JPS5848424A - InΡ半導体結晶のエツチング方法 - Google Patents
InΡ半導体結晶のエツチング方法Info
- Publication number
- JPS5848424A JPS5848424A JP56145598A JP14559881A JPS5848424A JP S5848424 A JPS5848424 A JP S5848424A JP 56145598 A JP56145598 A JP 56145598A JP 14559881 A JP14559881 A JP 14559881A JP S5848424 A JPS5848424 A JP S5848424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- semiconductor crystal
- inp semiconductor
- mixed
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10P50/00—
Landscapes
- Weting (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145598A JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | InΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145598A JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | InΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848424A true JPS5848424A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6366414B2 JPS6366414B2 (enExample) | 1988-12-20 |
Family
ID=15388760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145598A Granted JPS5848424A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | InΡ半導体結晶のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848424A (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172669A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-09-06 | 株式会社トスカ | 結束バンド |
| JPH06191551A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-07-12 | Takeuchi Kogyo Kk | ケーブルタイ |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP56145598A patent/JPS5848424A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172669A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-09-06 | 株式会社トスカ | 結束バンド |
| JPH06191551A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-07-12 | Takeuchi Kogyo Kk | ケーブルタイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366414B2 (enExample) | 1988-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2026289A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor laser | |
| GB2114808A (en) | Semiconductor laser manufacture | |
| JPS5848424A (ja) | InΡ半導体結晶のエツチング方法 | |
| JPS58143596A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS6223191A (ja) | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS5923105B2 (ja) | 軟x線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0213926B2 (enExample) | ||
| JPS5567140A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH05217995A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5724591A (en) | Manufacture of semiconductor laser device | |
| JPS61176122A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5543882A (en) | Gaseous-phase growing of compound semiconductor epitaxial film | |
| JPS62207887A (ja) | 砒化インジウムアルミニウムのエツチング液 | |
| JPS5817689A (ja) | ジヨセフソン回路の製造方法 | |
| JPS62163328A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2818665B2 (ja) | 気相エッチング方法 | |
| JPH11238720A (ja) | アンチモン系化合物半導体結晶のエッチング方法及びエッチング溶液 | |
| JPH05275414A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS5323559A (en) | Production of compound semiconductor | |
| JP3036031B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01248526A (ja) | 半導体素子の形成方法 | |
| JPS63207119A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS63182850A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH0547740A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04144291A (ja) | 太陽電池セル |