JPS5835062A - 高周波パルスア−ク溶接回路 - Google Patents
高周波パルスア−ク溶接回路Info
- Publication number
- JPS5835062A JPS5835062A JP13451481A JP13451481A JPS5835062A JP S5835062 A JPS5835062 A JP S5835062A JP 13451481 A JP13451481 A JP 13451481A JP 13451481 A JP13451481 A JP 13451481A JP S5835062 A JPS5835062 A JP S5835062A
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- JP
- Japan
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- current
- capacitor
- transformer
- voltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/09—Arrangements or circuits for arc welding with pulsed current or voltage
- B23K9/091—Arrangements or circuits for arc welding with pulsed current or voltage characterised by the circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、パルスアーク電流の一定化をはかった高周
波パルスアーク＃接回路に関するものである。
波パルスアーク＃接回路に関するものである。
まず、この穐の高周波パルスアーク溶接回路の動作原理
を第１図に基づいて説明する。この第１図に示す高周波
パルスアーク溶接回路において、１は出力電圧がＥの直
流電圧源、２はサイリスタ（電流制御素子）８〜６と、
コンデンサ７ （容量Ｃ）とからなるブリッジ回路、８
はインダクタンｘＬ（Ｄ誘導コイル（または配線インダ
クタンス）、９は被溶接物１０と電極１１とからなる溶
！ｉ１部であり、１２はアークを示している。
を第１図に基づいて説明する。この第１図に示す高周波
パルスアーク溶接回路において、１は出力電圧がＥの直
流電圧源、２はサイリスタ（電流制御素子）８〜６と、
コンデンサ７ （容量Ｃ）とからなるブリッジ回路、８
はインダクタンｘＬ（Ｄ誘導コイル（または配線インダ
クタンス）、９は被溶接物１０と電極１１とからなる溶
！ｉ１部であり、１２はアークを示している。
この絢成でおいて、サイリスタ８．６が点弧されると、
直流電圧ｉ１１、サイリスタ８、コンデンサ７、サイリ
スタ６、Ｗｓ誘導コイル、溶接部９によって直列共振回
路が構成され、コンデンサ７には容量Ｃとインダクタン
スＬとにより決まる周波数！ＩＣ応じた正弦半波電流ｉ
、が流れる。この電流ｉＩが零になるとサイリスタ８，
６はオフし、またこの璽流曇、はコンデンサ７を充電す
るので電流ｉ、が零となった時点でコンデンサ７の両端
間の電圧Ｖｃが正方向ＶｃＩｌｋ大となる。次にサイリ
スタ番、５が点弧されると、直流電圧源１、サイリスタ
５、コンデンサ７、サイリスタ番、誘導コイル８、溶接
部９によって直列共振回路が構成され、コンデンサ７に
は上述した電流ｉＩ とは逆方向に正弦半波電流ｉ、が
流れる。この電流ｉ、が零になると、サイリスタ４＃６
はオフし、またこの時電圧Ｖｃは負方向に最大となる。
直流電圧ｉ１１、サイリスタ８、コンデンサ７、サイリ
スタ６、Ｗｓ誘導コイル、溶接部９によって直列共振回
路が構成され、コンデンサ７には容量Ｃとインダクタン
スＬとにより決まる周波数！ＩＣ応じた正弦半波電流ｉ
、が流れる。この電流ｉＩが零になるとサイリスタ８，
６はオフし、またこの璽流曇、はコンデンサ７を充電す
るので電流ｉ、が零となった時点でコンデンサ７の両端
間の電圧Ｖｃが正方向ＶｃＩｌｋ大となる。次にサイリ
スタ番、５が点弧されると、直流電圧源１、サイリスタ
５、コンデンサ７、サイリスタ番、誘導コイル８、溶接
部９によって直列共振回路が構成され、コンデンサ７に
は上述した電流ｉＩ とは逆方向に正弦半波電流ｉ、が
流れる。この電流ｉ、が零になると、サイリスタ４＃６
はオフし、またこの時電圧Ｖｃは負方向に最大となる。
以との動作を、第２Ｉｉ！！ｌの（イ）に示すサイリス
タ８゜６用の点弧電流Ｉｇｓｓと、ｒｒｅ図の（ロ）に
示すサイリスタ４，６用の点弧電流Ｉｇｎとによって高
周波数で繰り返せは、溶接部９に同図のに）に下すよう
な高周波の正弦半波状のパルスアーク電流ｌを供給する
ことができる。
タ８゜６用の点弧電流Ｉｇｓｓと、ｒｒｅ図の（ロ）に
示すサイリスタ４，６用の点弧電流Ｉｇｎとによって高
周波数で繰り返せは、溶接部９に同図のに）に下すよう
な高周波の正弦半波状のパルスアーク電流ｌを供給する
ことができる。
ところで、この種の高周波パルス了−り溶接回路を用い
た場合、被溶接物を良好に溶接するためには、パルスア
ーク電流の平均値を所定の一定値に保つことが、すなわ
ち被溶接物の溶接個所を一様に溶解させることが極めて
重要であるｏしかしながら第１図に示した溶接ｓ９のよ
うなアーク負荷においては、その両端関知発生するアー
ク電圧Ｖａが Ｖａ＝Ｖｏ＋ｉＢ のように、定電圧成分ｖＯと、パルスアーク電流ｉＫ対
する動抵抗ＲＴ／ｃよって発生される電圧ｉｔ（との和
となり、かつこの動抵抗Ｒが、溶接条件（例えばアーク
１２の長さ）に応じて大きく変動する。そして例えば、
この動抵抗Ｒが増大すると、前述した容量Ｃとインダク
タンスＬとを含んでなる直列共振回路におけるＱが減少
するためコンデンサ７の両端間電圧Ｖｃの振幅は減少し
、これによりパルスアーク電流五のピーク値は減少し、
一方動抵抗Ｒが減少すると％ ＮＩＪ記Ｑが増大するた
め電圧Ｖｃの振幅は増大し、これによりパルスアーク電
流ｉのピーク値は増大する。第２図の（ハ）およびに）
は、この動抵抗Ｒの酔＃に伴なう電圧Ｖｃおよびパルス
アーク電流ｉの変化を示すもので、この図における期間
Ｔ、は動抵抗Ｒがある一定の値Ｒ０である場合、期間Ｔ
！は動抵抗Ｒが抵抗値島より大きな一定の値Ｒ８である
場合、期間Ｔ、は動抵抗Ｒが零の場合に各々対応してい
る。
た場合、被溶接物を良好に溶接するためには、パルスア
ーク電流の平均値を所定の一定値に保つことが、すなわ
ち被溶接物の溶接個所を一様に溶解させることが極めて
重要であるｏしかしながら第１図に示した溶接ｓ９のよ
うなアーク負荷においては、その両端関知発生するアー
ク電圧Ｖａが Ｖａ＝Ｖｏ＋ｉＢ のように、定電圧成分ｖＯと、パルスアーク電流ｉＫ対
する動抵抗ＲＴ／ｃよって発生される電圧ｉｔ（との和
となり、かつこの動抵抗Ｒが、溶接条件（例えばアーク
１２の長さ）に応じて大きく変動する。そして例えば、
この動抵抗Ｒが増大すると、前述した容量Ｃとインダク
タンスＬとを含んでなる直列共振回路におけるＱが減少
するためコンデンサ７の両端間電圧Ｖｃの振幅は減少し
、これによりパルスアーク電流五のピーク値は減少し、
一方動抵抗Ｒが減少すると％ ＮＩＪ記Ｑが増大するた
め電圧Ｖｃの振幅は増大し、これによりパルスアーク電
流ｉのピーク値は増大する。第２図の（ハ）およびに）
は、この動抵抗Ｒの酔＃に伴なう電圧Ｖｃおよびパルス
アーク電流ｉの変化を示すもので、この図における期間
Ｔ、は動抵抗Ｒがある一定の値Ｒ０である場合、期間Ｔ
！は動抵抗Ｒが抵抗値島より大きな一定の値Ｒ８である
場合、期間Ｔ、は動抵抗Ｒが零の場合に各々対応してい
る。
このように第１図に示したような高周波パルスアーク溶
接回路においては、動抵抗Ｒの変ＩＩＩＶＣ応じて電圧
Ｖｃの振−が大きく変化し、またこれによりパルスアー
ク電流ｉの平均値が大きく変化してしまうという８１１
ｉがあった。
接回路においては、動抵抗Ｒの変ＩＩＩＶＣ応じて電圧
Ｖｃの振−が大きく変化し、またこれによりパルスアー
ク電流ｉの平均値が大きく変化してしまうという８１１
ｉがあった。
この発明は、このような事情ＶＣ＃１みてなされたもの
で、その目的とするところは、パルスアーク電流の平均
値を一走に保持することができる高周波パルスアーク溶
掻回路を提供することにある。
で、その目的とするところは、パルスアーク電流の平均
値を一走に保持することができる高周波パルスアーク溶
掻回路を提供することにある。
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第３８！Ｊは、この発明の一実施例の構成を示す回路図
であり、この図において第１図の各部に対応する部分（
は同一の符号を付しである。第３図において、１は可変
型の直流電圧源であり、図示せぬ交流入力を１１１１％
角制御されたサイリスタによって整流する整流回路１ｍ
と、この整流回路１ｍの整流出力を平滑するチ璽−クコ
イル１ｂと、平滑コンデンサＩＣとからなっている。ブ
リッジ回路８ｖｃおけるコンデンサフには、所定の磁束
飽和特性を持つ可飽和リアク）ル１８が直列に介挿され
ると共【、巻線比がｎ対ｌのＦランス１４の１次巻＊Ｘ
＊ａが並列に介挿されている。１６はダイオード１６．
１フ、１８．１９がブリッジ接続されてなる全波整流回
路であり、その交流入力端１６礁、１６ｂの間には前記
）ランス１４の２次巻１１１４ｂが介挿され、またその
正側の直流出力端１６０は前記直流電圧源１の正側出力
端１ｄに接続され、負側の直流出力端１６ｄは直流電圧
源ｌの負側出力端１ｅＶｃ！１統されている。
であり、この図において第１図の各部に対応する部分（
は同一の符号を付しである。第３図において、１は可変
型の直流電圧源であり、図示せぬ交流入力を１１１１％
角制御されたサイリスタによって整流する整流回路１ｍ
と、この整流回路１ｍの整流出力を平滑するチ璽−クコ
イル１ｂと、平滑コンデンサＩＣとからなっている。ブ
リッジ回路８ｖｃおけるコンデンサフには、所定の磁束
飽和特性を持つ可飽和リアク）ル１８が直列に介挿され
ると共【、巻線比がｎ対ｌのＦランス１４の１次巻＊Ｘ
＊ａが並列に介挿されている。１６はダイオード１６．
１フ、１８．１９がブリッジ接続されてなる全波整流回
路であり、その交流入力端１６礁、１６ｂの間には前記
）ランス１４の２次巻１１１４ｂが介挿され、またその
正側の直流出力端１６０は前記直流電圧源１の正側出力
端１ｄに接続され、負側の直流出力端１６ｄは直流電圧
源ｌの負側出力端１ｅＶｃ！１統されている。
次に以上の構ｉ１Ｘ：おけるこの実施例の動作を第１図
に示すタイムチャートを参照しながら説明する。
に示すタイムチャートを参照しながら説明する。
今、時刻ｔ１ において第μ図の（イ）７２：示す点弧
電流Ｉｇｓｓによりサイリスタ８，６が導通され、同図
のに）・に示すようにパルスアーク電流ｉが流れると、
電圧Ｖｃは同図の（ハ）に示すように１昇し、これに伴
ないＦランス１４の２凍着１１［１４ｂのＪｉ＋端間電
圧Ｖ、は−■立」となって増大する。この場合、ダイオ
ード１６〜１９け未だいずれもオフ状態のため、パルス
アーク電流ｉはコンデンサフを介して流れる。そして時
刻ｔ、 において電圧Ｖｃが正方向に「ｎＥ」に連する
と、電圧Ｖ、もｒＥＪに遠し、ダイオード１６．１９ま
たはダイオード１７．１８が導通ｊ゛る。この結果、こ
の時刻ｔ。
電流Ｉｇｓｓによりサイリスタ８，６が導通され、同図
のに）・に示すようにパルスアーク電流ｉが流れると、
電圧Ｖｃは同図の（ハ）に示すように１昇し、これに伴
ないＦランス１４の２凍着１１［１４ｂのＪｉ＋端間電
圧Ｖ、は−■立」となって増大する。この場合、ダイオ
ード１６〜１９け未だいずれもオフ状態のため、パルス
アーク電流ｉはコンデンサフを介して流れる。そして時
刻ｔ、 において電圧Ｖｃが正方向に「ｎＥ」に連する
と、電圧Ｖ、もｒＥＪに遠し、ダイオード１６．１９ま
たはダイオード１７．１８が導通ｊ゛る。この結果、こ
の時刻ｔ。
以後のパルスアーク電流ｉは、トランス１４の／次春１
ｉ １４ ａを介して流れるようになり、コンデンサ７
に流れていた電流ｉｃ１は零となるから電圧ＶＣは「ｎ
Ｅ」以上には上昇しなくなる。そしてこの場合、トラン
ス１４の／次巻＠ １４ ｍに流れる電流によって発生
される電力（第１Ｉ図のに）の＠１部分）は、このトラ
ンス１４と整流回路１５とを介して直流電圧源１へ回生
される。なおこの場合、時刻ｔ！以後のパルスアーク電
流目ま第ダ図の（→に示すように、点線で示す正弦半波
波形には沿わず、直線的で減少する。次に、時刻ｔ、に
おいて、第ｑ図の（ロ）（示す点弧電流Ｉｇ匂によって
サイリスタ鳴、５ｔｌｉ導通された場合は、時刻ｔ４に
おいて電圧Ｖｃが負方向’Ｉｃ ［ｎＢＪ ＶＣ達する
と、以後パルスアーク電流１はコンデンサ７を介さずト
ランス１４の１次巻―トｉを介して流れるようになり、
電圧Ｖｃは「−ｎＥＪ以下には下降しなくなる。。また
この場合も、上述した動作と同様にトランス１４の１次
巻＠に流れる電流によって発生される電力は直流電圧源
１へ回生される。
ｉ １４ ａを介して流れるようになり、コンデンサ７
に流れていた電流ｉｃ１は零となるから電圧ＶＣは「ｎ
Ｅ」以上には上昇しなくなる。そしてこの場合、トラン
ス１４の／次巻＠ １４ ｍに流れる電流によって発生
される電力（第１Ｉ図のに）の＠１部分）は、このトラ
ンス１４と整流回路１５とを介して直流電圧源１へ回生
される。なおこの場合、時刻ｔ！以後のパルスアーク電
流目ま第ダ図の（→に示すように、点線で示す正弦半波
波形には沿わず、直線的で減少する。次に、時刻ｔ、に
おいて、第ｑ図の（ロ）（示す点弧電流Ｉｇ匂によって
サイリスタ鳴、５ｔｌｉ導通された場合は、時刻ｔ４に
おいて電圧Ｖｃが負方向’Ｉｃ ［ｎＢＪ ＶＣ達する
と、以後パルスアーク電流１はコンデンサ７を介さずト
ランス１４の１次巻―トｉを介して流れるようになり、
電圧Ｖｃは「−ｎＥＪ以下には下降しなくなる。。また
この場合も、上述した動作と同様にトランス１４の１次
巻＠に流れる電流によって発生される電力は直流電圧源
１へ回生される。
このように、この実施例によれば、アーク１２における
動抵抗Ｒと、コンデンサ７の容量Ｃと、誘導コイル８の
インダクタンスＬとにより決まる直列共振回路のＱが、
電圧Ｖｃが「ｎＢＪまたは「−ｎ）３ＪＶｃ到達する程
度に大である範囲においては、動抵抗Ｒが如何に変動し
ても電圧Ｖｃを「ｎＥＪと「−ｎＢＪとに各々クランプ
することが、すなわち電圧Ｖｃの振幅を［ＪｎＥＪに一
定化することができ、これによりパルスアーク電流ｉの
平均値を略一定に保持させることができる。
動抵抗Ｒと、コンデンサ７の容量Ｃと、誘導コイル８の
インダクタンスＬとにより決まる直列共振回路のＱが、
電圧Ｖｃが「ｎＢＪまたは「−ｎ）３ＪＶｃ到達する程
度に大である範囲においては、動抵抗Ｒが如何に変動し
ても電圧Ｖｃを「ｎＥＪと「−ｎＢＪとに各々クランプ
することが、すなわち電圧Ｖｃの振幅を［ＪｎＥＪに一
定化することができ、これによりパルスアーク電流ｉの
平均値を略一定に保持させることができる。
なお、パルスアーク電流ｉの平均値な増減させたい場合
は、整流回路１ａにおけるサイリスタの導通角を変化さ
せて、直流電、圧源１の出力電圧Ｂを増減させ、これだ
より電圧Ｖｃの振幅「２ｎＥ」を増減させ′ればよい。
は、整流回路１ａにおけるサイリスタの導通角を変化さ
せて、直流電、圧源１の出力電圧Ｂを増減させ、これだ
より電圧Ｖｃの振幅「２ｎＥ」を増減させ′ればよい。
またパルスアーク電流ｉの平均値を増減させる他の方法
としては、直流電圧源ｌの出力電圧Ｅを置市しておき、
サイリスタ８゜６とサイリスタ４，６の各点弧電流Ｉｇ
ｍ、Ｉ ｇ４゜の周期を増減させることも考えられる。
としては、直流電圧源ｌの出力電圧Ｅを置市しておき、
サイリスタ８゜６とサイリスタ４，６の各点弧電流Ｉｇ
ｍ、Ｉ ｇ４゜の周期を増減させることも考えられる。
またこの実施例においては、この高周波パルスアーク溶
接回路がＴＩＧ溶ｍ％に用いられる場合を考慮して、コ
ンデンサ７に直列に可飽和リアクトル１８が介挿されて
いる。この可飽和リアクトル１８は、サイリスタ８〜６
のターンオン時、りｉ −ンオ７時の１１を減少させ、これによりパルスアーク
電流ｉが逆極性領域に入るのを防止するものであり、こ
の可飽和リアクトル１８の作用によリアーク１２が一層
安定化される。
接回路がＴＩＧ溶ｍ％に用いられる場合を考慮して、コ
ンデンサ７に直列に可飽和リアクトル１８が介挿されて
いる。この可飽和リアクトル１８は、サイリスタ８〜６
のターンオン時、りｉ −ンオ７時の１１を減少させ、これによりパルスアーク
電流ｉが逆極性領域に入るのを防止するものであり、こ
の可飽和リアクトル１８の作用によリアーク１２が一層
安定化される。
以上説明したように、この発明による高周波パルスアー
ク溶接回路は、直流電圧源と、第１〜第ダのサイリスタ
とコンデンサとからなるブリッジ回路と、誘導コイルと
が直列接続されてなるものにおいて、前記コンデンサに
トランスを並列接続し、このトランスの出力を余波整流
して前記直流電圧源に回生するようにしたものであるか
ら、前記ブリッジ回路におけるコンデンサの両端間電圧
を開学な回路構成でより任意の一定ｉ＊にクランプさせ
ることができ、これによりパルスアーク電流を溶接条件
の如何にかかわらず一走化させることができるので、ま
たパルスアーク溶接法のもつ原理的特徴がいかんなく発
揮される故、溶接むらのない極めて良好な溶接を行なう
ことができる。またこの発明によれば、アーク負荷が短
絡された場合の回路の保論な行なうこともできる。また
前記ブリッジ回路におけるコンデンサに可飽和リアクシ
ルを直列に介挿したので、アーク電流が逆極性領域に入
ることがなくなり、極めて安定したＴＩＧ溶接等を行な
うことも可能になる。
ク溶接回路は、直流電圧源と、第１〜第ダのサイリスタ
とコンデンサとからなるブリッジ回路と、誘導コイルと
が直列接続されてなるものにおいて、前記コンデンサに
トランスを並列接続し、このトランスの出力を余波整流
して前記直流電圧源に回生するようにしたものであるか
ら、前記ブリッジ回路におけるコンデンサの両端間電圧
を開学な回路構成でより任意の一定ｉ＊にクランプさせ
ることができ、これによりパルスアーク電流を溶接条件
の如何にかかわらず一走化させることができるので、ま
たパルスアーク溶接法のもつ原理的特徴がいかんなく発
揮される故、溶接むらのない極めて良好な溶接を行なう
ことができる。またこの発明によれば、アーク負荷が短
絡された場合の回路の保論な行なうこともできる。また
前記ブリッジ回路におけるコンデンサに可飽和リアクシ
ルを直列に介挿したので、アーク電流が逆極性領域に入
ることがなくなり、極めて安定したＴＩＧ溶接等を行な
うことも可能になる。
第１図は従来の高周波パルスアーク溶接回路の回路図′
、第２図は同回路の動作を説明するためのタイムチャー
ト、第３図はこの発明の一実施例の１１１鱗を示す回路
図、第１図は同実施例の動作を説明するためのタイムチ
ャートである。 １・・・・・・直流電圧源、２・・・・・・ブリッジ回
路、８〜６・・・・・・電流ＩＩ！御素子（サイリスタ
）、フ・・・・・・コンデンサ、８・・・・・・誘導コ
イル、９・・・・・・溶接部、１８・・・・・・可飽和
リアクトル、１４・・・・・・トランス、１５・・・・
・・全波整流回路。 出−大神＃ＩＩＩＩＩＥ機株式会社
、第２図は同回路の動作を説明するためのタイムチャー
ト、第３図はこの発明の一実施例の１１１鱗を示す回路
図、第１図は同実施例の動作を説明するためのタイムチ
ャートである。 １・・・・・・直流電圧源、２・・・・・・ブリッジ回
路、８〜６・・・・・・電流ＩＩ！御素子（サイリスタ
）、フ・・・・・・コンデンサ、８・・・・・・誘導コ
イル、９・・・・・・溶接部、１８・・・・・・可飽和
リアクトル、１４・・・・・・トランス、１５・・・・
・・全波整流回路。 出−大神＃ＩＩＩＩＩＥ機株式会社
Claims (1)
- （１）■直流電圧源と、■順次直列に介挿された第八＄
２の電流制御素子と、順次直列に介挿、された第３、第
グの電流制御素子とを同一電流方向に並列接続すると共
に前記第１．第２の電流制御素子の接続点と前記第３、
餉弘の電流制御素子の接続点との間にコンデンサを介挿
してなるブリッジ回路と、■配線インダクタンスまたは
誘導コイルと、を直列接続して共振回路を構威し、前記
第１．第≠の電流制御素子と前記第２、第３の電流制御
素子とを交互に導通させて前記共振回路に直列に介挿さ
れる溶接部にパルスアーク電流を供給するようにした高
周波パルスアーク溶接回路において、１？記コンデンサ
に一次巻線が並列に介挿されるトランスと、交流入力端
が前記トランスの２次巻伽に接続され直流出力端が前記
直流電圧源に並列に接続される余波整流回路とを設けた
ことを特徴とする高周波パルスアーク溶接回路。 （ｆｆｉ） ＩＩｔｌＥコンデンサ忙可飽和リアクト
ルを直列に介挿してなる特許請求の範囲第１項記載の高
周波パルスアークＷ！Ｉ！１１回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13451481A JPS5835062A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 高周波パルスア−ク溶接回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13451481A JPS5835062A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 高周波パルスア−ク溶接回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835062A true JPS5835062A (ja) | 1983-03-01 |
| JPH0138596B2 JPH0138596B2 (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=15130101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13451481A Granted JPS5835062A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | 高周波パルスア−ク溶接回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835062A (ja) |
-
1981
- 1981-08-27 JP JP13451481A patent/JPS5835062A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138596B2 (ja) | 1989-08-15 |
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