JPS5836405B2 - Baldfish head - Google Patents

Baldfish head

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JPS5836405B2
JPS5836405B2 JP7487975A JP7487975A JPS5836405B2 JP S5836405 B2 JPS5836405 B2 JP S5836405B2 JP 7487975 A JP7487975 A JP 7487975A JP 7487975 A JP7487975 A JP 7487975A JP S5836405 B2 JPS5836405 B2 JP S5836405B2
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coil
magnetic
layer
head
bias
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JP7487975A
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謙二 金井
信征 紙中
紀台 能智
登 野村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜磁気ヘッドの放熱の改良に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to improvements in heat dissipation of thin film magnetic heads.

従来からの磁気ヘッドの構成は、第1図に示すごとく、
基板1の上に、パーマロイ等の強磁性体薄膜2を蒸着、
電着、スパツター等の方法を用いて形成し、湿式又は乾
式のエッチングにより、目的とする形状にした後に、電
気的絶縁層3を蒸着する。
The configuration of a conventional magnetic head is as shown in Figure 1.
A ferromagnetic thin film 2 such as permalloy is deposited on the substrate 1.
The electrically insulating layer 3 is formed by electrodeposition, sputtering, etc., and after the desired shape is formed by wet or dry etching, the electrically insulating layer 3 is deposited.

次に、導電体膜4を蒸着、電着、スパツタ一等の方法に
より設け、所定の形状にエッチングし電気的絶縁体層5
を介して、第2の上部強磁性体層6を形或し、上部強磁
性体層6と下部強磁性体層7との間に強磁回路を形成し
、磁気ヘッドとして使用してきた。
Next, a conductive film 4 is provided by a method such as vapor deposition, electrodeposition, or sputtering, and is etched into a predetermined shape to form an electrically insulating layer 5.
A ferromagnetic circuit has been formed between the upper ferromagnetic layer 6 and the lower ferromagnetic layer 7, and used as a magnetic head.

一方、薄膜磁気ヘッドは記録密度を大きくするために、
ヘッド間隔をつめて設計され、従来から考えられていた
信号記録再生用薄膜導電体コイルの形状は簡略化され、
多重奏型から一巻型となってきた。
On the other hand, in order to increase the recording density of thin-film magnetic heads,
Designed with closer head spacing, the shape of the thin film conductor coil for signal recording and playback, which was previously considered, has been simplified.
It has changed from a multi-part type to a one-volume type.

ヘッドキャップ中の磁界の強さは、前記導電体コイルの
アンペアタンに比例するために、一巻型になると記録時
には数アンペアの電流を導電体コイル中に流さなければ
、一般的に用いられている磁気テープ等の記録媒体に記
録する事ができない。
The strength of the magnetic field in the head cap is proportional to the ampere tan of the conductor coil, so if it is a one-turn type, it is generally not possible to use it unless a current of several amperes is passed through the conductor coil during recording. cannot be recorded on recording media such as magnetic tape.

そこで従来例では、導電体コイル4の両側に設けられた
電気的絶縁層3,5はS s O ,S t 02で形
成されており、熱伝導率が低く、導電体コイル4中に流
した電流による発熱を十分に伝導し放電する事ができな
い。
Therefore, in the conventional example, the electrically insulating layers 3 and 5 provided on both sides of the conductor coil 4 are formed of S s O and S t 02, which have low thermal conductivity and are not allowed to flow into the conductor coil 4. The heat generated by the current cannot be sufficiently conducted and discharged.

よって、長時間使用すると、導電体コイル4は、自己発
熱のために融解し断線したり、高温のために大気中の酸
素に侵されて酸化したり、高温による導電体の熱膨張の
ために、絶縁層にひび割れが生じ、漏洩を起こしたりし
て、実用にならなかった。
Therefore, when used for a long time, the conductor coil 4 may melt and break due to self-heating, be oxidized by being attacked by oxygen in the atmosphere due to the high temperature, or due to thermal expansion of the conductor due to the high temperature. However, cracks formed in the insulating layer and leakage occurred, making it impractical.

本発明は、上記従来の欠点を除くため、磁気一・ツド内
の構成要素の放熱効果を良好にし、長時間使用できる磁
気ヘッドを提供する事を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks, it is an object of the present invention to provide a magnetic head that improves the heat dissipation effect of the components in the magnetic head and can be used for a long time.

SiOやSiO2等の従来から用いられている絶縁体に
おいては、たとえば、SiO2の熱伝導率は0.0 1
4 〜0.1 4 (W/cIIL−deg )であ
り、半導体である。
Among conventionally used insulators such as SiO and SiO2, for example, the thermal conductivity of SiO2 is 0.0 1
4 to 0.14 (W/cIIL-deg), and is a semiconductor.

例えば、Siでは、熱伝導率は1.5(W/cyrt
− deg )であり、熱伝導は、S s 0 2に較
べて10倍から100倍良好になる。
For example, in Si, the thermal conductivity is 1.5 (W/cyrt
- deg), and the heat conduction is 10 to 100 times better than S s 0 2.

S i0 2よりも熱伝導率の良好な物質は、Siの他
に、グラファイト、Ge , InSb , NiO,
AIP,GaP,AISb,GaAs,GarbやIn
As等の物質をあげる事ができる。
In addition to Si, materials with better thermal conductivity than Si02 include graphite, Ge, InSb, NiO,
AIP, GaP, AISb, GaAs, Garb and In
Substances such as As can be mentioned.

しかし、半導体の中には、その抵抗率が102Ω〜の以
下ものもあり、この場合には導電体コイル間及び導電性
の強磁性体層間の電気的絶縁が十分に得られず、電気的
漏洩が生じたり、磁気ヘッド間のクロストークが生じた
りする。
However, some semiconductors have a resistivity of 102Ω or lower, and in this case, sufficient electrical insulation between conductive coils and conductive ferromagnetic layers cannot be obtained, resulting in electrical leakage. or crosstalk between magnetic heads.

そこで、導電体コイルの表面層を陽極酸化、熱処理やイ
オン注入等の方法により、酸化させ、導電体コイルの表
面層を絶縁体とする事によ1バ導電体コイル間及び導電
性の強磁性体間の電気的絶縁を十分に得、かつ、導電体
コイルから発生する熱を、半導体層によって伝導し放熱
する事により従来からの欠点、すなわち、記録時に生じ
る、コイルの電流による発熱により、薄膜磁気ヘッドの
寿命が短い事を解決し、長寿命の薄膜磁気ヘッドを提供
するものである。
Therefore, by oxidizing the surface layer of the conductor coil by a method such as anodizing, heat treatment, or ion implantation, and making the surface layer of the conductor coil an insulator, the ferromagnetic property between the conductor coils and the conductive By obtaining sufficient electrical insulation between the bodies and dissipating the heat generated from the conductor coil by conducting it through the semiconductor layer, the thin film This solves the short life span of magnetic heads and provides a long-life thin film magnetic head.

第2図に本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例の断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of a thin film magnetic head according to the present invention.

ガラス等の基板7上に、パーマロイ等の強磁性体薄膜8
を形成し、下部磁性体とする。
A ferromagnetic thin film 8 such as permalloy is formed on a substrate 7 made of glass or the like.
to form the lower magnetic body.

下部磁性体8を覆うように、電気的に分離する層9を半
導体で構或し、蒸着や電着、気相成長等の方法を用いて
被着する。
An electrically isolating layer 9 made of a semiconductor is formed so as to cover the lower magnetic body 8, and is deposited using a method such as vapor deposition, electrodeposition, or vapor phase growth.

その上に、AIやCu等の導電体を蒸着等の方法を用い
て被着しエッチング等の方法を利用して、導電体の一部
分が下部磁性体8に重なるようにし、陽極酸化等の方法
を用いて酸化膜とする。
On top of that, a conductive material such as AI or Cu is deposited using a method such as vapor deposition, a portion of the conductive material is overlapped with the lower magnetic material 8 using a method such as etching, and a method such as anodic oxidation is applied. to form an oxide film.

この膜厚みは1000オングストローム以下でよい。The thickness of this film may be 1000 angstroms or less.

次に、同様にして、AIやCu等の導電体を蒸着等の方
法を用いて被着し、同様の形状を得る。
Next, in the same manner, a conductor such as AI or Cu is deposited using a method such as vapor deposition to obtain a similar shape.

この膜を、もう一度、陽極酸化等の方法を用いて、その
表面層数100オングストロームだけ酸化し、この両側
に酸化層をもつAI,Cu等の導電体をバイアスコイル
10とする。
This film is once again oxidized by several hundred angstroms of its surface layer using a method such as anodic oxidation, and a conductor such as AI or Cu having oxidized layers on both sides is used as the bias coil 10.

このようにして、バイアスコイル10の表面層に酸化物
層11を形成すると、第2図に示すごとく、バイアスコ
イル10は、他の層から電気的に絶縁される。
By forming the oxide layer 11 on the surface layer of the bias coil 10 in this way, the bias coil 10 is electrically insulated from other layers, as shown in FIG.

次に、上記と同様にして、電気的に分離している層12
(本実施例では、半導体で構威している。
Next, in the same manner as above, the electrically isolated layer 12
(In this embodiment, a semiconductor is used.

)、信号用コイル13および酸化物層14、電気的に分
離している層15、上部磁性体層16を順に形成する。
), a signal coil 13, an oxide layer 14, an electrically isolated layer 15, and an upper magnetic layer 16 are formed in this order.

このようにして形成された磁気ヘッドを磁気テープ等の
記録媒体に摺動可能にするため、保護用ガラス18を接
着材17で固定し、ラツピングを行なって、ヘッドギャ
ップ面19を形成する。
In order to enable the thus formed magnetic head to slide on a recording medium such as a magnetic tape, a protective glass 18 is fixed with an adhesive 17 and wrapped to form a head gap surface 19.

ギャップは上部磁性体16及び下部磁性体8で形成され
、ギャップ内にバイアス用コイル10及び信号用コイル
13を含?でいる。
The gap is formed by an upper magnetic body 16 and a lower magnetic body 8, and includes a bias coil 10 and a signal coil 13 within the gap. I'm here.

上部磁性体16のギャップ面19から遠い部分に磁性体
層8と16の間にリアギャップを形成し、上部磁性体層
16と下部磁性体層8との間に磁気回路を構成する。
A rear gap is formed between the magnetic layers 8 and 16 in a portion of the upper magnetic layer 16 far from the gap surface 19, and a magnetic circuit is formed between the upper magnetic layer 16 and the lower magnetic layer 8.

バイアス用コイル10には、信号記録時に交流バイアス
を流し、多チャンネルヘッドを構或した場合、各ヘッド
に共通に配置され、各ヘッドに共通のバイアス磁界を発
生するように考慮されている。
An alternating current bias is applied to the bias coil 10 during signal recording, and when a multi-channel head is constructed, the bias coil 10 is arranged in common to each head so as to generate a common bias magnetic field to each head.

このようにすれば、各々のヘッドに各々バイアス電流を
流した場合と比較して、ヘッドに流す電流を少なくする
事ができ、多チャンネル化されるに従って有効となる。
In this way, the current flowing through the heads can be reduced compared to the case where a bias current is caused to flow through each head, and this becomes more effective as the number of channels increases.

信号用コイル13は、各ヘッドに各々異った信号磁界を
発生するように各々別々の回路にしてある。
The signal coils 13 are formed into separate circuits so as to generate different signal magnetic fields for each head.

各々のヘッドに誘起される信号磁界を発生するための信
号電流は、交流バイアス効果により、無バイアス記録の
場合と比較1 して/。
Due to the AC bias effect, the signal current for generating the signal magnetic field induced in each head is 1/ compared to the case of non-bias recording.

程度にする事が可能であり,バイアスコイル10を各々
ヘッドに共通する事により、多チャンネル磁気ヘッドに
供給する総電流を小さくする事ができる。
By making the bias coil 10 common to each head, the total current supplied to the multi-channel magnetic head can be reduced.

しかし、この場合においても、バイアス用コイル10と
信号用コイル13を電気的に分離している層12をSi
OやSiO2の絶縁体で構成すると、バイアス用コイル
10の発熱と信号用コイル13の発熱により、両コイル
間にある絶縁層は温度が高くなり、融解によって断線を
生じたり、熱膨張によって絶縁層にひびが入り、電流の
漏洩を生じ、バイアス電流が信号回路に流れ込んで信号
回路を通じて接地される事により、バイアス磁界がすべ
ての回路で十分に得る事ができず、信号を十分に記録す
る事ができない。
However, even in this case, the layer 12 electrically separating the bias coil 10 and the signal coil 13 is made of Si.
If it is made of an insulator such as O or SiO2, the heat generated by the bias coil 10 and the signal coil 13 will raise the temperature of the insulating layer between the two coils, causing wire breakage due to melting, or damage to the insulating layer due to thermal expansion. If the bias current flows into the signal circuit and is grounded through the signal circuit, a sufficient bias magnetic field cannot be obtained in all circuits, making it difficult to record the signal sufficiently. I can't.

この欠点は、本発明による半導体を電気的に分離してい
る層9,12,15に用い、SiOやSiO2の絶縁体
よりも熱伝導体を通じて放熱すると共に、バイアス用コ
イル10および信号用コイル13に、各各酸化物層11
および14を設け、半導体形戒時に生じるピンホールや
、両コイル10及び13の発熱によって半導体層中に生
ずる欠陥を通じて漏洩する事を防止でき、コイル10及
び13は良好に絶縁される。
This disadvantage is due to the fact that the semiconductor according to the invention is used in the electrically isolating layers 9, 12, 15, which dissipates heat through a thermal conductor rather than an insulator such as SiO or SiO2, and the bias coil 10 and the signal coil 13. , each oxide layer 11
and 14, it is possible to prevent leakage through pinholes that occur during semiconductor formation or defects that occur in the semiconductor layer due to heat generated by both coils 10 and 13, and the coils 10 and 13 are well insulated.

信号用コイル13、バイアス用コイル10、上部及び下
部磁性体層8,16の間に形成された半導体層は、それ
自身電気的に各層を分離している。
The signal coil 13, the bias coil 10, and the semiconductor layer formed between the upper and lower magnetic layers 8 and 16 electrically separate each layer.

信号用コイル13、バイアス用コイル10、磁性体層8
,16の抵抗率と半導体の抵抗率を比較すると、コイル
に用いられている金属は、アルミニウム、銅等の良導体
で、抵抗率は1.6 X 1 0−6〜2.6 X 1
0−6(Ω一crIL)であり、半導体の抵抗率は一
般に1 0−3〜1 0−12(Ω一CrrL)と言わ
れている。
Signal coil 13, bias coil 10, magnetic layer 8
, 16 and the resistivity of a semiconductor, the metal used for the coil is a good conductor such as aluminum or copper, and the resistivity is 1.6 x 1 0-6 to 2.6 x 1.
0-6 (Ω - crIL), and the resistivity of semiconductors is generally said to be 1 0-3 to 1 0-12 (Ω - CrrL).

半導体層9,12,15に、Si ,NiO等を用いる
と1 0’ 〜2.3X 1 05(Ω一CrIL)で
あるので、抵抗率の相違は約1010倍ある。
When Si, NiO, etc. are used for the semiconductor layers 9, 12, 15, the difference in resistivity is 10' to 2.3X105 (Ω-CrIL), so the difference in resistivity is about 1010 times.

素子間の抵抗Rは、R=0δ(Sは電流の流れる方向に
垂直S な素子面積、lは電流の流れる方向の素子長さ、δは素
子固有の抵抗率)である。
The resistance R between the elements is R=0δ (S is the area of the element perpendicular to the direction of current flow, l is the length of the element in the direction of current flow, and δ is the resistivity specific to the element).

今、たとえば信号用コイル13及びバイアス用コイル1
0の長さlを21n7l1コイル断面積を30μm2,
δを2.6×10−6Ω一備と選ぶ事により、バイアス
用コイルおよび信号用コイルの抵抗値は1Ω〜2Ωにす
ることができる。
Now, for example, the signal coil 13 and the bias coil 1
0 length l is 21n7l1 coil cross-sectional area is 30μm2,
By selecting δ to be 2.6×10 −6 Ω, the resistance values of the bias coil and signal coil can be set to 1 Ω to 2 Ω.

一方、コイル間を絶縁している半導体層の抵抗値は、素
子断面積Sを1000μd素子長さlを1μm,δ=1
04Ω・肺に選ぶと、容易にIOKΩ以上にする事がで
きる。
On the other hand, the resistance value of the semiconductor layer insulating between the coils is as follows: element cross-sectional area S is 1000 μm, element length l is 1 μm, δ = 1
If you choose 04Ω/lung, you can easily increase it to IOKΩ or higher.

また、バイアス用コイル及び信号用コイルの表面に設け
た酸化物層の厚みを0.02μ両コイルの表面積を6X
10’μm2とし、比抵抗δを1013Ω・二とすると
、約100MΩ程度の抵抗率となり、半導体層と酸化物
層が二重構造である事により、ピンホールの確率を極め
て少なくする事ができる。
In addition, the thickness of the oxide layer provided on the surface of the bias coil and signal coil is 0.02μ, and the surface area of both coils is 6X.
When the resistivity is 10'μm2 and the specific resistance δ is 1013Ω·2, the resistivity is about 100MΩ, and the double structure of the semiconductor layer and the oxide layer makes it possible to extremely reduce the probability of pinholes.

また、酸化物層はごく薄いので、熱伝導は良好に行なえ
る。
Further, since the oxide layer is very thin, heat conduction is good.

以上のように本発明により、従来からの主に記録時に生
じていた、コイルの電流による発熱により、薄膜磁気ヘ
ッドの寿命が短かくなるという欠点が解決され、長寿命
の薄膜磁気ヘッドが得られる。
As described above, the present invention solves the conventional disadvantage of shortening the lifespan of thin-film magnetic heads due to heat generation caused by current in the coil, which occurred mainly during recording, and provides a long-life thin-film magnetic head. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来からの磁気ヘッドの断面図、第2図は本発
明による磁気ヘッドの一実施例の断面図である。 7,18・・・・・・ガラス、8,16・・・・・・磁
性体、9,12,15・・・・・・電気的絶縁層、10
・・・・・・バイアスコイル、11,14・・・・・・
酸化物層、13・・・・・・信号コイル、17・・・・
・・接着材、19・・・・・・ヘッドキャップ面。
FIG. 1 is a sectional view of a conventional magnetic head, and FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the magnetic head according to the present invention. 7,18...Glass, 8,16...Magnetic material, 9,12,15...Electrical insulating layer, 10
...Bias coil, 11, 14...
Oxide layer, 13...Signal coil, 17...
...Adhesive material, 19...Head cap surface.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 導電体層の両側に磁性体を対向させ、該磁性体の一
部分は導電体を挾むように構成した薄膜磁気ヘッドにお
いて、該磁性体薄膜と導電体層の間に形或した層の少な
くとも一層は半導体層とし、該半導体層側の導電体層表
面を酸化物としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. In a thin film magnetic head configured such that magnetic materials are placed opposite to each other on both sides of a conductor layer, and a portion of the magnetic materials sandwich the conductor, at least one of the layers formed between the magnetic thin film and the conductor layer is 1. A thin film magnetic head comprising a semiconductor layer, and a surface of a conductor layer on the side of the semiconductor layer made of an oxide.
JP7487975A 1975-06-18 1975-06-18 Baldfish head Expired JPS5836405B2 (en)

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Cited By (4)

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WO2020188873A1 (en) * 2019-03-18 2020-09-24 日立建機株式会社 Construction machine

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