JPS5840732A - 大電力クライストロンの製造方法 - Google Patents

大電力クライストロンの製造方法

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Publication number
JPS5840732A
JPS5840732A JP13810981A JP13810981A JPS5840732A JP S5840732 A JPS5840732 A JP S5840732A JP 13810981 A JP13810981 A JP 13810981A JP 13810981 A JP13810981 A JP 13810981A JP S5840732 A JPS5840732 A JP S5840732A
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JP
Japan
Prior art keywords
resonance frequency
resonant cavity
frequency
cutting
resonant
Prior art date
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Pending
Application number
JP13810981A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Tsuchiya
勇 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5840732A publication Critical patent/JPS5840732A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/20Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は準ミリおよびミリ波領域で動作し、出力が数百
ワットないしは数キルワットの大電力クライストロンに
関する。この種の大電力クライストロンは、第1図に示
すように、電子ビームを射出する電子銃部1、電子ビー
ムのもつエネルギーで入力高周波を増幅する高周波回路
部2、増幅作用に関与し終った電子ビームを捕捉するコ
レクタ3、高周波回路部2を縦にはさむように設けられ
た一対の磁性4aと4b、および磁極4a、4b間の外
側に配置された永久磁石51.5bと外部ヨーク6とを
含み高周波回路部2に電子ビーム集束用の磁界を発生す
る集束磁界装置7を主な構成要素としている。高周波回
路部2は縦続配置された複数個の共振空胴8a、8b、
8cからなり、各共振空胴間には、その中心部に電子ビ
ーム100通過孔が設けられたドリフト管9が連通し、
ドリフト管間隙において、電子ビーム10と共振空胴の
高周波電磁界との相互作用により増幅が行なわれる。こ
こで、第1図に示した大電力クライストロンの共振空胴
8bの拡大図を第2図に示す。第2図に於て共振空胴8
bは、ドリフト領域を形成しているドリフト管11の一
部と可動同調子12の先端18と金属壁13とで形成さ
れている。また共振空胴の共振周波数を変化させるため
の可動同調子の他の一端19は、カラー14を介して高
周波回路部2に固定されている同調機構15に接続され
ている。可動同調子12は同調機構15に設けられてい
る調整ネジ16により真空内を連続的に移動して共振空
胴8bの共振周波数を連続的に変化させている。尚可動
同調子12にはベローズ17が接続されており大電力ク
ライストロンの真空度が保持されている。第3図は前記
の可動調子による共振空胴の共振周波数の変化を示す同
調曲線図で、横軸は第2図に於ける可動同調子先端18
のドリフト管11の中心からの距離、縦軸は共振空胴の
共振周波数を表わす。第3図は可動同調子がドリフト管
中心に近づくごとに傾きが急峻になっており、つまり単
位長さの当りの移動に対して共振周波数の変化量が大き
くなっていることを示している。ところで大電力クライ
ストロンの共振空胴では高周波損失のために共振空胴の
一部を形成している可動同調子が発熱、熱膨張する。
この時、可動同調子の一端は熱容量が大きく熱膨張にそ
れ程関与しない同調機構に固定されているために、相対
的に同調子はドリフト管中心に近づい【共振空胴の共振
周波数が変化してしまう。したがって帯域特性が変化し
てしまい出力が不安定になると同時にデレー特性の悪化
等の不都合が生じた。この為に従来の数GHz帯の大電
力クライストロンでは、可動同調子の単位長当りの変位
に対し【共振周波数の変化量の少ない可動同調子の位置
20.21の領域で共振周波数が得られるように、共振
空胴を形成するドリフト管の寸法及び金属壁の寸法を数
十μmないしは数百μmの精度で製作、組立し可動同調
子のない時の共振空胴の共振周波数22が精度よく得ら
れるように製造していた。しかし、準ミリ涙量あるいは
ミリ波帯の高い周波数帯の大電力クライス)oノでは、
必然的に共振空胴の寸法が小さくなり加工寸法そのもの
の精度が厳しくなるとともに、単位面積当りの高周波損
失が増加するために第3図に示した可動同調子のない時
の共振空胴の共振周波数を更に精度よくしなければなら
ないという必要性が生じてきた。
このことにより部品を製作する工数が増加し、かつ歩留
りが低下し原価が上がってしまうという欠点が生じた0
本発明はこのような従来の欠点を除去し、熱ドリフトを
抑制し、出力が安定し、デレー特性の良い特性のすぐれ
た大電力クライストロンを容易にかつ安価に製造するこ
とを提案するものである。本発明の大電力クライストロ
ンは、ドリフト領域を形成するドリフト管の一部と、金
属壁とで形成されている共振空胴の構造で、前記共振空
胴を組立の中間工程で切削等の手段により、寸法加工し
ている。次に図面を用いてこの発明の一実施例を詳細に
説明する。第4図は本発明の一実施例を示す大電力クラ
イストロンの共振実胴の断面図である。共振空胴8bは
第1の凹24とこの第1の凹部24にロー付等の手段で
同定された第1のドリフト管25とを有する第1の高周
波回路部23と、前記第4の凹部に対向して製作された
第2の凹部26と第2のドリフト管27とを有する第2
の高周波回路部28をろう付等の手段により組合わせて
構成されている。前記第4及び第2の共振空胴部23.
28を形成している第4及び第2の凹部24.26更に
第1及び第2のドリフト管25.27は数百μm程度の
寸法精度で製作されてとりかつ治具により精度よく一定
のドリフト管間隙をもたせて製作されている。又共振空
胴8bの共振周波数は、高くなるように前記寸法精度が
考慮されている。ここで第1及び第2の高周波回路部2
3.28をろう付等の手段で組合わせる前に、機械的に
組合わせた状態で共振周波数を測定し、所要の共振周波
数が得られるように、第1又は第2の凹部24,26に
7ライス等の機工切削手段を用いて切削加工を行ない切
削部29゜30が設けられている。このよ5に組立の中
間工程で所要の共振周波数が得られるように切削加工を
行なうことにより、部品の加工寸法の精度をそれ程厳し
くするごとく、所要の共振周波数が容易に得られる。以
上の説明から明らかなように、本発明によれば、共振空
胴を組立の中間工程で切削等の手段により寸法加工して
いるので、所要の共振周波数が容易に得られ、出力の安
定した信頼性の高い大電力クライストロンが得られる。
更に部品の寸法精度が緩和され、歩留まりの良い大電力
クライストロンを安価に製作することができる。
尚、本発明の実施例ではフライス等の機工切削手段を用
いているが薬品等の化学的手段でも加工できること、更
に前記第1存び第2の共振空胴部をろう付組立をした後
にも再加工できること等種々の変更を加えることが可能
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の大電力クライストロンを示す断面図、第
2図は第1図に示した大電力クライストロンの共振空胴
な詳細に示す断面図、第3図は可動同調子による共振空
胴の共振周波数の変化を示、 す同調曲線図、第4図は
本発明による大電力クライストロンの共振空胴である。 1−一電子銃部、2−・・・・・高周波回路部、8a。 8b、8c・−・・−・共振空胴、9・・・・・・ドリ
フト管、12−・・−可動同調子、15−・−・・・同
調機構、24.2’6・−・−・・第1及び第2の凹部
、23.28−−−−−1第1及び第2の高周波回路部
。 第2図   ′5

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ドリフト領域を形成するドリフト管と、前記ドリフト管
    の一部と金属壁とで形成される共振空胴とを有する大電
    力クライストロンに於て、前記共振空胴な組立の中間工
    程で切削等の手段により寸法を加工することを特徴とす
    る大電力クライストロンの製造方法。
JP13810981A 1981-09-02 1981-09-02 大電力クライストロンの製造方法 Pending JPS5840732A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115921A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPS60115919A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPS60115920A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPS6390235U (ja) * 1986-11-29 1988-06-11
JPH02232636A (ja) * 1989-03-06 1990-09-14 Minolta Camera Co Ltd カメラ
JPH0561157A (ja) * 1991-06-17 1993-03-12 Fuji Photo Film Co Ltd リーダー及び該リーダーを備えたフイルム
JPH07261256A (ja) * 1994-12-28 1995-10-13 Nikon Corp 情報記録装置及び情報再生装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55122341A (en) * 1979-03-14 1980-09-20 Nec Corp Manufacturing method of rectilinear klystron

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55122341A (en) * 1979-03-14 1980-09-20 Nec Corp Manufacturing method of rectilinear klystron

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60115921A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPS60115919A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPS60115920A (ja) * 1983-11-28 1985-06-22 Fuji Photo Film Co Ltd デイスクフイルム用情報入出力装置
JPH0466343B2 (ja) * 1983-11-28 1992-10-22 Fuji Photo Film Co Ltd
JPH0581890B2 (ja) * 1983-11-28 1993-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd
JPS6390235U (ja) * 1986-11-29 1988-06-11
JPH059726Y2 (ja) * 1986-11-29 1993-03-10
JPH02232636A (ja) * 1989-03-06 1990-09-14 Minolta Camera Co Ltd カメラ
JPH0561157A (ja) * 1991-06-17 1993-03-12 Fuji Photo Film Co Ltd リーダー及び該リーダーを備えたフイルム
JPH07261256A (ja) * 1994-12-28 1995-10-13 Nikon Corp 情報記録装置及び情報再生装置

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