JPS5833882A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5833882A JPS5833882A JP56132355A JP13235581A JPS5833882A JP S5833882 A JPS5833882 A JP S5833882A JP 56132355 A JP56132355 A JP 56132355A JP 13235581 A JP13235581 A JP 13235581A JP S5833882 A JPS5833882 A JP S5833882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- plane
- wafer
- light emitting
- metal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は異常放射を抑止した発光パターンの良好な発
光ダイオードの製造方法に関するものである。
光ダイオードの製造方法に関するものである。
発光ダイオードから射出される側面光を位置検出などに
使用する場合、その発光パターンがｐｎ接合面部から放
射される単一パターンのみで、異常放射パターンがない
ことが望まれる。ところが、従来の発光ダイオードは第
１図Ａに示すような構造を有している。図において、（
１）はｎ形半導体基板、（２）はｎ形基板ｉ１＋の一方
の主面上に形成されたｐ形層、（３）および（４）はそ
れぞれｐ、形＊ （２１およびｎ形基板（１）の表面に
形成された金属電極である。この発光ダイオードは両金
属電極（３）および（４）間に電圧を印加すると側面光
を射出するのであるが、第１図Ｂはその放射光パターン
を示す図で、縦軸は第１図Ａの発光ダイオードのｐｎ接
合面に直角な方向の各部位置に対応させてあり、横軸は
光出力強簾を示す。図示のようにｐｎ接合面部から放射
される王放射パターン（イ）の他に、ｎ形基板＋１）と
金属電極（４）との界面での反射などによる異常放射パ
ターン（ロ）が発生する。そしてこの異常放射パターン
（ロ）は上述の位置検出器の光源として使用する場合な
とに、その１動作の原因となるものである。
使用する場合、その発光パターンがｐｎ接合面部から放
射される単一パターンのみで、異常放射パターンがない
ことが望まれる。ところが、従来の発光ダイオードは第
１図Ａに示すような構造を有している。図において、（
１）はｎ形半導体基板、（２）はｎ形基板ｉ１＋の一方
の主面上に形成されたｐ形層、（３）および（４）はそ
れぞれｐ、形＊ （２１およびｎ形基板（１）の表面に
形成された金属電極である。この発光ダイオードは両金
属電極（３）および（４）間に電圧を印加すると側面光
を射出するのであるが、第１図Ｂはその放射光パターン
を示す図で、縦軸は第１図Ａの発光ダイオードのｐｎ接
合面に直角な方向の各部位置に対応させてあり、横軸は
光出力強簾を示す。図示のようにｐｎ接合面部から放射
される王放射パターン（イ）の他に、ｎ形基板＋１）と
金属電極（４）との界面での反射などによる異常放射パ
ターン（ロ）が発生する。そしてこの異常放射パターン
（ロ）は上述の位置検出器の光源として使用する場合な
とに、その１動作の原因となるものである。
てこで、この撞発光ダイオードにおいて、上記異常放射
パターンを除去するだめの改良された発光ダイオードの
構成方法を第２図について説明する。ｎ形基板ｆｉｌの
一方の主面上にｐ形層（２）を形成した彼、ｎ形基板＋
１１の他方の工面部にＰＪｒ、！２間隔で溝１ｂｌを形
成し、ｐ形層（２）の表面には第１の金属電極（３）會
Ω形基板＋１＋の表面には錦（６）の内面を含めて第２
の金桶電極（４ａ）を形成した後に、各溝（６）の部分
（図示Ｘ−Ｘ線）で切断することによって個々の発光ダ
イオードを構成させるものである。
パターンを除去するだめの改良された発光ダイオードの
構成方法を第２図について説明する。ｎ形基板ｆｉｌの
一方の主面上にｐ形層（２）を形成した彼、ｎ形基板＋
１１の他方の工面部にＰＪｒ、！２間隔で溝１ｂｌを形
成し、ｐ形層（２）の表面には第１の金属電極（３）會
Ω形基板＋１＋の表面には錦（６）の内面を含めて第２
の金桶電極（４ａ）を形成した後に、各溝（６）の部分
（図示Ｘ−Ｘ線）で切断することによって個々の発光ダ
イオードを構成させるものである。
第３図Ａはこのようにして得られた改良された発光ダイ
オードを示す断面図、第３図Ｂはその放射光パターンを
示す図である。この改良された発光ダイオードではｎ形
基板ｆｌｉ側の第２０金輌電極（４ａ）がその表面から
折曲ってｎ形基板（１）の側面の一部を覆っているので
、この部分を通って放射される異常放射は抑止され、第
３図Ｂに示すように放射光パターンは王放射パターン（
イ）のみとなり理想的なパターンとなる。
オードを示す断面図、第３図Ｂはその放射光パターンを
示す図である。この改良された発光ダイオードではｎ形
基板ｆｌｉ側の第２０金輌電極（４ａ）がその表面から
折曲ってｎ形基板（１）の側面の一部を覆っているので
、この部分を通って放射される異常放射は抑止され、第
３図Ｂに示すように放射光パターンは王放射パターン（
イ）のみとなり理想的なパターンとなる。
ここで、まず、第２図の半導体接合体の製造方法を詳述
しておく〇一般に液相成長法が用いらべ製造する半導体
基板の大きさに見合った過飽和分の析出されるべき成分
を含む溶液（半導体メルト）をメルト溜に仕込み、これ
を、一度合全温度まで上昇させて合金を行ない、そのま
まの合金メルトの状態でｎ形基板（＋ｊの上にスライド
して１〜２℃温度上昇させたあと、数分間保ち炉体に設
置したプログラマで徐冷してｎ形基板（１）上に結晶を
析出させる。このようにして、成長温度を保持し基板上
に順次結晶成長全行って半導体結晶を製造する。この結
晶成長したｐ形層（２）の主表面に低比抵抗のｐ形層を
形成するために、亜鉛（ｚｎ）とヒ素（Ａ、］）とを拡
散源とし真空封止拡散を数時間行なう、炉体の温度に数
百度で実施し、真空封止した石英管からのをり出しの際
は石英管の先端を急冷すると、Ｚ、、Ａ８の蒸発源が先
端に集壕り結晶成長の主表面への付着が軽減され、後工
程のパフ研磨が容易とな妬氷水で石英管を十分冷やした
後、石英管を切断して結晶成長ウェーハな取り出し、水
洗を充分性ない、その後日素ガスで吹き付は乾燥を行な
う。次に結晶成長ウェーハのｐ形層（２）の主表面に付
着した、ｚＩ、またはＡ８で形成された薄Ｂ′ｆ除去す
るために結晶成長ウェーハのｐ形層（２）の表面を上に
して治具にはり付け、上面の汚れ、結晶成長の際に生じ
る突起等を除去し、次にバフ研磨盤上にｐ形層（２）の
表面を置き、アルミナ粒の懸濡液を注入しながら回転し
研磨する。次に研＠を完了したウェーハを取りはずしト
リクレン煮沸処理で仕上ける。このウェーハを電極形成
のために公知の蒸着法でもってｐ形層（２）の表面に第
１の金属電極（３）形成を施し、次に結晶成長ウェーハ
の厚みを均一にするために裏面〔ｎ形基板（１）〕にエ
エラチンを施す。次にｐ形層（２）の表面に形成した第
１の金属電極（３）を所定の間隔ｆ閣てた数十個の独立
した金属電極に公知の写真製版波射で分割し、また同時
に写真製版技術で裏面に上記所定間隔に対応した間隔で
タイシングラインを形成する。次に、写真製版の側斜で
ある物質を除去した後、熱処理を行ないオー上ツク接触
を得る。次ＶＣ、ダイシングラインを形成しｉｎ形基板
１＋１（Ｈｌｌの面を上にしてシリコン板または同様の
平面板に結晶成長ウェーハをはり付ける。次ＶＣダイシ
ングンーで夕°イシングラインに合わせてライン状の凹
溝（５）を形成する０この隙、ｐｎ接合まテタイシング
ンーが深く切り込まないように注意する。次に、ダイシ
ングを完了したウェーハに＃Ｌ酸などで溝ユッテングを
施し、タイシングンーで生じた機械的破壊層を除去する
。つづいて、シリコン板等の平面板を取除いで、結晶成
長ウェーハにトリクレン煮沸処理を施した後に、第２の
全極電極（４ａ）を蒸着によって形成するのである。
しておく〇一般に液相成長法が用いらべ製造する半導体
基板の大きさに見合った過飽和分の析出されるべき成分
を含む溶液（半導体メルト）をメルト溜に仕込み、これ
を、一度合全温度まで上昇させて合金を行ない、そのま
まの合金メルトの状態でｎ形基板（＋ｊの上にスライド
して１〜２℃温度上昇させたあと、数分間保ち炉体に設
置したプログラマで徐冷してｎ形基板（１）上に結晶を
析出させる。このようにして、成長温度を保持し基板上
に順次結晶成長全行って半導体結晶を製造する。この結
晶成長したｐ形層（２）の主表面に低比抵抗のｐ形層を
形成するために、亜鉛（ｚｎ）とヒ素（Ａ、］）とを拡
散源とし真空封止拡散を数時間行なう、炉体の温度に数
百度で実施し、真空封止した石英管からのをり出しの際
は石英管の先端を急冷すると、Ｚ、、Ａ８の蒸発源が先
端に集壕り結晶成長の主表面への付着が軽減され、後工
程のパフ研磨が容易とな妬氷水で石英管を十分冷やした
後、石英管を切断して結晶成長ウェーハな取り出し、水
洗を充分性ない、その後日素ガスで吹き付は乾燥を行な
う。次に結晶成長ウェーハのｐ形層（２）の主表面に付
着した、ｚＩ、またはＡ８で形成された薄Ｂ′ｆ除去す
るために結晶成長ウェーハのｐ形層（２）の表面を上に
して治具にはり付け、上面の汚れ、結晶成長の際に生じ
る突起等を除去し、次にバフ研磨盤上にｐ形層（２）の
表面を置き、アルミナ粒の懸濡液を注入しながら回転し
研磨する。次に研＠を完了したウェーハを取りはずしト
リクレン煮沸処理で仕上ける。このウェーハを電極形成
のために公知の蒸着法でもってｐ形層（２）の表面に第
１の金属電極（３）形成を施し、次に結晶成長ウェーハ
の厚みを均一にするために裏面〔ｎ形基板（１）〕にエ
エラチンを施す。次にｐ形層（２）の表面に形成した第
１の金属電極（３）を所定の間隔ｆ閣てた数十個の独立
した金属電極に公知の写真製版波射で分割し、また同時
に写真製版技術で裏面に上記所定間隔に対応した間隔で
タイシングラインを形成する。次に、写真製版の側斜で
ある物質を除去した後、熱処理を行ないオー上ツク接触
を得る。次ＶＣ、ダイシングラインを形成しｉｎ形基板
１＋１（Ｈｌｌの面を上にしてシリコン板または同様の
平面板に結晶成長ウェーハをはり付ける。次ＶＣダイシ
ングンーで夕°イシングラインに合わせてライン状の凹
溝（５）を形成する０この隙、ｐｎ接合まテタイシング
ンーが深く切り込まないように注意する。次に、ダイシ
ングを完了したウェーハに＃Ｌ酸などで溝ユッテングを
施し、タイシングンーで生じた機械的破壊層を除去する
。つづいて、シリコン板等の平面板を取除いで、結晶成
長ウェーハにトリクレン煮沸処理を施した後に、第２の
全極電極（４ａ）を蒸着によって形成するのである。
ところで、この第２の金ｊ＠電極（４ａ）の形成にあた
って、凹溝（６）の内壁面全体に蒸着膜が均一に形成す
る必要がある。第４図は従来の蒸着方式を説明するだめ
の模式断面図で、（６）は上記の凹溝形成を完了したウ
ェーハ、（７）はその受は皿、（８）は蒸着源である。
って、凹溝（６）の内壁面全体に蒸着膜が均一に形成す
る必要がある。第４図は従来の蒸着方式を説明するだめ
の模式断面図で、（６）は上記の凹溝形成を完了したウ
ェーハ、（７）はその受は皿、（８）は蒸着源である。
図示のように、この従来の蒸着方式でｔま、すべてのウ
ェーハ（６１ｆ蒸着源（８）に対して垂直になるように
覚り皿（７）の上に並べて蒸着を行なうので、膜厚も均
一であり、現在、半導体工業で広く使用されている。し
かし、蒸着物質は蒸着源（８）からウェーハ（６）の工
面に直角に飛来するので、その主面と平行な面には均一
に蒸着するが、凹溝（５）の内側壁面のように工面に直
角な面には蒸着膜は生成され難い。従って、この発光ダ
イオードの第２の金属電極（４ａ）としては不適当であ
る。
ェーハ（６１ｆ蒸着源（８）に対して垂直になるように
覚り皿（７）の上に並べて蒸着を行なうので、膜厚も均
一であり、現在、半導体工業で広く使用されている。し
かし、蒸着物質は蒸着源（８）からウェーハ（６）の工
面に直角に飛来するので、その主面と平行な面には均一
に蒸着するが、凹溝（５）の内側壁面のように工面に直
角な面には蒸着膜は生成され難い。従って、この発光ダ
イオードの第２の金属電極（４ａ）としては不適当であ
る。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、半
導体ウェーハの裏面側の第２の金属電極がその裏面から
折曲ってウェーハの側面の一部にわたって均一に形成さ
れ、裏面部からの光の異常放射のない発光ダイオードあ
製造方法を提供することを目的としている。
導体ウェーハの裏面側の第２の金属電極がその裏面から
折曲ってウェーハの側面の一部にわたって均一に形成さ
れ、裏面部からの光の異常放射のない発光ダイオードあ
製造方法を提供することを目的としている。
第５図はこの発明に用いる蒸着装置の一例を示す模式断
面図で、（９）は主軸（１０）によって回転（この回転
を公転と呼ぶ）駆動される回転台、（９ａ）は回転台（
９）の一部を構成し上記公転とは別に後述の機構によっ
てそれ自身の中心の周りに回転（この回軸）０舊を支承
する自転軸支承板、Ｑ３１は主軸（ｌＯ）に固定され自
転軸（＋２１が負通するとともにウェーハ支持台（９ａ
） ｆボールベアリング（＋４）を介して支承するウェ
ーハ支持台支承板、Ｑ輪はこの装置全体を駆動する主駆
動軸、（１６ａ）、 （１６ｂ）は主駆動軸（１５）の
駆動力を主軸（ｌＯ）に伝えるかさ歯車、（１′７１は
主軸（１０１の回転によって自転軸（１２１を駆動する
ベルトである。
面図で、（９）は主軸（１０）によって回転（この回転
を公転と呼ぶ）駆動される回転台、（９ａ）は回転台（
９）の一部を構成し上記公転とは別に後述の機構によっ
てそれ自身の中心の周りに回転（この回軸）０舊を支承
する自転軸支承板、Ｑ３１は主軸（ｌＯ）に固定され自
転軸（＋２１が負通するとともにウェーハ支持台（９ａ
） ｆボールベアリング（＋４）を介して支承するウェ
ーハ支持台支承板、Ｑ輪はこの装置全体を駆動する主駆
動軸、（１６ａ）、 （１６ｂ）は主駆動軸（１５）の
駆動力を主軸（ｌＯ）に伝えるかさ歯車、（１′７１は
主軸（１０１の回転によって自転軸（１２１を駆動する
ベルトである。
このような構成の装置のウェーハ支持台（９ａ）上に、
第４図に示したような半導体ウェーハ（６）を凹溝（５
）を形成した裏面側を上にして載置し、主駆動軸（Ｉ（
へ）をモータなどで回転駆動しながら蒸着源（８）から
蒸着を行なう。このとき上述の機構から明らかなように
、ウェーハ支持台（９ａ）上の半導体ウェーハ［６１ｔ
ｉ自転しながら公転するので、その裏面（上を向いてい
る）側はその凹溝（６）の内側壁面にも均一に蒸着膜を
形成させることができる。なお、このとき凹溝（５）の
溝幅と溝の深さとがほぼ等しいとすると、ウエーノ・支
持台（９ａ）の最外周位置から蒸着源（８）を見る仰角
（図示θ１）で４ｇあれは凹溝（５）の内側壁面全面に
蒸着が可能である０また最内周位置からの仰角（図示θ
２）は、この装置の機械的構成上の制約から８？が適当
であろう。従って、上記仰角範囲は４ｇ〜８！！りとし
た。
第４図に示したような半導体ウェーハ（６）を凹溝（５
）を形成した裏面側を上にして載置し、主駆動軸（Ｉ（
へ）をモータなどで回転駆動しながら蒸着源（８）から
蒸着を行なう。このとき上述の機構から明らかなように
、ウェーハ支持台（９ａ）上の半導体ウェーハ［６１ｔ
ｉ自転しながら公転するので、その裏面（上を向いてい
る）側はその凹溝（６）の内側壁面にも均一に蒸着膜を
形成させることができる。なお、このとき凹溝（５）の
溝幅と溝の深さとがほぼ等しいとすると、ウエーノ・支
持台（９ａ）の最外周位置から蒸着源（８）を見る仰角
（図示θ１）で４ｇあれは凹溝（５）の内側壁面全面に
蒸着が可能である０また最内周位置からの仰角（図示θ
２）は、この装置の機械的構成上の制約から８？が適当
であろう。従って、上記仰角範囲は４ｇ〜８！！りとし
た。
以上詳述したように、この発明の方法では裏面側の＠２
の金属電極を形成するに当って裏面に凹溝を形成したウ
エーノ・を蒸着源を望む仰角が所要の範囲にあるような
領域内で自転および公転させながら蒸着形成し、その後
に上記凹溝部で分離して個々の発光ダイオードを得るよ
うにしたので、第２の金属電極は裏面は勿論そこから折
曲ってダイオードの側面の一部にわたって均一に形成さ
れ裏面部からの光の異常放射のない発光ダイオードが製
造できる。
の金属電極を形成するに当って裏面に凹溝を形成したウ
エーノ・を蒸着源を望む仰角が所要の範囲にあるような
領域内で自転および公転させながら蒸着形成し、その後
に上記凹溝部で分離して個々の発光ダイオードを得るよ
うにしたので、第２の金属電極は裏面は勿論そこから折
曲ってダイオードの側面の一部にわたって均一に形成さ
れ裏面部からの光の異常放射のない発光ダイオードが製
造できる。
ヰ、 ＋ｖ６ｅ−＄ＩｒＪａＮ
第１図Ａは従来の発光ダイオードを示す断面図、第１図
Ｂはその放射光パターンを示す図、第２図れた発光ダイ
オードを示す断面図、第３図Ｂはその放射光パターンを
示す図、第４図は従来の金属電極蒸着方式を示す模式断
面図、第５図はこの発明に用いる蒸着装置を示す模式断
面図である。
Ｂはその放射光パターンを示す図、第２図れた発光ダイ
オードを示す断面図、第３図Ｂはその放射光パターンを
示す図、第４図は従来の金属電極蒸着方式を示す模式断
面図、第５図はこの発明に用いる蒸着装置を示す模式断
面図である。
図において、ｆｉｌはｎ形（第１伝導形）の半導体基板
、（２）はｐ形層（第２伝導形の半導体層’） 、＋３
１は第１の金属電極、（４ａ） Ｆｉ第２の金属電極、
（６）は凹溝、（８）は蒸着源、（９ａ）はウェーハ支
持台である０ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 Ａ Ｂ □先止力 第２図 第３°１゛４ Ａ Ｂ 第４ Ｐｉ 第５１４
、（２）はｐ形層（第２伝導形の半導体層’） 、＋３
１は第１の金属電極、（４ａ） Ｆｉ第２の金属電極、
（６）は凹溝、（８）は蒸着源、（９ａ）はウェーハ支
持台である０ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 Ａ Ｂ □先止力 第２図 第３°１゛４ Ａ Ｂ 第４ Ｐｉ 第５１４
Claims (1)
- ｆｉｌ 第１伝導形の半°導体基板上に第２伝導形の
半導体層を形成する工程、上記第２伝導形の半導体層の
表面部に第２伝導形の低比抵抗半導体層を形成する工程
、上記低比抵抗半導体層の表面上に金属膜を被着させる
工程、上記金属膜を互いに独立した複数個の第１の金属
電極に分割する工程、上記半導体基板の裏面部の上記第
１の金属電極相互間の間隙に対応する部分に凹溝を形成
する工程、上記半導体基板の裏面上に上記凹溝の内壁面
上をも含めて金属膜を被着させ第２の金属電極を形成す
る工程、及び上記各工程を経て得られたウェーハを上記
凹溝の形成部で分離して複数個の発光ダイオードを得る
工程を備えた発光ダイオードの製造方法において、上記
第２の金属電極の形成に当って、上記第２の金属電極形
成前の上記ウェーハを電極金属の蒸着源に対向した平面
上に取υつけ、上記蒸着源設置位置を望む仰角が４！Ｉ
Ｐないし８？の範囲にあるような領域内で上記平面と平
行な面内で自転させながら上記蒸着源から上記半面への
垂線を中心として上記面内で公転させることｆ％徴とす
る発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132355A JPS5833882A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132355A JPS5833882A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833882A true JPS5833882A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15079415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56132355A Pending JPS5833882A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833882A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091196A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent, semi-conducteur, a base de compose nitrure du groupe iii et son procede de production |
| US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6617668B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-09-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| US6645295B1 (en) | 1999-05-10 | 2003-11-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor |
| WO2003049152A3 (en) * | 2001-11-30 | 2004-02-26 | Intel Corp | Backside metallization on sides of microelectronic dice for effective thermal contact with heat dissipation devices |
| US6830948B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US6844246B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it |
| US6855620B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-02-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride compound semiconductor substrates and semiconductor devices |
| US6861305B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6860943B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor |
| US6967122B2 (en) | 2000-03-14 | 2005-11-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor and method for manufacturing the same |
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US7052979B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| JP2006253724A (ja) * | 2006-06-07 | 2006-09-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| US7141444B2 (en) | 2000-03-14 | 2006-11-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137393A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method for semiconductor light emitting device |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP56132355A patent/JPS5833882A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137393A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method for semiconductor light emitting device |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645295B1 (en) | 1999-05-10 | 2003-11-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor |
| US6617668B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-09-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| US6881651B2 (en) | 1999-05-21 | 2005-04-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods and devices using group III nitride compound semiconductor |
| US6818926B2 (en) | 1999-07-27 | 2004-11-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6893945B2 (en) | 1999-07-27 | 2005-05-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride group compound semiconductor |
| US7176497B2 (en) | 1999-07-27 | 2007-02-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor |
| US6930329B2 (en) | 1999-07-27 | 2005-08-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6835966B2 (en) | 1999-07-27 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US7560725B2 (en) | 1999-12-24 | 2009-07-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6979584B2 (en) | 1999-12-24 | 2005-12-27 | Toyoda Gosei Co, Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US6830948B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device |
| US6967122B2 (en) | 2000-03-14 | 2005-11-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor and method for manufacturing the same |
| US7141444B2 (en) | 2000-03-14 | 2006-11-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| US7462867B2 (en) | 2000-03-14 | 2008-12-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor devices and method for fabricating the same |
| US6861305B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Methods for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US7491984B2 (en) | 2000-03-31 | 2009-02-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating group III nitride compound semiconductors and group III nitride compound semiconductor devices |
| US6855620B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-02-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for fabricating Group III nitride compound semiconductor substrates and semiconductor devices |
| JP2001332762A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| EP1302989A1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-04-16 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group iii nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
| US6861281B2 (en) | 2000-05-23 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device and method for producing the same |
| WO2001091196A1 (fr) * | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent, semi-conducteur, a base de compose nitrure du groupe iii et son procede de production |
| EP1302989A4 (en) * | 2000-05-23 | 2006-09-06 | Toyoda Gosei Kk | LIGHT EMISSIONING COMPONENT WITH GROUP III NITRIDE COMPRESSION SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US7052979B2 (en) | 2001-02-14 | 2006-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| US6844246B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method of III nitride compound semiconductor, and III nitride compound semiconductor element based on it |
| US6860943B2 (en) | 2001-10-12 | 2005-03-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride compound semiconductor |
| CN100334711C (zh) * | 2001-11-30 | 2007-08-29 | 英特尔公司 | 用于与散热器有效热接触的、微电子管芯侧面上的背面金属化 |
| US7064014B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-06-20 | Intel Corporation | Backside metallization on sides of microelectronic dice for effective thermal contact with heat dissipation devices |
| US6812548B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-11-02 | Intel Corporation | Backside metallization on sides of microelectronic dice for effective thermal contact with heat dissipation devices |
| WO2003049152A3 (en) * | 2001-11-30 | 2004-02-26 | Intel Corp | Backside metallization on sides of microelectronic dice for effective thermal contact with heat dissipation devices |
| JP2006253724A (ja) * | 2006-06-07 | 2006-09-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5833882A (ja) | 発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| Karu et al. | Pyrolytic formation of highly crystalline graphite films | |
| US3585088A (en) | Methods of producing single crystals on supporting substrates | |
| US3134906A (en) | Photoelectric semiconductor device | |
| US3808065A (en) | Method of polishing sapphire and spinel | |
| JPH09268096A (ja) | 単結晶の製造方法及び種結晶 | |
| US4180422A (en) | Method of making semiconductor diodes | |
| JPH0794303A (ja) | 高配向性ダイヤモンド薄膜サーミスタ | |
| JP3491436B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP3491429B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| US4141757A (en) | Uniform thermomigration utilizing sample movement | |
| US3998661A (en) | Uniform migration of an annular shaped molten zone through a solid body | |
| US3473095A (en) | Single crystal selenium rectifier | |
| US3764507A (en) | Method of making semiconductor layers on high purity alumina layers | |
| US3792525A (en) | Method of making a semiconductive signal translating device | |
| US3673063A (en) | Production of lead-tin-telluride material for infrared detectors | |
| JP3853453B2 (ja) | 気相成長用縦型サセプター | |
| JP3876488B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP2003109991A (ja) | 膜厚測定用モニター、モニターの再生方法 | |
| JP2856533B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPH02103928A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0345954Y2 (ja) | ||
| JPS6279616A (ja) | ケイ素膜の作製方法 | |
| JPS62279624A (ja) | 分子線エピタキシ用基板ホルダ | |
| SU1686041A1 (ru) | Способ получени кремниевой структуры |