JPS583335A - 光受信機 - Google Patents
光受信機Info
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- JPS583335A JPS583335A JP56099681A JP9968181A JPS583335A JP S583335 A JPS583335 A JP S583335A JP 56099681 A JP56099681 A JP 56099681A JP 9968181 A JP9968181 A JP 9968181A JP S583335 A JPS583335 A JP S583335A
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- JP
- Japan
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- voltage
- diode
- temperature
- output
- dark current
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光受信機の暗電流補償回路に関する。
第１図にデジタル光受信機の構成例を示す。
図において、ｔｈシリコン形ＰＩＮフォトダイオード、
２にヘッドアンプ、３ｒ！コンパレータ、ＫＬは負帰還
を兼ねた負荷抵抗であシ、ＰＩＮフォトダイオード１の
受けた光受信パワーＰｒが電圧に変換されて増幅され、
ヘッドアンプ２の出力信号電圧ｅ０が基準電圧ｅ８と比
較されて二値信号とされる。この場合、デジタル光受信
機の代表的伝達特性である光受信・ンワ一対データ誤り
本物性は、 ■ 熱雑音やショット雑音などの雑音、■ ヘッドアン
プやコンパレータの温度によるト９リフト、 ■ ７オトダイオート９などの光電変換素子の暗電流の
温度変化、 都によって劣化される。
２にヘッドアンプ、３ｒ！コンパレータ、ＫＬは負帰還
を兼ねた負荷抵抗であシ、ＰＩＮフォトダイオード１の
受けた光受信パワーＰｒが電圧に変換されて増幅され、
ヘッドアンプ２の出力信号電圧ｅ０が基準電圧ｅ８と比
較されて二値信号とされる。この場合、デジタル光受信
機の代表的伝達特性である光受信・ンワ一対データ誤り
本物性は、 ■ 熱雑音やショット雑音などの雑音、■ ヘッドアン
プやコンパレータの温度によるト９リフト、 ■ ７オトダイオート９などの光電変換素子の暗電流の
温度変化、 都によって劣化される。
本発明に、上述したデータ誤り率などの特性劣化を阻止
する一対策として、光Ｗ変換素子の暗電流の温駁変化を
補償した光受信機を提供することを目的とする。そのた
め本発明では、受光用光電変換素子の暗電流温度特性を
、別途設けたダイオードの逆電流、暗電流あるいは順電
圧等の温度特性を用いて補償することとする。
する一対策として、光Ｗ変換素子の暗電流の温駁変化を
補償した光受信機を提供することを目的とする。そのた
め本発明では、受光用光電変換素子の暗電流温度特性を
、別途設けたダイオードの逆電流、暗電流あるいは順電
圧等の温度特性を用いて補償することとする。
本発明の詳細な説明に先立ち、第１図の光受信機におけ
る受光用ＰＩＮフォトグイオーＰ１の暗電流温度特性に
よるデータＩＩＪ）について。
る受光用ＰＩＮフォトグイオーＰ１の暗電流温度特性に
よるデータＩＩＪ）について。
第２．３図を参照して説明する。第２ＷＪはＰＩＮ７オ
トダイオードの逆バイアス１２Ｖにおける暗電流の温度
特性を示し、温度が２０℃から６０℃へ変化すると、暗
電ＩＥＩｄは０．６ｎＡから１０ｎＡへと大きく変化す
る。ｔた第３図はデータ誤り率の温度特性を示し、温度
が４０℃から６０℃へ変化すると、光受信・ｆグーＰｒ
に換算して２．５ｄＢの劣化が生じる。この劣化は次の
ように考えられる。ここで、 Ｐｒ：光受信・ダワー（ト）、 ｒ ： ＰＩＮフォトダイオードの感度（’１ｗ ）、
ＲＬ：ヘッドアンプの負荷抵抗〔Ω〕、ｍ：光信号の変
１１ｆ、 １・：へツーアンプの出力信号電圧（Ｖ）、１５≦：ヘ
ッドアンプの出力直流電圧（Ｖ）、とすると、 ｅ＠＝ −２ｍ−ＰｒＩ ｒ −％ ・一
式（１）が成立する。今、光受信ノ臂ワーが一４２ｄ＆
ｎ（６，３Ｘ ｌ Ｏ−’Ｗ ）とし、ｍ＝０．５、ｒ
”−０，５５゜Ｒ１＝３ＸＩＯ’ であるとすると、
この場合の出力信号電圧の揚＠は Ｉｅ＠ｌ ＝ ２ Ｘ ０．５Ｘ（６，３ＸｌＯ）Ｘ
０．５５Ｘ（３ＸＩＯ’）＝ １０ Ｃｍ、）
・・・式（２）とまる。一方、暗電流の変
化ΔＩｄによる出力直流電圧の変化分ΔｅＪは、 Δｅ＠’ ＥＲ−ΔＩｄ −ＲＬ −
・・式（３）で与えられ、温度が２０℃から６０℃へ変
化した場合は、 Δｅｏ＝ （ＩＯＸｌｏ”−０，６Ｘｌσ’）Ｘ（
３ＸＩＯ’）＝ −２，８２（ｍＶ） ・
・・式（４）となる。したがって、コンｚＺ ＋／−タ
３への入力電圧は、２０℃から６０℃への変化によ！６
ｇ４図（＆）から（ｂ）へと変化する。但し、簡単の丸
め、２０℃での出力直流電圧を０■としである。
トダイオードの逆バイアス１２Ｖにおける暗電流の温度
特性を示し、温度が２０℃から６０℃へ変化すると、暗
電ＩＥＩｄは０．６ｎＡから１０ｎＡへと大きく変化す
る。ｔた第３図はデータ誤り率の温度特性を示し、温度
が４０℃から６０℃へ変化すると、光受信・ｆグーＰｒ
に換算して２．５ｄＢの劣化が生じる。この劣化は次の
ように考えられる。ここで、 Ｐｒ：光受信・ダワー（ト）、 ｒ ： ＰＩＮフォトダイオードの感度（’１ｗ ）、
ＲＬ：ヘッドアンプの負荷抵抗〔Ω〕、ｍ：光信号の変
１１ｆ、 １・：へツーアンプの出力信号電圧（Ｖ）、１５≦：ヘ
ッドアンプの出力直流電圧（Ｖ）、とすると、 ｅ＠＝ −２ｍ−ＰｒＩ ｒ −％ ・一
式（１）が成立する。今、光受信ノ臂ワーが一４２ｄ＆
ｎ（６，３Ｘ ｌ Ｏ−’Ｗ ）とし、ｍ＝０．５、ｒ
”−０，５５゜Ｒ１＝３ＸＩＯ’ であるとすると、
この場合の出力信号電圧の揚＠は Ｉｅ＠ｌ ＝ ２ Ｘ ０．５Ｘ（６，３ＸｌＯ）Ｘ
０．５５Ｘ（３ＸＩＯ’）＝ １０ Ｃｍ、）
・・・式（２）とまる。一方、暗電流の変
化ΔＩｄによる出力直流電圧の変化分ΔｅＪは、 Δｅ＠’ ＥＲ−ΔＩｄ −ＲＬ −
・・式（３）で与えられ、温度が２０℃から６０℃へ変
化した場合は、 Δｅｏ＝ （ＩＯＸｌｏ”−０，６Ｘｌσ’）Ｘ（
３ＸＩＯ’）＝ −２，８２（ｍＶ） ・
・・式（４）となる。したがって、コンｚＺ ＋／−タ
３への入力電圧は、２０℃から６０℃への変化によ！６
ｇ４図（＆）から（ｂ）へと変化する。但し、簡単の丸
め、２０℃での出力直流電圧を０■としである。
以上ノコとよシ、コン／臂レータ３０基準電圧ｅｌが一
定であれば、ス１／ツシ冒−ルー電圧が相対的に大きく
ずれることとな夛、ヘッドアンプ２の出力信号に雑音が
あった夛すると温度が高いほどデータ誤シ率が増加する
こととなる。
定であれば、ス１／ツシ冒−ルー電圧が相対的に大きく
ずれることとな夛、ヘッドアンプ２の出力信号に雑音が
あった夛すると温度が高いほどデータ誤シ率が増加する
こととなる。
第５図線本発明の一実施例であ夛、ヘッドフッ２２０反
転入力端子に受光用のＰＩＮフォトダイオード１と負荷
抵抗ＲＬの接続点電圧が供給されているのに対し、逆バ
イアスをかけたシリコンダイオ−Ｐ４と直列な抵抗−の
端子間電圧Ｃ３を非反転入力端子に供給することにょ）
、シリコンダイオード４の逆電流の温度特性でＰＩＮフ
ォトダイオードｌの暗電流の温度変化を補償している。
転入力端子に受光用のＰＩＮフォトダイオード１と負荷
抵抗ＲＬの接続点電圧が供給されているのに対し、逆バ
イアスをかけたシリコンダイオ−Ｐ４と直列な抵抗−の
端子間電圧Ｃ３を非反転入力端子に供給することにょ）
、シリコンダイオード４の逆電流の温度特性でＰＩＮフ
ォトダイオードｌの暗電流の温度変化を補償している。
ここで出方直流電圧ｅシを一足値、例えばＯｖとする条
件を求める。今、 Ｉｄ：ＰＩＮフォトダイオードの暗電流、！１ｔ：シリ
コンダイオードの逆電流、Ａ：ヘッドアンプの裸利得、 ＣＩ：暗電流による反転入力端子の電圧、とすると、 Ｃば＝Ａ（！！−ｅｌ） ・・・式＠
）９Ｈ＝ｅＱ ＋ Ｉｄ −Ｒ１−式（６）Ｃ鵞＝ＩＨ
−１’ｌ−・・・ 式Ｃ１）なる関係式が成立する。
件を求める。今、 Ｉｄ：ＰＩＮフォトダイオードの暗電流、！１ｔ：シリ
コンダイオードの逆電流、Ａ：ヘッドアンプの裸利得、 ＣＩ：暗電流による反転入力端子の電圧、とすると、 Ｃば＝Ａ（！！−ｅｌ） ・・・式＠
）９Ｈ＝ｅＱ ＋ Ｉｄ −Ｒ１−式（６）Ｃ鵞＝ＩＨ
−１’ｌ−・・・ 式Ｃ１）なる関係式が成立する。
式（５）に弐〇）及び（７）を代入して解くと、となる
、したがってヘッドアンプ２の出力直流電圧ｅシを０と
するには、基本的には Ｉｄ−ＲＬ−ＩＲ−Ｒ１・・・式（９）なる関係が各温
度で成立するような定数を選べば良い。
、したがってヘッドアンプ２の出力直流電圧ｅシを０と
するには、基本的には Ｉｄ−ＲＬ−ＩＲ−Ｒ１・・・式（９）なる関係が各温
度で成立するような定数を選べば良い。
実際にはヘッドアンプ２の出力直流電圧の温度変化分Δ
ｅシを０とすれば良いので、暗電流の温度変化分ΔＩｄ
と逆電流の温度変化分ΔＩＲについて、 ΔＩｄ−ＲＬ−ΔＩＲ−亀 ・・・式
α１なる式によシ足数を決定すれば十分である。
ｅシを０とすれば良いので、暗電流の温度変化分ΔＩｄ
と逆電流の温度変化分ΔＩＲについて、 ΔＩｄ−ＲＬ−ΔＩＲ−亀 ・・・式
α１なる式によシ足数を決定すれば十分である。
ＰＩＮフォトダイオード１：第２図の温度特性のもの、
負荷抵抗ＲＬ：３００にΩ シリコンダイオード４：第６図の温度特性（逆バイアス
１２Ｖ）を有するｉ名１８９１５５ のもの、 抵抗鵬：４９にΩ シリコンダイオ−１ｐ１８９５５の逆電流は絶対量は大
きく異なるがその温ｆ特性は、第６図に示す如く、第２
１１のＰＩＮフオトメイオーｒの暗電流−１特性の傾向
と喪く似ており、温度が２０℃から６０℃までのそれぞ
れの変ず（分Δｌ４ｊＩ篤は である。そこで、Ｒ１−３００Ｋｆｌであれば弐（Ｑよ
り、！ ４．９ＸｌＯ’ ［Ω〕 と定数が求まる。第７＠に上述の如く求め九定ａｔ用い
た場合のヘッドアンプ２の出力直流電圧Ｃ；の温度変化
を実線で示す。但し、第７図の破線は温度補償を施して
いない第１図０１ｌＩ合の特性である。ＩＩＥ７１１よ
シ、−１０℃から６０℃の温度変化でΔＣ≦が、 温度補償の有る場合：０．４ｍＶ ｉｌ［補償の無い場合：２．９ｍＶ となシ、データ誤シ率の劣化が大きく改善されることが
わかゐ。
負荷抵抗ＲＬ：３００にΩ シリコンダイオード４：第６図の温度特性（逆バイアス
１２Ｖ）を有するｉ名１８９１５５ のもの、 抵抗鵬：４９にΩ シリコンダイオ−１ｐ１８９５５の逆電流は絶対量は大
きく異なるがその温ｆ特性は、第６図に示す如く、第２
１１のＰＩＮフオトメイオーｒの暗電流−１特性の傾向
と喪く似ており、温度が２０℃から６０℃までのそれぞ
れの変ず（分Δｌ４ｊＩ篤は である。そこで、Ｒ１−３００Ｋｆｌであれば弐（Ｑよ
り、！ ４．９ＸｌＯ’ ［Ω〕 と定数が求まる。第７＠に上述の如く求め九定ａｔ用い
た場合のヘッドアンプ２の出力直流電圧Ｃ；の温度変化
を実線で示す。但し、第７図の破線は温度補償を施して
いない第１図０１ｌＩ合の特性である。ＩＩＥ７１１よ
シ、−１０℃から６０℃の温度変化でΔＣ≦が、 温度補償の有る場合：０．４ｍＶ ｉｌ［補償の無い場合：２．９ｍＶ となシ、データ誤シ率の劣化が大きく改善されることが
わかゐ。
上述の例の他、第５図のシリコンダイオード、４の代シ
に、ＰＩＮフォトダイオードを用いその暗電流で温度補
償できる。この例の場合は受光用光電変換素子と補償用
のダイオードが共にＰＩＮフォトダイオードであるから
、温［特性は電流の絶対量と共に同じである。そこで、
ＲＬ−１％ とすることにより極めて正確に温度補償を
行うことができる。な針、補償用のＰＩＮフォトダイオ
ード５には光を当てない。更に受光用Ｏ光電変換素子が
アバランシェフォトダイオード卿ちムＰＤの場合には、
ムＰＤは増倍効果のあるフォトダイオードであって各温
度における暗電流は増倍率によシ異なるた返、光電変換
用ムＰＤの暗電流に対する温度補償はシリコンダイオー
ド４０代）にムＰＤを用いてその暗電流により行うのが
望ましい。なお、この場合もＲＬ＝ Ｒ，で良く、ま九
補償用のＡＰＤには光を当て、なり０ 以上説明し九温度補償回路はアナログ信号自体を補償す
るので、デジタル光受信機の場合だけでなく、アナログ
光受信機の場合でも有効である。
に、ＰＩＮフォトダイオードを用いその暗電流で温度補
償できる。この例の場合は受光用光電変換素子と補償用
のダイオードが共にＰＩＮフォトダイオードであるから
、温［特性は電流の絶対量と共に同じである。そこで、
ＲＬ−１％ とすることにより極めて正確に温度補償を
行うことができる。な針、補償用のＰＩＮフォトダイオ
ード５には光を当てない。更に受光用Ｏ光電変換素子が
アバランシェフォトダイオード卿ちムＰＤの場合には、
ムＰＤは増倍効果のあるフォトダイオードであって各温
度における暗電流は増倍率によシ異なるた返、光電変換
用ムＰＤの暗電流に対する温度補償はシリコンダイオー
ド４０代）にムＰＤを用いてその暗電流により行うのが
望ましい。なお、この場合もＲＬ＝ Ｒ，で良く、ま九
補償用のＡＰＤには光を当て、なり０ 以上説明し九温度補償回路はアナログ信号自体を補償す
るので、デジタル光受信機の場合だけでなく、アナログ
光受信機の場合でも有効である。
第８図はコンパレータ３の段階で温度補償する場合の回
路例を示す、同図において、５は定電圧回路であル、そ
の出力電圧ｃ４を抵抗−を介してシリコンダイオ−Ｐ４
に逆バイアスさせ、シリコンダイオ−Ｐ４のカソードか
ら基準電圧Ｃｓを得ている。今、ＰＩＮフォトダイオ−
ｒｌの暗電流が温度上昇と共に増加し九とすれば、ヘッ
ドアンｆ２の出力直流電圧ｅ≦は遂に低下する。そこで
、コン／４レータ３のマイナス入力端子に印加される基
準電圧ｅ３にｅシと同様の温度変化を持九せれば、コン
パレータ３にシけるデータ誤りがなくなる。第＊＊の例
の場合、ＰＩＮフォトダイオ−Ｐｌが第２図の温度特性
のもので、シ９ｗｙｌイ＃−１’４が＃！６８ＫｌＯＩ
Ｌｆ特性の１８９５５であり、またに＝３００にΩであ
るとして定数を求めると次の通夛である。２０℃〜６０
℃間では、式ｏｎよシ Δｅｌ； ” ２．８２ｍＶ ΔＩＲ＝ ５７．５ ｎＡ であるから、 即ち＆＝ ４ ｅ ＫΩとなる。一方、２０℃における
最適な基準電圧をｅｓ（２０℃）とすると、定電圧源５
の出力電圧ｅ４は ｅ４＝ ｅ富（２０℃） ＋ ４．９ Ｘ ｌ Ｏ’
Ｘ ３ Ｘ Ｉ Ｏ−’−ｅｓ（２０℃） ＋ １．ａ
ｌ ｘ ｌｏ−’ （Ｖ）と設定しておけば良い。
路例を示す、同図において、５は定電圧回路であル、そ
の出力電圧ｃ４を抵抗−を介してシリコンダイオ−Ｐ４
に逆バイアスさせ、シリコンダイオ−Ｐ４のカソードか
ら基準電圧Ｃｓを得ている。今、ＰＩＮフォトダイオ−
ｒｌの暗電流が温度上昇と共に増加し九とすれば、ヘッ
ドアンｆ２の出力直流電圧ｅ≦は遂に低下する。そこで
、コン／４レータ３のマイナス入力端子に印加される基
準電圧ｅ３にｅシと同様の温度変化を持九せれば、コン
パレータ３にシけるデータ誤りがなくなる。第＊＊の例
の場合、ＰＩＮフォトダイオ−Ｐｌが第２図の温度特性
のもので、シ９ｗｙｌイ＃−１’４が＃！６８ＫｌＯＩ
Ｌｆ特性の１８９５５であり、またに＝３００にΩであ
るとして定数を求めると次の通夛である。２０℃〜６０
℃間では、式ｏｎよシ Δｅｌ； ” ２．８２ｍＶ ΔＩＲ＝ ５７．５ ｎＡ であるから、 即ち＆＝ ４ ｅ ＫΩとなる。一方、２０℃における
最適な基準電圧をｅｓ（２０℃）とすると、定電圧源５
の出力電圧ｅ４は ｅ４＝ ｅ富（２０℃） ＋ ４．９ Ｘ ｌ Ｏ’
Ｘ ３ Ｘ Ｉ Ｏ−’−ｅｓ（２０℃） ＋ １．ａ
ｌ ｘ ｌｏ−’ （Ｖ）と設定しておけば良い。
なお、コン／４レータ３の段階で温度補償する場合４，
１１１８図のシリコンダイオ−？４０代夛にＰＩＮ７オ
トダイオードを１１１１４イアステ用いてその暗電流で
補償することができる。この場合はに戸−となる、まえ
、充電変換素子がムＰＤであれば、同じくシリコンダイ
オード４０代りにＡＰＤを逆バイアスにして用いれば喪
い。
１１１８図のシリコンダイオ−？４０代夛にＰＩＮ７オ
トダイオードを１１１１４イアステ用いてその暗電流で
補償することができる。この場合はに戸−となる、まえ
、充電変換素子がムＰＤであれば、同じくシリコンダイ
オード４０代りにＡＰＤを逆バイアスにして用いれば喪
い。
更に付言するに、補償用のダイオードと直列、並列ある
いは直並列の如く抵抗を接続すれば見掛は上の温度特性
を変化することができるので、受光用光電変換素子の暗
電流温度特性とか、なシ異なる特性のダイオ−ｒを補償
用に用いることができ、ｉ九シリコンダイオード等の順
電圧を用いることも可能である。
いは直並列の如く抵抗を接続すれば見掛は上の温度特性
を変化することができるので、受光用光電変換素子の暗
電流温度特性とか、なシ異なる特性のダイオ−ｒを補償
用に用いることができ、ｉ九シリコンダイオード等の順
電圧を用いることも可能である。
第１図はデジタル党受信機の従来例の回路図、１１１１
２１１ｔ！ＰＩＮフオトダイオードの暗電流温度特性の
グラフ、第３図は第１図の従来例におけるデータ％Ｊ）
事理［特性のグラフ、第４図（ａ）。 （ロ）はデータＷＡシ、１増加を説明するための波形図
、第５１１は本発明の一実施例の回路図、第６図は温度
補償用シリ：Ｉｙダイオ−２の逆電流温度特性のグラフ
、第７１１は温度補償効果を示すグラフ、第８Ｉ！ｌｌ
は他の実施例の回路図である。 図面中、 ｌは受光用ＰＩＮ７オトダイオーＰ％ ３はコン／４レータ、 ４は補償用シリコンダイオード、 ５は定電圧源である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人
２１１ｔ！ＰＩＮフオトダイオードの暗電流温度特性の
グラフ、第３図は第１図の従来例におけるデータ％Ｊ）
事理［特性のグラフ、第４図（ａ）。 （ロ）はデータＷＡシ、１増加を説明するための波形図
、第５１１は本発明の一実施例の回路図、第６図は温度
補償用シリ：Ｉｙダイオ−２の逆電流温度特性のグラフ
、第７１１は温度補償効果を示すグラフ、第８Ｉ！ｌｌ
は他の実施例の回路図である。 図面中、 ｌは受光用ＰＩＮ７オトダイオーＰ％ ３はコン／４レータ、 ４は補償用シリコンダイオード、 ５は定電圧源である。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人
Claims (1)
- 光信号に対応し光電変換素子を含む回路によシ得られる
信号電圧の前記光電変換素子の暗電流温度特性に基づく
温度変化分を補償する電圧源として、ダイオ−Ｐを含み
このダイオードに基づく温度特性の補償電圧を発生する
回路を備え、且つこの補償電圧の温度変化分で前記信号
電圧の温度変化分を相殺する回路とを備えたことを特徴
とする光受信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099681A JPS583335A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 光受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099681A JPS583335A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 光受信機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583335A true JPS583335A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6324576B2 JPS6324576B2 (ja) | 1988-05-21 |
Family
ID=14253768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099681A Granted JPS583335A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 光受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583335A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783067A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Toshiba Corp | Photoreceiving device |
| JPS57114116A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-15 | Canon Inc | Image forming device |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56099681A patent/JPS583335A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783067A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Toshiba Corp | Photoreceiving device |
| JPS57114116A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-15 | Canon Inc | Image forming device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324576B2 (ja) | 1988-05-21 |
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