JPS5840841B2 - microwave introduction flange - Google Patents

microwave introduction flange

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Publication number
JPS5840841B2
JPS5840841B2 JP51147794A JP14779476A JPS5840841B2 JP S5840841 B2 JPS5840841 B2 JP S5840841B2 JP 51147794 A JP51147794 A JP 51147794A JP 14779476 A JP14779476 A JP 14779476A JP S5840841 B2 JPS5840841 B2 JP S5840841B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
microwave introduction
ridge
introduction flange
discharge chamber
Prior art date
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Expired
Application number
JP51147794A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5372550A (en
Inventor
訓之 作道
一郎 鹿又
英己 小池
克己 登木口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5372550A publication Critical patent/JPS5372550A/en
Publication of JPS5840841B2 publication Critical patent/JPS5840841B2/en
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/36Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の利用分野 本発明は、イオン打込機用マイクロ波イオン源のマイク
ロ波導入フランジの改良に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Field of Application of the Invention The present invention relates to an improvement of a microwave introduction flange of a microwave ion source for an ion implanter.

(2)従来技術 第1図は、イオン打込機用として短冊状のイオンビーム
を引き出すマイクロ波イオン源の構成を示す図である。
(2) Prior Art FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a microwave ion source that extracts a rectangular ion beam for use in an ion implanter.

第1図において、マイクロ波発振器1で発生したマイク
ロ波は、導波管2やパワーメーター3、リッジ導波管4
などからなるマイクロ波立体回路および、イオン源の真
空対じとマイクロ波の伝送をかねたマイクロ波導入フラ
ンジ5を通り、リッジ形をした放電電極8間に形成され
た放電室7内へと伝送される。
In FIG. 1, microwaves generated by a microwave oscillator 1 are transmitted through a waveguide 2, a power meter 3, and a ridge waveguide 4.
The microwave is transmitted into the discharge chamber 7 formed between the ridge-shaped discharge electrodes 8 through the microwave three-dimensional circuit consisting of the above, and the microwave introduction flange 5 which serves as the vacuum pair of the ion source and the microwave transmission. be done.

放電室7中には、磁場コイル6による直流磁場がリッジ
形放電電極8間に形成されるマイクロ波電界に対して直
角な方向に印加されており、これらの相互作用により放
電室7内のガスがプラズマになる。
A DC magnetic field by a magnetic field coil 6 is applied to the discharge chamber 7 in a direction perpendicular to the microwave electric field formed between the ridge-shaped discharge electrodes 8, and due to their interaction, the gas in the discharge chamber 7 is becomes plasma.

さらに放電室7内で生成されたプラズマから、イオンだ
けが長方形の穴のあいた引出し電極系9により引き出さ
れ、短冊状イオンビーム10となる。
Further, only ions are extracted from the plasma generated in the discharge chamber 7 by an extraction electrode system 9 having a rectangular hole, thereby forming a strip-shaped ion beam 10.

従来技術によるマイクロ波導入フランジは、第2図に示
すように単なる絶縁物の円板であった。
The microwave introduction flange according to the prior art was a simple insulating disk as shown in FIG.

マイクロ波導入フランジの役割は、イオン源の真空対じ
とマイクロ波を効率よく通すことであるが、後者につい
て従来技術によるマイクロ波導入フランジを考えた場合
リッジ導波管4の内部とりフジ形放電電極8を有してい
る放電室7の内部におけるマイクロ波の伝播形態はいず
れも通常の2本線伝送線路におけるものと同じだが、こ
のマイクロ波導入フランジ5の部分では全然異なった形
態となってしまい、その前後とのインピーダンスの整合
が困難でマイクロ波を効率よく通すことができなかった
The role of the microwave introduction flange is to efficiently pass the microwave to the vacuum pair of the ion source. Regarding the latter, when considering the microwave introduction flange according to the conventional technology, the inside of the ridge waveguide 4 causes a Fuji-shaped discharge. The microwave propagation form inside the discharge chamber 7 having the electrode 8 is the same as that in a normal two-wire transmission line, but the microwave introduction flange 5 has a completely different form. , it was difficult to match the impedance between the front and back, making it impossible to efficiently transmit microwaves.

(3)発明の目的 本発明は、上述したインピーダンスの不整合を少なくす
ることを目的としている。
(3) Purpose of the Invention The present invention aims to reduce the impedance mismatch mentioned above.

(4)発明の詳細説明 あったマイクロ波導入フランジに対してマイクロ波を通
りやすくするために、リツジ導波管4のリツジ部分とこ
のリツジ部分に対応して放電室7側に設けられているリ
ツジ形放電電極8との間を金属部材によって接続するよ
うにした、絶縁物部材と金属部材との複合構造からなる
マイクロ波導入フランジとしたことを特徴とするもので
ある。
(4) Detailed Description of the Invention In order to make it easier for microwaves to pass through the microwave introducing flange, a ridge portion of the ridge waveguide 4 and a ridge portion corresponding to the ridge portion are provided on the discharge chamber 7 side. The microwave introduction flange is made of a composite structure of an insulator member and a metal member, and is connected to the ridge-shaped discharge electrode 8 by a metal member.

(5)実施例 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。(5) Examples Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.

第3図は本発明によるマイクロ波導入フランジの構造を
示すもので、フランジの外径、厚さは従来技術によるも
のと同じであるが、本発明においては、マイクロ波導入
フランジを構成する絶縁物円板21におけるリッジ導波
管4のリッジ部分と放電室7側に設けられているリッジ
形電極8とを橋絡する部分に任意形状の開口を設け、こ
の開口部内壁面をメタライズ処理した上で、該開口内に
金属片22を気密に接合して一体化したものである。
Fig. 3 shows the structure of the microwave introduction flange according to the present invention, and the outer diameter and thickness of the flange are the same as those according to the prior art. An arbitrarily shaped opening is provided in the portion of the disc 21 that bridges the ridge portion of the ridge waveguide 4 and the ridge-shaped electrode 8 provided on the discharge chamber 7 side, and the inner wall surface of this opening is metallized. , a metal piece 22 is hermetically joined and integrated within the opening.

この方法によれば、マイクロ波導入フランジの部分も、
2本線伝送線路と同じマイクロ波伝播形態となり、従来
技術のものに比べ、リッジ導波管4から放電室7へのマ
イクロ波の伝播を良くすることができる。
According to this method, the microwave introduction flange part also
The microwave propagation mode is the same as that of a two-wire transmission line, and the microwave propagation from the ridge waveguide 4 to the discharge chamber 7 can be improved compared to the conventional technology.

第4図は別の実施例を示すものである。FIG. 4 shows another embodiment.

マイクロ波導入フランジに接触している放電電極8は常
にプラズマにさらされており高温になる部分である。
The discharge electrode 8 in contact with the microwave introduction flange is constantly exposed to plasma and becomes a high temperature portion.

本実施例は、放電電極の冷却を同時に考慮したものであ
る。
In this embodiment, cooling of the discharge electrode is also taken into consideration.

絶縁物21は円板に二つの丸い穴があいただけのもので
あり、その中を放電電極8に固定された、熱伝導率の良
い金属部品22が通っている。
The insulator 21 is simply a disk with two round holes, and a metal component 22 with good thermal conductivity, which is fixed to the discharge electrode 8, passes through the insulator 21.

さらにこの金属部品22は、リッジ導波管4と同じ断面
構造で、外部が水冷されている金属製フランジ4′に固
定されている。
Furthermore, this metal component 22 has the same cross-sectional structure as the ridge waveguide 4, and is fixed to a metal flange 4' whose exterior is water-cooled.

イオン源部分(放電室7)の真空封じは、放電電極8の
リッジ部分に取り付けた0 1Jング26によりおこな
っている。
The ion source portion (discharge chamber 7) is sealed in vacuum by an 01J ring 26 attached to the ridge portion of the discharge electrode 8.

この構成の場合、最初の実施例に比べてインピーダンス
の整合を落とすことなく、放電電極の冷却効果をあげる
ことができる。
With this configuration, compared to the first embodiment, the cooling effect of the discharge electrode can be increased without compromising impedance matching.

第5図はさらに別の実施例を示すものである。FIG. 5 shows yet another embodiment.

絶縁物21は、円板からりツジ部分に対応する部分を取
り除いた構造になっており、その部分に金属のブロック
22が固定されている。
The insulator 21 has a structure in which a portion corresponding to the joint portion is removed from a disc, and a metal block 22 is fixed to that portion.

さらに絶縁物21と金属ブロック22は、エポキシ樹脂
系接着材などにより、一体化されておりこの間で真空も
れのないようにされている。
Further, the insulator 21 and the metal block 22 are integrated with an epoxy resin adhesive to prevent vacuum leakage between them.

金属のブロック22の中には、水冷用の流路24が通っ
ており、放電電極8の冷却を行なうようにしている。
A water cooling channel 24 passes through the metal block 22 to cool the discharge electrode 8.

この実施例の場合、金属ブロック22間の距離を絶縁物
21の誘電率に応じて決めることにより、リッジ導波管
4とマイクロ波導入フランジ5とのインピーダンス整合
をほぼ完全にとることができる。
In this embodiment, by determining the distance between the metal blocks 22 according to the dielectric constant of the insulator 21, almost perfect impedance matching between the ridge waveguide 4 and the microwave introducing flange 5 can be achieved.

(6)まとめ 以上説明したごとく本発明によれば、従来技術に比べ、
リッジ導波管4から放電室7へのマイクロ波の伝播を良
くすることができる。
(6) Summary As explained above, according to the present invention, compared to the conventional technology,
Microwave propagation from the ridge waveguide 4 to the discharge chamber 7 can be improved.

さらに、金属部分22を冷却することにより、放電電極
8の冷却効果をあげることができる。
Furthermore, by cooling the metal portion 22, the effect of cooling the discharge electrode 8 can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はイオン打込み機用マイクロ波イオン源の構成を
示す図、第2図は従来技術によるマイクロ波導入フラン
ジを示す図、第3図は本発明によるマイクロ波導入フラ
ンジを示す図、第4図、第5図は、本発明の別の実施例
を示す図である。 図において、4:リッジ導波管、5:マイクロ波導入フ
ランジ、8:リツジ形放電電極、21:絶縁物部分、2
2:金属部分、24:水冷用流路。
1 is a diagram showing the configuration of a microwave ion source for an ion implanter, FIG. 2 is a diagram showing a microwave introduction flange according to the prior art, FIG. 3 is a diagram showing a microwave introduction flange according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, 4: ridge waveguide, 5: microwave introduction flange, 8: ridge-shaped discharge electrode, 21: insulator part, 2
2: Metal part, 24: Water cooling channel.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 リッジ導波管を介して、該リッジ導波管のリッジ部
分に対応したりフジ形の放電電極を有する放電室内にマ
イクロ波を導入して、該放電室内にマイクロ波放電プラ
ズマを生成させ、該プラズマ中からイオンを引き出すよ
うにしたマイクロ波プラズマイオン源における上記リッ
ジ導波管から上記放電室内へのマイクロ波導入部分に設
けられるマイクロ波導入フランジであって、該マイクロ
波導入フランジは、絶縁物製の板体に上記リッジ導波管
のリッジ部分と上記放電室内のりフジ形放電電極とを橋
絡する部分に金属製の相互接続部分を設けた複合構造と
されていることを特徴とするマイクロ波導入フランジ。
1. Introducing microwaves through a ridge waveguide into a discharge chamber corresponding to the ridge portion of the ridge waveguide or having a Fuji-shaped discharge electrode to generate microwave discharge plasma within the discharge chamber; A microwave introduction flange provided at a microwave introduction portion from the ridge waveguide into the discharge chamber in the microwave plasma ion source adapted to extract ions from the plasma, the microwave introduction flange comprising an insulating material. It is characterized by having a composite structure in which a metal interconnection part is provided on a metal plate in a part bridging the ridge part of the ridge waveguide and the Fuji-shaped discharge electrode in the discharge chamber. Microwave introduction flange.
JP51147794A 1976-12-10 1976-12-10 microwave introduction flange Expired JPS5840841B2 (en)

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JPS5372550A JPS5372550A (en) 1978-06-28
JPS5840841B2 true JPS5840841B2 (en) 1983-09-08

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS594040A (en) * 1982-06-30 1984-01-10 Fujitsu Ltd Semiconductor substrate carrying method

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JP5839937B2 (en) * 2011-10-31 2016-01-06 三菱重工業株式会社 Vacuum processing equipment

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4977552A (en) * 1972-11-27 1974-07-26
US3860891A (en) * 1970-12-30 1975-01-14 Varian Associates Microwave waveguide window having the same cutoff frequency as adjoining waveguide section for an increased bandwidth

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