JPS5848076A - 光走査光学系 - Google Patents
光走査光学系Info
- Publication number
- JPS5848076A JPS5848076A JP14543281A JP14543281A JPS5848076A JP S5848076 A JPS5848076 A JP S5848076A JP 14543281 A JP14543281 A JP 14543281A JP 14543281 A JP14543281 A JP 14543281A JP S5848076 A JPS5848076 A JP S5848076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- semiconductor
- laser
- prism
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/032—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction
- H04N1/036—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction for optical reproduction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
不発明け、半導体レーザから放射を九にレーザビームに
より走査面全走査する光走査光学系に関する。 例えばレーザプリンタの如き光書込み装置、又はファク
シミｌ］における光読取装置等の光学装置において半導
体レーザヶ含む光走査光学系ケ用いることは従来より周
知である。この場合、半導体レーザから放射１九にレー
ザビームは、その横断面形状が楕円形ケな［７ており、
かかる横断面形態ケ有するレーザビームケその壕ま用い
ることが不適当であるときには、光束形状変換手段によ
ってレーザビームの横断面形状ケ所望する形態に変換し
、かく変換しにレーザビームケ所定の目的に使用するよ
うにしている。そしてこの光束形状変換手段としてプリ
ズムケ用いることも従来より公知である。ｋだ、従来の
この種光学系においては、光束形状変換手段と
より走査面全走査する光走査光学系に関する。 例えばレーザプリンタの如き光書込み装置、又はファク
シミｌ］における光読取装置等の光学装置において半導
体レーザヶ含む光走査光学系ケ用いることは従来より周
知である。この場合、半導体レーザから放射１九にレー
ザビームは、その横断面形状が楕円形ケな［７ており、
かかる横断面形態ケ有するレーザビームケその壕ま用い
ることが不適当であるときには、光束形状変換手段によ
ってレーザビームの横断面形状ケ所望する形態に変換し
、かく変換しにレーザビームケ所定の目的に使用するよ
うにしている。そしてこの光束形状変換手段としてプリ
ズムケ用いることも従来より公知である。ｋだ、従来の
この種光学系においては、光束形状変換手段と
【〜てプ
リズムケ用いｋときに、半導体レーザからのレーザ元ケ
、いかに無駄なく効率的に利用し得るかについては特に
考慮が払わねていｈい。 不発明け上記認識に基き々で力にものでセ）す、うｔ束
形状変換手段と１．てプリズムケ用い、しかもレーザ光
の利ｆｆｌ効率ケ高めることの可能な光走査光学系ケ祈
供１−ること７その第１の目的とする。 不発明の第２の目的は、レーザ光の利用効率が大幅に低
下するようが不都合ケ伴うこと々く、簡単な構成によっ
て、レーザビームの横断面形状ケ所望Ａ−る形態に変換
することのできる光走査光学系’ｅ ］’）％供するこ
吉である。 土配第１の目的口、特許請求の範囲第１項に記載の構成
によって達成はね、第２の目的は同第３項に記載の構成
によって達成プｎる。 以下、不発明の有利庁実施例ケ説明する。 第１図は、不発明に係る光走査光学系ケ、レーザプリン
タに用いた具体例ケ示す模式図であり、本発明の理解の
ｋめ、先ず第１図に示す構成の概略ケその作用と共に説
明する。 第１図において、成る広がり角ケモって半導体レーザ１
から放射芒ｊ女レーザビーム１．け、結合レンズ２によ
って平行なレーザビームＬにを力、次いでプリズム３か
ら成る第１の光束形状変換手段と、スリット４ケ有する
第２の光束形状変換手段とケ通過し１、その際、後述す
る態様でレーザビームの横断面形態が変換ｇｆｌる。上
記スリット４け、２つの板状遮光部材５によって区画形
成でれているが、この遮光部材５ケスリツｚｒ有する１
つの部片によって構成してもよいことは当然である。ス
リット４′（Ｉ−通過し女平行レーザビームＴ−は、回
転多面鏡６から成る光偏向装置及びｆ・θレンズ７ケ介
し、て、走査面、即ち本例では感光体ドラム８の表面に
入射１−る。回転多面鏡６け、公知の如く複数のミラー
９１ｔ有し、Ｌ７かも第１図における反時計方間に回転
駆動−Ｊｆｌるｋめ、この回転に伴って、レーザビーム
Ｌは感光体ドラム８の表面ケ矢印Ａで示す方向に主走査
し、半導体レーザ］に入力はれる 情報信号に応じて、
ドラム８）Ｉに画素から成る画像ケ形成する。その際の
走査線ケ第１図に符号Ｘ？、伺して示す。 上述の如き主走査が回転多面鏡６の回転に伴いその各ミ
ラー毎に順次行なわカ、シ、かも感光体ドラム８が副走
査方向にｌｉ″ｉ１転駆動ζ檜るので、該ドラム８の表
面にしＹ所定の＝次元的り両像が形５ｙ、妊ハる。尚、
ｆ・θレンズ７け、公知の如く回転多面鏡で偏量σｎ＊
し〜ザビームケ、感光体ドラム８の表面に結像は一伊る
と共に、レーザビームケトラム表面にて等速で走査をせ
る用？なす。 上述の如く、レーザビームＬ Ｈ成る広かり角？もって
半導体レーザビームするが、この状態ケ第２図に模式的
に示す。第２図は、半導体レーザ１の一例と１〜て、異
種物質のｎ形半導体とｎ形半導体とケ接合１−２にへテ
ロ接合型半導体し下ザケ示し７、その半導体接合面］０
の活性領域からレーザビームＬが放射ζ力でいる。この
場合、半導体レーザ１の半導体接合面１０に平行な方向
（後述国−るＸ軸方向）におけるレーザビームＬの広が
り角ω、ト、該接合面に対し垂直々方向（後述するＶ軸
方向）におけるレーザビームＬの広がり角ω２とは等し
くなく、必ずω２〉ω１の関係が保にわる。従って、こ
のレーザビームＬの横断面形状は円形とけならず必ず楕
円形となる。尚、不明細書に言うレーザビームの断面形
態は、レーザビームの横断面における光強度分布がガウ
ス分布ケなり、ているものと仮定（ｅｌｄ自然対数の底
）の光強度ケもつ位置で考えた断面形態である。第３図
けこカケ説明するグラフであり、半導体レーザから出射
するレーザビームの広がり角ケ横軸にとり、このビーム
の光強度ケ縦軸にとったものｆある。第３図における実
線Ａが接合面１０に対し、垂直な方向に広がるレーザビ
ームの光強度分布？、そして破線Ｂが接合面に対して平
行な方向に広がるレーザビームの光強度分布ケ示り、て
いる。このように半導体レーザから出射するレーザビー
ムの横断面は楕円形？なしているため、もしもこね？整
形せずに感−光体ドラム８へ導びいｋとすね、げ、該ド
ラムの表面ケ照射しにレーザビームのビームスポット形
態も、半導体レーザから放射をれにレーザビームの形態
に対応【−１た楕円形７ａ−３−ｄ−ことになる。とこ
ろがドラム８の表面に、かかる形態のスポットケ結像さ
せることは一般に不適尚であり、半導体レーザ１がら放
射を力にレーザビームの断面形態ケ所望する形態に変換
シ２、ないしは整形する必要がある。 子連した必要性から既述のプリズム３と、遮光部材５に
」：り区画ζね、にスリット４とが用いらηる。以下に
その具体的な構成と、その作用ケ詳細に説明する。 先ず、説明の便宜上第２図に示すように、半導体レーザ
１のレーザビーム出射面、即ち第２図における半導体レ
ーザ右側面】００での接合面１ｏ方回ケπ軸と（７、接
合面１０に垂直な方間’ｒｙ軸とすると共に、Ｚ ｉｌ
’ｌｌ＋と１１軸とに垂直外方向、即ちレーザビームの
主九線の方向ｉ ｇ ｎ’ｌ１１と定める。そして第１
図に示４−ように、レーザビームが結合レンズ２、プリ
ズム３及びスリット４ケそηぞゎ出射し、に位置Ｉ 、
ＩＴ 、 １１１、及び感光体ドラム８の表面ダレ−
ザビームが照射した位置１■においても、」二記′ｘ３
／ｚ軸にそ名、ぞれ光学的に対応はせて、Ｚ’ｊｌＺ軸
ケ定める。この場合、各位置１乃至１■におけるｘｙｚ
軸方軸方あくまでも光学的に対応させｋものであって、
各位置でのｘｙｚ軸方軸方、必ずしも空間的に一致する
ものでないことは第１図からも明らかである。このよう
に方向ケ定めると、第２図？参照して先に説明したとこ
ろから明らかなように、結合レンズ２全射出したレーザ
ビームＬの横断面、即ち第１図のＩの位置におけるビー
ム横断面は、第４図（１）の如く表わすことができ、こ
のレーザビームの横断面は、Ｘ軸方向に小さな幅ａ（矧
軸） ｋ 、ｙ軸方向に大なる幅ｂ（長１１１１ ）
ｋ有する楕円形となっている。また１本実施例において
は、感光体ドラム８の表面に結像はねるビームスポット
の形状ケ、第４図ｍＭＶＣ示す如く、主走査方向（即ち
Ｘ軸方向）に短軸ケ有し一１副走査方回（即ちｖ軸方向
）に長軸ケ有する楕円形に形成する場合について考える
ことにする。かかる形状のビームスポットで走査７行な
うと、七ね自体公知な如く、高分解能な記録ケ為し、得
るからである（これけレーザプリンタだけで々く読取装
置においても同様である）。 ところで一般に、ｆ・θレンズへ入射するレーザビーム
の径と、このレーザビーム出射面ねり走査面（即ち第１
図の例では感光体ドラム表面）における結像ビーノ・□
スポットの径とが反比例の関係ケ有していることはよく
知ら力でいる。例えばｆ・θレンズへ、直径φなる円形
横断面のレーザビームか入射（５、これが走査面に直径
ｄなるビームスポットとして結像ｇｔ１＊とすると、 なる関係ケ満＊ −ｄ−（但Ｌ、ｋけ係数、ｆけｆ・θ
レンスノ焦点距離、λけレーザビームの波長−ｖある）
。 従って感光体ドラノ・表面におけるビームスポットの形
態ケ上述の如き楕円形（第４図ＩＭ ）にするには、（
１）式から判るように、ｆ・θレンズ７へ入射するレー
ザビームＬの横断面形状ケ、第４図（社）又は（財）に
示す如く、Ｘ軸方向に長袖（幅ａ又はａ′）ケ有１−％
ｙ ＋１ｑ１１方回に短軸（幅Ｃ）ケ有するほぼ楕円
状の形にする必要がある（第４図（ＩＩ）の楕円形さ第
４図ＩＶＩの楕円形は、その長軸と短軸とが逆になって
いる）。 そこで、第１図に示す実施例ではプリズムがレーザビー
ムの横断面の一方向の幅ケ変換できることケ利用Ｌ５て
、プリズム３により、第４図（１）に示すレーザビーム
横断面のＸ軸方向の幅ｌ］だけケ縮少し、プリズム３ヶ
出射しにレーザビーム横断面ケ、第４図（ＩＩ）に□示
１−如く、ｘ １１ｎ方回に長軸（幅ａ）ケ有し、１１
軸方向に短軸（幅Ｃ）ケ有する楕円形に整形するように
構５ｙ、Ｇ ｎでいる（ｅ＜ｂ）。プリズム３によりレ
ーザビームの横断面ケこのように変換できるようにする
には、例えば次のようにプリズム３の位置７足めればよ
い。即ち、レーザビームＬが入射するプリズム屈折面（
入射面）１１す如く、直角ケなしている場付には、この
側面Ｊ３が、Ｉ又け■１の位置でのｘｙｚ軸ケ基準とし
て、ｙｇ平面に対し平行と々るようにプリズム３紮配置
する。その際、断面形状変換前と後とにおける一ザビー
ムの主−＋１線Ｔ、＋ｃとの交点１４ケ中心古シ、て（
勿論、他の位置でもよい）、プリズム３の側面】３と平
行力平面（ｙｚ平面）内で、プリズム３ヶ回転式せ、プ
リズノ、３へのレーザビームの入射角ケ変えることによ
って所望する太きをに適宜設定することができる。従っ
て、プリズム３ケ上記の如く適宜回転１−ることにより
、最終的なビームスボッｌ−（ｍ４図（〜す）のｖＩＩ
Ｉｌｌｌ方回の幅Ｃ″方向所望る大きさに定めることが
できる。即ち、プリズムケ射ｆｌｊ Ｌ、てｆ・θレン
ズに入射１−るレーザビーム径と、感光体ドラムｌ’Ｔ
のビーノ、スポット径とけ、既述の如り（１）式に示す
関係ケイイし、ているので、プリズム屈折面するレーザ
ビーム横断面のＶ軸方向の幅Ｃヶ調整すわば、Ｘ軸方向
に所望する太きての幅Ｃ″ケ持穴感光体ドラム状のビー
ムスポットケ得ることができる訳である。このようにし
て、感光体ドラム上のビームスポットのｙ軸方同幅Ｃ″
？、容易に所定の大食さに定めることができる。 まにル−ザビームの広がり角ω２の犬＠では、個々の半
導体レーザによって多少ばらつくが、プリズム３ケ上記
の如く回転Ａ−ることによって、最終的なビームスポッ
トの？／軸軸方の幅Ｃ／／ の犬＠ζ？調整することが
でき、角度ω２のばらつきに対しても、支障なく対処す
ることができる。 次に感光体ドラム上でのビームスポットのＸ軸方向の幅
の定め方について考えると、プリズム３ケ串射１−７ｋ
レーザビームＬのπ軸方同幅ａは、−プリズム３へ入射
する前の幅ａと何ら変らない（第４図ｆｌ） 、 （Ｉ
Ｉ） ）。プリズム３はレーザビーム幅ｙｙ軸方回にの
み縮少する働きケなすに留するからでるる。この場合、
半導体レーザ１から放射さ力５るレーザビームＬＯＸ軸
方回の広がり角ω１が一定しているとすれば、Ｘ軸方向
に所定の幅ａ″ケ持ビームスポットが得られるように、
結合レンズ２ケ構成するだけで、ビームスボッｚｒ−第
４図■に示す如き形態にすることができる。ところが、
半導体レーザ１から放射１ｆ’ｌるレーザビームＬの広
がり角ω１も、半導体レーザによって僅かにばらつき、
広がり角ω１が一定り−でいないのが普通である。 このｋめ、図示り、に構成においては、既述のスリット
４に」：つて、プリズム３ケ射出【−１にレーザビーム
横断面のＸ軸方向における端の一部ケ、必要に応じて僅
かにカッ１−１−、、こわケ第４図ＩＴＩに示す如く整
形するようにしている。こノ１によって、感光体ドラム
８土には所定の形状のビームスポットか得らねる（第４
図（１ｖ）。尚、スリット４け、レーザビームＬの横断
面ｙ７ｘ軸方回にのみ絞り得るように、Ｘ軸方向に平行
な方間に位置しているこ吉は当然である。またスリット
４の幅ｗｉ調整できるように、遮光部材５ケ移動可能に
配置することが有利である。 ところで上述の如くして光束形状変換ケ行なう際、一般
に、プリズムケ用いてこ４７行がえば、一部の元がプリ
ズムに吸収−Ｊｆｌるとし、てもその大部分の光は有効
に利用できるので、光束形状変換時における光の損失は
非常に小はく、その反面、スリツｔｌ＋−用いてレーザ
ビーム横断面の幅ケ縮めると、その際にカットさ力に光
は全く無駄となり、従ってその介の損失はかなり太きい
と言える。その点、図示１４本発明に係る構成において
は、半導体レーザ１から出射したし〜ザビーム■」の横
断面は、その広幅方間（ｙ軸方口）ケ、プリズム３によ
つｔ縮少ζ力、かく縮少式η女し−ザビーム横断面の極
く一部だけがスリット４によって縮少ζ力るようになっ
ており、換言すれば、大幅に縮少を力るべきレーザビー
ム横断面の幅が、プリズム３によって実質的に光の損失
ケ伴うことなく縮少ζね、最終的に一部の幅のみケ縮少
するときにはスリット４が使用σれ、その結果、元の損
失は大幅に抑制ζわる。逆ｖｒＣも１．も、第４図（１
）におけるｘｉＩ￥１１方回の小なる幅ａｒプリズムに
よって縮少し、ｙ軸方口の大きな幅ｌ）ケスリットでカ
ットして縮少１−るように１−＊ 、！： −＝ｌ−ｎ
ば、うしの損失は大きくならざるケ得ない。 いす力にしても、半導体レーザから放射は力５るレーザ
ビームの大きな広がり？持つ幅に、プリズムによって縮
少するという、本発明による構成に」二つて、光の損失
ケ有効に抑え、光ケ効果的に利用することかできる。尚
、Ｘ軸方口の幅の縮少も、図示し２でいない他のプリズ
ムケ用いて行なえは、光の損失ケ一層低軽減でき、その
意味では有利であると言える。ところがこのようにする
と全体で２つのプリズムケ使用することになり、その構
成が複雑且つ高価と々るだけでなく、各プリズムの位置
決めケ行なうことが大変面倒上々る欠点ケ免ｆＩ々い。 その点、図示しに構成の如く、１つのプ１）ズムにより
レーザビーム横断面の幅ケ大きく縮少すべきところでは
プリズムケ、この横断面ケ僅かに縮少σせるだけでよい
ところにはスリット？用い力ば、大幅な光損失の発生ケ
防止し、つつ、光学系の構成ケ非常に簡単にすることか
でき、特に有利−１′ある。−手１ζ、図示しに実施例
’Ｔは、感光体ドラム−にに第４図ＩＭに示す如き楕円
形のビームスボッ） ７ａ−生せしめる場合について説
明したが、このビームスボットチ他の形態、例えば円形
等に形成１−るときにも、レーザビームの広幅方間の幅
を、プリズム３によって変換し、光損失ケ低減ζせるこ
とができること（ｄ当然であり、またスリット等ケ用い
ずに、１つのプリズムだけでビーム形状の整形ケ行なう
ように（−７穴場合も同様である。 ところで、先に説明しに光偏向装置としては、第１図に
示り、７ζ回転多面鏡以外に、カルバノミラー、音響光
学変換素子（所謂Ａ、 ０素子）又はホログラムスキャ
ナ等全適宜用いることができるが、その際反射面（例え
ばミラー）ケ有する光偏向装置（例えば、回転多面鏡又
はガルバノミラ−）ケ用いｋときには、第１図に示すよ
うに、半導体レーザ１のレーザビーム出射面１００にお
ける半導体接合面方間と、感光体ドラノ、における主走
査方間と４、光学的に一致σせ、共にＸ軸方口とするこ
とが有利である。そこでこれについて、光信同装置とし
て回転多面鏡ケ用い友第１図の構成に則して、以下に詳
細に説明シ、」：う。 一般に成る反射面に／ｌが入射したとき、その複素屈折
率ｋｎ−’ｊｋとすると、反射面に平行な成分の反射率
Ｒｐと、垂直な成分の反射率Ｒｓｉ、次式で表わすこと
ができる。 （但（、θけ入射角である） 反射面が例えば、アルミ蒸着面であるとすると、ｎ＝３
．９．１ｃ＝７．０と々す、こ力ら？（２） 、 （３
）式に代入して、入射角θに対する反射率Ｒ，ｐ’、Ｒ
ｓ ’ｒグラフで示すと、第６図の如く々る。従って、
第１図に示す回転多面鏡６の各ミラー９かアルミ蒸着面
であるとすると、第６図に示す反射率でレーザビームが
各ミラーヶ反射することになる。 一方、回転多面鏡６は回転している反面、こｊに入射す
るレーザビームの位置は一定しているので、回転多面鏡
の各ミラーへ入射するレーザビームの入射角は時々刻々
変動する。この場合、この入射角の変化に伴って、各ミ
ラーでのレーザ光の反射率が変動したとすると、感光体
ドラム８上のレーザスポットの光量もこねに伴って変化
し１．１回の主走査中の光量が不均一となり、露光むら
が発生することになる。従ってミラー９への入射角が変
化しても、該ミラーにおける光の反射率が変化し、ない
ことが最も望ましい。かかる観点より、第６図に示す反
射率ＲｐとＲＳＳ見見と、１１．ｐは入射角θの変化に
伴ってかなり大きく変動しているのに対し、 、Ｉｔ、
ｓの変動は少なく、従ってレーザビームが１１１８ の
反射率ケもってミラー９にて反射すれば有利であると言
える。例えば、ｆ・θレンズ７の焦点距離ｋ ２７１
、６ ｍｍとし、このレンズ７ｒ用いて、２３０鰭の長
この走査ケ行なう場合ケー例吉して考えると、このとき
のミラー９への入射角０は、４５°？！−中央値として
３２゜８７°から５７．１３°の範囲となる。 かかる範囲における反射率１（ｐとＲｓとケＷ、ると、
入射角４５°のときの１（、ｐ？１．０とり、にとき、
１（１）は１．０３乃至（１，９５とな、す、その範囲
はかなり大キく、これに対しＲｓ［０，９８乃至］、０
２ｆ、％つて、その範囲はかなり小さい。このことから
レーザビームｐ Ｒ，ｓの反射率で反射きせると有利で
あることが判る。一方、よく知らねでいるように半導体
レーザ１から出射てるレーザ光は、半導体接合面１０に
対して平行な方向に偏光面ケ有する直線偏光声なってお
り、従つて半導体し〜ザ１のレーザビーム出射面１００
における接合面１（）方向と主走査方向Ｘとが光学的に
見て一致するように、回転多面鏡６と半導体レーザ１と
ケ位置決めすわば、レーザ光の偏光方向と、ミラー９に
おける反射面とケ垂直にすることができ、これによって
レーザビームＬｉＲ５の反射率で反射はせることができ
る。 上の例では−）Ｌ偏向装置とし、て回転多面鏡？用い、
その反射面ケアルミ蒸着面と１．７． ＪＪＡ＆の例ケ
示り。 女が、ガルバノミラ−から成る光偏向装置ケ用い１（す
、反射面ケアルミ蒸着面以外の反射面とじたときにも、
上述［１，に考えと全く同様な考えに従って、反射面に
おける反射率の変動ケ小さく留めるように構成１〜るこ
とができる。 以上、不発明の有利な実施例ケ説明したが、不発明け」
二記実施例に限定式わず各種改変することができる。例
えば、結合レンズでレーザビーム横断面にしてからこ７
１ケプリズムに入射させる代りに、先ずプリズムによっ
てレーザビーム？整形り７、次いでこｉ？結付会レンズ
よって平行光にすることも可能である。才女レーザビー
ムの光路中に、ビームコンプレッサ又はビームエクスパ
ンダケ介在させに光学系や、ベルト状ないし、けシート
状の感光体ケ有する光学系、或いは読取装置における光
学系等にも、本発明ケ有利に用いることができる。
リズムケ用いｋときに、半導体レーザからのレーザ元ケ
、いかに無駄なく効率的に利用し得るかについては特に
考慮が払わねていｈい。 不発明け上記認識に基き々で力にものでセ）す、うｔ束
形状変換手段と１．てプリズムケ用い、しかもレーザ光
の利ｆｆｌ効率ケ高めることの可能な光走査光学系ケ祈
供１−ること７その第１の目的とする。 不発明の第２の目的は、レーザ光の利用効率が大幅に低
下するようが不都合ケ伴うこと々く、簡単な構成によっ
て、レーザビームの横断面形状ケ所望Ａ−る形態に変換
することのできる光走査光学系’ｅ ］’）％供するこ
吉である。 土配第１の目的口、特許請求の範囲第１項に記載の構成
によって達成はね、第２の目的は同第３項に記載の構成
によって達成プｎる。 以下、不発明の有利庁実施例ケ説明する。 第１図は、不発明に係る光走査光学系ケ、レーザプリン
タに用いた具体例ケ示す模式図であり、本発明の理解の
ｋめ、先ず第１図に示す構成の概略ケその作用と共に説
明する。 第１図において、成る広がり角ケモって半導体レーザ１
から放射芒ｊ女レーザビーム１．け、結合レンズ２によ
って平行なレーザビームＬにを力、次いでプリズム３か
ら成る第１の光束形状変換手段と、スリット４ケ有する
第２の光束形状変換手段とケ通過し１、その際、後述す
る態様でレーザビームの横断面形態が変換ｇｆｌる。上
記スリット４け、２つの板状遮光部材５によって区画形
成でれているが、この遮光部材５ケスリツｚｒ有する１
つの部片によって構成してもよいことは当然である。ス
リット４′（Ｉ−通過し女平行レーザビームＴ−は、回
転多面鏡６から成る光偏向装置及びｆ・θレンズ７ケ介
し、て、走査面、即ち本例では感光体ドラム８の表面に
入射１−る。回転多面鏡６け、公知の如く複数のミラー
９１ｔ有し、Ｌ７かも第１図における反時計方間に回転
駆動−Ｊｆｌるｋめ、この回転に伴って、レーザビーム
Ｌは感光体ドラム８の表面ケ矢印Ａで示す方向に主走査
し、半導体レーザ］に入力はれる 情報信号に応じて、
ドラム８）Ｉに画素から成る画像ケ形成する。その際の
走査線ケ第１図に符号Ｘ？、伺して示す。 上述の如き主走査が回転多面鏡６の回転に伴いその各ミ
ラー毎に順次行なわカ、シ、かも感光体ドラム８が副走
査方向にｌｉ″ｉ１転駆動ζ檜るので、該ドラム８の表
面にしＹ所定の＝次元的り両像が形５ｙ、妊ハる。尚、
ｆ・θレンズ７け、公知の如く回転多面鏡で偏量σｎ＊
し〜ザビームケ、感光体ドラム８の表面に結像は一伊る
と共に、レーザビームケトラム表面にて等速で走査をせ
る用？なす。 上述の如く、レーザビームＬ Ｈ成る広かり角？もって
半導体レーザビームするが、この状態ケ第２図に模式的
に示す。第２図は、半導体レーザ１の一例と１〜て、異
種物質のｎ形半導体とｎ形半導体とケ接合１−２にへテ
ロ接合型半導体し下ザケ示し７、その半導体接合面］０
の活性領域からレーザビームＬが放射ζ力でいる。この
場合、半導体レーザ１の半導体接合面１０に平行な方向
（後述国−るＸ軸方向）におけるレーザビームＬの広が
り角ω、ト、該接合面に対し垂直々方向（後述するＶ軸
方向）におけるレーザビームＬの広がり角ω２とは等し
くなく、必ずω２〉ω１の関係が保にわる。従って、こ
のレーザビームＬの横断面形状は円形とけならず必ず楕
円形となる。尚、不明細書に言うレーザビームの断面形
態は、レーザビームの横断面における光強度分布がガウ
ス分布ケなり、ているものと仮定（ｅｌｄ自然対数の底
）の光強度ケもつ位置で考えた断面形態である。第３図
けこカケ説明するグラフであり、半導体レーザから出射
するレーザビームの広がり角ケ横軸にとり、このビーム
の光強度ケ縦軸にとったものｆある。第３図における実
線Ａが接合面１０に対し、垂直な方向に広がるレーザビ
ームの光強度分布？、そして破線Ｂが接合面に対して平
行な方向に広がるレーザビームの光強度分布ケ示り、て
いる。このように半導体レーザから出射するレーザビー
ムの横断面は楕円形？なしているため、もしもこね？整
形せずに感−光体ドラム８へ導びいｋとすね、げ、該ド
ラムの表面ケ照射しにレーザビームのビームスポット形
態も、半導体レーザから放射をれにレーザビームの形態
に対応【−１た楕円形７ａ−３−ｄ−ことになる。とこ
ろがドラム８の表面に、かかる形態のスポットケ結像さ
せることは一般に不適尚であり、半導体レーザ１がら放
射を力にレーザビームの断面形態ケ所望する形態に変換
シ２、ないしは整形する必要がある。 子連した必要性から既述のプリズム３と、遮光部材５に
」：り区画ζね、にスリット４とが用いらηる。以下に
その具体的な構成と、その作用ケ詳細に説明する。 先ず、説明の便宜上第２図に示すように、半導体レーザ
１のレーザビーム出射面、即ち第２図における半導体レ
ーザ右側面】００での接合面１ｏ方回ケπ軸と（７、接
合面１０に垂直な方間’ｒｙ軸とすると共に、Ｚ ｉｌ
’ｌｌ＋と１１軸とに垂直外方向、即ちレーザビームの
主九線の方向ｉ ｇ ｎ’ｌ１１と定める。そして第１
図に示４−ように、レーザビームが結合レンズ２、プリ
ズム３及びスリット４ケそηぞゎ出射し、に位置Ｉ 、
ＩＴ 、 １１１、及び感光体ドラム８の表面ダレ−
ザビームが照射した位置１■においても、」二記′ｘ３
／ｚ軸にそ名、ぞれ光学的に対応はせて、Ｚ’ｊｌＺ軸
ケ定める。この場合、各位置１乃至１■におけるｘｙｚ
軸方軸方あくまでも光学的に対応させｋものであって、
各位置でのｘｙｚ軸方軸方、必ずしも空間的に一致する
ものでないことは第１図からも明らかである。このよう
に方向ケ定めると、第２図？参照して先に説明したとこ
ろから明らかなように、結合レンズ２全射出したレーザ
ビームＬの横断面、即ち第１図のＩの位置におけるビー
ム横断面は、第４図（１）の如く表わすことができ、こ
のレーザビームの横断面は、Ｘ軸方向に小さな幅ａ（矧
軸） ｋ 、ｙ軸方向に大なる幅ｂ（長１１１１ ）
ｋ有する楕円形となっている。また１本実施例において
は、感光体ドラム８の表面に結像はねるビームスポット
の形状ケ、第４図ｍＭＶＣ示す如く、主走査方向（即ち
Ｘ軸方向）に短軸ケ有し一１副走査方回（即ちｖ軸方向
）に長軸ケ有する楕円形に形成する場合について考える
ことにする。かかる形状のビームスポットで走査７行な
うと、七ね自体公知な如く、高分解能な記録ケ為し、得
るからである（これけレーザプリンタだけで々く読取装
置においても同様である）。 ところで一般に、ｆ・θレンズへ入射するレーザビーム
の径と、このレーザビーム出射面ねり走査面（即ち第１
図の例では感光体ドラム表面）における結像ビーノ・□
スポットの径とが反比例の関係ケ有していることはよく
知ら力でいる。例えばｆ・θレンズへ、直径φなる円形
横断面のレーザビームか入射（５、これが走査面に直径
ｄなるビームスポットとして結像ｇｔ１＊とすると、 なる関係ケ満＊ −ｄ−（但Ｌ、ｋけ係数、ｆけｆ・θ
レンスノ焦点距離、λけレーザビームの波長−ｖある）
。 従って感光体ドラノ・表面におけるビームスポットの形
態ケ上述の如き楕円形（第４図ＩＭ ）にするには、（
１）式から判るように、ｆ・θレンズ７へ入射するレー
ザビームＬの横断面形状ケ、第４図（社）又は（財）に
示す如く、Ｘ軸方向に長袖（幅ａ又はａ′）ケ有１−％
ｙ ＋１ｑ１１方回に短軸（幅Ｃ）ケ有するほぼ楕円
状の形にする必要がある（第４図（ＩＩ）の楕円形さ第
４図ＩＶＩの楕円形は、その長軸と短軸とが逆になって
いる）。 そこで、第１図に示す実施例ではプリズムがレーザビー
ムの横断面の一方向の幅ケ変換できることケ利用Ｌ５て
、プリズム３により、第４図（１）に示すレーザビーム
横断面のＸ軸方向の幅ｌ］だけケ縮少し、プリズム３ヶ
出射しにレーザビーム横断面ケ、第４図（ＩＩ）に□示
１−如く、ｘ １１ｎ方回に長軸（幅ａ）ケ有し、１１
軸方向に短軸（幅Ｃ）ケ有する楕円形に整形するように
構５ｙ、Ｇ ｎでいる（ｅ＜ｂ）。プリズム３によりレ
ーザビームの横断面ケこのように変換できるようにする
には、例えば次のようにプリズム３の位置７足めればよ
い。即ち、レーザビームＬが入射するプリズム屈折面（
入射面）１１す如く、直角ケなしている場付には、この
側面Ｊ３が、Ｉ又け■１の位置でのｘｙｚ軸ケ基準とし
て、ｙｇ平面に対し平行と々るようにプリズム３紮配置
する。その際、断面形状変換前と後とにおける一ザビー
ムの主−＋１線Ｔ、＋ｃとの交点１４ケ中心古シ、て（
勿論、他の位置でもよい）、プリズム３の側面】３と平
行力平面（ｙｚ平面）内で、プリズム３ヶ回転式せ、プ
リズノ、３へのレーザビームの入射角ケ変えることによ
って所望する太きをに適宜設定することができる。従っ
て、プリズム３ケ上記の如く適宜回転１−ることにより
、最終的なビームスボッｌ−（ｍ４図（〜す）のｖＩＩ
Ｉｌｌｌ方回の幅Ｃ″方向所望る大きさに定めることが
できる。即ち、プリズムケ射ｆｌｊ Ｌ、てｆ・θレン
ズに入射１−るレーザビーム径と、感光体ドラムｌ’Ｔ
のビーノ、スポット径とけ、既述の如り（１）式に示す
関係ケイイし、ているので、プリズム屈折面するレーザ
ビーム横断面のＶ軸方向の幅Ｃヶ調整すわば、Ｘ軸方向
に所望する太きての幅Ｃ″ケ持穴感光体ドラム状のビー
ムスポットケ得ることができる訳である。このようにし
て、感光体ドラム上のビームスポットのｙ軸方同幅Ｃ″
？、容易に所定の大食さに定めることができる。 まにル−ザビームの広がり角ω２の犬＠では、個々の半
導体レーザによって多少ばらつくが、プリズム３ケ上記
の如く回転Ａ−ることによって、最終的なビームスポッ
トの？／軸軸方の幅Ｃ／／ の犬＠ζ？調整することが
でき、角度ω２のばらつきに対しても、支障なく対処す
ることができる。 次に感光体ドラム上でのビームスポットのＸ軸方向の幅
の定め方について考えると、プリズム３ケ串射１−７ｋ
レーザビームＬのπ軸方同幅ａは、−プリズム３へ入射
する前の幅ａと何ら変らない（第４図ｆｌ） 、 （Ｉ
Ｉ） ）。プリズム３はレーザビーム幅ｙｙ軸方回にの
み縮少する働きケなすに留するからでるる。この場合、
半導体レーザ１から放射さ力５るレーザビームＬＯＸ軸
方回の広がり角ω１が一定しているとすれば、Ｘ軸方向
に所定の幅ａ″ケ持ビームスポットが得られるように、
結合レンズ２ケ構成するだけで、ビームスボッｚｒ−第
４図■に示す如き形態にすることができる。ところが、
半導体レーザ１から放射１ｆ’ｌるレーザビームＬの広
がり角ω１も、半導体レーザによって僅かにばらつき、
広がり角ω１が一定り−でいないのが普通である。 このｋめ、図示り、に構成においては、既述のスリット
４に」：つて、プリズム３ケ射出【−１にレーザビーム
横断面のＸ軸方向における端の一部ケ、必要に応じて僅
かにカッ１−１−、、こわケ第４図ＩＴＩに示す如く整
形するようにしている。こノ１によって、感光体ドラム
８土には所定の形状のビームスポットか得らねる（第４
図（１ｖ）。尚、スリット４け、レーザビームＬの横断
面ｙ７ｘ軸方回にのみ絞り得るように、Ｘ軸方向に平行
な方間に位置しているこ吉は当然である。またスリット
４の幅ｗｉ調整できるように、遮光部材５ケ移動可能に
配置することが有利である。 ところで上述の如くして光束形状変換ケ行なう際、一般
に、プリズムケ用いてこ４７行がえば、一部の元がプリ
ズムに吸収−Ｊｆｌるとし、てもその大部分の光は有効
に利用できるので、光束形状変換時における光の損失は
非常に小はく、その反面、スリツｔｌ＋−用いてレーザ
ビーム横断面の幅ケ縮めると、その際にカットさ力に光
は全く無駄となり、従ってその介の損失はかなり太きい
と言える。その点、図示１４本発明に係る構成において
は、半導体レーザ１から出射したし〜ザビーム■」の横
断面は、その広幅方間（ｙ軸方口）ケ、プリズム３によ
つｔ縮少ζ力、かく縮少式η女し−ザビーム横断面の極
く一部だけがスリット４によって縮少ζ力るようになっ
ており、換言すれば、大幅に縮少を力るべきレーザビー
ム横断面の幅が、プリズム３によって実質的に光の損失
ケ伴うことなく縮少ζね、最終的に一部の幅のみケ縮少
するときにはスリット４が使用σれ、その結果、元の損
失は大幅に抑制ζわる。逆ｖｒＣも１．も、第４図（１
）におけるｘｉＩ￥１１方回の小なる幅ａｒプリズムに
よって縮少し、ｙ軸方口の大きな幅ｌ）ケスリットでカ
ットして縮少１−るように１−＊ 、！： −＝ｌ−ｎ
ば、うしの損失は大きくならざるケ得ない。 いす力にしても、半導体レーザから放射は力５るレーザ
ビームの大きな広がり？持つ幅に、プリズムによって縮
少するという、本発明による構成に」二つて、光の損失
ケ有効に抑え、光ケ効果的に利用することかできる。尚
、Ｘ軸方口の幅の縮少も、図示し２でいない他のプリズ
ムケ用いて行なえは、光の損失ケ一層低軽減でき、その
意味では有利であると言える。ところがこのようにする
と全体で２つのプリズムケ使用することになり、その構
成が複雑且つ高価と々るだけでなく、各プリズムの位置
決めケ行なうことが大変面倒上々る欠点ケ免ｆＩ々い。 その点、図示しに構成の如く、１つのプ１）ズムにより
レーザビーム横断面の幅ケ大きく縮少すべきところでは
プリズムケ、この横断面ケ僅かに縮少σせるだけでよい
ところにはスリット？用い力ば、大幅な光損失の発生ケ
防止し、つつ、光学系の構成ケ非常に簡単にすることか
でき、特に有利−１′ある。−手１ζ、図示しに実施例
’Ｔは、感光体ドラム−にに第４図ＩＭに示す如き楕円
形のビームスボッ） ７ａ−生せしめる場合について説
明したが、このビームスボットチ他の形態、例えば円形
等に形成１−るときにも、レーザビームの広幅方間の幅
を、プリズム３によって変換し、光損失ケ低減ζせるこ
とができること（ｄ当然であり、またスリット等ケ用い
ずに、１つのプリズムだけでビーム形状の整形ケ行なう
ように（−７穴場合も同様である。 ところで、先に説明しに光偏向装置としては、第１図に
示り、７ζ回転多面鏡以外に、カルバノミラー、音響光
学変換素子（所謂Ａ、 ０素子）又はホログラムスキャ
ナ等全適宜用いることができるが、その際反射面（例え
ばミラー）ケ有する光偏向装置（例えば、回転多面鏡又
はガルバノミラ−）ケ用いｋときには、第１図に示すよ
うに、半導体レーザ１のレーザビーム出射面１００にお
ける半導体接合面方間と、感光体ドラノ、における主走
査方間と４、光学的に一致σせ、共にＸ軸方口とするこ
とが有利である。そこでこれについて、光信同装置とし
て回転多面鏡ケ用い友第１図の構成に則して、以下に詳
細に説明シ、」：う。 一般に成る反射面に／ｌが入射したとき、その複素屈折
率ｋｎ−’ｊｋとすると、反射面に平行な成分の反射率
Ｒｐと、垂直な成分の反射率Ｒｓｉ、次式で表わすこと
ができる。 （但（、θけ入射角である） 反射面が例えば、アルミ蒸着面であるとすると、ｎ＝３
．９．１ｃ＝７．０と々す、こ力ら？（２） 、 （３
）式に代入して、入射角θに対する反射率Ｒ，ｐ’、Ｒ
ｓ ’ｒグラフで示すと、第６図の如く々る。従って、
第１図に示す回転多面鏡６の各ミラー９かアルミ蒸着面
であるとすると、第６図に示す反射率でレーザビームが
各ミラーヶ反射することになる。 一方、回転多面鏡６は回転している反面、こｊに入射す
るレーザビームの位置は一定しているので、回転多面鏡
の各ミラーへ入射するレーザビームの入射角は時々刻々
変動する。この場合、この入射角の変化に伴って、各ミ
ラーでのレーザ光の反射率が変動したとすると、感光体
ドラム８上のレーザスポットの光量もこねに伴って変化
し１．１回の主走査中の光量が不均一となり、露光むら
が発生することになる。従ってミラー９への入射角が変
化しても、該ミラーにおける光の反射率が変化し、ない
ことが最も望ましい。かかる観点より、第６図に示す反
射率ＲｐとＲＳＳ見見と、１１．ｐは入射角θの変化に
伴ってかなり大きく変動しているのに対し、 、Ｉｔ、
ｓの変動は少なく、従ってレーザビームが１１１８ の
反射率ケもってミラー９にて反射すれば有利であると言
える。例えば、ｆ・θレンズ７の焦点距離ｋ ２７１
、６ ｍｍとし、このレンズ７ｒ用いて、２３０鰭の長
この走査ケ行なう場合ケー例吉して考えると、このとき
のミラー９への入射角０は、４５°？！−中央値として
３２゜８７°から５７．１３°の範囲となる。 かかる範囲における反射率１（ｐとＲｓとケＷ、ると、
入射角４５°のときの１（、ｐ？１．０とり、にとき、
１（１）は１．０３乃至（１，９５とな、す、その範囲
はかなり大キく、これに対しＲｓ［０，９８乃至］、０
２ｆ、％つて、その範囲はかなり小さい。このことから
レーザビームｐ Ｒ，ｓの反射率で反射きせると有利で
あることが判る。一方、よく知らねでいるように半導体
レーザ１から出射てるレーザ光は、半導体接合面１０に
対して平行な方向に偏光面ケ有する直線偏光声なってお
り、従つて半導体し〜ザ１のレーザビーム出射面１００
における接合面１（）方向と主走査方向Ｘとが光学的に
見て一致するように、回転多面鏡６と半導体レーザ１と
ケ位置決めすわば、レーザ光の偏光方向と、ミラー９に
おける反射面とケ垂直にすることができ、これによって
レーザビームＬｉＲ５の反射率で反射はせることができ
る。 上の例では−）Ｌ偏向装置とし、て回転多面鏡？用い、
その反射面ケアルミ蒸着面と１．７． ＪＪＡ＆の例ケ
示り。 女が、ガルバノミラ−から成る光偏向装置ケ用い１（す
、反射面ケアルミ蒸着面以外の反射面とじたときにも、
上述［１，に考えと全く同様な考えに従って、反射面に
おける反射率の変動ケ小さく留めるように構成１〜るこ
とができる。 以上、不発明の有利な実施例ケ説明したが、不発明け」
二記実施例に限定式わず各種改変することができる。例
えば、結合レンズでレーザビーム横断面にしてからこ７
１ケプリズムに入射させる代りに、先ずプリズムによっ
てレーザビーム？整形り７、次いでこｉ？結付会レンズ
よって平行光にすることも可能である。才女レーザビー
ムの光路中に、ビームコンプレッサ又はビームエクスパ
ンダケ介在させに光学系や、ベルト状ないし、けシート
状の感光体ケ有する光学系、或いは読取装置における光
学系等にも、本発明ケ有利に用いることができる。
第１図は不発明に係る光学系ケ用いにレーザプリンタの
一例ケ示す模式斜視図、第２図は半導体レーザから出射
するレーザビームの広がり状態ケ示す説明図、第３図は
レーザビームの広がり状態デ説明するグラフ、第４図は
第１図に示す各位置１、’［、ｍ、ＴＶにおけるレーザ
ビーム横断面の形態ケ示す説明図、第５図ばプリズムの
配置状態ケ説明する説明図、第６図は反射面における入
射角と反射率との関係ケ示すグラフでめる。 １・・・半導体レーザ ２・・・結合レンズ ３・・・プリズム ４・・・スリット １０ ・・・接合面 １００・・・レーザビーム出射面 ａ、ｂ、ｃ・・・幅 Ｌ・・・レーザビーム 第２図 第３図 広カ（り泊 第４図 （Ｉ） （ＩＩ） （Ｉ［） （Ｖ）手続補
正書（自発） 昭和５７年１２月１５日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １小件の表示 昭和５６年特許願第１．４５４３２号 ２、発明の名称 光走査）Ｌ学系 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都太田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社リコー ４代 理 人 〒１０５ 住所 東京都港区西新橋１丁目９番９号中銀第５ビル３
階置（５０１）４８８７番（１１明細書の特許請求の範
囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）明細書第８頁２行乃至３行の１対応した」を１応
じた形の」と補正する。 （３）同第８頁下から４行及び第１２頁４行の［主２行
、１１行、及び１２行の１少」を１小」と捕る。 １− 別 紙 ［２、特許請求の範囲 （１）介源としての半導体レーザと、該半導体レーザか
らのレーザビームをほぼ平行にするための結合レンズと
、レーザビームの横断面形状を変換するためのプリズム
と、レーザビー１、？：偏向するための偏向装置と、偏
向きれたレーザビーム・全集束させて走査面へ導ひく結
像レンズとを具備する光走査光学系において、半導体レ
ーザにおける半導体接合面に対し、光学的に見てほぼ直
角な方向のレーザビーム幅を前記プリズムによって変換
することを特徴とする前記光走査光学系。 （２）偏向装置として反射面を含む装置を使用し、半導
体レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方
向と、走査面における主走査方向とを、光学的にほぼ一
致させた特許請求の範囲第１項に記載の光走査光学系。 （３）賞源としての半導体レーザと、該半導体レーザか
らのレーザビームをほぼ平行にするた ２− めの結合レンズと、レーザビームの横断面形状を変換す
るためのプリズムと、レーザビームを偏向するための偏
向装置と、偏向きれたレーザビームを集束させて走査面
へ導ひく結像レンズとを具備する光走査光学系において
、半導体レーザにおける半導体接合面に対し、光学的に
見てほぼ直角な方向のレーザビーム幅を前記プリズムに
よって変換すること、及び レーザビームの進行方向における結像レンズ以前の連取
に、スリットを有する光束形状変換手段を設け、半導体
レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方向
に対し、光学的に見てほぼ平行な方向のレーザビーム幅
を前記スリットによって変換することを特徴とする前記
光走査光学系。 （４）偏向装置として反射面を含む装置を使用し、半導
体レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方
向と、走査面における主走査方向とを、光学的にほぼ一
致させた特許請求の範囲部３項に記載の光走査光学系。 」−３− ４１７−
一例ケ示す模式斜視図、第２図は半導体レーザから出射
するレーザビームの広がり状態ケ示す説明図、第３図は
レーザビームの広がり状態デ説明するグラフ、第４図は
第１図に示す各位置１、’［、ｍ、ＴＶにおけるレーザ
ビーム横断面の形態ケ示す説明図、第５図ばプリズムの
配置状態ケ説明する説明図、第６図は反射面における入
射角と反射率との関係ケ示すグラフでめる。 １・・・半導体レーザ ２・・・結合レンズ ３・・・プリズム ４・・・スリット １０ ・・・接合面 １００・・・レーザビーム出射面 ａ、ｂ、ｃ・・・幅 Ｌ・・・レーザビーム 第２図 第３図 広カ（り泊 第４図 （Ｉ） （ＩＩ） （Ｉ［） （Ｖ）手続補
正書（自発） 昭和５７年１２月１５日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １小件の表示 昭和５６年特許願第１．４５４３２号 ２、発明の名称 光走査）Ｌ学系 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都太田区中馬込１丁目３番６号名称 （６７
４）株式会社リコー ４代 理 人 〒１０５ 住所 東京都港区西新橋１丁目９番９号中銀第５ビル３
階置（５０１）４８８７番（１１明細書の特許請求の範
囲の欄 （２）明細書の発明の詳細な説明の欄 ６補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。 （２）明細書第８頁２行乃至３行の１対応した」を１応
じた形の」と補正する。 （３）同第８頁下から４行及び第１２頁４行の［主２行
、１１行、及び１２行の１少」を１小」と捕る。 １− 別 紙 ［２、特許請求の範囲 （１）介源としての半導体レーザと、該半導体レーザか
らのレーザビームをほぼ平行にするための結合レンズと
、レーザビームの横断面形状を変換するためのプリズム
と、レーザビー１、？：偏向するための偏向装置と、偏
向きれたレーザビーム・全集束させて走査面へ導ひく結
像レンズとを具備する光走査光学系において、半導体レ
ーザにおける半導体接合面に対し、光学的に見てほぼ直
角な方向のレーザビーム幅を前記プリズムによって変換
することを特徴とする前記光走査光学系。 （２）偏向装置として反射面を含む装置を使用し、半導
体レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方
向と、走査面における主走査方向とを、光学的にほぼ一
致させた特許請求の範囲第１項に記載の光走査光学系。 （３）賞源としての半導体レーザと、該半導体レーザか
らのレーザビームをほぼ平行にするた ２− めの結合レンズと、レーザビームの横断面形状を変換す
るためのプリズムと、レーザビームを偏向するための偏
向装置と、偏向きれたレーザビームを集束させて走査面
へ導ひく結像レンズとを具備する光走査光学系において
、半導体レーザにおける半導体接合面に対し、光学的に
見てほぼ直角な方向のレーザビーム幅を前記プリズムに
よって変換すること、及び レーザビームの進行方向における結像レンズ以前の連取
に、スリットを有する光束形状変換手段を設け、半導体
レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方向
に対し、光学的に見てほぼ平行な方向のレーザビーム幅
を前記スリットによって変換することを特徴とする前記
光走査光学系。 （４）偏向装置として反射面を含む装置を使用し、半導
体レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方
向と、走査面における主走査方向とを、光学的にほぼ一
致させた特許請求の範囲部３項に記載の光走査光学系。 」−３− ４１７−
Claims (4)
- （１）光源としての半導体レーザと、該半導体レーザか
らのレーザビームゲはぼ平行にするための結合レンズと
、レーザビームの横断面形状ケ変換するためのプリズム
と、レーザビーム全偏向するｋめの偏向装置と、偏向き
れたレーザビームを集束１せて走査面へ導ひく結像レン
ズとケ含む光走査光学系において、半導体レーザにおけ
る半導体接合面に対し、光学的に見てほぼ直角な方向の
レーザビーム幅ケ前記プリズムによって変換することケ
特徴とする前記光走査光学系。 - （２）偏向装置として反射面ケ含む装置ケ使用し、半導
体レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方
回と、走査面における主走査方向と？、光学的にほぼ一
致はせた特許請求の範囲第１項に記載の光走査光学系。 - （３）光源とＩ５ての半導体レーザと、該半導体レーザ
からのレーザビームヶはぼ平行にするための結合レンズ
と、レーザビームの横断面形状ケ変換するためのプリズ
ムと、レーザビーム全偏向するための偏向装置と、偏向
ざゎにレーザビーム出射面プせて走査面へ導びく結像レ
ンズとケ含む）′ｔ１走査光学系において、半導体レー
ザにおける半導体接合面に対し、光学的に見てほぼ直角
な方向のレーザビーム幅ケ前記プリズムによって変換す
ること、及び レーザビームの進行方間における結像レンズ以前の適所
に、スリンＢｒ有する光束形状変換手段ケ設け、半導体
レーザのレーザビーム出射面における半導体接合面方間
に対し、光学的に見てほぼ平行な方向のレーザビーム幅
ケ前記スリットで絞ることにより、該幅の犬＠芒ケ変換
することケ特徴とする前記光走査光学系。 - （４）偏向装置として反射面ケ含む装置ケ使用し、半導
体レーザのレーザビーム、出射面における半導体接合面
方向と、走査面における主走査方向りを、光学的にほぼ
一致をせに特許請求の範囲第３項に記載の光走査光学系
０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543281A JPS5848076A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 光走査光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543281A JPS5848076A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 光走査光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848076A true JPS5848076A (ja) | 1983-03-19 |
| JPH0261724B2 JPH0261724B2 (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=15385103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14543281A Granted JPS5848076A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 光走査光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300257A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Minolta Camera Co Ltd | ２色プリンタ |
| US6725662B2 (en) | 1999-12-08 | 2004-04-27 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Drive device |
| US6953083B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-10-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Condenser |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04136968U (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-21 | 三菱自動車工業株式会社 | 自動車用ドアシール装置 |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14543281A patent/JPS5848076A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300257A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Minolta Camera Co Ltd | ２色プリンタ |
| US6725662B2 (en) | 1999-12-08 | 2004-04-27 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Drive device |
| US6953083B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-10-11 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Condenser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261724B2 (ja) | 1990-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000019362A (ja) | アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 | |
| US5291329A (en) | Apparatus for recording an image | |
| JPS5848076A (ja) | 光走査光学系 | |
| JPS5555311A (en) | Light beam scanner | |
| JP2004128045A (ja) | ファイバレーザ装置 | |
| JPS6053857B2 (ja) | 半導体レ−ザ光源装置 | |
| JPS6022330B2 (ja) | 複数個の半導体レ−ザ−を用いた記録装置 | |
| JPH032712A (ja) | ビームスキャン装置 | |
| JPS62265613A (ja) | 光ビ−ムの２次元町偏向装置 | |
| JPS58184117A (ja) | 複数ビ−ム走査装置 | |
| JPH0588100A (ja) | 走査装置 | |
| JPS6199121U (ja) | ||
| JP3538445B2 (ja) | レーザビーム伝送装置 | |
| JPS61126528A (ja) | 光走査装置 | |
| JPH1164759A (ja) | 光走査光学装置 | |
| JP3013627U (ja) | 走査光学系 | |
| JPH07174996A (ja) | ラスター出力スキャナーイメージシステム | |
| JP2726307B2 (ja) | ルーフミラーレンズアレイ | |
| US5835253A (en) | Raster output scanning system with a super-elliptic laser beam source | |
| JP2559501B2 (ja) | レーザビーム整形光学系 | |
| JP3542481B2 (ja) | マルチビーム走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 | |
| JPS62127820A (ja) | レ−ザ−プリンタ− | |
| JP2001305448A (ja) | 走査光学系 | |
| JPH0453288B2 (ja) | ||
| JPS60120317A (ja) | レ−ザ走査装置 |