JPS5838549Y2 - Sekigai Hoshiyagen - Google Patents

Sekigai Hoshiyagen

Info

Publication number
JPS5838549Y2
JPS5838549Y2 JP1974122534U JP12253474U JPS5838549Y2 JP S5838549 Y2 JPS5838549 Y2 JP S5838549Y2 JP 1974122534 U JP1974122534 U JP 1974122534U JP 12253474 U JP12253474 U JP 12253474U JP S5838549 Y2 JPS5838549 Y2 JP S5838549Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
radiation
emissivity
source
radiation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1974122534U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5063843U (en
Inventor
エイ ブリツジハム ジヨン
Original Assignee
ヨコガワ ヒユ−レツト パツカ−ド カブシキガイシヤ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヨコガワ ヒユ−レツト パツカ−ド カブシキガイシヤ filed Critical ヨコガワ ヒユ−レツト パツカ−ド カブシキガイシヤ
Priority to JP1974122534U priority Critical patent/JPS5838549Y2/en
Publication of JPS5063843U publication Critical patent/JPS5063843U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5838549Y2 publication Critical patent/JPS5838549Y2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は主として放射源、具体的には赤外放射線の平面
上の線源に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is primarily concerned with radiation sources, specifically planar sources of infrared radiation.

赤外放射源を用いてより小さな携帯形計器が設計される
につれ、高い総合効率をもつ赤外線源の開発が重要にな
ってきた。
As smaller portable instruments are designed using infrared radiation sources, the development of infrared sources with high overall efficiency has become important.

現在知られている赤外線源の一つはネルンスト発光体で
、これはシリコン・カーバイドのフィラメントを使う。
One currently known infrared source is the Nernst phosphor, which uses a silicon carbide filament.

これらの発光体は始動および操作が困難であり、また物
理的な配置からは必要なよい光源を得ることができない コイル状フィラメントのタングステンもまた赤外放射線
を得るため用いられる。
These emitters are difficult to start and operate, and coiled filament tungsten, whose physical arrangement does not provide the necessary good light source, is also used to obtain infrared radiation.

しかし低ノイズでしかもよい映像を必要とする装置に使
用する場合、タングステン・コイルのフィラメントは適
当でない。
However, tungsten coil filaments are not suitable for use in equipment requiring low noise and yet good imaging.

コイルが物理的に配置されているので、映像は放射線の
ソリッド領域よりもむしろ放射線のない部分と混合した
放射線の部分にある。
Because of the physical placement of the coils, the image is in areas of radiation mixed with areas of no radiation, rather than solid areas of radiation.

そのような映像はフィル・ファクタが劣っているといわ
れる。
Such images are said to have an inferior fill factor.

さらにコイルフィラメントを使った装置は、機械の動作
あるいは装置の震動によって誤差を生じやすい。
Additionally, devices using coiled filaments are prone to errors due to machine movement or device vibration.

そして震動したときにコイルフィラメントがゆれて、検
出した放射線中にスプリアスノイズを発生する。
When the device vibrates, the coil filament sways and generates spurious noise in the detected radiation.

また、コイルフィラメントに一般に使われているタング
ステンは、赤外線部分において比較的放射率が低く(約
15)、そのため赤外線源としてはあまり適していない
Additionally, tungsten, which is commonly used in coiled filaments, has a relatively low emissivity in the infrared region (approximately 15), making it less suitable as an infrared source.

コイルフィラメントによる上記の問題点は、線源として
タングステンのリボンを使うことにより避けられる。
The above problems with coiled filaments are avoided by using a tungsten ribbon as the source.

しかし、リボンにしても、やはり放射率の低いタングス
テンを赤外放射源として用いなければならなかった。
However, even with the ribbon, tungsten, which has a low emissivity, still had to be used as an infrared radiation source.

さらに、タングステンの抵抗率が低いので、線源と導線
との境目がなくなり、したがって小型で非常に明白な線
源をタングステンノボンで得ることはむずかしい。
Furthermore, the low resistivity of tungsten eliminates the boundary between the source and the conducting wire, and therefore it is difficult to obtain a small and very obvious source with tungsten nobons.

しがし薄い線状の電流導線と共に線源としてわずがばが
りのタングステンを用いた場合には、抵抗値の低い線源
の場合よりも電力は浪費され、そのために線源としての
効率は悪い。
If a sloppy tungsten source is used with a stiff, thin wire current conductor, more power is wasted than with a lower resistance source, and the efficiency of the source is therefore lower. bad.

現在話題になっているもう一つの放射線源は、発光ダイ
オード(LED)である。
Another radiation source that is currently being talked about is light emitting diodes (LEDs).

しがし、現在のLEDは非常に電力が低いので、すべて
の使用には適していない。
However, current LEDs have very low power and are not suitable for all uses.

したがって本考案は容易にかつ有効に映像化できる小型
で明確な赤外放射線源を提供せんとするものである。
Accordingly, the present invention seeks to provide a compact, well-defined infrared radiation source that can be easily and effectively imaged.

本考案によれば、基板上にCr3Siなとの放射率の高
い薄膜抵抗ヒータが蒸着されている。
According to the present invention, a high emissivity thin film resistive heater such as Cr3Si is deposited on the substrate.

前記抵抗ヒータは基板上に設けた一対の金属導電体の間
の小さな部分に形成されている。
The resistance heater is formed in a small portion between a pair of metal conductors provided on the substrate.

そして前記薄膜ヒータは放射率が高く、また基板の材質
は熱伝導率が低いので、非常に有効な線源となる。
Since the thin film heater has a high emissivity and the material of the substrate has a low thermal conductivity, it becomes a very effective radiation source.

放射率の高い抵抗ヒータを一対の金属導電体の間にしか
も隣接して配置する。
A resistive heater with high emissivity is placed between and adjacent to a pair of metal conductors.

前記金属導電体は抵抗率および放射率が低く、そして鏡
で映像化するのに適した明確な線源を得ることができる
The metal conductor has low resistivity and emissivity, and can provide a well-defined source suitable for imaging with a mirror.

また前記線源は平面上なので容易に映像化ができ、さら
には機械的にも安定しているので、衝撃に対しても強い
Furthermore, since the radiation source is flat, it can be easily visualized, and furthermore, it is mechanically stable and is resistant to shocks.

本考案の一実施例において、抵抗部は放射率を高めるた
めに反射防止層で被覆されている。
In one embodiment of the invention, the resistive part is coated with an anti-reflection layer to increase the emissivity.

そして本考案に従って構成した線源は、赤外領域におい
てバンド幅5%で約2%の効率である。
A source constructed in accordance with the present invention has an efficiency of about 2% in the infrared region with a bandwidth of 5%.

第1図は本考案の一実施例による放射線源の概略構成図
である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a radiation source according to an embodiment of the present invention.

図において、基板11は熱伝導率の低い 材料たとえば薄膜サフイア、Y2O3または水晶で構成
されている。
In the figure, substrate 11 is made of a material with low thermal conductivity, such as thin film sapphire, Y2O3 or quartz.

前記基板11の寸法は光源の大きさによって選ばれるが
、一例を示せば約3.8X0.5XO,05mmである
The dimensions of the substrate 11 are selected depending on the size of the light source, and an example is approximately 3.8 x 0.5 x O, 05 mm.

基板11の長平方向の中央部分13は、放射線源部を形
成し、それは抵抗率および放射率(これは0.5以上)
の高い領域である。
The central portion 13 in the longitudinal direction of the substrate 11 forms a radiation source section, which has a resistivity and an emissivity (which is greater than 0.5).
This is a high area.

前記線源部13は基板11上にCr3Siを約1〜2μ
の厚さに蒸着して戊る。
The radiation source section 13 has Cr3Si on the substrate 11 of about 1 to 2 μm.
Deposit it to a thickness of .

本実施例において、線源部13は0.5X0.5mmの
方形で、その抵抗値は約100 、!Q平方である。
In this embodiment, the radiation source section 13 is a 0.5 x 0.5 mm rectangle, and its resistance value is about 100,! It is Q square.

赤外放射部において、波長は4μ、そしてCr3Siの
放射率は約0.5である。
In the infrared radiation part, the wavelength is 4μ and the emissivity of Cr3Si is about 0.5.

前記線源部13の両側に隣接して一対の金属導電体15
が配置してあり、その放射率は前記赤外部におけるCr
3Siの放射率と比較して低い。
A pair of metal conductors 15 are arranged adjacent to both sides of the radiation source section 13.
is arranged, and its emissivity is Cr in the infrared region.
Low emissivity compared to 3Si.

プラチナは赤外線部における放射率が約0.1と適当で
あるが、金などの他の金属も使われる。
Platinum has a suitable emissivity in the infrared region of about 0.1, but other metals such as gold may also be used.

前記両金属導電体15の端縁部17はそれぞれ線源部1
3の端縁部と重ね合っている。
The edge portions 17 of both metal conductors 15 are connected to the radiation source portion 1, respectively.
It overlaps with the end edge of 3.

このような配置は非常に明確な線源部を得ることができ
る。
Such an arrangement makes it possible to obtain a very clear source section.

また、金などの材質の一対の導線19は前記導電体15
に接続されて線源部13に電力を供給するところの入力
および出力導線を形成する。
Further, a pair of conductive wires 19 made of a material such as gold are connected to the conductor 15.
form input and output conductors that are connected to the line source section 13 to supply power to the line source section 13.

なお、以下に説明するが、スプリアス放射線は基板11
の底部などから放射しない方がよいので、このスプリア
ス放射を防ぐために金属層21が基板11の底部に付加
される。
Note that, as will be explained below, spurious radiation is caused by the substrate 11.
A metal layer 21 is added to the bottom of the substrate 11 to prevent this spurious radiation since it is better not to radiate from the bottom of the substrate 11 or the like.

次に動作を説明するに、まず電流導線19は薄膜抵抗し
−タ13を約700℃まで加熱するに充分な電流を供給
する電源に接続する。
In operation, current conductor 19 is first connected to a power source that provides sufficient current to heat thin film resistor 13 to approximately 700 DEG C.

前記Cr3Siの100Ω平方において適当な熱を得る
ためにおよそ50〜70 mAの電流が必要である。
Approximately 50-70 mA of current is required to obtain adequate heat in the 100Ω square of Cr3Si.

金属導電体15からのスプリアス放射線は、非常に低い
熱伝導率の基板を使って最少に保たれ、そこでわずかの
量の熱が線源部13から基板11を通って金属導電体1
5に伝えられる。
Spurious radiation from the metal conductor 15 is kept to a minimum by using a very low thermal conductivity substrate, where a small amount of heat is passed from the source section 13 through the substrate 11 to the metal conductor 1.
5 will be informed.

さらに、抵抗ヒータを形成する線源部13に隣接した金
属導電体15としてプラチナなどの放射率の低い金製を
使うことにより導電体15からの放射を少なくし、それ
により放射線を生ずる部分は空間的に明確となる。
Furthermore, by using gold with low emissivity, such as platinum, as the metal conductor 15 adjacent to the radiation source part 13 forming the resistance heater, radiation from the conductor 15 is reduced, and as a result, the part that generates radiation is placed in a space. becomes clear.

第2図は本考案の他の実施例による光源の概略構成図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram of a light source according to another embodiment of the present invention.

図にはやはり基板11の一部を示すが、金属導電体15
の端部には盛り上がり部17が形成されており、そして
薄膜抵抗ヒータ13は前記金属導電体15に隣接してい
る。
The figure also shows a part of the substrate 11, but the metal conductor 15
A raised portion 17 is formed at the end of the metal conductor 15, and the thin film resistance heater 13 is adjacent to the metal conductor 15.

また、第2図において、TiO2などの反射防止層23
は厚さ約44μで前記抵抗ヒータ13に接触している。
In addition, in FIG. 2, an antireflection layer 23 such as TiO2
is in contact with the resistance heater 13 with a thickness of about 44 μm.

ここで、前記反射防止層23は赤外線源の放射率を効果
的に高める。
Here, the antireflection layer 23 effectively increases the emissivity of the infrared source.

そして反射防止層23の材質はその屈折率がヒータ13
の材質の屈折係数の平方根におよそ等しくなるように選
ばれる。
The material of the antireflection layer 23 has a refractive index that is higher than that of the heater 13.
is chosen to be approximately equal to the square root of the refractive index of the material.

第3図は本考案による光源を実装したパッケージの断面
図である。
FIG. 3 is a sectional view of a package in which a light source according to the present invention is mounted.

図には、オプティカルパッケージ25のカプセルに入れ
た基板11が示されている。
The figure shows the substrate 11 encapsulated in an optical package 25 .

パッケージ25は反射面29が装着された筺体27を含
む。
The package 25 includes a housing 27 on which a reflective surface 29 is attached.

そして反射面29はアルミニウムなどの固体片のだ円形
あるいは放物線状の反射面であることが望ましい。
The reflective surface 29 is preferably an elliptical or parabolic reflective surface made of a solid piece of aluminum or the like.

一対の金属支柱31は筐体27と反射面29とを通り導
線19に接続された線源13に電力を供給する。
A pair of metal struts 31 supply power to a line source 13 connected to a conducting wire 19 through a housing 27 and a reflective surface 29.

線源部13で生じた赤外放射線は反射面29に導びかれ
、そしてパッケージ25から反射されて拡大された映像
(図には示されていない)を映す。
The infrared radiation generated by the source section 13 is guided to the reflective surface 29 and reflected from the package 25 to project a magnified image (not shown).

この図からも明らかなように、反射面29からはずれ線
源13の側面から生じた光は図中の右側に導びかれ、そ
して反射面29から反射された光線により得られた像を
低下させる。
As is clear from this figure, the light emitted from the side of the radiation source 13 away from the reflective surface 29 is guided to the right side in the figure, and the image obtained by the light beam reflected from the reflective surface 29 is degraded. .

したがって、第1図に関して述べたように、金属層を基
板11の後方(図の右側)に沈積させてスプリアス放射
の発生を防ぐ。
Therefore, as discussed with respect to FIG. 1, a metal layer is deposited behind the substrate 11 (on the right side of the figure) to prevent the generation of spurious radiation.

なお、パッケージ25は窒素やアルゴンなどの不活性気
体を封入し、そしてフィラメントの寿命を延ばすために
密閉することが望ましい。
Note that the package 25 is desirably filled with an inert gas such as nitrogen or argon, and sealed in order to extend the life of the filament.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本考案の一実施例による放射源の概略構成図、
第2図は他の実施例による光源の概略構成図で、11は
基板、13は線源部、15は金属導電体、19は導線で
ある。 第3図は本考案の光源を実装したパッケージの断面図で
、25はパッケージ、27は筐体、29は反射面、31
は金属支柱である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a radiation source according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a light source according to another embodiment, in which 11 is a substrate, 13 is a line source section, 15 is a metal conductor, and 19 is a conducting wire. FIG. 3 is a cross-sectional view of a package in which the light source of the present invention is mounted, where 25 is a package, 27 is a housing, 29 is a reflective surface, and 31
is a metal support.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] サフイア又は水晶の如き熱伝導率の低い材料から戊る基
板と、前記基板上に蒸着されたCr3Si層により形成
された0、5以上の放射率をもつ放射線源部と、前記放
射線源部の両端縁部に重ね合わさりそして基板の一表面
上に配置された0、2以下の放射率をもつ一対の金属導
電体と、前記放射線源部の実効放射率を増加させるため
に前記Cr3Si上に被覆されたTie、材の反射防止
層と、スプリアス放射線を防ぐために前記基板の他表面
上に被着された金属層と、前記一対の金属導電体に電気
的に接続された電力の人、出力導線とから成る赤外放射
源。
A substrate made of a material with low thermal conductivity such as sapphire or crystal, a radiation source portion having an emissivity of 0.5 or more formed by a Cr3Si layer deposited on the substrate, and both ends of the radiation source portion. a pair of metal conductors having an emissivity of 0.2 or less, overlapping the edges and disposed on one surface of the substrate; and a pair of metal conductors coated on the Cr3Si to increase the effective emissivity of the radiation source section. an anti-reflective layer of material; a metal layer deposited on the other surface of the substrate to prevent spurious radiation; and a power conductor and output conductor electrically connected to the pair of metal conductors. An infrared radiation source consisting of
JP1974122534U 1974-10-09 1974-10-09 Sekigai Hoshiyagen Expired JPS5838549Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1974122534U JPS5838549Y2 (en) 1974-10-09 1974-10-09 Sekigai Hoshiyagen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1974122534U JPS5838549Y2 (en) 1974-10-09 1974-10-09 Sekigai Hoshiyagen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5063843U JPS5063843U (en) 1975-06-10
JPS5838549Y2 true JPS5838549Y2 (en) 1983-08-31

Family

ID=28367660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1974122534U Expired JPS5838549Y2 (en) 1974-10-09 1974-10-09 Sekigai Hoshiyagen

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5838549Y2 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4324238Y1 (en) * 1964-11-06 1968-10-12
JPS481856U (en) * 1971-05-21 1973-01-11

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4324238Y1 (en) * 1964-11-06 1968-10-12
JPS481856U (en) * 1971-05-21 1973-01-11

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5063843U (en) 1975-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20040012958A1 (en) Light emitting device comprising led chip
JPS6256631B2 (en)
JP2004296882A (en) Semiconductor light emitting device
JP2004006893A (en) Selective arrangement of quantum well of flip chip light emitting diode led for improved optical output
JP7016775B2 (en) Light emitting element and light source device
JP2000261039A (en) Light source device
JP2019134017A (en) Light-emitting device
JPH05129733A (en) Sub-mount type laser
JP6134420B1 (en) Semiconductor light emitting device
JP6970639B2 (en) Light emitting device
JP3649939B2 (en) Line light source device and manufacturing method thereof
JPS5838549Y2 (en) Sekigai Hoshiyagen
JPH0298965A (en) Multielement infrared ray detection sensor
JP2000236110A (en) Infrared emitting element
JP3982635B2 (en) Reflective light emitting diode
JPS60149156U (en) Semiconductor light source with laser and photodetector
JPH0517680U (en) Light emitting diode indicator
JP2004023092A (en) Sub-mount integrally formed photodiode and laser diode package using the same
JP3101434B2 (en) Semiconductor laser device
JPH04283948A (en) Submount for optical semiconductor device
JPS6130742B2 (en)
CN115458640B (en) Display device manufacturing method, display device and display equipment
WO2023022048A1 (en) Circuit board and electronic device
JPH0640847U (en) Infrared light source for microscopic infrared analyzer
JP3213378B2 (en) Semiconductor laser device