JPS5846554A - ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置 - Google Patents
ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置Info
- Publication number
- JPS5846554A JPS5846554A JP14428081A JP14428081A JPS5846554A JP S5846554 A JPS5846554 A JP S5846554A JP 14428081 A JP14428081 A JP 14428081A JP 14428081 A JP14428081 A JP 14428081A JP S5846554 A JPS5846554 A JP S5846554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- index
- photodiode
- collector plate
- beam collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/20—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes for displaying images or patterns in two or more colours
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/12—CRTs having luminescent screens
- H01J2231/121—Means for indicating the position of the beam, e.g. beam indexing
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームインデッ、クス型カラー受像管装置に関
するものである。
するものである。
ビームインデックス型カラー受像管は第1図に示すよう
にフェースプレー) (1)内面に三原色螢光体(R)
−(8)を黒色のガートバンド(2)を挾む如くストラ
イプ状に順次繰返し配すると共にその内面にアル電ニウ
ム膜(3)を介してインデックス螢光体(4)をストラ
イプ状に繰返し配した面を第2図に示すように単=電子
銃(5)よ)放射した電子ビーム(6)を掃引しえとき
前記インデックス螢光体(4)から得られる光信号(7
)を受像管の背面に形成した光透過窓(8)を介して誼
光透過愈の外部に配置された光検州器(9)〔受光素子
〕に導びくようになっておシ、この検出−(9)でキャ
ッチされ電気信号に変換されたインデックス信号を使っ
て前記電子ビームが所定の螢光体を衝撃できるようにし
ている。このインデックス螢光体に要求される最も重要
な特性は残光時間が短いことであシ、現在使用されてい
る螢光体は波長で400鱈付哲の波長域に発光ピークを
持つ近紫外−光体である。
にフェースプレー) (1)内面に三原色螢光体(R)
−(8)を黒色のガートバンド(2)を挾む如くストラ
イプ状に順次繰返し配すると共にその内面にアル電ニウ
ム膜(3)を介してインデックス螢光体(4)をストラ
イプ状に繰返し配した面を第2図に示すように単=電子
銃(5)よ)放射した電子ビーム(6)を掃引しえとき
前記インデックス螢光体(4)から得られる光信号(7
)を受像管の背面に形成した光透過窓(8)を介して誼
光透過愈の外部に配置された光検州器(9)〔受光素子
〕に導びくようになっておシ、この検出−(9)でキャ
ッチされ電気信号に変換されたインデックス信号を使っ
て前記電子ビームが所定の螢光体を衝撃できるようにし
ている。このインデックス螢光体に要求される最も重要
な特性は残光時間が短いことであシ、現在使用されてい
る螢光体は波長で400鱈付哲の波長域に発光ピークを
持つ近紫外−光体である。
インデックス螢光体ストライプ群からのインデックス光
信号を有効に受光し電気信号に変換するために、従来は
近紫外域の光に対して高い感度を有する光電面を備えた
光電子増倍管あるいは光電管が用いられてい良。しかし
光電子増倍管や光電管は特殊な電子管であって、高価な
こと、高電圧が必要なこと、大きいこと岬の難点があり
、小型で取扱いが容易な固体受光素子の適用が望まれて
いる。固体受光素子は、一般に受光面積が小さく、可視
域から近津外域にかけて最高の感度を示すものがほとん
どである。との欠点を補うために、受光面積を大きくし
たり、短波長域での感度を向上させる工夫が種々なされ
ているが、受光面積を大きくすると接合容量が増加する
ため、高速応答性が悪くなるので、大きさには限度があ
り、接合の深さを浅くしたり、8nOz岬とのへテロ接
合を形成するととKよって短波長域での感度を向上させ
る試みがなされているが、製作技術の上で限界があって
固体受光素子単体でインデックス信号を検出するのは非
常に困−である。
信号を有効に受光し電気信号に変換するために、従来は
近紫外域の光に対して高い感度を有する光電面を備えた
光電子増倍管あるいは光電管が用いられてい良。しかし
光電子増倍管や光電管は特殊な電子管であって、高価な
こと、高電圧が必要なこと、大きいこと岬の難点があり
、小型で取扱いが容易な固体受光素子の適用が望まれて
いる。固体受光素子は、一般に受光面積が小さく、可視
域から近津外域にかけて最高の感度を示すものがほとん
どである。との欠点を補うために、受光面積を大きくし
たり、短波長域での感度を向上させる工夫が種々なされ
ているが、受光面積を大きくすると接合容量が増加する
ため、高速応答性が悪くなるので、大きさには限度があ
り、接合の深さを浅くしたり、8nOz岬とのへテロ接
合を形成するととKよって短波長域での感度を向上させ
る試みがなされているが、製作技術の上で限界があって
固体受光素子単体でインデックス信号を検出するのは非
常に困−である。
一般に光検出の感度が低い場合には、集光することが考
えられているが、ビームインデックス型カラーテレビ受
像管の場合にはその構造上、インデックス光信号検出器
から螢光スクリーン面をにらむ角度が広くなること、お
よび螢光スクリーン面の中心軸上に光検出器を置くこと
が出来ないという制約があること々どのため、レンズに
よる集光は、はとんど効果がないので、他の集光方法に
よるか、光検出器を複数個使用して、光検出器の位置に
よ、って生ずるインデックス光信号の強弱を補正する試
みがなされている。しかし、この方法は部品点数が増加
すること、高価になること等のために好tL<ない。
えられているが、ビームインデックス型カラーテレビ受
像管の場合にはその構造上、インデックス光信号検出器
から螢光スクリーン面をにらむ角度が広くなること、お
よび螢光スクリーン面の中心軸上に光検出器を置くこと
が出来ないという制約があること々どのため、レンズに
よる集光は、はとんど効果がないので、他の集光方法に
よるか、光検出器を複数個使用して、光検出器の位置に
よ、って生ずるインデックス光信号の強弱を補正する試
みがなされている。しかし、この方法は部品点数が増加
すること、高価になること等のために好tL<ない。
本発明はインデックス光信号である近紫外域の光の一部
を波長変換機能を有する集光板を通してフォトダイオー
ドの受光感度の高い波長域の先に変換して供給すること
によね効率の高いインデックス光信号検出が行ないうる
ようにしたビームインデックス型カラー受偉管装置を提
案するものである。 。
を波長変換機能を有する集光板を通してフォトダイオー
ドの受光感度の高い波長域の先に変換して供給すること
によね効率の高いインデックス光信号検出が行ないうる
ようにしたビームインデックス型カラー受偉管装置を提
案するものである。 。
以下図面に従って説明する。
第3図において、0は光学的に透明な媒質に螢光性分子
あるいは原子を適当量ドープし九平板よりなる集光板で
ある。集光板a2の上面と下面は平行1’1っていて例
えば上面から、その中に含まれる螢光性物質によって吸
収される波最域の光(11)が入射した場合、その光は
螢光性物質によって吸収され、一般的には入射光の波長
より長い波長の光; (放出光と称すゐ)が放出される
。放出光の一部 □は上面(入射面)および下面より
外部に出て行くが、残すの部分は集光板内部に閉じ込め
られ、端面α:N4)よシ外部に出る光α11る。第4
図は第3図の断面図であり、入射光Ql)は集光板Q2
の上面αeから入射し、螢光性物質(Isに吸収される
。その際螢光性物質から発生される放出光は全ての方向
に同じ確率で放出されるので、その一部は集光板aりの
上面αeおよび下面aηから外部に出てゆ< (Ll。
あるいは原子を適当量ドープし九平板よりなる集光板で
ある。集光板a2の上面と下面は平行1’1っていて例
えば上面から、その中に含まれる螢光性物質によって吸
収される波最域の光(11)が入射した場合、その光は
螢光性物質によって吸収され、一般的には入射光の波長
より長い波長の光; (放出光と称すゐ)が放出される
。放出光の一部 □は上面(入射面)および下面より
外部に出て行くが、残すの部分は集光板内部に閉じ込め
られ、端面α:N4)よシ外部に出る光α11る。第4
図は第3図の断面図であり、入射光Ql)は集光板Q2
の上面αeから入射し、螢光性物質(Isに吸収される
。その際螢光性物質から発生される放出光は全ての方向
に同じ確率で放出されるので、その一部は集光板aりの
上面αeおよび下面aηから外部に出てゆ< (Ll。
Lり。放出光のうち上面舖および下面aηへの入射角θ
が全反射の臨界角よりも大きい場合には、無損失反射さ
れて集光板aりの内部へ戻ってくる(L3゜L4)。螢
光性物質(Isからの放出光のうち上面(IGおよび下
面aηから外部へ出てゆく光の割合りは、集と蝋る。今
n=1.5とすれば、L=0.25とな)残如の゛約7
5−は集光板龜りの内部において全反射を繰返し集光、
1[uの端面に到達する・この場合、端面な反射物質四
によp反射面にしておくと、光は再び両光板軸の内部へ
戻されるので、集光板Q2の端面の大部分を反射WKし
て、僅かな開口面に相当するl1IILの受光面を有す
る受光素子をこの開口部に結合させると非常に効率よく
螢光性物質からの放出光を集めることができる。集光板
の媒質は−・インデックス螢光体から放出されるインデ
ックス光(入射光)および集光板にドープされている螢
光性物質からの放出光に対して、光学的に透明であるこ
と、螢光物質が均一に分散されることが要求される。集
光板の媒質としては、一般にガラス、透明プラスチック
等や水、アルコール等の液体も使用できる。
が全反射の臨界角よりも大きい場合には、無損失反射さ
れて集光板aりの内部へ戻ってくる(L3゜L4)。螢
光性物質(Isからの放出光のうち上面(IGおよび下
面aηから外部へ出てゆく光の割合りは、集と蝋る。今
n=1.5とすれば、L=0.25とな)残如の゛約7
5−は集光板龜りの内部において全反射を繰返し集光、
1[uの端面に到達する・この場合、端面な反射物質四
によp反射面にしておくと、光は再び両光板軸の内部へ
戻されるので、集光板Q2の端面の大部分を反射WKし
て、僅かな開口面に相当するl1IILの受光面を有す
る受光素子をこの開口部に結合させると非常に効率よく
螢光性物質からの放出光を集めることができる。集光板
の媒質は−・インデックス螢光体から放出されるインデ
ックス光(入射光)および集光板にドープされている螢
光性物質からの放出光に対して、光学的に透明であるこ
と、螢光物質が均一に分散されることが要求される。集
光板の媒質としては、一般にガラス、透明プラスチック
等や水、アルコール等の液体も使用できる。
集光板にドープされる螢光性物質には次のような性質が
要求される。
要求される。
l、 インデックス、螢光体からの放出光に対する吸収
係数が大きいこと。
係数が大きいこと。
2、放出光の波長域が使用する螢光素子の受光感度の高
い領域と一致すること。
い領域と一致すること。
8、放出光の減衰時間が短いこと。
4、集光板を形成する媒質中に均一に分散するビームイ
ンデックス型カラ〜テレビ受像管に適用されつる螢光集
光板の螢光性物質としては放出光の減衰時間が短い有機
色素分子が主として用いられる。代表的なものを次に示
す。
ンデックス型カラ〜テレビ受像管に適用されつる螢光集
光板の螢光性物質としては放出光の減衰時間が短い有機
色素分子が主として用いられる。代表的なものを次に示
す。
ローダミン6Q 430〜550 540〜640
5.9ウラニン 400〜530 510〜6
40 8.1アクリジンイエH−380〜500
485〜620 5.13・・・ア建ノフルオ
ラン噌ン 〜490 480〜6BOf2.4一般に
無機螢光体は放出光の減衰時間が長く、この目的には不
向きであるが、C@1+又はNd″+゛を含む化合物等
少数のものは使用できる。前述のインデックス光信号が
10MH2の繰返しパルス信号のとき電子ビームがイン
デックス螢光体を第5図(1)のパルス状に励起する。
5.9ウラニン 400〜530 510〜6
40 8.1アクリジンイエH−380〜500
485〜620 5.13・・・ア建ノフルオ
ラン噌ン 〜490 480〜6BOf2.4一般に
無機螢光体は放出光の減衰時間が長く、この目的には不
向きであるが、C@1+又はNd″+゛を含む化合物等
少数のものは使用できる。前述のインデックス光信号が
10MH2の繰返しパルス信号のとき電子ビームがイン
デックス螢光体を第5図(1)のパルス状に励起する。
インデックス螢光体がP47(Y3810s:C・)の
場合には減衰時間80 nameであるためP470発
光パルスa(b)の様に危る。]!に集光板中の螢光性
物質の減衰時間が重量されて、(C)の波彫パルスで受
光素子に到達する。インデックス信号の8N比を低下さ
せないように、螢光性物質の減衰時間は20 ni@e
以下が望ましい。
場合には減衰時間80 nameであるためP470発
光パルスa(b)の様に危る。]!に集光板中の螢光性
物質の減衰時間が重量されて、(C)の波彫パルスで受
光素子に到達する。インデックス信号の8N比を低下さ
せないように、螢光性物質の減衰時間は20 ni@e
以下が望ましい。
さて、本発明では、この集光板a3のインデックス光入
射m■に第6図及び第7図に示す如くフォトダイオード
■を例えばエポキシ樹脂等の透明物質なυで固着させる
。集光板α2の対向面及び4つの側端面(13asa*
a4は集光度を高めるために反射面にするとよい、前記
フォトダイオード翰は第8図に示すように共通のカソー
ド電極(2)を挾んでP型の7ノード領域(P)とN型
のカソード領域(転)を形成した真性半導体ベレット@
@を有しており、更にその上に反射防止兼保腰膜@(ハ
)が施され、アノード電極@(2)が形成されている。
射m■に第6図及び第7図に示す如くフォトダイオード
■を例えばエポキシ樹脂等の透明物質なυで固着させる
。集光板α2の対向面及び4つの側端面(13asa*
a4は集光度を高めるために反射面にするとよい、前記
フォトダイオード翰は第8図に示すように共通のカソー
ド電極(2)を挾んでP型の7ノード領域(P)とN型
のカソード領域(転)を形成した真性半導体ベレット@
@を有しており、更にその上に反射防止兼保腰膜@(ハ
)が施され、アノード電極@(2)が形成されている。
このダイオード■の@1受光面翰はインデックス光を直
接キャッチし、1g2受光面(至)は集光板abからの
光を透明物質Qυを介して受ける。
接キャッチし、1g2受光面(至)は集光板abからの
光を透明物質Qυを介して受ける。
第9図は前記フォトダイオード翰を集光板α2と一体化
して受像管の光透過窓(8)に望ませた状態を示してい
る。前記フォトダイオードとしては第8図に示す構造の
ものでなくとも一般のフォトダイオードを受光面が相反
するように重ねて用いても同じ効果が得られる。
して受像管の光透過窓(8)に望ませた状態を示してい
る。前記フォトダイオードとしては第8図に示す構造の
ものでなくとも一般のフォトダイオードを受光面が相反
するように重ねて用いても同じ効果が得られる。
本発明によればインデックス光信号をフォトダイオード
で直接キャッチすると共に集光板を介してもキャッチす
るようにしたので簡単な構造によりインデックス光信号
の検出効率を向上せしめることができるという効果があ
り、極めて有効である。
で直接キャッチすると共に集光板を介してもキャッチす
るようにしたので簡単な構造によりインデックス光信号
の検出効率を向上せしめることができるという効果があ
り、極めて有効である。
第1!はビームインデックス型カラー受倫管のフェース
グレート内面の様子を示す断面図であシ、第2図社ビー
ムインデックス型カラー受愉管装置゛−Nの概略を示す
断面図である。第3図及び第4図、′ ( 1′:第5図は本発明において使用する集光板の説明図
であみ。第6Illは本発明において使用する部品の斜
視図、第7図はその部品の11面図、第8図は本発明に
おいて使用するフォトダイオードの一例を示す図面であ
る。第9図は本発明のビームインデックス型カラー受像
管装置を示す図面である。 (1)・・・フェースプレート、(RXG)(B)・・
・三原色螢光体ストライブ、(4)・・・インデックス
螢光体、(5)・・・単電子銃、(6)・・・電子ビー
ム、(8)・・・光透過窓、aa・・・集光板、(財)
・・・フォトダイオード、(至)・・・第1受光面、(
至)・・・第2受光面。 第1図 1 第2図 1115図 +C1ゴ\♂\ト\
グレート内面の様子を示す断面図であシ、第2図社ビー
ムインデックス型カラー受愉管装置゛−Nの概略を示す
断面図である。第3図及び第4図、′ ( 1′:第5図は本発明において使用する集光板の説明図
であみ。第6Illは本発明において使用する部品の斜
視図、第7図はその部品の11面図、第8図は本発明に
おいて使用するフォトダイオードの一例を示す図面であ
る。第9図は本発明のビームインデックス型カラー受像
管装置を示す図面である。 (1)・・・フェースプレート、(RXG)(B)・・
・三原色螢光体ストライブ、(4)・・・インデックス
螢光体、(5)・・・単電子銃、(6)・・・電子ビー
ム、(8)・・・光透過窓、aa・・・集光板、(財)
・・・フォトダイオード、(至)・・・第1受光面、(
至)・・・第2受光面。 第1図 1 第2図 1115図 +C1ゴ\♂\ト\
Claims (1)
- (1)7工−スプレート内面に繰返し配された三原色螢
光体ストライプと、これら三原色螢光体ストライプと規
則的関連を亀ってストライプ状に繰返し配され九インデ
ックス螢光体とからなる面を単電子銃により放射された
電子ビームを掃引したとき前記インデックス螢光体から
生しる光信号を受像管の背面に形成された光透過窓を通
して外部の受光素子に導びぐようにしたビームインデッ
クス型カラー受曽管装置において、平行する二面に受光
面を有するフォトダイオードを螢光物質をドープし九遺
明な平板よシなる集光板に設けて前記光透過窓Kmtせ
、前記インデックス螢光体がら住じ直接フォトダイオー
ドにあたる光を前記7オトダイオードの第1の受光面を
通してキャッチすると共に、前記集光板に集光され波長
変換された前記インデックス螢光体からの光を前記フォ
トダイオードのH2の受光面を通してキャッチするよう
にしたことを特徴とするビームインデックス型カッ−受
像管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14428081A JPS5846554A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14428081A JPS5846554A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846554A true JPS5846554A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH031771B2 JPH031771B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15358402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14428081A Granted JPS5846554A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846554A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158487A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-08 | O D S:Kk | 電解式オゾン水製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121664A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-20 | Sony Corp | Optical detecting device |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP14428081A patent/JPS5846554A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121664A (en) * | 1978-03-14 | 1979-09-20 | Sony Corp | Optical detecting device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158487A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-08 | O D S:Kk | 電解式オゾン水製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031771B2 (ja) | 1991-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4467208A (en) | Radiation sensor containing fluorescible material | |
| US4922103A (en) | Radiation image read-out apparatus | |
| US4425907A (en) | Reflector-coupled fluorescent solar collector | |
| US4328389A (en) | Inherent spectrum-splitting photovoltaic concentrator system | |
| US5412705A (en) | X-ray examination apparatus with an imaging arrangement having a plurality of image sensors | |
| US20210141103A1 (en) | Backscatter detection module | |
| WO1988002970A1 (en) | Elliptical cylinder light collector for photostimulable phosphor imaging apparatus | |
| US4743758A (en) | Light collector for photo-stimulable phosphor imaging apparatus | |
| JPH0210287A (ja) | マトリックス構造を備えた画像検出器 | |
| JPH0611389A (ja) | 光検出装置 | |
| US4591715A (en) | Light guide member for radiation image read-out | |
| US20020024300A1 (en) | Photosensor with a photocathode in reflective mode | |
| US4914349A (en) | Photo-electric conversion tube with optical fiber plate | |
| JPS5846554A (ja) | ビ−ムインデツクス型カラ−受像管装置 | |
| CN111522052B (zh) | 一种x光探测器结构及其工作方法 | |
| US4406974A (en) | Beam-indexing color picture tube | |
| EP0583844B1 (en) | X-ray examination apparatus with light concentration means and plural image sensors | |
| KR102507169B1 (ko) | 영상판 스캔 장치 | |
| JPH08248139A (ja) | 放射線検出器 | |
| JPS627657B2 (ja) | ||
| CN206906590U (zh) | 背散射探测模块 | |
| JPH11118933A (ja) | ファイバ型放射線検出器 | |
| JPS58194486A (ja) | ビ−ムインデツクス型カラ−受像機のインデツクス信号検出装置 | |
| US4438334A (en) | Gamma camera comprising a localizing scintillation intensifier | |
| JPS6326920Y2 (ja) |