JPH0652517A - Thin film magnetic head and its manufacture - Google Patents
Thin film magnetic head and its manufactureInfo
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- JPH0652517A JPH0652517A JP22223392A JP22223392A JPH0652517A JP H0652517 A JPH0652517 A JP H0652517A JP 22223392 A JP22223392 A JP 22223392A JP 22223392 A JP22223392 A JP 22223392A JP H0652517 A JPH0652517 A JP H0652517A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive head (Magneto) for reproducing from a magnetic medium such as a magnetic disk.
The present invention relates to a thin film magnetic head having at least a resistive head (hereinafter referred to as an MR head) and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しており、その性質上、不要
な磁界を遮断するためのシールド層をＭＲ膜の両側に必
ず設ける必要がある。2. Description of the Related Art In recent years, MR heads have begun to be put into practical use as thin film magnetic heads for magnetic media such as magnetic disks. The MR head utilizes the magnetoresistive effect that the electric resistance changes depending on the magnetization, and by its nature, it is necessary to always provide a shield layer for blocking an unnecessary magnetic field on both sides of the MR film.
【０００３】図４は、従来のＭＲヘッドの一部構成を、
磁気媒体に対向する底面側から概略的に表したものであ
る。FIG. 4 shows a partial structure of a conventional MR head.
It is schematically shown from the bottom side facing the magnetic medium.
【０００４】同図において、４０は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層４０と
上部シールド層４４との間には、単一の成膜工程で形成
された下部ギャップ絶縁層４２、ＭＲ素子４１、リード
４６、及び単一の成膜工程で形成された上部ギャップ絶
縁層４３が積層されている。In the figure, reference numeral 40 denotes a lower shield layer formed on the rear end surface side of the flying slider via an insulating base film (not shown). In between, a lower gap insulating layer 42 formed by a single film forming process, an MR element 41, a lead 46, and an upper gap insulating layer 43 formed by a single film forming process are laminated.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドの分解能を
高めるためには、下部シールド層４０と上部シールド層
４４との間隔を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁
化反転距離）よりやや小さい値以下に保つことが必要で
ある。高密度記録においてはこの磁化反転距離が数千Å
となり、ＭＲ素子４１の膜厚が約２０００Å程度である
とすると、下部ギャップ絶縁層４２及び上部ギャップ絶
縁層４３各々の膜厚は１０００Å程度であることが要求
される。In order to improve the resolution of the MR head, the distance between the lower shield layer 40 and the upper shield layer 44 is set to a value slightly smaller than the bit distance (magnetization reversal distance) of the recording magnetization on the magnetic medium. It is necessary to keep below. In high density recording, this magnetization reversal distance is several thousand Å
Therefore, if the film thickness of the MR element 41 is about 2000 Å, the film thickness of each of the lower gap insulating layer 42 and the upper gap insulating layer 43 is required to be about 1000 Å.
【０００６】しかしながら従来技術によると、これらギ
ャップ絶縁層は絶縁性の関係から最低でも２０００Å程
度の膜厚を必要としている。ギャップ絶縁層を１０００
Å程度に薄くすると、ＭＲ素子４１やリード４６が下部
シールド層４０や上部シールド層４４に短絡したり電流
漏れを引き起こしてヘッド特性が大幅に悪化するという
問題が生じる。However, according to the prior art, these gap insulating layers require a film thickness of at least about 2000 Å due to the insulating property. 1000 gap insulation layer
If the thickness is reduced to about Å, there is a problem that the MR element 41 and the lead 46 are short-circuited with the lower shield layer 40 and the upper shield layer 44 or current leakage occurs, and the head characteristics are significantly deteriorated.
【０００７】従って本発明は、良好な絶縁性を維持しつ
つシールド層間の間隔をより低減できる薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供するものである。Therefore, the present invention provides a thin film magnetic head capable of further reducing the distance between the shield layers while maintaining a good insulating property, and a method of manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ膜とリードと上部ギャップ絶縁層とが積層され
ており、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数の層で形成されている薄膜磁気ヘッドが提
供される。According to the present invention, the lower gap insulating layer, the MR film, the lead, and the upper gap insulating layer are laminated between the lower shield layer and the upper shield layer. A thin film magnetic head is provided in which each of the insulating layer and the upper gap insulating layer is formed of a plurality of layers.
【０００９】上述の複数の層が、ＣＶＤ法によって形成
された層とスパッタ法によって形成された層とを有する
かもしれない。The plurality of layers described above may include layers formed by a CVD method and layers formed by a sputtering method.
【００１０】上述の複数の層が、同一材料の層からなっ
てもよい。The layers mentioned above may consist of layers of the same material.
【００１１】上述の複数の層が、互いに異なる材料の層
からなることが好ましい。It is preferable that the plurality of layers described above are layers of different materials.
【００１２】これらの層は、ＳｉＯ2 層とＳｉＮ4 層と
を含んでいるかもしれない。These layers may include SiO 2 and SiN 4 layers.
【００１３】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成
し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド
層を形成する場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャ
ップ絶縁層の各々が、複数回の成膜工程で形成される薄
膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。Further, according to the present invention, when the MR film and the lead are formed on the lower shield layer via the lower gap insulating layer, and the upper shield layer is formed thereon via the upper gap insulating layer. Provided is a method of manufacturing a thin film magnetic head in which each of the lower gap insulating layer and the upper gap insulating layer is formed by a plurality of film forming steps.
【００１４】上述の複数回の成膜工程が、ＣＶＤ法によ
る成膜工程とスパッタ法による成膜工程とを含んでいる
かもしれない。The above-mentioned plural film forming steps may include a film forming step by the CVD method and a film forming step by the sputtering method.
【００１５】上述の複数回の成膜工程が、同一材料によ
る層を形成するものであってもよい。The plurality of film forming steps described above may form layers of the same material.
【００１６】上述の複数回の成膜工程が、互いに異なる
材料による層を形成するものであることが好ましい。It is preferable that the plurality of film forming steps described above form layers made of different materials.
【００１７】これらの成膜工程が、ＳｉＯ2 層を形成す
る工程と、ＳｉＮ4 層を形成する工程とを含んでいるか
もしれない。These film forming steps may include a step of forming a SiO 2 layer and a step of forming a SiN 4 layer.
【００１８】[0018]
【作用】下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数回の成膜工程で形成されるので、絶縁層形
成過程で生じるピンホールが各膜で遮断された形とな
り、その結果、膜厚を小さくしても絶縁性の劣化を引き
起こさない。Since each of the lower gap insulating layer and the upper gap insulating layer is formed by a plurality of film forming steps, pinholes generated in the insulating layer forming process are blocked by each film, and as a result, the film is formed. Even if the thickness is reduced, the insulation does not deteriorate.
【００１９】[0019]
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail with reference to the following examples.
【００２０】図２は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit equipped with a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.
【００２１】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。As shown in the figure, the flying type magnetic head unit of this embodiment comprises a slider 20 and two thin film magnetic heads provided on its rear end surface (with respect to the relative traveling direction of the head unit to the magnetic medium). 21 and its protective film 22. The slider 20 is
For example, a ceramic structure 23 made of a ceramic material such as Al 2 O 3 —TiC and a base film 24 formed by sputtering an electrically insulating material such as Al 2 O 3 or SiO 2 on the rear end surface of the ceramic structure 23. It is configured.
【００２２】薄膜磁気ヘッド２１は下地膜２４上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。The thin film magnetic head 21 is a thin film element formed on the base film 24, and the head 21 has a protective film 2 formed thereon.
Four electrodes 25 formed so as to be exposed on the surface of No. 2 are connected via four leads 26, respectively.
【００２３】保護膜２２はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。The protective film 22 is formed by sputtering Al 2 O 3 or SiO 2 or the like, and is formed so as to cover the entire surfaces of the thin film magnetic head 21, the base film 24, and the leads 26.
【００２４】図３は、薄膜磁気ヘッド２１の構造をより
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。FIG. 3 is a partial sectional view taken along the line AA of FIG. 2 to show the structure of the thin film magnetic head 21 in more detail.
【００２５】上述したセラミック構造体２３の後端面上
に形成された下地膜２４上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部シールド層３０が形成
されている。A lower shield layer 30 is formed on the base film 24 formed on the rear end surface of the ceramic structure 23 by plating a soft magnetic film such as permalloy.
【００２６】この下部シールド層３０上には、下部ギャ
ップ絶縁層３２が後述するごとく２回の成膜工程で形成
され、その上にパーマロイ等をスパッタしてＭＲ膜を形
成しこれをパターニングすることによってＭＲ素子３１
が形成される。ＭＲ素子３１には、Ｃｕ等によるリード
２６（図２）がめっき等によって形成される。このＭＲ
素子３１には、シャント層、ソフト・フィルム・バイア
ス層等がスパッタ等によって併設される。ＭＲ素子３
１、リード２６、及び下部ギャップ絶縁層３２上にはこ
れも２回の成膜工程で上部ギャップ絶縁層３３が形成さ
れる。A lower gap insulating layer 32 is formed on the lower shield layer 30 by two film forming steps as described later, and a permalloy or the like is sputtered on the lower gap insulating layer 32 to form an MR film and patterned. MR element 31
Is formed. Leads 26 (FIG. 2) made of Cu or the like are formed on the MR element 31 by plating or the like. This MR
The element 31 is provided with a shunt layer, a soft film bias layer and the like by sputtering or the like. MR element 3
The upper gap insulating layer 33 is also formed on the first lead 26 and the lower gap insulating layer 32 by two film forming steps.
【００２７】上部ギャップ絶縁層３３の上には、パーマ
ロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより上部シール
ド層３４が形成されている。An upper shield layer 34 is formed on the upper gap insulating layer 33 by plating a soft magnetic film such as permalloy.
【００２８】これら下部シールド層３０、下部ギャップ
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、リード２６、上部ギャップ
絶縁層３３、及び上部シールド層３４が再生用のＭＲヘ
ッド部を構成している。上部シールド層３４上には、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより絶縁膜３５が形成
されている。The lower shield layer 30, the lower gap insulating layer 32, the MR element 31, the lead 26, the upper gap insulating layer 33, and the upper shield layer 34 form an MR head portion for reproduction. A on the upper shield layer 34
The insulating film 35 is formed by sputtering l 2 O 3 or the like.
【００２９】絶縁膜３５上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっきすることにより下部磁性層３６が形成されて
おり、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜３７
に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体３８が設け
られており、さらにその上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ
合金をめっきすることにより上部磁性層３９が形成され
ている。A lower magnetic layer 36 is formed on the insulating film 35 by plating a soft magnetic film such as permalloy, and an insulating film 37 such as Al 2 O 3 or SiO 2 is formed on the lower magnetic layer 36.
A coil conductor 38 made of Cu, Au, or the like is provided so as to be sandwiched between the two, and Ni-Fe such as permalloy is further provided on the coil conductor 38.
The upper magnetic layer 39 is formed by plating an alloy.
【００３０】下部磁性層３６及び上部磁性層３９は、磁
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分３９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体３８は、下部
磁性層３６及び上部磁性層３９の結合部３９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。The lower magnetic layer 36 and the upper magnetic layer 39 are coupled to each other at a portion 39a on the side opposite to the surface B facing the magnetic medium, thereby forming a core of the inductive head portion for recording. . The coil conductor 38 is formed so as to be spirally wound around the coupling portion 39a of the lower magnetic layer 36 and the upper magnetic layer 39.
【００３１】上部磁性層３９の上には、前述した保護膜
２２が形成されている。The protective film 22 described above is formed on the upper magnetic layer 39.
【００３２】なお、下部磁性層３６が上部シールド層３
４の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３５は省略される。The lower magnetic layer 36 is the upper shield layer 3
It is obvious that the dual-purpose configuration may also be performed so as to fulfill the function of 4. In this case, as a matter of course, the insulating film 35 is omitted.
【００３３】図１は、本実施例における薄膜磁気ヘッド
２１のＭＲヘッド部を磁気媒体に対向する底面側（図３
の面Ｂ側）から概略的に表したものである。FIG. 1 shows the MR head portion of the thin film magnetic head 21 of this embodiment on the bottom surface side (FIG. 3) facing the magnetic medium.
The surface B side) of FIG.
【００３４】同図において、３０は少なくともＭＲ素子
３１の領域を覆うように設けられた下部シールド層であ
り、パーマロイ等の軟磁性膜をめっき等して１〜２μｍ
程度の膜厚で形成されている。この下部シールド層３０
上には、２回の成膜工程により第１の下部ギャップ絶縁
層３２ａと第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂとが積層形
成されている。In the figure, reference numeral 30 denotes a lower shield layer which is provided so as to cover at least the region of the MR element 31, and which has a thickness of 1 to 2 μm formed by plating a soft magnetic film such as permalloy.
It is formed with a film thickness of about the same. This lower shield layer 30
A first lower gap insulating layer 32a and a second lower gap insulating layer 32b are laminated and formed on the upper side by two film forming steps.
【００３５】第１の下部ギャップ絶縁層３２ａはＳｉＯ
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂは第１の下部ギャ
ップ絶縁層３２ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。The first lower gap insulating layer 32a is made of SiO.
2 is formed to a thickness of about 500 Å by a sputtering method, and the second lower gap insulating layer 32b is a film of about 500 Å of SiN 4 on the first lower gap insulating layer 32a by a CVD method (chemical vapor deposition method). It is made thick.
【００３６】第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂ上には、
パーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Åの膜厚
のＭＲ膜を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを
与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてＭＲ素子３１
が形成される。前述のごとく、シャント層の代わりにソ
フト・フィルム・バイアス層等を形成してもよい。ま
た、成膜順序が上述のものと逆であってもよい。On the second lower gap insulating layer 32b,
After permalloy or the like is sputtered to form an MR film with a film thickness of about 300 to 600Å, and then Ti is sputtered to form a shunt layer with a film thickness of about 500 to 1500Å for giving a bias, and then these are patterned. MR element 31
Is formed. As described above, a soft film bias layer or the like may be formed instead of the shunt layer. Further, the film forming order may be opposite to that described above.
【００３７】ＭＲ素子３１上には、リード２６がＣｕ等
を約０．５μｍ程度の膜厚にめっきしてパターニングす
ることによって形成される。The leads 26 are formed on the MR element 31 by plating Cu or the like with a film thickness of about 0.5 μm and patterning.
【００３８】ＭＲ素子３１、リード２６、及び第２の下
部ギャップ絶縁層３２ｂ上には、２回の成膜工程により
第１の上部ギャップ絶縁層３３ａと第２の上部ギャップ
絶縁層３３ｂとが積層形成されている。A first upper gap insulating layer 33a and a second upper gap insulating layer 33b are laminated on the MR element 31, the lead 26 and the second lower gap insulating layer 32b by two film forming steps. Has been formed.
【００３９】第１の上部ギャップ絶縁層３３ａはＳｉＯ
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の上部ギャップ絶縁層３３ｂは第１の上部ギャ
ップ絶縁層３３ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。The first upper gap insulating layer 33a is made of SiO.
2 is formed to a thickness of about 500 Å by the sputtering method, and the second upper gap insulating layer 33b is a film of about 500 Å of SiN 4 on the first upper gap insulating layer 33a by the CVD method (chemical vapor deposition method). It is made thick.
【００４０】この第２の上部ギャップ絶縁層３３ｂ上の
少なくともＭＲ素子３１を覆う部分には、パーマロイ等
のＮｉ−Ｆｅ合金をめっき等することにより１．５〜３
μｍ程度の膜厚の上部シールド層３４が形成されてい
る。At least a portion of the second upper gap insulating layer 33b covering the MR element 31 is plated with a Ni--Fe alloy such as permalloy to form 1.5 to 3 parts.
The upper shield layer 34 having a film thickness of about μm is formed.
【００４１】このように本実施例によれば、下部ギャッ
プ絶縁層３２及び上部ギャップ絶縁層３３の各々が、２
回の成膜工程で形成されたＳｉＯ2 及びＳｉＮ4 の２つ
の層から構成されている。このため、各ギャップ絶縁層
の膜厚を約１０００Å程度に薄くしても良好な絶縁性を
保つことができる。その結果、より優れた分解能を有し
つつ絶縁性が良好なＭＲヘッドを提供することができ
る。As described above, according to this embodiment, each of the lower gap insulating layer 32 and the upper gap insulating layer 33 has two
It is composed of two layers of SiO 2 and SiN 4 formed in a single film forming process. Therefore, good insulation can be maintained even if the thickness of each gap insulating layer is reduced to about 1000 Å. As a result, it is possible to provide an MR head having excellent insulation while having a better resolution.
【００４２】表１は、ギャップ絶縁層をＡｌ2 Ｏ3 を用
いてノンバイアススパッタ法により１回の成膜工程で形
成した場合と、ギャップ絶縁層をＡｌ2 Ｏ3 を用いてバ
イアススパッタ法により１回の成膜工程で形成した場合
と、ギャップ絶縁層を本実施例のごとくＳｉＯ2 を用い
たスパッタ法及びＳｉＮ4 を用いたＣＶＤ法という２回
の成膜工程で形成した場合との絶縁性を膜厚毎に比較し
たものである。Table 1 shows that the gap insulating layer was formed by a non-bias sputtering method using Al 2 O 3 in one film forming step, and the gap insulating layer was formed by the bias sputtering method using Al 2 O 3. Insulation between the case where the film is formed by one film forming step and the case where the gap insulating layer is formed by the two film forming steps of the sputtering method using SiO 2 and the CVD method using SiN 4 as in this embodiment. The characteristics are compared for each film thickness.
【００４３】[0043]
【表１】 [Table 1]
【００４４】同表からも明らかのように、１回の成膜工
程によると１５００Å程度の膜厚以下で絶縁性が悪化す
るが、２回の成膜工程によると約１０００Åの膜厚とな
っても絶縁性が良好に維持される。これは、２回の成膜
工程によって絶縁層形成過程で生じるピンホールが各膜
で遮断された形となり、その結果、膜厚を薄くしても絶
縁性の劣化を引き起こさないためであると考えられる。As is clear from the table, the insulating property deteriorates at a film thickness of about 1500 Å or less in one film forming process, but becomes about 1000 Å in two film forming processes. Also maintains good insulation. It is considered that this is because the pinholes generated in the insulating layer forming process by the two film forming steps are blocked by each film, and as a result, the insulating property does not deteriorate even if the film thickness is reduced. To be
【００４５】上述の実施例では２回の成膜工程でギャッ
プ絶縁層を形成しているが、これは３回以上の成膜工程
で形成してもよいことは明らかである。Although the gap insulating layer is formed by two film forming steps in the above-mentioned embodiment, it is obvious that the gap insulating layer may be formed by three or more film forming steps.
【００４６】また、これら成膜工程で用いる絶縁材料
は、前述したＳｉＯ2 やＳｉＮ4 と異なる他の絶縁材料
であってもよい。しかも各成膜工程で用いる絶縁材料
が、互いに異なっていてもよいし、同じ材料であっても
よい。The insulating material used in these film forming steps may be another insulating material different from the above-mentioned SiO 2 and SiN 4 . Moreover, the insulating materials used in each film forming step may be different from each other or may be the same material.
【００４７】さらに、成膜方法として、スパッタ法及び
ＣＶＤ法を組み合わせてもよいし、スパッタ法又はＣＶ
Ｄ法のどちらか一方を用いてもよい。これらスパッタ法
及びＣＶＤ法と異なる他の成膜方法を用いることもあり
得る。Further, as the film forming method, the sputtering method and the CVD method may be combined, or the sputtering method or the CV method.
Either one of the D methods may be used. Another film forming method different from the sputtering method and the CVD method may be used.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の薄膜
磁気ヘッドは、下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層とＭＲ膜とリードと上部ギャッ
プ絶縁層とが積層されており、下部ギャップ絶縁層及び
上部ギャップ絶縁層の各々が、複数の層で形成されてお
り、本発明の製造方法は、下部シールド層上に下部ギャ
ップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成し、その上
に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成す
る場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層
の各々が、複数回の成膜工程で形成される。従って、良
好な絶縁性を維持しつつシールド層間の間隔をより低減
でき、その結果、絶縁性を悪化することなくより優れた
分解能を得ることができる。As described above in detail, in the thin film magnetic head of the present invention, the lower gap insulating layer, the MR film, the lead and the upper gap insulating layer are laminated between the lower shield layer and the upper shield layer. Each of the lower gap insulating layer and the upper gap insulating layer is formed of a plurality of layers. According to the manufacturing method of the present invention, the MR film and the lead are provided on the lower shield layer via the lower gap insulating layer. When the upper shield layer is formed and the upper shield layer is formed thereon via the upper gap insulating layer, each of the lower gap insulating layer and the upper gap insulating layer is formed by a plurality of film forming steps. Therefore, it is possible to further reduce the distance between the shield layers while maintaining a good insulating property, and as a result, it is possible to obtain a better resolution without deteriorating the insulating property.
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドのＭＲヘ
ッド部の一部構成を磁気媒体に対向する底面側から概略
的に示す底面図である。FIG. 1 is a bottom view schematically showing a partial configuration of an MR head portion of a thin film magnetic head in the embodiment of FIG. 2 from the bottom side facing a magnetic medium.
【図２】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing a flying type magnetic head unit including a composite type thin film magnetic head as one embodiment of the present invention.
【図３】図２のＡＡ線による部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図４】従来のＭＲヘッドの一部構成を磁気媒体に対向
する底面側から概略的に示す底面図である。FIG. 4 is a bottom view schematically showing a partial configuration of a conventional MR head from the bottom side facing a magnetic medium.
２３ セラミック構造体 ２６ リード ３０ 下部シールド層 ３１ ＭＲ膜 ３２ａ、３２ｂ 下部ギャップ絶縁層 ３３ａ、３３ｂ 上部ギャップ絶縁層 ３４ 上部シールド層 23 ceramic structure 26 lead 30 lower shield layer 31 MR film 32a, 32b lower gap insulating layer 33a, 33b upper gap insulating layer 34 upper shield layer
Claims (10)
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗膜とリードと上部ギ
ャップ絶縁層とが積層されている薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁
層の各々が、複数の層で形成されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。1. A thin film magnetic head in which a lower gap insulating layer, a magnetoresistive film, a lead and an upper gap insulating layer are laminated between a lower shield layer and an upper shield layer, wherein the lower gap insulating layer. And a thin film magnetic head in which each of the upper gap insulating layers is formed of a plurality of layers.
された層とスパッタ法によって形成された層とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。2. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the plurality of layers include a layer formed by a CVD method and a layer formed by a sputtering method.
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the plurality of layers are layers of the same material.
からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜
磁気ヘッド。4. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the plurality of layers are layers made of different materials.
層とを含んでいることを特徴とする請求項４に記載の薄
膜磁気ヘッド。5. The plurality of layers are a SiO 2 layer and a SiN 4 layer.
The thin film magnetic head according to claim 4, further comprising a layer.
を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部
ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記下部ギャップ絶縁
層及び前記上部ギャップ絶縁層の各々が、複数回の成膜
工程で形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。6. A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein a magnetoresistive film and a lead are formed on a lower shield layer via a lower gap insulating layer, and an upper shield layer is formed thereon via an upper gap insulating layer. A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein each of the lower gap insulating layer and the upper gap insulating layer is formed by a plurality of film forming steps.
る成膜工程とスパッタ法による成膜工程とを含んでいる
ことを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。7. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, wherein the plurality of film forming steps includes a film forming step by a CVD method and a film forming step by a sputtering method.
る層を形成するものであることを特徴とする請求項６に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。8. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, wherein the plurality of film forming steps form layers of the same material.
材料による層を形成するものであることを特徴とする請
求項６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。9. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, wherein the plurality of film forming steps form layers made of different materials.
を形成する工程と、ＳｉＮ4 層を形成する工程とを含ん
でいることを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。10. The thin-film magnetic head according to claim 9, wherein the plurality of film-forming steps include a step of forming a SiO 2 layer and a step of forming a SiN 4 layer. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223392A JPH0652517A (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223392A JPH0652517A (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652517A true JPH0652517A (en) | 1994-02-25 |
Family
ID=16779204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22223392A Pending JPH0652517A (en) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652517A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100295935B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-08-07 | 가타오카 마사타카 | Thin film magnetic head |
| US6501626B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor |
| US6563677B2 (en) * | 1997-07-18 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head |
| US7061727B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-06-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head using multilayered varistor material |
| JP2019527476A (en) * | 2016-07-14 | 2019-09-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Inductor structure and method of forming inductor structure |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP22223392A patent/JPH0652517A/en active Pending
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