般に、有孔シリコーンゴ^カテーテルを
脳のIII&1go一つに設定し、その有孔先端を前方
角近傍に位置させる。そして、脳を髄液は圧力調整パル
プを通シ、ついで通常は右6房又は腹腔に分#Iされる
。この分流紘脳室カテーテルの入口孔が詰ると機能しな
くなる。又、パルプの不遥轟な動作によシ脳室がつぶれ
、排水過剰となp分流が不遜切なものとなる。
従来O形圃の脳室カテーテルは脈絡叢の白蝋による結お
、カテーテル孔上の脳室崩壊にょる詰〉、又は血液、細
胞、フィブリン等の残層等による結シが頻繁に生ずる欠
点が6つ九。さらにこのようなカテーテル入口の詰夛の
丸め、外科的に修正を繰返す必要があるなどの間−があ
った。
、カテーテル孔上の脳室崩壊にょる詰〉、又は血液、細
胞、フィブリン等の残層等による結シが頻繁に生ずる欠
点が6つ九。さらにこのようなカテーテル入口の詰夛の
丸め、外科的に修正を繰返す必要があるなどの間−があ
った。
そのため、カテーテル入口を複雑な機構にょ〕覆う方法
などの提案がなされているが、上述obシを改善し優る
に至ってぃなi0 米−特許44,182.343には2重管からなる脳室
排液チューブが開示されてhる。外側ゴ^テエープは一
端が閉基され、他端が開口している。この外鍔チューブ
の内側にはこれよシ短i内崗チューブが内在してしる。
などの提案がなされているが、上述obシを改善し優る
に至ってぃなi0 米−特許44,182.343には2重管からなる脳室
排液チューブが開示されてhる。外側ゴ^テエープは一
端が閉基され、他端が開口している。この外鍔チューブ
の内側にはこれよシ短i内崗チューブが内在してしる。
この内側チェーブの一端は外同チューブ閉轟端の内壁に
固定され一他端は開口してiる。この内聞チェープ轄外
陶チューブ内壁に必ずしも固着される必要はない。外鍔
チューブおよび内側チューブはそれぞれ、同面に複数の
透孔が設けられて−る。
固定され一他端は開口してiる。この内聞チェープ轄外
陶チューブ内壁に必ずしも固着される必要はない。外鍔
チューブおよび内側チューブはそれぞれ、同面に複数の
透孔が設けられて−る。
外鍔テエープ側面の透孔紘内鍔チ具−プ*wi。
透孔と一致しな−ようになっている。
米th141許肩31.595.241にはチューブ内
に棒体を設け、この棒体がチ二−ブの1端が突自出るよ
うに配置された外科用チェーブが開示されている。この
カテーテルにおいて、ルーメンがチェープ全長に亘って
保護され、チューブを挿入したのちにチューブ内の液流
を妨げるよりな血餅その他の浸入を防止している。
に棒体を設け、この棒体がチ二−ブの1端が突自出るよ
うに配置された外科用チェーブが開示されている。この
カテーテルにおいて、ルーメンがチェープ全長に亘って
保護され、チューブを挿入したのちにチューブ内の液流
を妨げるよりな血餅その他の浸入を防止している。
米国特許A3.753.489およびA龜823,78
1!には外科用排液機構の種々のタイプ0ものが開示さ
れているが、これらはチェープ壁に比較的大きい孔を設
け、これにパッド又はネットを利用して詰夛O厘因とな
る固形物が入るのを防止している。しかし、いずれも脳
に挿入するのに好運なカテーテルを開示して−ない。
1!には外科用排液機構の種々のタイプ0ものが開示さ
れているが、これらはチェープ壁に比較的大きい孔を設
け、これにパッド又はネットを利用して詰夛O厘因とな
る固形物が入るのを防止している。しかし、いずれも脳
に挿入するのに好運なカテーテルを開示して−ない。
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、多
数の細管からなることを特徴とする脳室用カテーテルを
提供するものである。これらの各細管線入口端が大きく
開口するとともに、七の同面にも多数のam孔を有るこ
とを特徴とする。
数の細管からなることを特徴とする脳室用カテーテルを
提供するものである。これらの各細管線入口端が大きく
開口するとともに、七の同面にも多数のam孔を有るこ
とを特徴とする。
これらの細管の孔はイオンビームスパッタエツチング法
により穿設されたもので、電鋳金属メツシからなるマス
クを通して放射されるイオンビームによってエツチノグ
されるもので約14μWL〜150μ扉の径の孔が形成
される。
により穿設されたもので、電鋳金属メツシからなるマス
クを通して放射されるイオンビームによってエツチノグ
されるもので約14μWL〜150μ扉の径の孔が形成
される。
−面にこのような多数の孔を設は九フルオロポリマー製
細管を多数、とドラ状に分配することによシ新規なカテ
ーテルが形成され九のである。このような構造によって
脳室から身体の特定部位への脳を髄液の分流が信頼性良
くおこなわれることになる。
細管を多数、とドラ状に分配することによシ新規なカテ
ーテルが形成され九のである。このような構造によって
脳室から身体の特定部位への脳を髄液の分流が信頼性良
くおこなわれることになる。
以下、この発明を図示の実施例を参照して説明する。
嬉1因は本発明に係わる脳室カテーテル1゜を示してい
る。各カブ−デル10fd、被数の柔軟な細管12から
なっている。これら細管XXO束はチューブ状シース1
4によって被覆され、該V−ス14は通常のパルプ付き
分流νステムに接続されている。
る。各カブ−デル10fd、被数の柔軟な細管12から
なっている。これら細管XXO束はチューブ状シース1
4によって被覆され、該V−ス14は通常のパルプ付き
分流νステムに接続されている。
これら細管11はフルオロポリマーからつくられ数、直
径、肉厚、長さ、材質について遍宜変えることができる
。この細管11に遍し九フルオロポリ賃−〇例としては
ポリテトラフルオロエチレンおよびフルオロエチレンプ
ロピレンである。人体の生存細胞はこれらの物質に接着
しな−かも、固着の間―株主じな−。
径、肉厚、長さ、材質について遍宜変えることができる
。この細管11に遍し九フルオロポリ賃−〇例としては
ポリテトラフルオロエチレンおよびフルオロエチレンプ
ロピレンである。人体の生存細胞はこれらの物質に接着
しな−かも、固着の間―株主じな−。
各細管11は入口端lIlを有し、この人口端16には
第4.5図に示す如く横面に比較的長く沿って設けられ
たイオンビームスパッタリングによる細孔IJよシも大
きい径の孔が設けられて−る。この入口端16はある場
合には閉塞されて−てもよい。
第4.5図に示す如く横面に比較的長く沿って設けられ
たイオンビームスパッタリングによる細孔IJよシも大
きい径の孔が設けられて−る。この入口端16はある場
合には閉塞されて−てもよい。
チェープ状シース14は好ましく社シリコーンゴムの小
径管からなり、浸透を最小限にし、汚染の危険を減少さ
せるようにして−る。たとえば、外径約0.01611
のνリコーンチェーブが好適である。フルオリカーが7
束からV9ツーンゴムチ纂−ブへの変遷状外形的に種々
変化させることができる。
径管からなり、浸透を最小限にし、汚染の危険を減少さ
せるようにして−る。たとえば、外径約0.01611
のνリコーンチェーブが好適である。フルオリカーが7
束からV9ツーンゴムチ纂−ブへの変遷状外形的に種々
変化させることができる。
細孔12の所定区域に第2図に示すように通轟な発生源
2zからイオンビーム20を照射し穿孔する。イオンビ
ームjOは300eV〜5ooevの間で所定の露光に
よシ細管11を十分に穿孔し得る密度とする。
2zからイオンビーム20を照射し穿孔する。イオンビ
ームjOは300eV〜5ooevの間で所定の露光に
よシ細管11を十分に穿孔し得る密度とする。
エレクトロン放射イオン源1zからアルゴンイオンビー
ムを照射することもでき、そのようなイオン源は” A
lvanc@s 1n glectronice an
dIC1@atron Phyalcs ” Vol、
8・、第365〜373j[に記載されて−る。
ムを照射することもでき、そのようなイオン源は” A
lvanc@s 1n glectronice an
dIC1@atron Phyalcs ” Vol、
8・、第365〜373j[に記載されて−る。
ビーム抽出紘凹面2グリッドイオン光学システムによっ
ておこなうことができる。このようなシステムはAIA
A 紙476−1017”5oat径アルゴンイオン源
1に記載堪れでいる。
ておこなうことができる。このようなシステムはAIA
A 紙476−1017”5oat径アルゴンイオン源
1に記載堪れでいる。
イオンビームの中性化はイオン源21を収容する真空装
置の壁面のイオン放射によって解放された2次的エレク
トロンによって達成できる。
置の壁面のイオン放射によって解放された2次的エレク
トロンによって達成できる。
この真空装置はパックスバッタされた物質がイオンビー
ムエツチングされる物質の汚染をできるだけ、もたらす
ことなりhWA度の十分な大自名とする。この真空装置
はイオン源220操作時において通常、4X10 t
orro圧力に維持されて−る。
ムエツチングされる物質の汚染をできるだけ、もたらす
ことなりhWA度の十分な大自名とする。この真空装置
はイオン源220操作時において通常、4X10 t
orro圧力に維持されて−る。
細孔IIは筒状マンドレル24の外肩部の周部に設置さ
れ、゛イオン源2Sよ〕昇流Of!直軸ojIlbに回
転される。遍蟲な障@16をイオン源j1と!ンドレル
24との間にマンドレルに近すけて配置する。イオンビ
ー^20は全知の如(障a26を通過する。
れ、゛イオン源2Sよ〕昇流Of!直軸ojIlbに回
転される。遍蟲な障@16をイオン源j1と!ンドレル
24との間にマンドレルに近すけて配置する。イオンビ
ー^20は全知の如(障a26を通過する。
僅めで細か一メツV工の電鋳スクリーン21を第3図に
示す如くマンドレル24上の細管12の最外周部縁部e
)FRl)K@張させて保持する。つ−で、第4図に示
す如く、スクリーン28を通つ九ビーム20によるアル
ゴンイオンによ〉孔18のバター/が形成される。この
電鋳金属メツシュスクリーン2aはマスクとして機能し
細管1zの側面に所望の形状の孔を形成させる。これら
の孔18は約20〜150μ凰の直径の微細孔である。
示す如くマンドレル24上の細管12の最外周部縁部e
)FRl)K@張させて保持する。つ−で、第4図に示
す如く、スクリーン28を通つ九ビーム20によるアル
ゴンイオンによ〉孔18のバター/が形成される。この
電鋳金属メツシュスクリーン2aはマスクとして機能し
細管1zの側面に所望の形状の孔を形成させる。これら
の孔18は約20〜150μ凰の直径の微細孔である。
第3図にイオンビーム20の一部が障112#を通過す
る状態が示されている。このビーム20は食中に亘って
実質的に密度が均一となっている。
る状態が示されている。このビーム20は食中に亘って
実質的に密度が均一となっている。
ji!!カテーテルの細管12をスパッタエツチングを
用−て穿孔する場合は孔の密度を従来の場合と比較して
数十倍、増加させることが可能となる。九とえは、細管
tallの長さの範囲に20s諺の孔を約1100個設
けることができる。
用−て穿孔する場合は孔の密度を従来の場合と比較して
数十倍、増加させることが可能となる。九とえは、細管
tallの長さの範囲に20s諺の孔を約1100個設
けることができる。
カテーテル10は直径約0.44uの細管120束から
なってiる。したがって、この結果、帰られる多数の細
孔のため、液流を妨害するような残渣、細胞組織が分流
路に引き込まれ捕捉される可能性を着るしく減少させる
仁とができる。
なってiる。したがって、この結果、帰られる多数の細
孔のため、液流を妨害するような残渣、細胞組織が分流
路に引き込まれ捕捉される可能性を着るしく減少させる
仁とができる。
カテーテル10は脳を髄液を調脳室の一つから従来の弁
付き分流システムを介して、心ぞう又は復膜腔へ排出さ
せるのに用iることができる。このカテーテル10は第
6図の如く側方脳1136から脳を髄液を個々の細管1
2を用いて直接分流させるのに用−ることもで龜る。こ
の側方JI!室は第4の脳室34の上に位置するlI8
の脳室と実質的に並設されて−る。細管IIはこの一脳
室から柔績を通ってくも膜下空間J8へ延びる。この空
間S8は業績36とくも属40との間に存在する。この
くも1s40は硬膜42の内聞に位置して―る。細管1
20入口端Ifはヒドラ状に調脳室30内へ延出して−
る。
付き分流システムを介して、心ぞう又は復膜腔へ排出さ
せるのに用iることができる。このカテーテル10は第
6図の如く側方脳1136から脳を髄液を個々の細管1
2を用いて直接分流させるのに用−ることもで龜る。こ
の側方JI!室は第4の脳室34の上に位置するlI8
の脳室と実質的に並設されて−る。細管IIはこの一脳
室から柔績を通ってくも膜下空間J8へ延びる。この空
間S8は業績36とくも属40との間に存在する。この
くも1s40は硬膜42の内聞に位置して―る。細管1
20入口端Ifはヒドラ状に調脳室30内へ延出して−
る。
同機に、細管12の最外側又は排出端はとドラ状にくも
膜下空間S8内に延びている。
膜下空間S8内に延びている。
第6図に示すようなカテーテル10の配置は特別の圧力
111I!11バルブを必要としな−。そのようなパル
プは従来のカテーテルにおいて、脳を髄液を心ぞう又は
腹膜腔へ戻すために用iられている。又、このような方
法によシ、脳を髄液をくも膜下空間S8内での通常の吸
収の場所へ戻すことができる。
111I!11バルブを必要としな−。そのようなパル
プは従来のカテーテルにおいて、脳を髄液を心ぞう又は
腹膜腔へ戻すために用iられている。又、このような方
法によシ、脳を髄液をくも膜下空間S8内での通常の吸
収の場所へ戻すことができる。
上述の如き多数の入口孔18は残層、細胞組織による分
流の詰シを防止させ、これと、細管のフルオロポリマー
の材質との組合せによ)細修正を容易にする。又、この
孔18の小さな径の丸め、脳室の局部的崩壊による脳を
iii*の流路封閉の可能性を減少させることがで自る
。
流の詰シを防止させ、これと、細管のフルオロポリマー
の材質との組合せによ)細修正を容易にする。又、この
孔18の小さな径の丸め、脳室の局部的崩壊による脳を
iii*の流路封閉の可能性を減少させることがで自る
。
なお、スパッタマスクメツシュ28の材質、形状を上述
の的以外に変えること、これによ如1@flxltの孔
1BCD位置、形状を変えることもできる。tた、上記
例では細管12をマンドレル24の上にほぼ平行に並列
させたものについて述べ九が、その他、細管12をら旋
状にマンドレル24上に巻きつけてもよい。さらに第3
図に示す細管12f−1ねじった状態にしてイオンスパ
ッタリングをおこなってもよい。そして穿孔後に、との
ねじシを除けば、孔が細管12の鎗向の周りにら旋状に
形成される。
の的以外に変えること、これによ如1@flxltの孔
1BCD位置、形状を変えることもできる。tた、上記
例では細管12をマンドレル24の上にほぼ平行に並列
させたものについて述べ九が、その他、細管12をら旋
状にマンドレル24上に巻きつけてもよい。さらに第3
図に示す細管12f−1ねじった状態にしてイオンスパ
ッタリングをおこなってもよい。そして穿孔後に、との
ねじシを除けば、孔が細管12の鎗向の周りにら旋状に
形成される。
第1図は本発F14に係わる脳室カテーテルの拡大斜視
図、第2図は第1図のカテーテルの細管鐘に細孔を穿孔
させる装置の概略図、第3図は第2図の3−311に沿
う断面図、第4図は穿孔堪れた細管の外面の電子顕微鏡
写真因、第all状スパッタリングによ〕穿孔された細
管の断曹を示す鵬徴鏡写真図、第6図は本発明に係わる
細管を用いて震脳室からくも膜下空間に脳を髄液を直接
分流させる態様を示す模式図である。 10−・脳gay−デk、1!−m管、14−チェーブ
状シース、16−人口端、III −41m孔、20−
イオンビーム、22−・イオン発生源、24−@・マン
ドレル、26−障壁、28−電鋳スクリーン、38−・
くも膜下空間、40−(も属、4M−@膜。 出願人代理人 弁理士 錦 江 弐 彦−3: FIG、4 FIG、5 〜 FIG、6 1、事件の表示 特−昭57−97902号 2 発物の名称 脳室カチーチルおよびその製造方法 :(、補11ユをする者 事件との関係 特許出願人 ナショナル・エアロノーティックス・アンド・スペース
・アトミニストレージョン 、10代理人 5、補正命令の日付 紹和57年9月28日 6゜補11.ス敷1象 明細書(図面の簡単な説明の徊)1図 面〈第を図及び
1θン(11明細書IJ13頁第1行目I:て「電子顕
微鏡写真図」とあるな「図面jと補正する。 (2) 明細書$13頁w!13行目g=で「顕微鏡
写真図」とあるを「図面」と補正する。 (3)図面の浄書(内容に変更なし) 第4WJ IIs@ 8
図、第2図は第1図のカテーテルの細管鐘に細孔を穿孔
させる装置の概略図、第3図は第2図の3−311に沿
う断面図、第4図は穿孔堪れた細管の外面の電子顕微鏡
写真因、第all状スパッタリングによ〕穿孔された細
管の断曹を示す鵬徴鏡写真図、第6図は本発明に係わる
細管を用いて震脳室からくも膜下空間に脳を髄液を直接
分流させる態様を示す模式図である。 10−・脳gay−デk、1!−m管、14−チェーブ
状シース、16−人口端、III −41m孔、20−
イオンビーム、22−・イオン発生源、24−@・マン
ドレル、26−障壁、28−電鋳スクリーン、38−・
くも膜下空間、40−(も属、4M−@膜。 出願人代理人 弁理士 錦 江 弐 彦−3: FIG、4 FIG、5 〜 FIG、6 1、事件の表示 特−昭57−97902号 2 発物の名称 脳室カチーチルおよびその製造方法 :(、補11ユをする者 事件との関係 特許出願人 ナショナル・エアロノーティックス・アンド・スペース
・アトミニストレージョン 、10代理人 5、補正命令の日付 紹和57年9月28日 6゜補11.ス敷1象 明細書(図面の簡単な説明の徊)1図 面〈第を図及び
1θン(11明細書IJ13頁第1行目I:て「電子顕
微鏡写真図」とあるな「図面jと補正する。 (2) 明細書$13頁w!13行目g=で「顕微鏡
写真図」とあるを「図面」と補正する。 (3)図面の浄書(内容に変更なし) 第4WJ IIs@ 8
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)過度の脳を髄液圧力を軽減することによシ水頭症
の状態を制御するために用いられる脳室カテーテルであ
って、 脳室から人体の特定部位へ脳を髄液を導くための細管で
6って、その少なくとも一端近傍壁部に複数の細孔を有
するとともに、該一端に上記細孔よシも実質的に大きい
径の開口部を有する細管を複数具備してなる脳室カテー
テル。 (2)細管がフルオロポリマーからなる籍rf−求の範
囲第1項記載のカテーテル。 (3)フルオロポリマーがポリテトラフルオロエチレン
又ハフルオロエチレンズ、ロビレンからなる特許+hl
求の範囲第2項記載のカテーテル。 (4)一端から細管の細孔穿設部が露出するようにして
細管がチューブ状シースによってH禰されている特許請
求の範囲第1項記載Oカデーデル。 (2)チューブ状シースがシリコーンゴムからなる%鈴
請求の範囲第4項記載のカテーテル。 (6)チューブ状シースが0.015mの内径を有する
特許請求の範囲第5項記載のカテーテル。 (1)細管の内径が0.44關である特許請求の範囲第
6項記載のカテーテル。 (2)細孔の直径が14〜150μ嵐の範囲である特許
請求の範囲第7項記載のカテーテル。 (−過度のa=を髄液圧力を軽減することによ)水―症
の状態を制御するために用いられる脳室カテーテルの製
造方法で6って、複数の細管を複数の細孔を有するマス
クで囲う工程と、この囲われた細管を真空環境内に配置
する工程と、イオンビームを咳マスクに露出させ、該細
゛管に細孔を形成させる工程とを真偽してなる製造方法
。 n上記穿孔細管をさらにチェープレースにて包む工程を
具備する特許請求の範囲第9JJ記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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