SU1686041A1 - Способ получени кремниевой структуры - Google Patents
Способ получени кремниевой структуры Download PDFInfo
- Publication number
- SU1686041A1 SU1686041A1 SU894717490A SU4717490A SU1686041A1 SU 1686041 A1 SU1686041 A1 SU 1686041A1 SU 894717490 A SU894717490 A SU 894717490A SU 4717490 A SU4717490 A SU 4717490A SU 1686041 A1 SU1686041 A1 SU 1686041A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- type
- zone
- source plate
- composition
- gap
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
1
(21)4717490/26
(22)11.07.89 (46)23.10.91. Бюл. № 39
(71)Новочеркасский политехнический институт им.Серго Орджоникидзе
(72)В.П.Крыжановский, А.В.Балюк, Б.М.Середин , Л.С.Габова и Г.Т.Вахер (53)621.315.592(088.8)
(56) Лозовский В.Н., Лунин Л.С, Попов В.П. Зонна перекристаллизаци градиентом температуры полупроводниковых материалов . - М.: Металлурги , 1987, с.207 - 212. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЫ
(57) Изобретение относитс к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении приборных структур силовых диодов. Обеспечивает сохранение планарности структуры и упрощение процесса . Способ включает нанесение на тыльные поверхности кремниевых пластины-подложки и пластины-источника пленки позитивного фоторезиста толщиной 0,6 - 1,0 мкм с добавкой диффузанта-примеси n-типадл пластины- подложки и р-типа дл пластины-источника, формирование композиции пластина-подложка (п-тип) - зазор - пластина - источник (р-тип), введение в зазор металла-растворител , перемещение образовавшейс зоны раствора расплава в поле температурного градиента через пластину-источник. 4 ил.
Ё
Изобретение относитс к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении приборных структур силовых диодов, а также при выращивании эпитаксиальных слоев.
Цель изобретени - сохранение планарности структуры и упрощение процесса.
На чертеже представлена исходна композици получени кремниевой структуры; на фиг.2 - композици после формировани зоны раствора-расплава; на фиг.З - структура после зонной перекристаллизации , совмещенной с диффузией; на фиг.4 - структура после химико-механической обработки .
На фиг.1 - 4 прин ты следующие обозначени : пластина-подложка 1; пластина- источник 2; капилл рный зазор 3: пленки 4 и 5 фоторезиста-диффузанта п- и р-типа проводимости соответственно слой 6 раствора
расплава Al - SI (зона); высоколегированные слои 7 и 8 п+ и рутила соответственно.
П р и м е р 1. На кремниевую пластину n-типа проводимости марки КЭФ - 10 диаметром 60 мм и толщиной 400 мкм, котора служит пластиной-подложкой, нанос т позитивный фоторезист на ФП - 383 или ФП - рН - 7 - 2 или AZ - 1350h с добавкой диффузанта , содержащего фосфор, методом центрифугировани толщиной 0,6 мкм. На кремниевую пластину р-типа проводимости марки КДБ - 0.005 такого же диаметра и толщины нанос т позитивный фоторезист с добавкой диффузанта, содержащего бор, ме тодом центрифугировани толщиной 0,6 мкм. Затем формируют композицию из пластин подложка-источник с зазором между ними и помещают в нагревательное устройство, где с торца композиции капилл рным вт гиванием при 950°С формируют алюминиевую зоON 00
О
g
ну толщиной 40 мкм. Дл формировани зоны такой толщины задают зазор 40 мкм, а масса алюмини 300 мг. После чего повышают температуру до 1150°С и при градиенте температуры 80 град/см осуществл ют перекристаллизацию пластин источника со скоростью пор дка 400 мкм/ч. Процесс формировани структуры заканчивают через 3 ч. Одновременно с процессом перекристаллизации из фоторезиста с добавкой диффузанта с обеих тыльных сторон композиции идет процесс диффузии примесей, соответствующих типу проводимости в приповерхностную область структуры формируемого силового диода. Затем пленки фоторезиста удал ют влавиковой кислотой, а слой силумина - сол ной. В результате перечисленных операций получают кремниевую структуру силового диода диаметром 60 мм, содержащую резкий р - п-переход большой площади и высоколегированные приповерхностные области, что позвол ет создавать в дальнейшем хороший омический контакт.
П р и м е р 2. На кремниевые пластины диаметром 76 мм нанос т такой же фоторезист с добавкой диффузанта, как в примере 1, толщиной 1 мкм: на пластину-подложку n-типа фоторезист-диффузант, содержащий в качестве легирующего элемента фосфор, а на пластину-источник р-типа фоторезист-диффузант , содержащий бор. Затем формируют композицию пластина-подложка-источник, располагают ее в нагревательное устройство, где при 1000°С торца композиции методом капилл рного вт гивани формируют алюминиевую зону толщиной 50 мкм. Дл создани такой зоны берут навеску алюмини массой 560 мг, после чего повышают температуру до 1250°С и при градиенте температуры пор дка 80 град/см осуществл ют перикристаллизацию источника со скоростью пор дка 1000 мкм/ч. На процесс перекристаллизации затрачивают 30 мин. Одновременно с процессом перекристаллизации идет процесс диффузии и формируютс п и р области с тыльных сторон композиции. Вышедша на поверхность зона блокируетс пленкой фоторезиста, что позвол ет сохранить планарность кремниевой структуры с этой стороны. После окончани процесса фоторезист стравливают плавиковой кислотой, а застывшую зону - сол ной кислотой. В результате проведени перечисленных операций получаетс кремниева структура дл силового диода диаметром 76 мм, содержаща области р - р - п - г/.
Пример 3. В отличие от примера 1 толщину пленки фоторезиста-диффузанта
берут пор дка 0,8 мкм. Процесс эпитакси- ального наращивани провод т при 1200°С при градиенте температуры 8 град/см, который осуществл ют со скоростью роста пор дка 700 мкм/ч в течение 2,5 ч. В результате получают четырехсложную кремниевую структуру типа п4 - п - р - р диаметром 60 мм.
Электрофизические измерени показы0 вают, что концентраци примеси п-типа (фосфора) с тыльной стороны пластины-подложки составл ет пор дка 1021 (глубина легировани 4-8 мкм), что значительно выше концентрации примеси n-типа в объе5 ме кристалла (8-Ю14 ). Концентраци примеси р-типа (бора) с тыльной стороны пластины-подложки составл ет пор дка 1020 (глубина легировани 6-10 мкм), что на пор док выше концентрации приме0 си р-типа (алюмини ) 10 см в обьеме кристалла .
Таким образом создают высоколегированные приповерхностные области (дл омических контактов) в едином процессе с
5 перекристаллизацией пластины-источника в поле температурного градиента и сокращают число операций при создании кремниевой структуры силового диода.
Claims (1)
- Осмотр внешнего вида структур, пол0 ученных в примерах 1 - 3, свидетельствует об их высоком качестве, заключающемс в том, что структуры не имеют характерных прототипу дефектов в виде раковин - результат действи растворител на финиш5 ную поверхность выращенного сло . Причем поверхность выращенного сло имеет зеркальный внешний вид. Пленка нанесенного фоторезиста в процессе зонной перекристаллизации блокирует выход жид0 кой зоны на поверхность пластины источника , что позвол ет сохранить планарность структуры со стороны р-области. Формула изобретени Способ получени кремниевой структуры5 п+ - п - р - р+-типа дл силового диода, включающий формирование композиции из кремниевых пластин с зазором - подложки п-типа проводимости и источника р-типа, введение в зазор металла-растворител , перемещение0 образовавшейс зоны раствора-расплава в поле температурного градиента через пластину- источник, формирование п+ и р+ областей в структуре, отличающийс тем, что, с целью сохранени планарности структуры и5 упрощени процесса, перед формированием композиции на тыльные поверхности пластин нанос т пленку позитивного фоторезиста толщиной 0,6 - 1,0 мкм с добавкой диффузанта - примеси n-типа дл пластины-подложки и р-типа дл пластины-источника.Фаг /Фаг.2I2гУу -; 7 / / ////// 7////////////////////////// //..vi.-iT.....% A .ri.Фи,23Фиг.//-4 7-8-6-5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894717490A SU1686041A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ получени кремниевой структуры |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894717490A SU1686041A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ получени кремниевой структуры |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1686041A1 true SU1686041A1 (ru) | 1991-10-23 |
Family
ID=21460181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894717490A SU1686041A1 (ru) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | Способ получени кремниевой структуры |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1686041A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2810403C1 (ru) * | 2023-06-30 | 2023-12-27 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Способ получения кремниевой структуры |
-
1989
- 1989-07-11 SU SU894717490A patent/SU1686041A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2810403C1 (ru) * | 2023-06-30 | 2023-12-27 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Способ получения кремниевой структуры |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4187126A (en) | Growth-orientation of crystals by raster scanning electron beam | |
US4011582A (en) | Deep power diode | |
AU565091B2 (en) | Thin film photovoltaic cell | |
US3765956A (en) | Solid-state device | |
JPS6347983A (ja) | 炭化珪素電界効果トランジスタ | |
Theunissen et al. | Application of preferential electrochemical etching of silicon to semiconductor device technology | |
Dubin | Formation mechanism of porous silicon layers obtained by anodization of monocrystalline n-type silicon in HF solutions | |
EP0969505A3 (en) | SOI substrate | |
EP0554498B1 (en) | Method of fabricating SOI substrate with uniform thin silicon film | |
US3621565A (en) | Fabrication of single-crystal film semiconductor devices | |
US4377423A (en) | Liquid metal inclusion migration by means of an electrical potential gradient | |
SU1686041A1 (ru) | Способ получени кремниевой структуры | |
US3846198A (en) | Method of making semiconductor devices having thin active regions of the semiconductor material | |
US3585087A (en) | Method of preparing green-emitting gallium phosphide diodes by epitaxial solution growth | |
Thomas et al. | Low-temperature epitaxial growth of doped silicon films and junctions | |
US3533856A (en) | Method for solution growth of gallium arsenide and gallium phosphide | |
US3832225A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
US3148094A (en) | Method of producing junctions by a relocation process | |
RU2680606C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
US3354007A (en) | Method of forming a semiconductor by diffusion by using a crystal masking technique | |
US3669763A (en) | Traveling solvent method of growing silicon carbide crystals and junctions utilizing yttrium as the solvent | |
US3392066A (en) | Method of vapor growing a homogeneous monocrystal | |
US3967987A (en) | Epitazy of heterojunction devices | |
SU278896A1 (ru) | Способ изготовлени полупроводниковых детекторов типа @ | |
US3578513A (en) | Method of fabricating solution grown epitaxial pn-junctions in gallium phosphide |