JPS5838405A - 超伝導複合体ワイヤおよびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は加工後延性と耐割れ性とを保持する超伏Ｊ９
杓合体ワイヤに関する。更に詳しくはこの発明はザブミ
クロン粒子の超伝導粉末芯材またはフィラメントと電導
性金属さやとの複合体ワイヤ及びその製法ＶＣ関する。

延性金属から造った管すなわちさやに芯材を充填し、さ
やの両端を封止し、次いでそれを封入された芯材を有す
るワイヤに造ることによって複合体ワイヤを造る一般的
概念はよく知られており、文献Ｖ（−も記述されていて
、歴史的にも種々の目的のために使用されてきた。例え
ば米国特許第一、ｇｇｇ、７４’θ号明細書では延性金
属の管またはさやを、加工前に、所定量の芯材組成物を
充填することによって特殊な用途に使用するヤｉ接棒（
これは溶接後硬い非延性合金溶融体を生ずる）を製造し
ている。同様に種々の別の製法が従来提唱され、使用さ
れてきたが、その成功度け１ち甘ちであった。こうして
、例えば米国特許第３．９−一、７６９号は複合体ビレ
ットを高め・た温度及び非常に高い圧力下で静水圧押出
ＶＣよシワイヤに押出し成形する特に有用な技法をＭ１
２載している。

ワイヤを超伝導体として使用するだめの複合ワイヤ製造
の一般的概念の応用ｔよ、それが特殊々間覇を解決する
ための特殊なアプローチに向けられてきたために、非常
に限定されたものであった。すでに知られているように
、金属材料の超伝導性、すなわち低温度領域、特にほぼ
絶対温度零度付近での電気抵抗の消滅は特殊の純金属類
捷たは２種の超伝導体の合金類ＶＣ限られたものではな
い。普通の電導材料と超伝導材料との合金及び２種の普
通の電膚材和の合金も捷だ超伝導性を示すのである。金
属間化合物はそれらの転移湯度が純成分金属及び合金の
転移幅度よりはるかに高いから超伝導体と［２て特殊な
重要性をもつに至った。米国特許第３．コ！；Ａ、／／
ｇ号明細書には金属間化合物の超伝導ワイヤの製造Ｖこ
関連する問題はこれらの化合物のもろさのためであると
明白に記載されている。この特許明細病ｖこけｌ成分の
管に類似のワイヤの束を密に光ｊｊ（し、この延性複合
体をワイヤに加工する前しこ金属間化合物の第２反応剤
を空隙に充填し、その後でその場で高めた温度で数時間
ワイヤを反応焼鈍することによって超伝導金属間化合物
を造ることがら々る超伝導ワイヤの製法が開示されてい
る。不幸にして、反応焼鈍により得られる複合体の延性
は反応焼鈍及び超伝導構造体形成中に破壊される。

同様に、米国Ｌ１′Ｉ！許第３．り９Ａ、ｔ：１，１号
明細書にはｌ成分から造って、それに同じ成分と超伝導
体の他の反応剤との粉末混合物を充填した超伝導体のさ
やが開示されている。この組体けまず最７１１にワイヤ
に加工され、次いで超伝導性化合物を形成する反応を促
進するために反応焼鈍しているが、この場合も再び非延
性のワイヤが生成している。米１’＃特許第３．９　、
ｔ　９．Ｊ　７２号明細書には芯材と外装とから造った
延性複合体を最初にワイヤに加工し、次いでこの複合体
ワイヤに合金のさやを施した後で熱処理して拡散と反応
とを交互に誘発させることによって非！１１〔性超伝導
ワイヤを製造することからなる、複数工稈の反応／拡散
法を開示している。

米国特許第グ、θｒｏ、ｉグク号は複合体超伝導体を造
るための根本的に異なる技術的アプローチを提唱してい
る。超微粒超伝導体を等体積ｉｔたけより多い体積惜の
同様の粉末粒度の電導金属とを超伝導粒子同志が互に接
触しないように均一に混合し、次いで得られた混合物を
箸通の′ｆに導性管すなわちさやに封入する。得られた
複合体はワイヤに加工後にも芯材の主要部分が延性金属
からなるものであるために、若干の延性を保持している
。このワイヤの観察された超伝導性は普通の電機性マト
リックス中に分散した超伝導粉末の特性である。この場
合に、超伝導性はいわゆる近接効果により中位のものと
々る。

この特許明細書における主張とは異って、延性金属の濃
度が高い時には近接効果は弱い。従つて、ワイヤの超伝
導性も弱く、実際上の重要性は限られたものとなる。

超伝導複合体ワイヤを製造するための従来既知の方法の
問題に鑑み、我々は延性を保持し、人後の使用中にも耐
破れ性を保持する超伏４複合体ワイヤを見出した。我々
は甘だそのようなワイヤの製法をも見出した。

従って、この発明は延性電導性金属の封止用さや、前記
さやに封入されたサブミクロン粒子の超伝導ワイヤの本
質的に隣接（密着）した芯材すなわちフィラメントから
なることを特徴とする超伝導複合体ワイヤにある。

この発明は捷だ、延性電導性金属管中にサブミクロン粒
子の超伝導粉末を封入し、こうして得た管からワイヤを
造ることを特徴とする、延性超伝導複合体ワイヤの製法
をも包含するものである。

この発明は１０θＯオングストローム以下の好適には約
ＩＯθオングストロームの範囲の粒径を含むサブミクロ
ン粒子の超伝導粉末を使用するものである。

超伝導複合体ワイヤ及び延性超伝導複合体の製法は最広
義の意味においてサブミクロン粉末の形態に合成できる
任意の超伝導材料を使ｒＦｌすることを包含する。この
発明の方法は、捷た、イＭられたワイヤを焼結せたに反
応焼鈍することを行わないから、もろい芯拐すなわちフ
ィラメントの生成に関連する間粗を回腫できる。

この発明を一層明瞭に理解するだめに、その好都合な実
施態様を図を参照１７て示例のだめに以下に記載する。

複合体ワイヤの芯材として使用するザブミクロン粒子せ
たけミクロ粉末は超微粒粉末の形態に合成できる任意の
超伝導材料から選ぶことができる。好甘しくけ、超伝導
材料は−）１晩１￥ｆ−磁界（Ｈｏ２）、転移温度（Ｔ
ｃ　）及び臨界電流密度（ｊｃ）がそれぞれ大きい値を
示すいわゆる第、２種超伝導体であるべきである。これ
らの材料、そして特にＡ／左結晶構造をもつ２種の元素
のＡ、Ｂタイプからなる高ＴＣ超伝導体は棒１υに（ｄ
！＜、もろいことが知られている。このグループに含１
れるものには金属ニオブまたは金属バナジウムと他の元
素との金属間化合物、例えばＮｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ａｆ、
　Ｎｔ＋、Ｇａ％Ｎｂ、Ｇｅ、ｖ、ｓｉ及びＶ、Ｇａが
ある。

三元（草二元）Ａ／ｊ金属間化合物例えばニオプ−フル
ミニラム−ゲルマニウム（Ｎｂ、　（ＡＬ。

Ｇｅ））及びＢ／結晶構造高磁界窒化ニオブ（ＮｂＮ）
及び炭化−窒化ニオブ（Ｎｂ（Ｎ、　Ｏ）　）　　例え
ばＮｂＮ、−ＸＯＸ（Ｘは約０．、ｊ　）　、及ヒＰｔ
＋Ｍｏ、Ｓ、　（７）　！つなシエプＬ／Ａ、相（（１
！ｈｅｖｒｅ’ｌ　Ｐｈａｓｅｓ　）はまた好筐しい組
成物である。ここに説明するように中位の高Ｔｃ　　化
合物の炭化ニオブ（ＮｂＣ）さえこの発明の詳細な説明
するのに有用である。

超伝導粉末組成物の粒径はサブミクロン、すなわち複合
体ワイヤの芯材に流体ようの特性を示し且つ付与する、
サブミクロンであるべきである。平均粒径はｔｏｏｏオ
ングストローム以下、打抜しくはｌＯＯオングストロー
ム粒径のものが平均粒径に大きく寄与すべきである。加
工中有効な延性を確保し、ワイヤに加工後密実性と高粒
団密度を確保するために平滑で好ましくは球状であるべ
きであるのが有利である。好適には球状粒子の直径φは
Ｔｏの顕著な低下を避けるためにギンラブルクーランダ
ウのコヒーレンス距離（ξＧｔ、）よシ大きいものでた
けれにならない。

隣接粒子間の距離は強力な結合を確保し、同時にち密充
填球体間の空隙の直径が最大の磁束の締出しく　ｐｉｎ
ｎｉｎｇ）を確保するためにξＧＬに匹敵すべきであシ
、すなわち野猿しくは球状粒子は本質的に隣接し合って
いるべきでおる。超伝導粒子が本質的に隣接し合ってい
るためには如何なる添加剤（例えば潤滑剤）も約ＩＯ体
積−以下でなければならない。

所望のサブミクロン粉末超伝導体を合成するにはミクロ
冶金技術、醜分散沈殿法及び種々のアークプラズマ反応
を含む種々の方法を使用でき、丈たこれらに限定される
べきではない。水素プラズマ反応を含む特に有用な一つ
の方法は米国特許第１Ｉ、　０　！；　０．　／　ｌ　
７号に記載され、サブミクロン超伝導粉末の合成法を記
述するものとしてここに援用する。

芯材として使用すべきこのサブミクロン超伝導粉末を次
いで加工後の複合体ワイヤの所望の選定されたシメンジ
ョン特性をもつ金属管すなわちさやに充填する。使用す
る金属は業界で既知の任意の本質的に延性、非磁性、ワ
イヤ形成用金輪であることができ、これらにはＯｕ　、
Ａｊ　。

Ｎｂ、Ｔａ、Ａｇ　ｉたはＡｕｆ：たはそれらの混合物
などがあるが、好ｔＬ＜は銅が使用される。しかし、こ
れらに限定されるものではない。

次に、管すなわちさやの両端を封止する。この芯材の充
填及び管の封止は水素、アルゴン或は他の不活性ガスの
ような保瞳ガス雰囲気中で、或は真空中で適宜行うこと
ができる。サブミクロン超伝導粉末で充填した管すなわ
ちさやは次いでワイヤに加工される。このワイヤを次ζ
ζ束のフィラメントの数によシ決定される。

加工方法は実質上業界で既知の任意の方法であることが
でき、押出、静水圧押出スェージング、延伸、圧延、ハ
ンマリング、またはそれらの併用であることができる。

加工方法の特に有用で野猿しい方法は米国特許第３９２
２７６９号明細書に記載の静水圧押出成形法であり、こ
れはこの発明では高温度反応焼鈍才たは焼結を使用しな
い以外はワイヤ加工法を記載するものとしてここ１こ援
用する。この焼結才たは反応焼鈍を行わないことは、高
温度は特に超微粒粉粒界を横切って冶金的結合の形成を
促進し、その結果、最終様合体ワイヤの延性及び芯材の
耐割れ性を喪失するに至るから重要である。

ワイヤの断面を逐時圧下してゆく加工操作中に、芯材の
密度は均一な球体の場合六方晶系最密充填理論１密度に
接近することを観察した。この観察は加工ずみ複合体ワ
イヤがほぼ隣接し合ミ っな球状粒子のサブ去クロン粒子の芯材がらなυ、その
ためにそれら粒子は応力下で互に滑動することができ、
それによって互に接触を維持するか或は密接に接近した
関係を維持し同時に有効な団粒延性を示すという見解を
支持するものである。最終複合体ワイヤ中に延性を保持
する利点は、延性ワイヤが加工後才たは変形後Ｊこ有用
な形状に曲げることができる点で明らかである。これに
対してもろいワイヤは破断し、或はその超伝導性を喪失
する。ここに例証するように、この発明の複合体ワイヤ
は大きな曲げ歪み（１％以上）後も超伝導性を保持する
ことも観察された。このことは従来既知の複合体超伝導
偵−ワイヤよりすぐれておシ且つ区別されるべきもので
ある。

ここに開示の方法によって複合体ワイヤを製造するに際
して、ワイヤは１本のフィラメント複合体構造でもマル
チフィラメント構造のものでもよい。実際の用途にはマ
ルチフィラメントを使用する方が打抜しい。４’？本も
の多数のフィラメントを有するマルチフィラメントが首
尾よく製造でき、且つこれを試験した。適宜、複合体ワ
イヤを造る際に約１０体積チ以下、打抜しくは約１体積
チ以下才たはそれ以下の低濃度の潤滑剤塗布剤Ｊたは超
微粒潤滑剤粉末、例えば黒鉛、二硫化タングステン、銅
、スズ、銀などを含むことができる。

以下に実施例を掲げてこの発明を説明する。

アークプラズマ法によって造られ、西ドイツ、ベルリン
のへルマン・ラニー・スタルクＱＩｅｒｍａｎＯ０Ｓｔ
ａｒｃｋ）から商業的に得られる炭化ニオブ粉末（平均
粒径約３００オングストローム士コ００オングストロー
ム、超伝導転移開始温度約／／’Ｋ（すなわち臨界温度
（転移温度）　Ｔｃ＝　ｔ　ｌ’ｘ）、４（。λ０Ｋに
おける上臨界磁界Ｈｃ２）　／　ｇ　ＫＧ、約ｓｏｏ。

ｐｐｍのｃｒ、　３００　ｐｐｍのＮｉ、コｏ　ｏ　ｐ
ｐｍのＦｅ及び潤滑剤として使用した遊離炭素（黒鉛）
約１重量％で汚染されている）を内径Ａ、３ｊｔＨ，外
径９゜５３Ｉ１１ｎの酸素不含高電導度（０ＦＨＯ）鋼
管中に充填し、銅栓でふさぎ、溶接封止した。充填した
粉末の最初の密度は００ｇ１／♂、すなわちＮ１）Ｏ嵩
密度の約１０％であった。鋼管を常温スェージし、中間
焼鈍なしに室温で直径０゜コｓｍｖｉに延伸した。ワイ
ヤは可撓性で延性があった。このワイヤの断面を第１図
に示す。粉末の緻密化度を六方晶の最密充填（ＨＯＰ）
理論密度の約ざ０％の密度である０、９！；龍直径に延
伸するまで監視した。複合体ワイヤの破面は第２図の走
査電子顕微鏡写真に示すように延性材料の特徴であるく
びれを生じた。このＮｂ０１０ｕ複合体の機械的性状は
延性材料の明らかに代表的のものである。

０．９！ｍｉ及び００３１．１ｎＮ外径のワイヤの臨界
温度（転位温度）はＴａ”１００Ｋ及び＝ｙ　Ｏｘであ
った。転移温度幅は約／’にで、超伝導体中の自己磁界
臨界電流密度（ｊｃ）はぐ、λ０にでｊｃ　＝ｊ　Ｘ　
／　０”　Ａ／Ｃｍ２であった。Ｊｃ（Ｈ）依存性から
決定した上臨界磁場はり、コ０にでＨＯ２＞　／　０キ
ロガウス（ＫＧ）であった。

上述の結果は、離れた、すなわち焼結されていない、粒
子から造った延性ワイヤはもしそれ°らの粉末が充分に
高密度化されれば連続した（均質な）超伝導体と同じ性
能を示すことを証明するものである。半径３．／’）！
ｒｙｍの心金上に０．３６賞富のワイヤを巻きつけ、巻
きほぐすことからなる激しい曲げ試験によシ歪６＝コ、
１ｒ％で７７チだけｊｏは低下した。この低下は鋼管の
変形による粉末の部分非圧縮化から生じたと考えられる
。

実際のマルチフィラメント複合体ではこの効果は生じな
い。

０．２５１１１直径に延伸したＮ’ｂＯ１０ｕ複合体ワ
イヤを約ｉｓｏｃｍずつの長さに無作為に区分し、その
３に区分について芯材の直径を光学的に測定することに
よってＮｂ０１０ｕ複合体ワイヤの芯材断面の均一性を
測定した。平均芯材直径は７２３μｍで、その標準偏差
は：１７μｍであυ、最大の偏差は−ｐｐμｍ及び＋５
３μｍであった。この平均直径の測定値は恐らく大きす
ぎ、偏差も研磨操作の時にＮ１）Ｏ粉末がこすシ付けら
れたために過大に評価されているが、芯材の連続性と直
径の相対的均一性とは証明された。

ＮｂＯは実際上の不用性は限定された低磁界超伝導体で
あると場えられ、上述の単一芯材ワイヤはむしろ低臨界
電流密度のものであるが、フィラメント径がＯ００コ！
；ｙ（／ミル）才たはそれ以下の７本及びｔＦｔ本のフ
ィラメントからなるマルチフィラメントワイヤをＮｂＯ
粉末を使用して造った。第３Ａ図（７本のフィラメント
）及び第４ｊＡ図（グ９本のフィラメント）にこれらの
°マルチフィラメントワイヤの長さに垂直方向の断面を
示し、第３Ｂ図及び第ｑ８図に対応するマルチフィラメ
ントワイヤの長さ方向の断面図を示す。これらのワイヤ
はＮ１）Ｏについての最良の文献値より充分大きい臨界
電流密度を示した。第Ｓ図はコ種の異なる加工方法によ
って造った３神の類似の径の複合体ワイヤのワイヤ軸線
に垂直にかけた磁界の強さくＨ工）対ＮｂＯ芯材の臨界
？［１流密度（ｊｃ）の関係を説明している。図中記号
／のワイヤはこの実施例中前ｌこ述べたスェージし延伸
した単ｌ芯材のワイヤ（ワイヤＩＧ径０゜９グ關、フィ
ラメント芯材面径θ、り３朋）で、記・号コのワイヤは
静水圧押出法によって造ったｌのワイヤと同様な単一芯
材の複合体ワイヤ（ワイヤ直径Ｏ８ざ４＋＋１ｌＬＮフ
イラメント芯材直径θ。ｑＯ顛）であり、記号３のワイ
ヤは静水圧押出法によって造った７本のフィラメントの
複合体ワイヤ（ワイヤ直径θ。ｇ　０１１１１フィラメ
ント芯材直径Ｏ，１３１１Ｉ１１）である。明らかに、
両方の静水圧押出法ワイヤ及び多数のフィラメントの存
在するワイヤは臨界電流密度を改善する。

とｊ　＝　ｊｃ（ｈ）／ｊｃ（’）の換算座標を使うこ
とによって実用の（第２種の）超伝導体の電流密度に匹
敵できる。これらの換算座標を使用する第６図は粉末粒
子と磁束間の結合と空洞上の磁界締出しとｌこよシ充分
に強力で最良のＮｂ３Ｓｎよシすぐれた磁界依存性及び
超伝導作用を生ずることを説明している。

第７図は】１□二〇、Ｊ及びｏ、ｔの場合にグ、２°Ｋ
における曲げ歪εが臨界電流密度（ｊｃ）の低下に及ぼ
す効果を説明し、ｈ、＝＝０７における代表的マルチフ
ィラメントのＮｂｇＳｎと比較している。高い方の換算
磁界ではサブミクロン粒子複合体ワイヤは慣用の複合体
よシ臨界電流密度の低下がはるかに少ないことがわかる
０ＮｂＣ（φ／ξ。１約、２）の場合におけるように粒
子寸法φが超伝導コヒーレンス長（ξ。）と共に減少す
る才で他のよシ高Ｔｃ１及びＨｃ２材料から造ったサブ
ミクロン粒子マルチフィラメント複合体も使用できる。

この発明の好適な実施例をある程度特定してＦｌｌ；載
し例証したが、この発明の精神及び範囲から逸脱するこ
となく部材の細部の構造、配列及び加工方法及び使用に
ついて多くの改変がなしうろことは明らかである。従っ
て、この発明はここに説明のためｌこ述ぺた実施態様に
限定されるべきではなく、同効物の全範囲を含む特許請
求の範囲によってのみ限定されるべきことを理解された
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は３３６倍の倍率で表わした直径Ｏ，コタ朋のＮ
ｂＣｌ０ｕ複合体ワイヤの断面図の光学顕微鏡写真、 第二図は３３倍倍率で表わしたワイヤ延伸によシ切断し
たＮｂＣｌ０ｕ複合体ワイヤの破面の列数の走査電子顕
微鏡写真、 ｔＦ、ＪＩ図は７本のフィラメント複合体の長さに垂直
方向の断面の２００倍倍率の光学顕微鏡写真、第３Ｂ図
は長さ方向の断面の第３Ａ図と同様な光学顕微鏡写真、 第ｔｉ％図はり９本のフィラメント複合体の長さに垂直
方向の断面の２００倍倍率の光学顕微鏡写真、第ｐ８図
は長さ方向の断面の第ａ、Ａ図と同様な光学顕微鏡写真
、 第Ｓ図は超電導体中の臨界電流密度ｊｃと、ＮｂＣｌ０
ｕ複合体ワイヤＩこ垂直にかけた磁場Ｈ６−との関係を
示す図、 第６図は先行技術の拡散反応したＮｆｉ、Ｓｎ　複合体
に比較したＮｂＣｌ０ｕの臨界電流密度と磁場との間係
を換算変数で説明するグラフを示す図、第７図は先行技
術のＮｂ３Ｓｎ複合体ワイヤに比較した糊々のＮｂＯ／
Ｃ！ｕ５合体ワイヤの曲げ歪みの函数としての臨界電流
密度の低下を説明するグラフを示す図である。 特Ｗ１−出願人代理人　　曽　　我　道　照ＦＩＧ、　
　Ｉ Ｆ嘗【３２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ／　延性電導性金属からなる封入用さや、及び該さやに
   封入されたサブミクロン粒子の超伝導粉末の本質的に密
   着した芯材すなわちフィラメントとからなることを特徴
   とする、超伝導複合体ワイヤ。 ２　封入用金属がＯｕ、　Ｍ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｇ、　Ａ
   ｕ　−またけそれらの混合物から選ばれる、特許請求の
   範囲第１項記載の超伝導複合体ワイヤ。 ３　封入された超伝導性粉末がＮｂ、Ｓｎ、　Ｎｂ８Ｍ
   。 Ｎｂ、Ｇａ、　Ｎｂ、（）ｅ、　Ｖ、Ｆ３１．、　Ｖ３
   （）ａ、　Ｎｂ、（ＡＪ、　Ｇｅ）　ｉたけＮｂ（Ｎ、
   　ｃ）のようなそれらの準コ成分系。 ＮｂＣ−！！たけＰｂＭｏ、Ｓｓのよう々シェプレル相
   から選ばれる特許請求の範囲第１．Ｉ’ｉｊ’Ｆたけ第
   ２項記載の超伝導複合体ワイヤ。 嘱　サブミクロン粒子超伝導粉末が１００θオングスト
   ローム以下の粒子径からなるＩ￥ｊ許請求の範囲第１項
   または第２項または第３項記載の超伝導複合体ワイヤ。 ・マ粒子径が約１００オングストロームでアル特許請求
   の範囲第ダ項記載の超伝導性ワイヤ。 ｇ、　封入用金属が（、ｕで、　超伝導粉末がＮｂＯで
   ある特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
   載の超伝導複合体ワイヤ。 ２　封入されたフィラメントが焼結またけ反応焼鈍され
   ていない特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか
   に記載の超伝導複合体ワイヤ。 ！　サブミクロン粒子の超伝導粉末が潤滑剤の層で被覆
   されているか、或は同等の粒子径の潤滑剤粉末と混合さ
   れてカリ、潤滑剤の量が超伝導粉末の７０重量％以下で
   ある特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記
   載の超伝導複合体ワイヤ。 ワ　サブミクロン粒子の超伝導粉末を延性の電導性金属
   管中に封入し、前記管からワイヤを造ることを特徴とす
   る、延性超伝導複合体ワイヤの製法。 ／θ　封入を繰返λすことによって多数の管を造り、そ
   れ１ちの多数の管からマルチフィラメントワイヤを造る
   特許請求の範囲第デ珀記載の製法。 ／／　保護雰囲気中で管にサブミクロン粒子の超伝導粉
   末を封入する前に保護雰囲気中で前記粉末を収集する特
   許請求の範囲第９項寸たけ第１Ｏ項記載の製法。 ／ユ　管からワイヤへの製造を押出、静水圧押出、スェ
   ージング、延伸、圧延、ハンマリング捷たはそれらの絹
   合わせにより行う特許請求の範囲第９項またけ第１θ項
   才だけ第１Ｉ項記載の製法。 １３　　封入用金属がＣｕ、　Ａ１．、　Ｎｂ、　Ｔａ
   、Ａｇ、Ａｕ　−またけそれらの晶合物から選ばれる特
   許請求の範囲第９項ないし第１コ珀のいずれかに記載の
   製法。 ／タ　超伝導性粉末がＮｂ、Ｓｎ、　Ｎｉｌ、Ａｊ、　
   ＩＪｔ＋、Ｇａ。 才をｌ工 Ｎｉｌ、Ｇｅ　　Ｖ、８１．　　Ｖ、（）ａ　　Ｎｂ５
   （Ａｊ＋Ｇと巧晶Ｎ　、　ａ　）２　　　　　　　　　
   　　　　　　　　　）のような準二成分系、Ｎｂ０−今
   たけＰｂＭｏ、５８（７）ようなシェプレル相から選ば
   れる特許１ｉＩｖ求の、範囲第９項ないし第７３珀のい
   ずれかＶＣ記載の製法。 ｌｊ　　サブミクロン粒子の超伝導粉末の粒径が１００
   θオングストローム以下である！１コ？許請求の範囲第
   り項ないし第１ケ月１のいずれかＶＣ記載の製法。 ７ｇ　超伝導粉末の粒径が約ｉｏｏオングストロームで
   ある特許請求の範囲第１Ｓ項記載の製法０ ／Ｚ　金属がＣＵで、超伝導粉末がＮｂＯである特許請
   求の範囲第９項かいし第ｔＡｒｎのいずれかに記載の製
   法。 ／Ｊ″　超伝導複合体ワイヤを焼結寸たけ反応焼鈍しな
   いことからカる特許請求の範囲第９頂ないし第１７項の
   いずれかに記載の製法。 ／９　サブミクロン粒子の超伝導粉末がｄ″・“ｌｌｌ
   １ｔ剤の層で被覆されているか、或は類似の捷たけそれ
   より小さい粒径の潤滑剤粉末と混合されている特許請求
   の範囲第９項ないし第１ざ項のいずれかＶＣ記載の製法
   。