JPS5843403A - 振動式逆反射体 - Google Patents
振動式逆反射体Info
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- JPS5843403A JPS5843403A JP14040481A JP14040481A JPS5843403A JP S5843403 A JPS5843403 A JP S5843403A JP 14040481 A JP14040481 A JP 14040481A JP 14040481 A JP14040481 A JP 14040481A JP S5843403 A JPS5843403 A JP S5843403A
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- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Aiming, Guidance, Guns With A Light Source, Armor, Camouflage, And Targets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレトロレフレクタ−(逆反射体)に関するもの
であり、更に拝しく言えば最大の反射面積エネルギー密
度一平面を放射線エネルギー照射源4平面位置を通過さ
せるために逆反射体−を振動させる方法及び%[K関す
るものである。
であり、更に拝しく言えば最大の反射面積エネルギー密
度一平面を放射線エネルギー照射源4平面位置を通過さ
せるために逆反射体−を振動させる方法及び%[K関す
るものである。
□逆反射体は入射する放射線エネルギーをその熱反射体
は互いに実質的に90度をなすようKしてヮ+tゆ、ゎ
えヨっ。や、□あえレアヤッ、ヶ、備する。・このよう
な逆反射体はコーナキューブレフレクタ−として知られ
ており、三つの各直交表面から反射された放射外は入射
通路に平行な通路に沿って照射源へと戻されるという特
性を有する。
は互いに実質的に90度をなすようKしてヮ+tゆ、ゎ
えヨっ。や、□あえレアヤッ、ヶ、備する。・このよう
な逆反射体はコーナキューブレフレクタ−として知られ
ており、三つの各直交表面から反射された放射外は入射
通路に平行な通路に沿って照射源へと戻されるという特
性を有する。
入射放射線は該入射放射線に対し平行な通路に浦って戻
されるが該入射放射線と衝央するコ)−はないとM’う
こ゛と呵注目されたい。照門ス源の方へと差″1゜ し同けられた反射エネルギーが分散されるというのは斯
る理由のためである。つまり、通常のコーナキューブ逆
反射体を使用すると、照射源位置における反射エネルギ
ーの面積密度はコーナキュープレ7レクターに入射した
ビニムの面積密度より小さい、正確に量ラジアくにて整
列されたファセ、ットを有したコーナレフレクタ−を使
用すると、。
されるが該入射放射線と衝央するコ)−はないとM’う
こ゛と呵注目されたい。照門ス源の方へと差″1゜ し同けられた反射エネルギーが分散されるというのは斯
る理由のためである。つまり、通常のコーナキューブ逆
反射体を使用すると、照射源位置における反射エネルギ
ーの面積密度はコーナキュープレ7レクターに入射した
ビニムの面積密度より小さい、正確に量ラジアくにて整
列されたファセ、ットを有したコーナレフレクタ−を使
用すると、。
照射源位置における反射放射線の面積密度を1逆反射体
の平面位置における面積密度の−である。反射エネルギ
ーのこの分散は、照射源位置における拡散反射エネルギ
ーを検出す否のが困稚となるという理由から逆反射体の
有用性を大きく制限することがしばしばであったi 逆反射体の一つの用途は測量の分野にある。この場合、
光源からの光はデーナレ 光源の方へと臀射され、骸反射光は検出され、そして逆
反射1体までの、又光源へと戻るまでの進行時間が光源
と逆反射体との−の距離の示度として使用されている。
の平面位置における面積密度の−である。反射エネルギ
ーのこの分散は、照射源位置における拡散反射エネルギ
ーを検出す否のが困稚となるという理由から逆反射体の
有用性を大きく制限することがしばしばであったi 逆反射体の一つの用途は測量の分野にある。この場合、
光源からの光はデーナレ 光源の方へと臀射され、骸反射光は検出され、そして逆
反射1体までの、又光源へと戻るまでの進行時間が光源
と逆反射体との−の距離の示度として使用されている。
成る場合には光源はレー ザである。反射光を検出する
のに使用され −チクターは量的効果によつ【支配さ
れる?で、もし反射放射線の面積密度が余りにも小さビ
と該フ゛オドディテクターは全く応答しなさ・かも知れ
な−11゜従つ\このような測量装置を使用し得る範囲
はこの分散効果のために制約を受ける。″逆反射体は又
飛行機及び船舶の正確4′畔を見出すのにも使用される
。この場合には飛行機及び船舶が逆反射体を搭載してお
り、該逆反射体はレーダ?呼轡は操作に使用される成る
周波数のt高放射線を反射、するように空れ仝、4通常
の逆反射体を使用すると、前述と同じように、反射され
た放射線の面!密度が、検知できないという結果をもた
らすρ・ち知れない。従って、一般に、非信号用途・に
おげろと同じく電磁信夛を処理する際にシ様りの逆反射
体の用射源位置に到達せしめることが利益あることであ
る。 。
のに使用され −チクターは量的効果によつ【支配さ
れる?で、もし反射放射線の面積密度が余りにも小さビ
と該フ゛オドディテクターは全く応答しなさ・かも知れ
な−11゜従つ\このような測量装置を使用し得る範囲
はこの分散効果のために制約を受ける。″逆反射体は又
飛行機及び船舶の正確4′畔を見出すのにも使用される
。この場合には飛行機及び船舶が逆反射体を搭載してお
り、該逆反射体はレーダ?呼轡は操作に使用される成る
周波数のt高放射線を反射、するように空れ仝、4通常
の逆反射体を使用すると、前述と同じように、反射され
た放射線の面!密度が、検知できないという結果をもた
らすρ・ち知れない。従って、一般に、非信号用途・に
おげろと同じく電磁信夛を処理する際にシ様りの逆反射
体の用射源位置に到達せしめることが利益あることであ
る。 。
本発明の目的は既に知られているマーナキュープ逆反射
体によって達成される反射放射蒜の面積密度より大ぎな
面積密度を得ることのできる逆反射装置を提供すること
である一更に他の目的は製造価格が低く且つ作動上の信
頼性が高い逆反射装置を提供することである。他の目的
は歳る時間には照射源に衝突する反射−れた電磁放射線
の密度がレフレクタ−に衝突する放射線密度に実質的に
等しくなるようにし【電磁放射線をその照射源へと戻す
ことのできるレフレク゛ターを提供することである。更
に他の目的は強力なレーザ兵器の目標となる可能性のあ
る物体に取付け、該1棹物体の損傷を防止し且つ該目板
物体に衝突するレーザ光線をレーザ兵器の方へと反射ぜ
しめるJf’vの逆反射体か・ら成る逆反射体配列体を
提供することである。
体によって達成される反射放射蒜の面積密度より大ぎな
面積密度を得ることのできる逆反射装置を提供すること
である一更に他の目的は製造価格が低く且つ作動上の信
頼性が高い逆反射装置を提供することである。他の目的
は歳る時間には照射源に衝突する反射−れた電磁放射線
の密度がレフレクタ−に衝突する放射線密度に実質的に
等しくなるようにし【電磁放射線をその照射源へと戻す
ことのできるレフレク゛ターを提供することである。更
に他の目的は強力なレーザ兵器の目標となる可能性のあ
る物体に取付け、該1棹物体の損傷を防止し且つ該目板
物体に衝突するレーザ光線をレーザ兵器の方へと反射ぜ
しめるJf’vの逆反射体か・ら成る逆反射体配列体を
提供することである。
入射する放射エネルギーを照射源へと反射するための本
発明に係る装置は少なくとも二らの相変わる平らな反射
ファセットを有し、該ファセットは隣り合9たファ″′
ト間の轡1・′1“−を連続的に調整し得るように取付
けられたし逅を特徴とする。装置は−隣り合うたファセ
ット間の角度かTと、Jラジアンの間で変動するように
各7アセツトを同期して振動せ”しめるように構成され
る。角度δは最内面積放射線密度平面が放射線熱、射源
大含む平面を横切るように選定される。好ましい実施態
様は二つ及び三つのファセット構成を含む。二つΩファ
セット構成の場合にはファセットの一方又は一方を振動
す゛るように取付け゛ることかできる。三つの7アセツ
ト構成の場合には全【の三つの7アセツトを振動させる
こともできるし−1−゛つのファセットを固定し他の二
つのブアセットを振動させ最大面積密度の平面が照射、
源を含−む平面を横断するようにすることもで゛きる=
これら実施態様におトを振iさせるために駆動装置が設 けられる。又7ア′セツトの変位量を検出するための装
置が設けられ、更に駆動装装置を制御し・各ファセット
を同°相にて振動させるべく7アセツトの変位に応答し
て作動′する閉ループ自動制御−置が設・ ・
1::、 1:1::1.。
発明に係る装置は少なくとも二らの相変わる平らな反射
ファセットを有し、該ファセットは隣り合9たファ″′
ト間の轡1・′1“−を連続的に調整し得るように取付
けられたし逅を特徴とする。装置は−隣り合うたファセ
ット間の角度かTと、Jラジアンの間で変動するように
各7アセツトを同期して振動せ”しめるように構成され
る。角度δは最内面積放射線密度平面が放射線熱、射源
大含む平面を横切るように選定される。好ましい実施態
様は二つ及び三つのファセット構成を含む。二つΩファ
セット構成の場合にはファセットの一方又は一方を振動
す゛るように取付け゛ることかできる。三つの7アセツ
ト構成の場合には全【の三つの7アセツトを振動させる
こともできるし−1−゛つのファセットを固定し他の二
つのブアセットを振動させ最大面積密度の平面が照射、
源を含−む平面を横断するようにすることもで゛きる=
これら実施態様におトを振iさせるために駆動装置が設 けられる。又7ア′セツトの変位量を検出するための装
置が設けられ、更に駆動装装置を制御し・各ファセット
を同°相にて振動させるべく7アセツトの変位に応答し
て作動′する閉ループ自動制御−置が設・ ・
1::、 1:1::1.。
次に、分り易く”′4携るために誇張して描かれた°図
面を参照して本発明を説明する。 “先ず通常
の逆反射体によって生じる分散について第1図を参照し
inする0本発明者の米国特許番号第4,082,41
4号及び第4.16へ5,77号に開示されるように、
もし逆反射体が三つの反射面を有し゛、各反射面が他の
二つの反射面に対し正確に直角魁、なすように構成され
ている場合には、逆反射体が点放射源から受容する電磁
エネルギーは該放射源の方べ゛と反射され、放射−ビー
ム□として該放射源の平面位置に到達する。この時放射
線ビームの直径は放射源暫らみて逆反射セルの開口の大
きさの正確に2倍である。従って、放射源位置に宰ける
反射された放射−の面積密度は逆反射体の開口に衝突し
たエネルギーの面積密度の1となる。第1図は簡単のた
めに二次元におけ゛る分散効果を、親羽するもので、あ
る。図面に鉛いて、一括し′c10で示される逆反射体
は互いに正確に角度二にて配列された二つの反射平面を
有することを特徴とする。逆反射体の10の開口はλで
ある。
面を参照して本発明を説明する。 “先ず通常
の逆反射体によって生じる分散について第1図を参照し
inする0本発明者の米国特許番号第4,082,41
4号及び第4.16へ5,77号に開示されるように、
もし逆反射体が三つの反射面を有し゛、各反射面が他の
二つの反射面に対し正確に直角魁、なすように構成され
ている場合には、逆反射体が点放射源から受容する電磁
エネルギーは該放射源の方べ゛と反射され、放射−ビー
ム□として該放射源の平面位置に到達する。この時放射
線ビームの直径は放射源暫らみて逆反射セルの開口の大
きさの正確に2倍である。従って、放射源位置に宰ける
反射された放射−の面積密度は逆反射体の開口に衝突し
たエネルギーの面積密度の1となる。第1図は簡単のた
めに二次元におけ゛る分散効果を、親羽するもので、あ
る。図面に鉛いて、一括し′c10で示される逆反射体
は互いに正確に角度二にて配列された二つの反射平面を
有することを特徴とする。逆反射体の10の開口はλで
ある。
逆反射体1゜ば平面3゛隷設けた点放射源13によ□っ
て原射される。放射源13からの放射線でファ、セット
110表−面と交わる放射線14はファーツファセット
12から反射され る。同様K、放射源1”3かもの放射線15はファセッ
ト1′2に衝突し、ファセット1°1の方へと反射され
、次で入射した方向とは平行な進路を進む。
て原射される。放射源13からの放射線でファ、セット
110表−面と交わる放射線14はファーツファセット
12から反射され る。同様K、放射源1”3かもの放射線15はファセッ
ト1′2に衝突し、ファセット1°1の方へと反射され
、次で入射した方向とは平行な進路を進む。
ゴつの放射線14及び15が放射源1・3の平歯へと戻
ろてきたどき、放射線14と15の間のビームの幅は2
λ、つまり放射源からみた逆反射体の開口の2倍となぎ
。゛ボ次元の逆反射体においても°スビームの幅は放射
源、13の平面50位置にて倍となり、面積工庫ルギー
密度はビームが最初に逆反射体10に作用”したときお
ビームめ密度の−となる。であろう。第1図に図示され
る関係は正確に90度に文配列された複数個のファセツ
、トから成る全ての逆反射体にも適用し得るものである
。つまり、放射源が逆反射−から近くにあろうと又は遠
く離れていようと、放射源の平面位置における′ビーム
の幅ぽ放射糠゛から寛て逆反射体の開口幅め2倍となる
。例えばビームの境界放射線がファセットの端縁部に衝
突しないような一合には、放射源から見て開口は真の開
6より幾分小さくなる場合があり、従って放射源の平面
位置におけるビームの幅は真の開口の幅の2倍より幾分
小さくなるであろう。
ろてきたどき、放射線14と15の間のビームの幅は2
λ、つまり放射源からみた逆反射体の開口の2倍となぎ
。゛ボ次元の逆反射体においても°スビームの幅は放射
源、13の平面50位置にて倍となり、面積工庫ルギー
密度はビームが最初に逆反射体10に作用”したときお
ビームめ密度の−となる。であろう。第1図に図示され
る関係は正確に90度に文配列された複数個のファセツ
、トから成る全ての逆反射体にも適用し得るものである
。つまり、放射源が逆反射−から近くにあろうと又は遠
く離れていようと、放射源の平面位置における′ビーム
の幅ぽ放射糠゛から寛て逆反射体の開口幅め2倍となる
。例えばビームの境界放射線がファセットの端縁部に衝
突しないような一合には、放射源から見て開口は真の開
6より幾分小さくなる場合があり、従って放射源の平面
位置におけるビームの幅は真の開口の幅の2倍より幾分
小さくなるであろう。
本発明者力と米国特許番号第4160.577号に示し
たよ5に、各ファセット間の角度がもし王より小さい場
合には、例えばi−δラジアンの勘合には状況は変わる
であろ・う。このような場合には。
たよ5に、各ファセット間の角度がもし王より小さい場
合には、例えばi−δラジアンの勘合には状況は変わる
であろ・う。このような場合には。
両ファセットによって反射された放射線は第2の反射の
後角度2δだけ入射放射線の進路に対し傾斜した進路を
たどるであろう。この結果として、反射さ、れたエネル
ギービームの分散は放射源から逆1反射体までの距離に
依存することとなるであろ・5゜この効果は@2図に説
明される。説明を簡単にするために二つのファーットを
有した逆反射体を奢えると、逆反射体2oは角度五−δ
にて交わる反射ファセット21及Tj、省″□・・2を
有する。逆反射体20の開口はλである。線23及び2
4は反射した放射線の分散の外囲を画定する。各角度δ
は@2図に表わされる二次元状態における臨界距離り、
を画定する。δとDoの間の関係はD・〒Jt録δ
である。D・は、逆反射体の軸4I25に沿ってD・の
距離又はこれより小さい距離の所に配置された点放射源
が逆反射体20からの反射′線によって照射されるとい
5理゛由から臨界距離と呼ばれる。しかしながら、放射
線ビームは距離D・を越えると分かれ、未照射の影部分
26が形成される。D・位置において反射ビームの幅は
2λ、つまり逆反射体20と交わる放射線の幅の2倍と
なる。従って、軸線に沿った距離り0以内の任意の位置
に配置された点放射源にとつ【面積密度は逆反射体の各
7アセツトが角度Iにて正確に交差する場−合より小さ
くなることはな、いであろう。
後角度2δだけ入射放射線の進路に対し傾斜した進路を
たどるであろう。この結果として、反射さ、れたエネル
ギービームの分散は放射源から逆1反射体までの距離に
依存することとなるであろ・5゜この効果は@2図に説
明される。説明を簡単にするために二つのファーットを
有した逆反射体を奢えると、逆反射体2oは角度五−δ
にて交わる反射ファセット21及Tj、省″□・・2を
有する。逆反射体20の開口はλである。線23及び2
4は反射した放射線の分散の外囲を画定する。各角度δ
は@2図に表わされる二次元状態における臨界距離り、
を画定する。δとDoの間の関係はD・〒Jt録δ
である。D・は、逆反射体の軸4I25に沿ってD・の
距離又はこれより小さい距離の所に配置された点放射源
が逆反射体20からの反射′線によって照射されるとい
5理゛由から臨界距離と呼ばれる。しかしながら、放射
線ビームは距離D・を越えると分かれ、未照射の影部分
26が形成される。D・位置において反射ビームの幅は
2λ、つまり逆反射体20と交わる放射線の幅の2倍と
なる。従って、軸線に沿った距離り0以内の任意の位置
に配置された点放射源にとつ【面積密度は逆反射体の各
7アセツトが角度Iにて正確に交差する場−合より小さ
くなることはな、いであろう。
更に反射ピー1、ムの幅はとの距離においては°丁度λ
、となり、従うて五の位置の面積密度は最初に逆・・
2 反射体と交差力擾−面積密度と等しくなる。従って、□
′は。
、となり、従うて五の位置の面積密度は最初に逆・・
2 反射体と交差力擾−面積密度と等しくなる。従って、□
′は。
五の位置は逆反i体によって得ることのできる反射エネ
ルギーの最小分散平面位置である。従って図面は、点放
射源が臨界距&’D・以上に逆反射体から遠く離れ【い
る場合には点放射源は反射エネルギーによって照射され
ることはないということを説明する。加5るに第2図は
、工1位置における反射放射線の面、積密度が逆反射体
20の各7アセツトを正確tcTラジアンにて配列した
場合の面積密度の4竺であるという重要な事実を示して
いる。
ルギーの最小分散平面位置である。従って図面は、点放
射源が臨界距&’D・以上に逆反射体から遠く離れ【い
る場合には点放射源は反射エネルギーによって照射され
ることはないということを説明する。加5るに第2図は
、工1位置における反射放射線の面、積密度が逆反射体
20の各7アセツトを正確tcTラジアンにて配列した
場合の面積密度の4竺であるという重要な事実を示して
いる。
本発明者の米国特許番号第416 (L577号に開示
するように、三次元の三つのファセット構成における臨
界距離り、はD・= J”; r ” %る。従って、
面積密度は角度の関数であるので、これらの効果は分散
を最小とするように、つまり放射源の平面にて大きな渾
射放射令面積密度を得るように利用することができる。
するように、三次元の三つのファセット構成における臨
界距離り、はD・= J”; r ” %る。従って、
面積密度は角度の関数であるので、これらの効果は分散
を最小とするように、つまり放射源の平面にて大きな渾
射放射令面積密度を得るように利用することができる。
もし逆反射ファセット間の角度が直角より幾らか大きい
場合にはつまりI十−である′場合には反射エネルギー
ビームは逆反射体位置にて直ちに分れ、そし【未照射影
部分は逆反射体それ自体からのびるということに注目さ
れたい。このような場合に逆反射体に工先ルギーを照射
する点放射源はいずれの位置におい【も反射エネルギー
ビームによって照町されることはないであろう。このよ
うな状態が第5図に図示される。第3図において、逆反
射体50は反射ファセツ)31及び52が互いに!!−
+δの角度で配置されて0ることを特徴としている。放
射線の点放射源3!はaSS及び36によって画定され
る影部分内に位置しているので反射された放射線によっ
て照射されることはない。ファセット51及び52間の
角度はiより大きいので、全ての、反射エネルギーは線
35と57間、及び線S6と588の二つのビーム内に
存在する。
場合にはつまりI十−である′場合には反射エネルギー
ビームは逆反射体位置にて直ちに分れ、そし【未照射影
部分は逆反射体それ自体からのびるということに注目さ
れたい。このような場合に逆反射体に工先ルギーを照射
する点放射源はいずれの位置におい【も反射エネルギー
ビームによって照町されることはないであろう。このよ
うな状態が第5図に図示される。第3図において、逆反
射体50は反射ファセツ)31及び52が互いに!!−
+δの角度で配置されて0ることを特徴としている。放
射線の点放射源3!はaSS及び36によって画定され
る影部分内に位置しているので反射された放射線によっ
て照射されることはない。ファセット51及び52間の
角度はiより大きいので、全ての、反射エネルギーは線
35と57間、及び線S6と588の二つのビーム内に
存在する。
第2N及び第5図に図示されゝる効果が起る距離及び角
醪偏差の大きさは勿論逆反射体の実際の用途にiいて重
要である。例えば、船又−は飛行機が位置の確認、及び
同定する際の補助目標として使用し得る10センチメー
トルの開口を備えた逆反射体を考えてみよう。又この逆
反射体を照射する電磁放射線の放射源は該逆反射体から
100“−離れた位置にあると仮定する。これは、到え
ば高1が70S、水平距離がレーダアンテナから70J
mの位置にある物体の場合が想定される。三つの反引フ
オセツ鼾を備えたレーダレフレクタ−にとって、アンテ
ナ位置にて反射放射線の分割が起る@2図の角度δはE
L77X10−’度又は五16X10−”秒(弧)であ
る。もし各ファセット間の角度が例えば5分(弧)だけ
直角より小さい場合には(この値は標準の工場作業時に
許容される値である)、反射エネルギーの分割は反射セ
ルの前方α21キロメートルの位置に【起り、1007
m離れた所に位置し′たアンテナの未照射影部分の幅は
大略[L29キロメートルとなるであろう、このような
結果は米国特許番号第、jL4IQ、577号に記載さ
れた式及び第2図に示される情報をそのまま適用するこ
とによって導かれる。このような状態下では100メー
トルの直径を持ったアンテナを用いた場合であつつも反
射セルからのエネルギー放射源はアンテナから完全に脱
れるであろう1lllillll、Ilもし反射ファセ
ットが直角から5分(弧)だけ大きい値にて整列してい
ても反射放射線はアンテナから脱にるであろう。
醪偏差の大きさは勿論逆反射体の実際の用途にiいて重
要である。例えば、船又−は飛行機が位置の確認、及び
同定する際の補助目標として使用し得る10センチメー
トルの開口を備えた逆反射体を考えてみよう。又この逆
反射体を照射する電磁放射線の放射源は該逆反射体から
100“−離れた位置にあると仮定する。これは、到え
ば高1が70S、水平距離がレーダアンテナから70J
mの位置にある物体の場合が想定される。三つの反引フ
オセツ鼾を備えたレーダレフレクタ−にとって、アンテ
ナ位置にて反射放射線の分割が起る@2図の角度δはE
L77X10−’度又は五16X10−”秒(弧)であ
る。もし各ファセット間の角度が例えば5分(弧)だけ
直角より小さい場合には(この値は標準の工場作業時に
許容される値である)、反射エネルギーの分割は反射セ
ルの前方α21キロメートルの位置に【起り、1007
m離れた所に位置し′たアンテナの未照射影部分の幅は
大略[L29キロメートルとなるであろう、このような
結果は米国特許番号第、jL4IQ、577号に記載さ
れた式及び第2図に示される情報をそのまま適用するこ
とによって導かれる。このような状態下では100メー
トルの直径を持ったアンテナを用いた場合であつつも反
射セルからのエネルギー放射源はアンテナから完全に脱
れるであろう1lllillll、Ilもし反射ファセ
ットが直角から5分(弧)だけ大きい値にて整列してい
ても反射放射線はアンテナから脱にるであろう。
ここKFA示される本発明の中心となる思想は、最大面
積密−〇平面が放射源によるレフレクタ−照射持続時に
エネルギー放射源を多数回通過するように放射ファセッ
トな同和にて相振動させるゝことである。反射フナセッ
トの振動の中でも、放射源が第2図で示される臨界距離
り、より小さい距離の所にある部分において、放射源へ
のエネルギーの反射は正f−に暑ラジアンにて交わるフ
ァセットを有した完全整列の逆反射体から得られるもの
と少なくとも同じ密度の高いもので元る。つまり、反射
ビー文の幅は2λ、即ち、逆反射体の開口の2倍を越え
るこねはない。従って、ファセット振動時の成る゛時期
には放射源は照射されるであろう。
積密−〇平面が放射源によるレフレクタ−照射持続時に
エネルギー放射源を多数回通過するように放射ファセッ
トな同和にて相振動させるゝことである。反射フナセッ
トの振動の中でも、放射源が第2図で示される臨界距離
り、より小さい距離の所にある部分において、放射源へ
のエネルギーの反射は正f−に暑ラジアンにて交わるフ
ァセットを有した完全整列の逆反射体から得られるもの
と少なくとも同じ密度の高いもので元る。つまり、反射
ビー文の幅は2λ、即ち、逆反射体の開口の2倍を越え
るこねはない。従って、ファセット振動時の成る゛時期
には放射源は照射されるであろう。
更に、斯る時期における放射源位置の反射放射線の面積
密度はファセットが正確に直角に整列5された逆反射体
によって得られるものより相当大きくなるであろう。振
−′、=成る点において(逆反射体から放射源までの距
が第2図のと又はt、/’iJとなるとき)放射源上
の反射エネルギーは放i源から逆反射体の位置にて受容
されたと同じ面積密 一度を有するであろう。
密度はファセットが正確に直角に整列5された逆反射体
によって得られるものより相当大きくなるであろう。振
−′、=成る点において(逆反射体から放射源までの距
が第2図のと又はt、/’iJとなるとき)放射源上
の反射エネルギーは放i源から逆反射体の位置にて受容
されたと同じ面積密 一度を有するであろう。
′斯る重要な結論は次のように要約することかできる。
7アセツトが正確に直角i整列された逆反射体にあって
は、放射源は逆反射体の平面位置における面積密度の7
の面積密度を持つエネルギーにて常に照射−される、し
かしながら、ファセットを二とニー□δの間の角度で振
動させるととにより2 て、逆反射体からの距離が臨界距離り、以下、の放射源
は゛逆反射体の平面位置の面積密度の7以上又は時には
逆反射体位置の面積密度に等しい密度を持った逆反射体
からのエネルギー、によって照射される。従って振動の
一時期においては放射線源はファセットが正確に一ラジ
アンで構成された逆反射体の場合よりも相当多い反射放
射線中に置かれ、ることとなる。
は、放射源は逆反射体の平面位置における面積密度の7
の面積密度を持つエネルギーにて常に照射−される、し
かしながら、ファセットを二とニー□δの間の角度で振
動させるととにより2 て、逆反射体からの距離が臨界距離り、以下、の放射源
は゛逆反射体の平面位置の面積密度の7以上又は時には
逆反射体位置の面積密度に等しい密度を持った逆反射体
からのエネルギー、によって照射される。従って振動の
一時期においては放射線源はファセットが正確に一ラジ
アンで構成された逆反射体の場合よりも相当多い反射放
射線中に置かれ、ることとなる。
放射源と反射セルとの間の距離が声2図のD・より大き
くなるよ5な場合は二つの方法にて生じる。第・−は、
反射ファセットの振動のある時期においては放射源は逆
反射体からの距離がこの範囲内に位置することがある。
くなるよ5な場合は二つの方法にて生じる。第・−は、
反射ファセットの振動のある時期においては放射源は逆
反射体からの距離がこの範囲内に位置することがある。
第二には、各ファセット間の角度が直角より大きい場合
には莢射源は逆反射体からの距離がこの範囲に常に存在
するであろう゛。こやような情況の効果は、上記例にて
考察したように放射源の実際の直径及び放射源の逆反射
体からの実際の距離に依存する。放射源から逆反射体へ
の軸線が放射源の平面位置における反射放射線によって
照射されていな〜・影部分によ′−)曵囲包されている
場合であっても放射源が逆反射体からの反射エネ゛ルギ
ーを受容することができる場合がある(例えば、°放射
源が・一つの点放射源ではなく複数の点放射□源の組立
体として考えることのできるアン゛テナであるような場
合)、このような場合(DがD・より大)には振動ファ
セットの実際上の意義は、放射源の成る部父が成る相当
時期にわたって、例え放射源が反射セ’yvから第2図
□のDoより大きい距離の所にあ゛つたとしても反射放
射線によって実際に照射されることを保証することであ
る。正確に平行とされた光線、例えばレーザビームは実
際にはわずかの分散しか示さな〜7、ので、本発明に係
るレフレクタ−も又この使用領域において利益を有する
。
には莢射源は逆反射体からの距離がこの範囲に常に存在
するであろう゛。こやような情況の効果は、上記例にて
考察したように放射源の実際の直径及び放射源の逆反射
体からの実際の距離に依存する。放射源から逆反射体へ
の軸線が放射源の平面位置における反射放射線によって
照射されていな〜・影部分によ′−)曵囲包されている
場合であっても放射源が逆反射体からの反射エネ゛ルギ
ーを受容することができる場合がある(例えば、°放射
源が・一つの点放射源ではなく複数の点放射□源の組立
体として考えることのできるアン゛テナであるような場
合)、このような場合(DがD・より大)には振動ファ
セットの実際上の意義は、放射源の成る部父が成る相当
時期にわたって、例え放射源が反射セ’yvから第2図
□のDoより大きい距離の所にあ゛つたとしても反射放
射線によって実際に照射されることを保証することであ
る。正確に平行とされた光線、例えばレーザビームは実
際にはわずかの分散しか示さな〜7、ので、本発明に係
るレフレクタ−も又この使用領域において利益を有する
。
放射源の平面位置における逆反射エネルギーの面積密度
を、逆反射セルの各ファセット間の角暖な振動態様で変
吻させるととKよって変動し得るととKよって情報を伝
達する力が与えられることに注目されたい。例えば、7
73セット角度の時間的な振動特性を制御するとと忙よ
って各種のコードを例えば飛行物体から地上ステーショ
ンへと伝達することができる。地上ステーションは飛行
物体からの情報を受容するべく逆反射放射線の面積密度
の時間的変動を解読することができる。どのような技術
を応答機のバックアップを提供するために又は基本通信
システムとじて使用することも本明細書の説明からして
当業者のi術範囲内にあるであろ5.。
を、逆反射セルの各ファセット間の角暖な振動態様で変
吻させるととKよって変動し得るととKよって情報を伝
達する力が与えられることに注目されたい。例えば、7
73セット角度の時間的な振動特性を制御するとと忙よ
って各種のコードを例えば飛行物体から地上ステーショ
ンへと伝達することができる。地上ステーションは飛行
物体からの情報を受容するべく逆反射放射線の面積密度
の時間的変動を解読することができる。どのような技術
を応答機のバックアップを提供するために又は基本通信
システムとじて使用することも本明細書の説明からして
当業者のi術範囲内にあるであろ5.。
放射源の平面位置におけ5る逆反射エネルギーのき
る゛ことに注目されたい0強力なレーザの目標となる可
能性になると思われる物体は一つ又は複数の逆反射体、
又はiと7−δラジアン(ここでδは例えばレーザの最
大及び最小有効距離間の最大面積密度の平、面を通過す
るよ5に選ばれる)の間にて同相にて振動するファセッ
トを持った逆反射体の配列体によって部分的に又は完全
に榎5ことができる。このように構成すれば、もし入射
ビームの方向がし7レクターの表面(即ち、゛第1図の
紙面)に対して直交し且つ反射表面が10に近い反射能
を有しているならば、レフレクタ−に衝突するときのエ
ネルギー密度と実質的に等しいエネルギー密度のレーザ
光線は少なくとも各振動す・ビクル時の成る時間<it
レーザ兵器それ自体に衝突゛することとなるであろう。
能性になると思われる物体は一つ又は複数の逆反射体、
又はiと7−δラジアン(ここでδは例えばレーザの最
大及び最小有効距離間の最大面積密度の平、面を通過す
るよ5に選ばれる)の間にて同相にて振動するファセッ
トを持った逆反射体の配列体によって部分的に又は完全
に榎5ことができる。このように構成すれば、もし入射
ビームの方向がし7レクターの表面(即ち、゛第1図の
紙面)に対して直交し且つ反射表面が10に近い反射能
を有しているならば、レフレクタ−に衝突するときのエ
ネルギー密度と実質的に等しいエネルギー密度のレーザ
光線は少なくとも各振動す・ビクル時の成る時間<it
レーザ兵器それ自体に衝突゛することとなるであろう。
もし−個又は複数個の反射セルが入射ビームに対して直
交していない場合には、レーザ源における反射′エネル
ギーの最大面積密度は以下忙述べるように幾分弱められ
るであろう、1/儒、 □)、ル −ザ兵器により確実に損傷を与え得るようにこの種の防
禦装置を更に改良するべく様々の通、加の手段を施すこ
とができるであろ50、例えば、通常の技術を本発明書
で述べる技術・と組合せて使用すれば、成る場合には防
禦装置の中にビーム兵器の有効距離及び位置を決定しそ
してこの情報を使用して防禦配列体を電気的に配向しそ
してδの値を選定された値又は成る範囲の値に設定し、
反射エネルギーの最大の密度がレーザの平面と実質的に
一致するか又は頻繁に該平面を通過するかするように構
成するための手段を設けることも可能であろう。同様に
、レーザの位置に°応答してレフレ(− フタ−配列体の配向及び振動の振幅を自動的に変える追
跡能力をも防禦装置に組込むことが町−能であろう。又
、振動の振動数及び/又は位相はレフレクタ−のファセ
ットが所望の効果を達成するために反射時忙適蟲な角度
となるように通、淋の技術を使用して制御することもで
きるということが理 ・解されるであろう。
交していない場合には、レーザ源における反射′エネル
ギーの最大面積密度は以下忙述べるように幾分弱められ
るであろう、1/儒、 □)、ル −ザ兵器により確実に損傷を与え得るようにこの種の防
禦装置を更に改良するべく様々の通、加の手段を施すこ
とができるであろ50、例えば、通常の技術を本発明書
で述べる技術・と組合せて使用すれば、成る場合には防
禦装置の中にビーム兵器の有効距離及び位置を決定しそ
してこの情報を使用して防禦配列体を電気的に配向しそ
してδの値を選定された値又は成る範囲の値に設定し、
反射エネルギーの最大の密度がレーザの平面と実質的に
一致するか又は頻繁に該平面を通過するかするように構
成するための手段を設けることも可能であろう。同様に
、レーザの位置に°応答してレフレ(− フタ−配列体の配向及び振動の振幅を自動的に変える追
跡能力をも防禦装置に組込むことが町−能であろう。又
、振動の振動数及び/又は位相はレフレクタ−のファセ
ットが所望の効果を達成するために反射時忙適蟲な角度
となるように通、淋の技術を使用して制御することもで
きるということが理 ・解されるであろう。
逆反射セルの各戻射ツアセット間の角度を振動させるの
は三つの反射ファセットの二つを、固定した第三のツア
竜ットに対して同相にて運動させるととによって達成す
るヒとかで・きる・又、全ての三つの7アセツトは同じ
結果を得る九めに同相にて振動させるζ、と亀できるが
、三つの中の二つだけを振動させて同じ結果をよシ簡単
に得ると、とができる◎反射ツアネットが二つである場
合Ka一つを固定し、他の一つを振動させ得る仁とが明
らかである0 。
は三つの反射ファセットの二つを、固定した第三のツア
竜ットに対して同相にて運動させるととによって達成す
るヒとかで・きる・又、全ての三つの7アセツトは同じ
結果を得る九めに同相にて振動させるζ、と亀できるが
、三つの中の二つだけを振動させて同じ結果をよシ簡単
に得ると、とができる◎反射ツアネットが二つである場
合Ka一つを固定し、他の一つを振動させ得る仁とが明
らかである0 。
次に第4図を参照すると゛、三つの全ての反射ファセッ
トが振動する場合が図示されている。第4[Ktj同じ
セルを配列したセル配列体59の−るの逆反射セル40
が図示される・セル40i1三つの交差する反射7アセ
ツ)41.42及び43から成る・例えばファセッ)4
5#i剛性板として振動し1該フアセツト4Bの対角線
45に対し直交する軸線44のまわ如に回転する・第4
図に図示されるようにファセット′45の先端46は逆
反射体40の正面六角形状の中心に向りて変位するよう
に見えるであろう、同様に、ファセット41及び4イは
これら各ファセットの対角線に対し直交する軸線(1部
示せず)のまわ)K回転する。
トが振動する場合が図示されている。第4[Ktj同じ
セルを配列したセル配列体59の−るの逆反射セル40
が図示される・セル40i1三つの交差する反射7アセ
ツ)41.42及び43から成る・例えばファセッ)4
5#i剛性板として振動し1該フアセツト4Bの対角線
45に対し直交する軸線44のまわ如に回転する・第4
図に図示されるようにファセット′45の先端46は逆
反射体40の正面六角形状の中心に向りて変位するよう
に見えるであろう、同様に、ファセット41及び4イは
これら各ファセットの対角線に対し直交する軸線(1部
示せず)のまわ)K回転する。
三つのアアセッ)41%42及び45F−Jこれらの各
先端の変位が全て同じ大きさとなるように各軸線のまわ
夛に同時E11転するので1反射七ル内の各対のグアセ
ット間の角1度はもし三つの角度がファセット運動の最
初に等しいものであるとすれば同じ量だけ変わる。つt
i各ファセッFはセルの中心を通るグアセットの対角線
に対し直交する軸線のまわ)Kv!i転し1、回転角度
社寺ファセットに対し同じである。各ファセットの先端
部の変位は以下の説IJiKて明らかとなるように各フ
ァセットの運動を監視しそして制御するために都合よく
利用することができる・もしグアセットの運動が各ツア
セツFの先端部を一体的に振動させるよ、1.1 うに制御されるのであればζq、、艷ati Fi4さ
れる勢果を得ることができる・先端1部は所□定の範囲
で同相にて振動するので、各反射7アセツF間の角度は
約−から−−δへと又逆Kiへと一致して変動す2
2 る。従って、任意の点照射源からの反射エネルギーの最
大面積密度の帯域は逆反射−ルかも点照射源へとのびる
軸線に沿って前後に揺動す6o所望の角度JK対応する
先端の変位運動量の振動数及び最大大きさを適当に制御
することによって逆反射のこの最大面積密度帯・域が照
射源による逆反射体の照射時に成る時期に該照射源に確
実に現われるようKすることができ為。上述から理解さ
れるように、この操作拡又照射源゛による逆反射体の照
射時の成る時期KNN射口自体、各ファセットを正確に
直角に配列し九静止逆反射体から得られる面積゛密度と
夕なくとも同じ大きさの面積密度を有し九夏射エネルギ
ーによって照射纏れるであろう6つまシ、ファセットを
振動させる角度は放射線照射源がjI2図のり、′・;
より小さな帯域りの成る位置に至)、そしてそ6時の成
る時期には照射源は正@ K 平の平面位−一あ夛、従
って逆反射セルに衝突したエネルギー一度と同じ逆反射
エネルギー面積密度にて照射されるであろう。
先端の変位が全て同じ大きさとなるように各軸線のまわ
夛に同時E11転するので1反射七ル内の各対のグアセ
ット間の角1度はもし三つの角度がファセット運動の最
初に等しいものであるとすれば同じ量だけ変わる。つt
i各ファセッFはセルの中心を通るグアセットの対角線
に対し直交する軸線のまわ)Kv!i転し1、回転角度
社寺ファセットに対し同じである。各ファセットの先端
部の変位は以下の説IJiKて明らかとなるように各フ
ァセットの運動を監視しそして制御するために都合よく
利用することができる・もしグアセットの運動が各ツア
セツFの先端部を一体的に振動させるよ、1.1 うに制御されるのであればζq、、艷ati Fi4さ
れる勢果を得ることができる・先端1部は所□定の範囲
で同相にて振動するので、各反射7アセツF間の角度は
約−から−−δへと又逆Kiへと一致して変動す2
2 る。従って、任意の点照射源からの反射エネルギーの最
大面積密度の帯域は逆反射−ルかも点照射源へとのびる
軸線に沿って前後に揺動す6o所望の角度JK対応する
先端の変位運動量の振動数及び最大大きさを適当に制御
することによって逆反射のこの最大面積密度帯・域が照
射源による逆反射体の照射時に成る時期に該照射源に確
実に現われるようKすることができ為。上述から理解さ
れるように、この操作拡又照射源゛による逆反射体の照
射時の成る時期KNN射口自体、各ファセットを正確に
直角に配列し九静止逆反射体から得られる面積゛密度と
夕なくとも同じ大きさの面積密度を有し九夏射エネルギ
ーによって照射纏れるであろう6つまシ、ファセットを
振動させる角度は放射線照射源がjI2図のり、′・;
より小さな帯域りの成る位置に至)、そしてそ6時の成
る時期には照射源は正@ K 平の平面位−一あ夛、従
って逆反射セルに衝突したエネルギー一度と同じ逆反射
エネルギー面積密度にて照射されるであろう。
勿論、上記説−紘ツアセット自体による放射線の吸収及
び逆反射体からの散乱の効果は無視されキいるoしかし
ながら1逆反射ツアセツ′トは極めて反射性がよく従っ
て吸収は無視し得′ると考えられるであろう0この点に
゛関しで、・反射表面を重壷゛な電磁波長の範11に対
する吸収が巖小とな本、ように設計することは斯界にお
ける通常技術゛である゛ことを理解されたい、@Lばガ
ラスに金薄膜を形成するととに゛よって幅広い波長範囲
にわたってα97という正戻射能を提供するζどができ
るO゛@4図の結果を達成するための他の方法としては
一つ−のファセットを固定し、他の二つのグアセットを
振動させそれによって三つのファセットの相対疲位運動
が第4WIのセルの変位運動と正確に同じものとなるよ
・うにするヒとであるO第51図は必要とされる変位運
動を示す。第11固状反射セルの初期対称軸線、つ優〕
ファセットが移動する前のセルの対称軸線に対し垂直な
平iiKおける反射セルを示す0二つのグアセット52
及び5藁の所望の変位置は二段階から成る構造分析によ
って導き出されるであろう。 ゛第一に
、各ファ與ットは、セルの中心(@ 5 a図にて0で
示される)を通シ且つファセットの対角線(例えば47
)に対して直交する第5a図の平面内にある回転軸線め
まわシに剛性板として回転することが“で′き゛る。各
ファセットの回転によ)各ファセットの先端は一様にセ
ルの、!称軸線の方へと変位する0この運動においてツ
アセツ)51の先端は点aflc移動し、ファセット5
2の先端はベクトル55に沿って点すへと移動し、ファ
セツ)5”!i’の先端部ベクトル55に沿って点C′
へと移動する。又、この運動時セルの対称軸線は静、止
したtまである0この運動が完了したときKtiファセ
ットは最大変位後の第4図のグアセットと同じ相対位t
Kある龜 次に1三つのファセットの相対位置を固定して保持し1
反射セルの全組立体を剛体として回転運動させることが
でき、従ってフ了セフ)61は元の位置に復帰すること
となるりこの運動時にファ毫ツ)51の先端は点aから
ベクトル49に沿って元め位置へと移動する。ファセッ
ト52の先端はペクトに54に沿って変位する・ファセ
ット53の先端の変位も同じ態様にて行なわれるであろ
う0第二の運動において反射セルの対称軸線は静止状態
のままで嬬な−Vo%1..ファセット52及び53の
先端がそれぞれベクトセ54及び57に沿って変位され
れば新値の結果が達成される・第51図に示される変位
運動の最終結果を得るためのツアセツ)52及び55の
一段変位プaセスを構成するための簡単な方法が第5
b[K[示される・この方法鉱各ツアセットの変位運動
がその大きさに比較し極めて小、さい場合に適用される
であろう。該図は各ファセットが上記二段運動の第1段
階時に受ける回転運動を表わす三つのイクトル01%#
菅及び・、を委す0ベクトル−1はファセット51の回
転を表わす。該ベクトルはセルの中心を通〕そしてwi
面・、の平面内にある。該ベクトルはファセット51
T角線に対して直交している・ベクトル@雪はファセッ
ト52の回転を表わし、#、はツアセット5sの回転を
表わす◇両ω、及びω、も又図面の平面内にある・該三
つの回転Fi図面に示されるよ5に対称的に配置されて
いる。角度αは50@に等しい・上記二段式運動プ田セ
スK>いて1纂−には−各7アセツトがその回転ベクト
ルによって示される正確な回転運動によって変位され、
次で全逆反射セルガー・、に等しい回転を受けるように
される0これによ・リフアセット51社元の位置に戻る
o4hL各回転運動が微小であると考え得るのであれば
、ファセット52の全運動Ii#*−〇、に等しい一つ
の回転運動と考えることができる。同様に、ファセット
5sの運動は曽、−*lK等しい一つの回転運動と考え
ることができる。第sb図はこれら各回転運動を示す◎
ヒれら回転運動ベクトルが対称であることから、亀sb
図にΩ、で示されるファセット52−の全回転運動は図
面の平面内にあシ1セルの中心0を通)、そして図面の
平面に対して直交□、 し且つファセ;→18トS 2及び51間の最初の端縁
位、、 ”、li、。
び逆反射体からの散乱の効果は無視されキいるoしかし
ながら1逆反射ツアセツ′トは極めて反射性がよく従っ
て吸収は無視し得′ると考えられるであろう0この点に
゛関しで、・反射表面を重壷゛な電磁波長の範11に対
する吸収が巖小とな本、ように設計することは斯界にお
ける通常技術゛である゛ことを理解されたい、@Lばガ
ラスに金薄膜を形成するととに゛よって幅広い波長範囲
にわたってα97という正戻射能を提供するζどができ
るO゛@4図の結果を達成するための他の方法としては
一つ−のファセットを固定し、他の二つのグアセットを
振動させそれによって三つのファセットの相対疲位運動
が第4WIのセルの変位運動と正確に同じものとなるよ
・うにするヒとであるO第51図は必要とされる変位運
動を示す。第11固状反射セルの初期対称軸線、つ優〕
ファセットが移動する前のセルの対称軸線に対し垂直な
平iiKおける反射セルを示す0二つのグアセット52
及び5藁の所望の変位置は二段階から成る構造分析によ
って導き出されるであろう。 ゛第一に
、各ファ與ットは、セルの中心(@ 5 a図にて0で
示される)を通シ且つファセットの対角線(例えば47
)に対して直交する第5a図の平面内にある回転軸線め
まわシに剛性板として回転することが“で′き゛る。各
ファセットの回転によ)各ファセットの先端は一様にセ
ルの、!称軸線の方へと変位する0この運動においてツ
アセツ)51の先端は点aflc移動し、ファセット5
2の先端はベクトル55に沿って点すへと移動し、ファ
セツ)5”!i’の先端部ベクトル55に沿って点C′
へと移動する。又、この運動時セルの対称軸線は静、止
したtまである0この運動が完了したときKtiファセ
ットは最大変位後の第4図のグアセットと同じ相対位t
Kある龜 次に1三つのファセットの相対位置を固定して保持し1
反射セルの全組立体を剛体として回転運動させることが
でき、従ってフ了セフ)61は元の位置に復帰すること
となるりこの運動時にファ毫ツ)51の先端は点aから
ベクトル49に沿って元め位置へと移動する。ファセッ
ト52の先端はペクトに54に沿って変位する・ファセ
ット53の先端の変位も同じ態様にて行なわれるであろ
う0第二の運動において反射セルの対称軸線は静止状態
のままで嬬な−Vo%1..ファセット52及び53の
先端がそれぞれベクトセ54及び57に沿って変位され
れば新値の結果が達成される・第51図に示される変位
運動の最終結果を得るためのツアセツ)52及び55の
一段変位プaセスを構成するための簡単な方法が第5
b[K[示される・この方法鉱各ツアセットの変位運動
がその大きさに比較し極めて小、さい場合に適用される
であろう。該図は各ファセットが上記二段運動の第1段
階時に受ける回転運動を表わす三つのイクトル01%#
菅及び・、を委す0ベクトル−1はファセット51の回
転を表わす。該ベクトルはセルの中心を通〕そしてwi
面・、の平面内にある。該ベクトルはファセット51
T角線に対して直交している・ベクトル@雪はファセッ
ト52の回転を表わし、#、はツアセット5sの回転を
表わす◇両ω、及びω、も又図面の平面内にある・該三
つの回転Fi図面に示されるよ5に対称的に配置されて
いる。角度αは50@に等しい・上記二段式運動プ田セ
スK>いて1纂−には−各7アセツトがその回転ベクト
ルによって示される正確な回転運動によって変位され、
次で全逆反射セルガー・、に等しい回転を受けるように
される0これによ・リフアセット51社元の位置に戻る
o4hL各回転運動が微小であると考え得るのであれば
、ファセット52の全運動Ii#*−〇、に等しい一つ
の回転運動と考えることができる。同様に、ファセット
5sの運動は曽、−*lK等しい一つの回転運動と考え
ることができる。第sb図はこれら各回転運動を示す◎
ヒれら回転運動ベクトルが対称であることから、亀sb
図にΩ、で示されるファセット52−の全回転運動は図
面の平面内にあシ1セルの中心0を通)、そして図面の
平面に対して直交□、 し且つファセ;→18トS 2及び51間の最初の端縁
位、、 ”、li、。
置を図面の平面に投影したものを含む平面内にある。フ
ァセット53の回転遅動g、〜も同様に構成される。従
って、もし各ファセツFの回転運動が小さいものであれ
ば、これら二つの振動ツアセットの各々の全回転運動は
%固定ファセットをセルする平面への固定7アセツトの
投影に沿って存在する軸線のまわ〕の等しい大龜さの同
相振動回転運動に等しくなるO ツアセット52及びIs5が常に同じ角度だ叶同時に回
転するようにこれら二つのファセットが上述にて特定さ
れるように構成された各軸線のまわシに回転するとき、
もし三つの7アセツトが最初は直角に整列していたとす
れば、第4図に図示され且つ上述された全てが振動する
三つのファセットと同じ効果が得られるであろうO ファセットの回転軸線について説明したので、次にファ
セットを運動せしめ%にる機構及びファセット自体の構
造について説明する。例えば第5図のファセット52及
び5Bを動かすファセットは極めて怒い且つ軽量の材料
で作られるべきである・このことはファセットが振動す
るとき該ファセットの平面性を保持するために望ましい
ことでもる0特に付与される強制振動運動に応答してフ
ァセット自体に屈曲ウェーブが発現するのを防止するべ
く注意が払われねばならない。ファセットグツファイト
ラアイパー強化軽金属がある。
ァセット53の回転遅動g、〜も同様に構成される。従
って、もし各ファセツFの回転運動が小さいものであれ
ば、これら二つの振動ツアセットの各々の全回転運動は
%固定ファセットをセルする平面への固定7アセツトの
投影に沿って存在する軸線のまわ〕の等しい大龜さの同
相振動回転運動に等しくなるO ツアセット52及びIs5が常に同じ角度だ叶同時に回
転するようにこれら二つのファセットが上述にて特定さ
れるように構成された各軸線のまわシに回転するとき、
もし三つの7アセツトが最初は直角に整列していたとす
れば、第4図に図示され且つ上述された全てが振動する
三つのファセットと同じ効果が得られるであろうO ファセットの回転軸線について説明したので、次にファ
セットを運動せしめ%にる機構及びファセット自体の構
造について説明する。例えば第5図のファセット52及
び5Bを動かすファセットは極めて怒い且つ軽量の材料
で作られるべきである・このことはファセットが振動す
るとき該ファセットの平面性を保持するために望ましい
ことでもる0特に付与される強制振動運動に応答してフ
ァセット自体に屈曲ウェーブが発現するのを防止するべ
く注意が払われねばならない。ファセットグツファイト
ラアイパー強化軽金属がある。
又、ファセツ士は正確に正方形か又は長方形ではsb得
ないことに注目されたい0.ファセットは先端の変位が
最大の振幅に達し表゛とき三つのファ゛セツ゛トの端縁
が互いに干渉し合わないように形成されるべきである。
ないことに注目されたい0.ファセットは先端の変位が
最大の振幅に達し表゛とき三つのファ゛セツ゛トの端縁
が互いに干渉し合わないように形成されるべきである。
このような形状は、例えば各ファセットを菱形に、又は
先端46(第4図)の位置が直角とされた台形に、又は
これらの形状に近い形状に形成することくよって達成さ
れるであろう。ファセットの形状は又好ましくは1フア
セツトが偏向されて・いない状態にあるときには出来る
だけ大きな空間を占有するように形成されるべきでちる
。本明細書の記載からも理解されるように、関心事の用
途においては振動運動の振幅は極めて小さく−従ってフ
ァセットは正方形形状からそれ程大きく離れる必要はな
い。上記出願中の明細書にて理解されるように正方形近
似の形状がセル配列体を構成する際に便利であるという
理由から1又散乱を最小it6とするという理由から好
ましいであろう・小形の正方形ファセ、ットを使用する
ことができる−0これらは製造価格は低摩であるという
利益がある。
先端46(第4図)の位置が直角とされた台形に、又は
これらの形状に近い形状に形成することくよって達成さ
れるであろう。ファセットの形状は又好ましくは1フア
セツトが偏向されて・いない状態にあるときには出来る
だけ大きな空間を占有するように形成されるべきでちる
。本明細書の記載からも理解されるように、関心事の用
途においては振動運動の振幅は極めて小さく−従ってフ
ァセットは正方形形状からそれ程大きく離れる必要はな
い。上記出願中の明細書にて理解されるように正方形近
似の形状がセル配列体を構成する際に便利であるという
理由から1又散乱を最小it6とするという理由から好
ましいであろう・小形の正方形ファセ、ットを使用する
ことができる−0これらは製造価格は低摩であるという
利益がある。
ツアセットを振動させる装置はファセットが上述のよう
な軸線のまわ〉にだけ回動するようにツアセットの連動
を拘束する丸めの手段を具備するべきである。該装置祉
又各7アセツトが同相にて振動するように各7アセツト
の運動を整合させ且つ運動する各ファセットが所望の大
匙さで変位するように変位運動の振幅を制御するべ龜で
ある。
な軸線のまわ〉にだけ回動するようにツアセットの連動
を拘束する丸めの手段を具備するべきである。該装置祉
又各7アセツトが同相にて振動するように各7アセツト
の運動を整合させ且つ運動する各ファセットが所望の大
匙さで変位するように変位運動の振幅を制御するべ龜で
ある。
これら諸要件は周知の輻広く適用されている種々の技術
を種々に組合せる仁と←、111±って達成されるであ
ろう・ 連動しているファセットが所望の軸線のま゛わりKだけ
回動するように該運動77セツトを取付社することがで
きる。一つの技1術によると各ツア七ットを研削しそし
て研磨された軸に精:密軸受を介して取付けられるであ
ろう0この装置は第6図に図示される0フアセツト61
は研磨軸42に取付けられる・軸62は軸受ブロック6
3及び44に取付けられる0この態様に訃いて一ファ七
ット61は軸42によって画定される軸線のまわシに回
転されるようにされる@他の支持技術が第7vlK図示
される。該技術においてファセット70は底端部が強い
、可撓性のプレー)71に取付け、もれる。該プレート
71は新編の回転軸線を形成するために慎重に72の部
位が薄くされている。この形状によって強い1可撓性の
プレート71は弾性ヒンジとして機能する。このような
ヒンジを設計す”る際には疲労現門を回避するように努
力すぺ龜ことが理解される−(あろう。更に他の取付技
術が第8図に図示されるj。該図面にはファセット80
がナイフ縁8墨を画定する硬化材料81に11i、付け
られた態様゛が“例示される。ナイフ縁85は硬化ブロ
ックlI2に係合しそれによってファセット80°の回
転軸線を提供する0 各ツアセットを駆動しそして同相振動を行なうよう制御
するために種々の電気機器を使用することができる0例
えば各7アセツトを駆動するために例えば音響用スピー
カの小形の誘導コイルを使用することができる・共通の
信号によってヒのような各コイルを駆動することによっ
て各7ア七ツトに付与される駆動力は同じであるヒとが
保証されるであろう。又、各ツアセットの振動用ばね力
即ち復帰力を提供するために誘導/容量系を使用するこ
とができる。制動のためには誘導/抵抗系又は′容量/
抵抗系のいずれかを使用することもできる。そして、最
後に各7アセツトの変位を監視するために例えば容量又
は誘導検出器のような電気的変位検出器を使用すること
ができる0各ツアセツトを同相にて振動させるための制
御装置の一爽施態様が第9図に概略的に図示されるOツ
アセット?5及び?4I/i夫々誘導=仁10及び?I
Kよって駆動される。該ツイル鉱共通信号をコイル90
及び91に付加する信号発生器92によって付勢される
。信号発生器92は又情報を伝達するためにファセット
の純粋Q正弦波運動をメ関するための、即ち上記目的の
ために振動運動の振動数又は振1幅を変更するための情
報信号を発生するための手段を有する。誘導コイル90
及び91はファセット95及び?4に取付けられたマグ
ネット手段(図示せず)によってファセット□95及び
94に力を付与する。勿論、別法として誘導コイル9G
及び91は運動するツアセットに配置し、マグネットを
動かないようにすることも可能であることが理解される
であろうO誘導コイル95及び?4IIiファセット9
3及び?4に復帰力即ちばね力を提供するのに使用・さ
れる。仁の復帰力#i=ンデンナ97及び9sと、対応
の誘導冨イル95及び96との協働作用によシ発生する
。
を種々に組合せる仁と←、111±って達成されるであ
ろう・ 連動しているファセットが所望の軸線のま゛わりKだけ
回動するように該運動77セツトを取付社することがで
きる。一つの技1術によると各ツア七ットを研削しそし
て研磨された軸に精:密軸受を介して取付けられるであ
ろう0この装置は第6図に図示される0フアセツト61
は研磨軸42に取付けられる・軸62は軸受ブロック6
3及び44に取付けられる0この態様に訃いて一ファ七
ット61は軸42によって画定される軸線のまわシに回
転されるようにされる@他の支持技術が第7vlK図示
される。該技術においてファセット70は底端部が強い
、可撓性のプレー)71に取付け、もれる。該プレート
71は新編の回転軸線を形成するために慎重に72の部
位が薄くされている。この形状によって強い1可撓性の
プレート71は弾性ヒンジとして機能する。このような
ヒンジを設計す”る際には疲労現門を回避するように努
力すぺ龜ことが理解される−(あろう。更に他の取付技
術が第8図に図示されるj。該図面にはファセット80
がナイフ縁8墨を画定する硬化材料81に11i、付け
られた態様゛が“例示される。ナイフ縁85は硬化ブロ
ックlI2に係合しそれによってファセット80°の回
転軸線を提供する0 各ツアセットを駆動しそして同相振動を行なうよう制御
するために種々の電気機器を使用することができる0例
えば各7アセツトを駆動するために例えば音響用スピー
カの小形の誘導コイルを使用することができる・共通の
信号によってヒのような各コイルを駆動することによっ
て各7ア七ツトに付与される駆動力は同じであるヒとが
保証されるであろう。又、各ツアセットの振動用ばね力
即ち復帰力を提供するために誘導/容量系を使用するこ
とができる。制動のためには誘導/抵抗系又は′容量/
抵抗系のいずれかを使用することもできる。そして、最
後に各7アセツトの変位を監視するために例えば容量又
は誘導検出器のような電気的変位検出器を使用すること
ができる0各ツアセツトを同相にて振動させるための制
御装置の一爽施態様が第9図に概略的に図示されるOツ
アセット?5及び?4I/i夫々誘導=仁10及び?I
Kよって駆動される。該ツイル鉱共通信号をコイル90
及び91に付加する信号発生器92によって付勢される
。信号発生器92は又情報を伝達するためにファセット
の純粋Q正弦波運動をメ関するための、即ち上記目的の
ために振動運動の振動数又は振1幅を変更するための情
報信号を発生するための手段を有する。誘導コイル90
及び91はファセット95及び?4に取付けられたマグ
ネット手段(図示せず)によってファセット□95及び
94に力を付与する。勿論、別法として誘導コイル9G
及び91は運動するツアセットに配置し、マグネットを
動かないようにすることも可能であることが理解される
であろうO誘導コイル95及び?4IIiファセット9
3及び?4に復帰力即ちばね力を提供するのに使用・さ
れる。仁の復帰力#i=ンデンナ97及び9sと、対応
の誘導冨イル95及び96との協働作用によシ発生する
。
可変抵抗器99及び100i1[!動を減衰させるため
に設けられる。コイル・101゛と102はファセット
93及び94の結合された減衰を行なうOこれら二つの
コイルは大きなダンピング抵抗Rを介して連結される。
に設けられる。コイル・101゛と102はファセット
93及び94の結合された減衰を行なうOこれら二つの
コイルは大きなダンピング抵抗Rを介して連結される。
もしファセット93及び94が位相を異にするように運
動すると(例えば両ファセットが#I9図で右側・に運
動すると)追・加の電流が発生しそして斯る位相の異な
る運動に抵抗するO一方、ファセット93及び94が同
相にて、運動しているときには、各信号は相殺され、従
って何らの力も発生したいり従゛つて1この結合減衰は
ファセット93と94の位相の異なる振動を最・小成と
する。各ファセット95及び94の変位は容量ビ・ツク
アップ105及び1040手段で検出されるOこの場合
、;ンデンサの一方の板はファセットに取付けられ、他
方の板は固定される。
動すると(例えば両ファセットが#I9図で右側・に運
動すると)追・加の電流が発生しそして斯る位相の異な
る運動に抵抗するO一方、ファセット93及び94が同
相にて、運動しているときには、各信号は相殺され、従
って何らの力も発生したいり従゛つて1この結合減衰は
ファセット93と94の位相の異なる振動を最・小成と
する。各ファセット95及び94の変位は容量ビ・ツク
アップ105及び1040手段で検出されるOこの場合
、;ンデンサの一方の板はファセットに取付けられ、他
方の板は固定される。
第9図の二つのファセット93及び94、を同相にて振
動させるには自動の閉ループ制御装置が適当であるとい
うことに注目されたい0との°ような装置においては各
変位を測定し、この情報を実際か <y7″″″)ta!a′″<b$::t:、mrot
amrc amするのが好ましい0斯る自 ループ制
御装置は又客ファセットの運動を変調(、同時に該ファ
セットを同相状態に維持して情報を伝達するように適合
させるとともできる。つまシ、各ファセットが純粋の正
弦波運iを有するように該ファセットを単に駆動するか
わシに、振動は、放射線照射源位置の反射エネルギニの
面積密度が変動しそして逆反射体から放射線照射源へと
情報が伝達できるように変調することができる・ ゛ 振動ファセットの取付、駆動及び−舞方法の実施例につ
いての前記説明は説明を簡単にする九めに二面の反射セ
ルについで行なった0例えば第4図並びに第5a図及び
第5b図に図示さ゛れるような三次元セルにおいても同
じ取付及び制御原理を採用することができるであろう。
動させるには自動の閉ループ制御装置が適当であるとい
うことに注目されたい0との°ような装置においては各
変位を測定し、この情報を実際か <y7″″″)ta!a′″<b$::t:、mrot
amrc amするのが好ましい0斯る自 ループ制
御装置は又客ファセットの運動を変調(、同時に該ファ
セットを同相状態に維持して情報を伝達するように適合
させるとともできる。つまシ、各ファセットが純粋の正
弦波運iを有するように該ファセットを単に駆動するか
わシに、振動は、放射線照射源位置の反射エネルギニの
面積密度が変動しそして逆反射体から放射線照射源へと
情報が伝達できるように変調することができる・ ゛ 振動ファセットの取付、駆動及び−舞方法の実施例につ
いての前記説明は説明を簡単にする九めに二面の反射セ
ルについで行なった0例えば第4図並びに第5a図及び
第5b図に図示さ゛れるような三次元セルにおいても同
じ取付及び制御原理を採用することができるであろう。
しかしながら、反射ファセットを取付ける板と枢動点と
の間の構造部分i各ファセットが適当な軸線、例えば第
5b図のg、のま゛わシに振動するように曲げ暮か又は
他の方法で取附けられねばならない。前記説明71,6
7.7よ’5c、eoよ、7□、、ツアヤ24.O□□
ヵS7アヤツ、。7つ。□、ヨしているので三つのファ
セットの中の二つの゛ファセットを振動自在に取付・け
るような場合−は必要とされるであろう@ ・本明細書に記載された振動逆反射体の性能を明l!!
にするためKjll“ea〜1041図が設けられる0
第1on図は静止ファセット111七振動ツアセット1
1゜2、−11sから成る逆反射体110を示す。ベク
トルv1はファセット115の先端部の変位を表わし%
ベクトルVlはツア七ット112の先端部の変位を表わ
す・第10b図は時間の関数として振幅V、及びV、を
示し〜7アセツトは同相で且つ同じ振幅にて振動してい
る態様を表わす・各77セツ)Q振動時の各時々におい
て、照射源が逆反射された最大面積密度を有するエネル
ギーによって照射される平面祉逆反射竜ルあ前方の異な
る距離の所に位置している唾第10C図轄最大面積密度
への平面の位置を時間の関数とし2 て表わすグラフである0逆反射セルの前方の成る一定距
離の所に配置されえ放射エネルギー源に対して面積密度
は時間の関数として振動する・この関係は第104mK
図示される・この図においてA(t)は逆反射体Kかけ
る面積密度を表わす0照射源平面位置における逆反射エ
ネルギーの面積密度を増大すること、によって信号処理
及び他の逆反射体の用途において散乱効果を相当程度に
まで克服するヒ、とができると七に注目されたいO上記
特許KgI示されるように、散乱、は任意の点照射源へ
と逆反射することの′t′きるエネルギーを減少させる
際の唯一の最大の重要な効果であるO散乱・は逆反射−
に#に入射する放射線が三つの完全な及射をなさない場
合に起シ、そして照射源とセルの整列によって強く影響
される。例えば、もし点照射源から逆反射セルへの軸線
がセルの対称軸線りtシ第4図又・は第5図の平面に対
して直交する軸線に対して概略20−だけ傾係している
麺とすれ。
の間の構造部分i各ファセットが適当な軸線、例えば第
5b図のg、のま゛わシに振動するように曲げ暮か又は
他の方法で取附けられねばならない。前記説明71,6
7.7よ’5c、eoよ、7□、、ツアヤ24.O□□
ヵS7アヤツ、。7つ。□、ヨしているので三つのファ
セットの中の二つの゛ファセットを振動自在に取付・け
るような場合−は必要とされるであろう@ ・本明細書に記載された振動逆反射体の性能を明l!!
にするためKjll“ea〜1041図が設けられる0
第1on図は静止ファセット111七振動ツアセット1
1゜2、−11sから成る逆反射体110を示す。ベク
トルv1はファセット115の先端部の変位を表わし%
ベクトルVlはツア七ット112の先端部の変位を表わ
す・第10b図は時間の関数として振幅V、及びV、を
示し〜7アセツトは同相で且つ同じ振幅にて振動してい
る態様を表わす・各77セツ)Q振動時の各時々におい
て、照射源が逆反射された最大面積密度を有するエネル
ギーによって照射される平面祉逆反射竜ルあ前方の異な
る距離の所に位置している唾第10C図轄最大面積密度
への平面の位置を時間の関数とし2 て表わすグラフである0逆反射セルの前方の成る一定距
離の所に配置されえ放射エネルギー源に対して面積密度
は時間の関数として振動する・この関係は第104mK
図示される・この図においてA(t)は逆反射体Kかけ
る面積密度を表わす0照射源平面位置における逆反射エ
ネルギーの面積密度を増大すること、によって信号処理
及び他の逆反射体の用途において散乱効果を相当程度に
まで克服するヒ、とができると七に注目されたいO上記
特許KgI示されるように、散乱、は任意の点照射源へ
と逆反射することの′t′きるエネルギーを減少させる
際の唯一の最大の重要な効果であるO散乱・は逆反射−
に#に入射する放射線が三つの完全な及射をなさない場
合に起シ、そして照射源とセルの整列によって強く影響
される。例えば、もし点照射源から逆反射セルへの軸線
がセルの対称軸線りtシ第4図又・は第5図の平面に対
して直交する軸線に対して概略20−だけ傾係している
麺とすれ。
ば、セルに至るエネルギーの概略50襲が照射源の方へ
と戻されるよシは空間へと散乱されるであろう@上述に
て理解されるように、光学的有効距離がQ度の距離(1
0kmから1100kの範囲)の亀のにおいては分散の
効果によって例えレアレタターが完全に照射源や方へと
整列して−・た場合であってもアンテナは反射エネルギ
ーによりて照射されないttとされるやこの上更に、散
乱によ)照射源の方へと実際に戻されるエネルギーが減
少するときは、ある用途においては照射源へと逆反射さ
れるエネルギーの面積密度を増大させるために本明細書
に開示し九振動技術を使用、することが有効であろう。
と戻されるよシは空間へと散乱されるであろう@上述に
て理解されるように、光学的有効距離がQ度の距離(1
0kmから1100kの範囲)の亀のにおいては分散の
効果によって例えレアレタターが完全に照射源や方へと
整列して−・た場合であってもアンテナは反射エネルギ
ーによりて照射されないttとされるやこの上更に、散
乱によ)照射源の方へと実際に戻されるエネルギーが減
少するときは、ある用途においては照射源へと逆反射さ
れるエネルギーの面積密度を増大させるために本明細書
に開示し九振動技術を使用、することが有効であろう。
例えば、照射源と反射セルが上に示唆しえように20度
だけ整列がずれていると、ファセットの振動は照′射源
位置における反射像を明るくシ、その結果照射源平面位
置にシける反射放射線の面積密度は照射源の方に完全に
整上記全説明においては放射線の点照射源について説明
し九〇実際上重要な殆んど全ての場合において、有限の
放射線照射源1例えば殆んど平行光線とされた光源・レ
ーダア七1暮す等は点照射源の組立体と考えることがで
き本。この例外として考えられ得るものは完全に平行と
されたレーザであ−ろうが、レーザの有効距離であって
もレーザは無視できない発散を示す。例えば月まで到達
するレーザにおいて地上のレーザビー五の直径は数ミリ
メーFルであるが、月に到達する時までには数キロメー
トルKまで広がる。従ってこのような場合−この照射源
も発散放射線を持った点照射源と考えることができる。
だけ整列がずれていると、ファセットの振動は照′射源
位置における反射像を明るくシ、その結果照射源平面位
置にシける反射放射線の面積密度は照射源の方に完全に
整上記全説明においては放射線の点照射源について説明
し九〇実際上重要な殆んど全ての場合において、有限の
放射線照射源1例えば殆んど平行光線とされた光源・レ
ーダア七1暮す等は点照射源の組立体と考えることがで
き本。この例外として考えられ得るものは完全に平行と
されたレーザであ−ろうが、レーザの有効距離であって
もレーザは無視できない発散を示す。例えば月まで到達
するレーザにおいて地上のレーザビー五の直径は数ミリ
メーFルであるが、月に到達する時までには数キロメー
トルKまで広がる。従ってこのような場合−この照射源
も発散放射線を持った点照射源と考えることができる。
放射線が完全に平行とされて1逆反射セルの所に到達し
た時であっても上記効果は生じる〇一般には反射ファセ
ットを正確に90度で整列させようとしたセルを使用す
るよシは、ファセットを90度よシ幾分小さな角度で慎
重に配置した逆反射体を使用することが好ましい0必然
的に発生する製造時の整列上の小さな誤差はこのような
セルの性能に関して有害な且つ未知の効果をもたらすで
あろう。上述にて強調したように、もしセルのファセッ
トのプリメーションが適当に調整されると、分散の効果
が補正されるだけでは:□:: なく更−これら・p、、、、、、m果は前もって予想し
得る方法で補正され従って薊御される0 従って本発明の目的はファセットを最大面積密度の平面
が放射線照射源を含む平面を通って前後に運動するべく
振動させるように構成した逆反射体によって達成される
◎この方法によると、各ツアセットを互いに正確に直角
に整列せしめて構成された逆反射体の場合よシもよ〕多
くのエネルギーを照射源へと及封させることができる。
た時であっても上記効果は生じる〇一般には反射ファセ
ットを正確に90度で整列させようとしたセルを使用す
るよシは、ファセットを90度よシ幾分小さな角度で慎
重に配置した逆反射体を使用することが好ましい0必然
的に発生する製造時の整列上の小さな誤差はこのような
セルの性能に関して有害な且つ未知の効果をもたらすで
あろう。上述にて強調したように、もしセルのファセッ
トのプリメーションが適当に調整されると、分散の効果
が補正されるだけでは:□:: なく更−これら・p、、、、、、m果は前もって予想し
得る方法で補正され従って薊御される0 従って本発明の目的はファセットを最大面積密度の平面
が放射線照射源を含む平面を通って前後に運動するべく
振動させるように構成した逆反射体によって達成される
◎この方法によると、各ツアセットを互いに正確に直角
に整列せしめて構成された逆反射体の場合よシもよ〕多
くのエネルギーを照射源へと及封させることができる。
。
本発明の範囲内に′て当業者KU上記教示に基づいて本
発明の他の変更実施態様が想到されるであろう。
発明の他の変更実施態様が想到されるであろう。
第1図はコーナレフレタターに生じる分散を親羽するた
めの線図であるO 1g瀧図は面積密度の変動を−−iラジアンにて。 π 交差する反射ファセットを備えたレフレクタ−からの距
離の関数として表わす線図である。 第3図は各ファセットが−よ)大きな角度に′cl
π設けられfc
プニナレ7レクターを示す線図である〇第4図は互いに
交わる平面を持った三つの平らなツアセットから成′る
コーナ逆反射体配列体を表わす概略図である゛。 第5alt!ff及び第5b図は二つのファセットの運
動を説明する概略図である。 第6図は振動し得るように取付けられたツアセットの概
略斜視図である。 第7図はツアセットを振動自在に取付けるための他の方
法を表わす概略図である0 第5vliは他のファセット取付方法を表わす概略図で
ある〇 1第9図は一対のファセットを同相にて振動させるため
の駆動及び制御手段を示す概略I!図である0第10a
図〜第10d図は面積密度が脚間a数としてどのように
変動するかを説明する線図である0 10%201.50,40:逆反射体 11.12.21.22.51−%32.41.42.
45:ファセット 13、:点放射源
めの線図であるO 1g瀧図は面積密度の変動を−−iラジアンにて。 π 交差する反射ファセットを備えたレフレクタ−からの距
離の関数として表わす線図である。 第3図は各ファセットが−よ)大きな角度に′cl
π設けられfc
プニナレ7レクターを示す線図である〇第4図は互いに
交わる平面を持った三つの平らなツアセットから成′る
コーナ逆反射体配列体を表わす概略図である゛。 第5alt!ff及び第5b図は二つのファセットの運
動を説明する概略図である。 第6図は振動し得るように取付けられたツアセットの概
略斜視図である。 第7図はツアセットを振動自在に取付けるための他の方
法を表わす概略図である0 第5vliは他のファセット取付方法を表わす概略図で
ある〇 1第9図は一対のファセットを同相にて振動させるため
の駆動及び制御手段を示す概略I!図である0第10a
図〜第10d図は面積密度が脚間a数としてどのように
変動するかを説明する線図である0 10%201.50,40:逆反射体 11.12.21.22.51−%32.41.42.
45:ファセット 13、:点放射源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少なくとも二つの平らな1反射ファセットを具備し
、反射ファセットの平面は成る角度で互いに交差するよ
うに構成し、入射する放射線モネルギーを照射源の方、
へと反射するための装置ア」って、各ファセット間)角
度を五からL−−ラジ、アンの藺で変動さ゛せるた応に
少なイとも一方のファセットを他方のファセットに対し
て振動態機で回動せしめるための7アセツト回動手段i
具備し、角度δは門射されたエネルギーの最大面積密度
の平面、が前記照射源を通過するように選定されて成る
ことを特徴とする反射装置。 2)二つのファセットを具備し【成る特許請求の範囲第
1項記載の装置。 5)三つのファセットを具備して成る特許請求の範囲第
1項記載の装置。 4) 各ファ柔ットは反射鏡面を有して成る特許請求の
範囲第1項記載の装置。 5)7アセツト回動手段は全ての7アセツトを回転せし
めるようにした特許請求の範囲第1項から$4項のいキ
れかの項に記載の装置。 6) 一つのファセットは回転しないようにした特許請
求の範囲第1−から第4項のいずれかの項に記載の装置
。 7)ファセット回動手段は、少なくとも二つのファセッ
トを回転するための駆動手段と、各回転フチセットと該
ファセットと隣り合ったファセットとの間の相対変位を
検出するための手段と、前記駆動手段を制御し回転ファ
セットを同相にて&拳せしめるために前記変位に応答す
る閉ループ制御装置とを具備して成る特許請求の範囲第
3項□記載の装置。 8)ファセットは菱形に形成されて成る特許請求の範囲
第3項記載の装置。 9)。7ア°=ッ、□*@fll’jAJ1.−Cab
特許請求の範囲第一項記載の装置。 ゛ 10)照射源は各ファセットから距離りの範囲内にあり
、各ファセツ、トは開口λを形成しそして角度δのタン
ジェント(tanδ・)はff2”Dで表わされる特許
請求の範囲第5項記載の装置。 11)情報信号に対応して振動を変調するための手段と
、反射された放射線エネルギーを受容しそしてそれを変
調するようにした手段とを具!して成る特許請求の範囲
゛第1項から第sy4のいずれかの項に記載の装置。 12)少なくとも二つの平らな反射ファセットを具備し
、該反射77セツトの平面は成る角度で交差するように
構成した逆反射体に入射する成る照射源からの放射線エ
ネルギーを反射させる方法であって、各ファセ:ット間
の角度を五からK J yジ、22 アンの間で変動せしめるために各ファセットを相対的に
回転させ、このとき前記角度δは反射されたエネルギー
の鍛大面積密□、−の平面が前記照射源ヶ諷、す、よ5
Kjl定8N″・・・逮、□ッ、オ、放射線エネルギー
反射方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14040481A JPS5843403A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 振動式逆反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14040481A JPS5843403A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 振動式逆反射体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5843403A true JPS5843403A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15267972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14040481A Pending JPS5843403A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 振動式逆反射体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5843403A (ja) |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14040481A patent/JPS5843403A/ja active Pending
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