JPH10116564A - Ｒｆ増幅管とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＲＦ増幅管の熱除去を効率的にすること。 【構成】 複数の磁気プレート１６および導電性非磁気
プレート１８を有し，これらプレートを，交互にかつ一
体的にした，ミリ波ＲＦ信号を増幅するための一体的極
片形ＲＦ増幅管であって，この増幅管は，ヒートシンク
３４を取り付けできる実質的に平面状の表面を有する。
磁気プレート１６は，共振キャビテイとなるスロット２
４を有し，磁気プレート１６の一部は，これらキャビテ
イ２６を結合するノッチ２２を有する。管１０内に誘導
された磁界は，キャビテイ２６を貫通するビームトンネ
ル１４を通る電子ビーム６６を合焦する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、進行波管またはクライ
ストロンのようなマイクロ増幅管に関し、より詳細には
ミリ波レンジ内のマイクロウェーブ信号を増幅するため
の一体的極片形ＲＦ増幅管の製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】進行波管（ＴＷＴ）またはクライストロン
のようなマイクロウェーブ増幅管は、当技術分野では周
知となっている。これらマイクロウェーブ管は、マイク
ロウェーブ周波数レンジ内のＲＦ（無線周波数）信号を
増幅するよう、すなわち利得を上げるようになってい
る。

【０００３】結合キャビティ形ＴＷＴは、一般に、一連
の同調キャビティを有し、これらキャビティは、キャビ
ティ間に形成されたアイリスにより、リンクすなわち結
合されている。管内に導入されたマイクロウェーブＲＦ
信号は、結合キャビティの各々を通過しながら、管内を
伝わる。

【０００４】代表的結合キャビティ形ＴＷＴは、このよ
うに形成された３０個ものキャビティを有することがあ
る。ＲＦ信号が管内で伝わる際、ＲＦ信号のたどる通路
は、ジグザグ状に曲がるので、進行波信号の有効速度が
低下し、信号に影響が現れる。

【０００５】このタイプの結合キャビティ形管により形
成される低速波は、「スローウェーブ」として知られて
いる。

【０００６】各キャビティは、管の長さを長くするビー
ムトンネルにより、更にリンクされる。増幅されたＲＦ
出力信号を発生するには、ビームトンネルを通過するよ
うに、電子ビームを放出しなければならない。この電子
ビームは、トンネル領域に形成された磁界により案内さ
れ、ＲＦ信号と相互作用し、所望の増幅を行う。

【０００７】この結果生じるＲＦ出力信号の周波数のバ
ンド幅は、キャビティの大きさを変えることにより変更
でき、更にＲＦ出力信号の強度は、電子ビームの電圧お
よび電流を変えることにより変更できる。

【０００８】ＲＦ増幅管は、「一体的極片」または「ス
リップオン極片」のいずれかを利用できる。この極片
は、ビームトンネルに対し磁束を通す磁気材料から形成
される。一体的極片は、ビーム領域に向かって内側へ延
びる真空容器の一部を形成するが、スリップオン極片
は、管の真空容器の完全に外部に位置する。

【０００９】トンネル領域内で誘導される磁界は、管領
域の外部に位置するマグネットから、極片を通って放射
状に延びる磁束線により得られる。このタイプの電子ビ
ームの合焦法は、周期的永久マグネット（ＰＰＭ）合焦
法として知られている。

【００１０】極片が、キャビティ壁だけでなく、トンネ
ルの一部を形成していると、ビーム領域内に磁束が生じ
る。そのため、ビームのスティフネスの値、すなわちλ
_ｐ／Ｌは大きくなり、ビームの合焦に好ましい条件が得
られる。この理由から、一体的極片形ＲＦ増幅管は、ス
リップオン極片管よりも好ましい。

【００１１】クライストロンは、電子ビームが通過する
多数のキャビティを含むことがある点で、結合キャビテ
ィ形ＴＷＴに類似している。クライストロンは、電子ビ
ームへの変調を増幅し、ＲＦ電流を含む、高度に集群化
されたビームを発生する。

【００１２】クライストロンは、キャビティが一般に結
合されない点で、結合キャビティ形ＴＷＴと異なってい
る。しかし、クライストロンのキャビティの一部は、２
つ以上のキャビティが電子ビームと相互作用できるよう
に結合されることがある。この特定タイプのクライスト
ロンは、拡張形相互作用出力回路として知られている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ＲＦ増幅管の大きな課
題は、熱の効率的な除去にある。電子ビームが、管のキ
ャビティを通ってドリフトする際、トンネル壁で停止し
た浮遊電子から生じた熱エネルギーは、磁性材料のリラ
クタンス変化、キャビティ表面の熱変形、またはトンネ
ル壁の溶融を防止するよう、管から除かなければならな
い。

【００１４】この熱除去のため、通常、ヒートシンクへ
熱を伝える磁気材料から成る部分に、銅板が接合され
る。この銅は、ヒートパスの熱抵抗を下げ、トンネルの
強度が危険なレベルより低くなるようにする。代表的な
円筒形キャビティにおける最小ヒートパスの長さは、キ
ャビティの半径である。

【００１５】ＲＦ増幅管の別の問題は、マイクロウェー
ブスペクトルのミリ波長レンジ内のＲＦ信号、すなわち
ミリ波を増幅するように、これら管を製造することが、
より困難となることである。これらの極短波長の信号
は、キャビティおよび結合ノッチを形成する際の公差を
正確にすることを求める。

【００１６】周期的マイクロウェーブ構造体では、（Ｒ
Ｆ電磁界から見て）内側の寸法の周期ごとのバラツキが
大きくなる結果、管内でのＲＦの反射回数が増える。次
にこのため、管とＲＦ入力導波管とのインピーダンスマ
ッチングが劣化し、周期性を表す値は、マッチング劣化
しなかった場合よりも低下する。

【００１７】これらの要因の結果、管で得られる利得値
が低下する。従って、周波数が高くなるにつれて、部品
の公称寸法が低下すると、周期ごとの寸法のバラツキを
小さくしなければならない。

【００１８】従来の一体的極片ＲＦ増幅管では、磁気お
よび非磁気部品は、通常は別々に機械加工して、重ねら
れ、次にろう付けされている。ミリ波長で作動するよう
設計された管では、周期ごとの寸法のバラツキは、この
部品に要求される公差だけでなく、部品間のろう付け領
域の不均一性によっても決まることが多い。

【００１９】通常より多くの周期、および従ってより多
くの部品が必要となる高い周波数では、特に極片に銅プ
レートを加えて、キャビティ壁に沿う熱伝導度を改善し
なければならない場合、積層体に沿う公差の累積をなく
すことは、より困難となり、コスト高となる。

【００２０】従って、一体的な極片形ＲＦ増幅管は、作
動周波数が高くなるにつれて、また部品数が多くなるに
つれて、有効性が低下する。寸法のバラツキの問題を解
消するための放電加工技術を用いて、銅の単一ブロック
から管を機械加工することが多い。軽量のＰＰＭ合焦を
望む場合、その後、管に別の磁気回路をスリップオン
し、ろう付けする。

【００２１】しかし、一体的極片を除き、その結果、ト
ンネル壁に磁束を導入すると、一体的極片形ＲＦ増幅管
の望ましい合焦性能が失われる。λｐ／Ｌの比は大幅に
小さくなり、より高いビーム電圧しか合焦できない。

【００２２】従って、望ましいビーム合焦をするため、
トンネル壁まで完全にまたは少なくとも部分的に延びた
極片を有し、かつミリ波ＲＦ信号を増幅する一体的極片
形ＲＦ増幅管を提供することが望ましい。

【００２３】更に、トンネル壁からの熱の除去を改善す
るため、銅板がキャビティ壁に沿って極片に接触してい
る一体的極片形ＲＦ増幅管を提供することも望ましい。

【００２４】更に、上記特徴を有し、公差の累積という
悪影響を除いた一体的極片形ＲＦ増幅管を製造する比較
的安価な方法を提供することが好ましい。

【００２５】

【課題を解決するための手段】従って、本発明の主たる
目的は、ミリ波ＲＦ信号を増幅し、改善されたビーム合
焦をするよう、トンネル壁まで延びた極片を有する一体
的極片形ＲＦ増幅管とその製造方法を提供することにあ
る。

【００２６】本発明の別の目的は、ミリ波ＲＦ信号を増
幅し、キャビティ壁に沿って極片と接触する銅プレート
を有し、熱に対する耐久性を改善し、高温作動から生じ
得るキャビティ表面の熱変形、磁気材料のリラクタンス
変化、およびトンネル壁の溶融を最小とする一体的極片
形ＲＦ増幅管を提供することにある。

【００２７】本発明の更に別の目的は、公差の累積とい
う悪影響を除いた、一体的極片形ＲＦ増幅管を製造する
ための低コストの方法を提供することにある。

【００２８】上記およびそれ以外の目的を達成するた
め、交互に、かつ一体的とした複数の磁気および非磁気
プレートを有する積層構造体を有するＲＦ増幅管が提供
される。

【００２９】この構造体は、実質的に平面状の外側表
面、および内側ビームトンネルを有する。磁束が、まず
磁気プレートを通り、次に、トンネル内に進入する磁界
を形成する複数のマグネットが設けられる。この構造体
のエッジには、平面状の表面が設けられ、回路に平面状
の境界ヒートシンクを取り付けできるようになってい
る。

【００３０】非磁気プレートの各々は、ヒートシンクを
取り付けた後、共振キャビティとなる一つ以上のスロッ
トを有する。

【００３１】ビームトンネルは、各磁気プレートを貫通
し、各キャビティを通って、電子ビームを通過できるよ
うにしてある。平面状の構造にすることにより、低コス
トの構造が得られるとともに、ＲＦ増幅の必要なバンド
幅が得られる。非磁気プレートは、この構造体からの熱
の除去に寄与している。

【００３２】本発明の第１実施例では、磁気プレートの
一部にノッチが設けられ、これらノッチは、キャビティ
を結合している。これらノッチの位置は、第１平面状表
面と一致する第１エッジと、この第１平面状表面と逆の
第２平面状表面と一致する第２エッジとの間で交互に位
置する。

【００３３】これとは異なり、ノッチの位置を、すべ
て、一つの平面状表面に一致していてもよいし、ノッチ
の第１部分が第１平面状表面と一致し、ノッチの第２部
分が第２平面状表面と一致するように、前者と後者の配
置例を組み合わせてもよい。

【００３４】本発明の種々の実施例では、ＲＦ増幅管
は、結合キャビティ形進行波管を形成する。

【００３５】本発明の第２実施例では、ノッチは設けら
れず、キャビテイも結合されないままである。この実施
例では、ＲＦ増幅管はクライストロンを構成することに
なる。

【００３６】本発明に係わるＲＦ増幅管を製造するため
の方法は、一体的に形成された積層構造体となるよう、
複数の磁気プレートと非磁気プレートとを交互に組み合
わせる工程を含む。

【００３７】隣接する非磁気プレートに一部進入するノ
ッチを、磁気プレートの所定のものにカットできる。こ
うして選択されたエッジは、構造体の第１側面と、この
第１側面と逆の第２側面との間で、交互に位置していて
もよいし、すべて一方の側面に沿っていてもよい。

【００３８】次に一つ以上のスロットを、非磁気プレー
トのうちの所定プレートを通るようカットする。この構
造体の側面に、平面状のヒートシンクを設けると、スロ
ットは、同調キャビティとなり、ノッチは、これらキャ
ビティ結合する。

【００３９】下記の好ましい実施例の詳細な説明を当業
者が検討すれば、本発明の上記以外の利点および目的
と、本発明のミリ波周波数用一体的極片形ＲＦ増幅管の
構成について、より完全に理解できる思う。次に、添付
図面を参照して説明する。

【００４０】

【実施例】まず図１及び図４を参照する。

【００４１】これらの図には、本発明に関するＲＦ増幅
回路が示されている。管１０は、積層構造体から形成さ
れ、この積層構造体は、複数の非磁気プレート１８と、
磁気プレート１６から成り、これらのプレートは、交互
に組み立てられ、一体的に形成されている。組み立てら
れた管１０は、細長く、全体が長方形となっており、両
端に配置されたエンドプレート１２と、第１側面２３
と、この第１側面２３と反対側の第２側面２５と、第３
側面２７と、第３側面２７と反対側の第４側面２９とを
有している。

【００４２】後述するように、管１０の一端部で生じた
電子ビームは、ＴＷＴ内に形成された複数のキャビティ
を通過し、ＴＷＴの逆の端部から出る。

【００４３】磁気プレート１６と非磁気プレート１８
は、全体として長方形となっている。磁気プレート１６
として好ましい材料は、鉄である。

【００４４】極片としても知られている磁気プレート１
６は、エッジに配置されたノッチ２２を有する。図に示
したノッチ２２は、全体が長方形をしており、極片の幅
方向に半分より短い長さだけ延びている。しかし、別の
ノッチ形状、例えば円形も有利に使用できることは、知
られていることである。

【００４５】各磁気プレート１６のノッチの位置は、第
１側面２３側のエッジと第２側面２５側のエッジとの間
に、交互に設けられている。

【００４６】図４に最も良く示すように、第１の磁気プ
レート１６₁ のノッチ２２の位置は、第１側面２３にあ
り、次の磁気プレート１６₂ のノッチ２２は、第２側面
２５に設けられている。第３の磁気プレート１６₃ のノ
ッチ２２は、第１磁気プレート１６₁ と同じように第１
側面２３にある。

【００４７】上記とは異なり、ノッチの位置は、ＴＷＴ
１０の一方の側面にすべてがあってもよいし、ノッチ２
２の一部が第１側面２３にあり、一部が第２側面２５に
あるように２つの配置例を組み合わせてもよい。

【００４８】更に別の実施例として、単一の磁気プレー
ト１６が、２つ以上のノッチ２２、例えば極片の両端に
設けられたノッチを有していてもよい。

【００４９】後述するように、これらノッチは、隣接キ
ャビティに対する結合パスとなる。

【００５０】非磁気プレート１８は、磁気プレート極片
１６に対して隣接して設けられており、極片と交互に設
けられている。非磁気プレート１８として好ましい材料
は、銅である。

【００５１】非磁気プレート１８は、１つ以上のスロッ
ト２４を有する。スロット２４は、全体が平行六面体の
形状をしており、第１側面２３から第２側面２５まで、
非磁気プレート１８を完全に貫通している。スロット２
４の形状は、断面が楕円形となるようになっていてもよ
い。

【００５２】上記とは異なり、スロット２４は、第３側
面２７と第４側面２９との間で延びていてもよい。スロ
ットの方向は、第１側面２３と第２側面２５との間に延
びる第１方向と、側面２７と２９との間に延びる第２方
向に交互になっていてもよい。これらスロット２４は。
同調キャビティ２６を構成する。

【００５３】磁気プレート１６と非磁気プレート１８が
一体的になるよう、交互に配置されているので、管１０
の中には、連続パスが形成され、このパスは、各キャビ
ティを貫通し、各ノッチの上を横断し、隣接キャビティ
まで延びている。このパスは、図５の断面図にも示され
ている。

【００５４】管１０の長手方向には、電子ビームトンネ
ル１４が完全に貫通している。このトンネル１４の全体
の形状は円形であり、各キャビティ２６を通過し、これ
らキャビティをリンクしている。このビームトンネル
は、完成した結合キャビティ形管１０を電子ビームが通
過するためのパスを構成している。

【００５５】キャビティ２６は、上記のように、ノッチ
２２により結合されており、管１０は、結合キャビティ
形進行波管増幅器として働く。作動中、電子ビームは、
結合キャビティを通過するＲＦ信号と相互に作用する。
ビームからのエネルギーは、ＲＦ信号に伝えられ、ＲＦ
信号のパワーを増加する。

【００５６】磁気プレート１６および非磁気プレート１
８は、第１側面２３と第２側面２５と同一面となるエッ
ジを有している。後述するように、第１側面２３と第２
側面２５は、ヒートシンク３４を取り付けるための平ら
な表面３２、３２’となっている。

【００５７】第３側面２７と第４側面２９は、各非磁気
プレート１８および磁気プレート１６のいくつかの他方
のエッジと同一面になっている。しかし、個々の磁気プ
レート１６は、第３側面２７および第４側面２９から外
側に延び、耳部３６を形成している。側面と耳部３６の
組み合わせにより、マグネット４２を設置するための取
り付け位置が決められる。図２に示すマグネット４２
は、実質的に長方形であるが、他の形状、例えば円筒形
でもよい。

【００５８】図２に示すように、マグネット４２は、Ｔ
ＷＴ１０に対する取り付け位置に取り付けられ、磁束線
４４が磁気プレート１６を通る磁界を形成している。磁
束線は、磁気プレート１６を貫通し、非磁気プレート１
８を飛び越し、隣接する磁気プレート１６に進入してい
る。磁束線４４は、ビームトンネル１４も横断し、電子
ビームの合焦を行う。

【００５９】次に磁束線４４は、ノッチ２２により形成
された空間を飛び越し、再度隣接するキャビティ２６を
通過し、第１磁気プレート１６に戻る。ここで、スロッ
ト２４およびノッチ２２の形状を変えることにより、ヒ
ートシンクの表面３２をビームトンネル１４に接近さ
せ、管１０の熱処理能力を更に改善することもできる。

【００６０】次に図６を参照する。この図には、管１０
がクライストロン作動を行うことができる別の実施例が
示されている。磁気プレート１６の一部には、ノッチが
設けられていない。

【００６１】電子ビームが管１０を通過する際、キャビ
ティ２６内に電磁界が形成され、これにより、ＲＦ信号
が発生される。当技術分野では知られているように、キ
ャビティ２６の一部は、ノッチ２２により結合され、バ
ンド幅の改善された拡張型相互作用出力回路として作動
できる。

【００６２】本発明に関するＲＦ増幅管１０を組み立て
るには、全体が長方形をした磁気および非磁気プレート
の積層構造体を形成しなければならない。磁気および非
磁気プレートは、中心整列孔を有する。各整列孔には、
薄肉のモリブデン管が挿入され、交互に配置したプレー
トを整列できるようになっている。

【００６３】一旦プレートを組み立てた後、ろう付けま
たは他の接合技術により積層構造体となるよう、一体的
に形成する。各非磁気プレートは、パイロット孔５２を
有し、この孔は、第１側面２３に関連したエッジから第
２側面２５に関連したエッジまで延びている。図３に、
組み立て前の非磁気プレート１８のパイロット孔５２の
一例を示す。

【００６４】磁気プレートおよび非磁気プレートの構造
体を、一体的ユニットになるよう、互いにろう付けする
と、パイロット孔５２は、この構造体の幅方向に貫通
し、後述するように、キャビティを切り抜くための機構
となっている。

【００６５】次の工程は、長方形の管１０の露出エッジ
を、適当な形状まで小さくすることである。側面を直角
にした後、側面２３および２５に、所望のノッチ２２を
切削する。これらノッチは、磁気プレート１６の厚み方
向を完全に横断するよう延び、各隣接する非磁気プレー
ト１８内まで、部分的に延びている。当技術分野で知ら
れているように、好ましい切削技術は、所望する公差条
件によって決まる。

【００６６】ノッチ２２を形成した後、キャビティ２６
を切り抜く。これらキャビティ２６を切断する好ましい
方法は、ワイヤ電子放電機械加工（ＥＤＭ）法である。
この技術を使用する場合、パイロット孔５２を通過する
よう、１本のワイヤを供給し、不要の銅材料を切削して
除くことにより、キャビティ壁を切削することなく、ス
ロット２４を残す。

【００６７】この工程を繰り返し、管１０内に、キャビ
ティ２６を形成する。キャビティ２６を形成した後、キ
ャビティ２６を接合しているノッチ２２から、連続した
パスが生じる。

【００６８】次に、ワイヤＥＤＭ方法を使用して、第１
側面２３および第２側面２５を直角にし、ヒートシンク
表面３２、３２’を設ける。このワイヤＥＤＭ法を用い
て、磁気プレート１６および非磁気プレート１８の側部
部分を除去し、露出した耳部３６のみを残すこともでき
る。所望により、この最後の工程は、図１に示すように
３つの極片おきに、または図２に示すように２つの極片
おきに、耳部を残すように実施できる。

【００６９】モリブデン管は、このワイヤＥＤＭ法によ
っても除去され、工作機械を使用して、電磁ビームトン
ネル１４を形成する。

【００７０】管１０を形成する際の最終工程は、エンド
プレート１２に、入口および出口ポートを設けることで
ある。これらポートは、ＲＦ信号が管１０に入力され、
かつ管から出力できるようにするためのものである。こ
れらポートは、従来のフライス加工またはＥＤＭ法によ
っても形成できる。仕上げられたＴＷＴ１０は、ヒート
シンク面３２に固定されたヒートシンク３４を有しても
よい。

【００７１】一体的極片型ＲＦ増幅管１０を使用するに
は、管と他の同じような回路を、完全な増幅アセンブリ
に組み立てなければならない。仕上げられた結合キャビ
ティ形管１０に、マッチング回路を追加し、ＲＦ入力ポ
ートと管自体との間のＲＦインピーダンスをマッチング
できる。このマッチング回路は、結合キャビティ形管１
０の一部となるよう、通常機械加工されている。

【００７２】次に、管１０には、図７に示すような他の
管部分を組み合わせて、電子銃６２および電子ビームコ
レクタ６４とすることができる。電子銃６２は、加熱さ
れて電子を放出するカソード６３を有する。これら電子
は、管１０のビームトンネル１４内に設けられた磁界に
よって電子ビーム６６となるよう合焦される。コレクタ
６４は、電子が管１０を出た後、これら電子を受けて放
散される。

【００７３】当業者であれば、ラミネート構造体、およ
び全体が平らな表面を有するＲＦ増幅管を使用すれば、
製造が比較的低コストとなることが明らかであろう。ス
ロットを形成する銅プレートは、ビームトンネルからヒ
ートシンクに熱を伝えることにより、熱に対する頑丈さ
を更に大きくしている。また誤差の累積を起こすことな
く、所望のミリ波周波数バンドが正確に得られる。

【００７４】以上、ミリ波周波数用の結合キャビティ型
進行波管の好ましい実施例を説明したので、当業者に
は、本発明の上記目的および利点が得られることは明ら
かであろう。また当業者であれば、本発明の精神および
範囲内で種々の変更、適応および別の実施例が可能であ
ることは明らかであろう。

【００７５】例えば、ワイヤＥＤＭ法の代わりに、他の
精密な切削法、例えばフライス加工または孔あけ加工が
使用できる。当技術分野で知られているように、増幅す
べきＲＦ信号の周波数レンジによって、構成部品の大き
さが決まる。これらの大きさは、別のＲＦ周波数信号お
よびＲＦレベルを考慮すると、大幅に変わり得る。

【００７６】更に、所望の管特性を得たい場合、非磁気
プレート１８と同じように、極片１６にもスロット２４
を設けることができること、および極片と同じように非
磁気プレートにノッチ２２を設けることができること
も、明らかである。また非磁気プレート１８または磁気
プレート１６にも、多数のスロット２４を設けることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による一体的極片形ＲＦ増幅管の斜視図
である。

【図２】磁束線および熱束線を示す一体的極片形ＲＦ増
幅管の部分斜視図である。

【図３】露出されたパイロット孔を有する組み立てられ
ていない非磁気プレートの斜視図である。

【図４】図１の一体的極片形ＲＦ増幅管の分解図であ
る。

【図５】図２の５−５線に沿った一体的極片形ＲＦ増幅
管の内部の断面図である。

【図６】クライストロン動作のための一体的極片形ＲＦ
増幅管の部分斜視図である。

【図７】電子銃およびコレクタに組み立てられたＲＦ増
幅管の側断面図である。

【符号の説明】

１０ 管 １４ ビームトンネル １６ 磁気プレート １８ 非磁気プレート ２２ ノッチ ２４ スロット ２３，２５，２７，２９ 側面 ２６ キャビティ ３２，３２´ 表面 ３４ ヒートシンク ３６ 耳部 ４２ マグネット ４４ 磁束線 ５２ パイロット孔 ６２ 電子銃 ６３ カソード ６４ コレクタ ６６ 電子ビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダグラス ビー ライオン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94070 サンカルロス ノーザムアヴェニ ュー 48

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ミリ波ＲＦ信号を増幅するための一体的
   極片結合キャビティ形進行波管を製造する方法であっ
   て、 複数の磁気プレートおよび非磁気プレートを交互に組み
   立て、 積層構造となるよう前記プレートを一体形成し、 前記積層構造体の少なくとも一側面に、実質的に平面状
   の表面を形成する工程を有する一体的極片結合キャビテ
   ィ形進行波管の製造方法。