JPS583326A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JPS583326A
JPS583326A JP56100507A JP10050781A JPS583326A JP S583326 A JPS583326 A JP S583326A JP 56100507 A JP56100507 A JP 56100507A JP 10050781 A JP10050781 A JP 10050781A JP S583326 A JPS583326 A JP S583326A
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JP
Japan
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gate
circuit
load
driving
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP56100507A
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English (en)
Inventor
Koichi Nishiuchi
西内 紘一
Hiromasa Takahashi
宏政 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56100507A priority Critical patent/JPS583326A/ja
Publication of JPS583326A publication Critical patent/JPS583326A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/09441Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 論珊回路としてプッシェツル形MOa論iita路を含
む集積回路に関する。
本出願人は、特願昭55−6139.55−8018勢
において、いわゆるプッシ纂プル形MO8論理回路を提
案した。このプッシュプル形MOS論珊回路は、同一チ
ャネル極性の駆動用の   ′金属酸化膜半導体電界効
果トランジスタc以下MOS)ランジス.タと称す)と
負荷用MO8)ランジスタから成る単位論理ゲート回路
を複数個含んでおシ、駆動用M08トランジスタのゲー
ト電極は前段ゲート回路の出力端に接続されており、負
荷用MO8トランジスタのゲート電極は前段ゲート回路
の入力端に接続されている。この構成により、負荷用M
OS)ラ・ンジスタと駆動用MOSトランジスタは定常
的には一方がオンなら他方はオフとなるC−MOS的な
プッシ為プル動作が行われるので、C−MO8回路と同
様の低電力回路がnチャネルあるいFipミルチャネル
ずれかの単一極性素子で構成できる。
しかしながら、上述O本山願人提案の従来蓋式ノフッシ
ェプル形MO8論理回路においては、通11(DH/D
ll (エンハンスメント/テフリーシ曹ンrii>h
るいHE/III(エンハンスメント/エンハンスメン
トl1l)とは遮って、あゐグー)回路の出力端子から
次段ゲートの駆動素子への信号配線の接続の他K、負荷
素子をプツシ−プル的に動作させるため負荷素子へも制
御用配線を接続する必要がある。集積回路の機能が1雑
化し、集積規模が大となるに伴い、集積−路チップ内に
おけるゲート間の配線の距離を長くする必要がある場合
がしばしば生じるが、この場合、信号線数が大であると
それらが占める面積が大とな夛、チップの有効利用上問
題である。
本−明のl的は、上述の本出願人提案の従来層成におけ
る問題に、かんがみ、単位論理ゲート回路の出力段にプ
ツシ為プル形反転IIIIt−挿入するという構想に基
づき、プツシニブル形論ma路を単位論理ゲート回路と
する銀積回路において、単位論理ゲート回路1Ml0配
線数を低減することによ〕配線面積を低減し、それによ
りチップ面積の有効利用を図ることKあり、特に、集積
回路内で此稜的配線距離の長い信号配線に対して、プツ
シ、プル形論1回路の採用による配線数の増大およびそ
れに伴う配線面積の増大を防ぐととにある。
本発明は、LSI(大規模集積回路)設計において、単
位ゲート回路間の配線が相対的に長いよう表信号線W&
について、プッシュプル回路で従来必要とした3〜5本
の配線数t2本だけの配線に抑えようとするものである
以下、本発明の実施例を添附の図面に基づいて従来例と
対比し々から説明する。
第】図は従来のプツシ為プル形集積回路の一部を示す回
路図である。@1図において、G、Fi信号管伝送すべ
きゲート回路、G、はらからの信号を受ける側のゲート
で共に2人力NORゲートの場合を示しており、両ゲー
トはプツシ、プルー路で形成されている。送信側NOR
ゲートG、fl、駆動用MO8)ランジスタQt−Qs
&負荷用M08トランジスタTb Ts から成ってお
夛、駆動用MO8)ランジメタ1;b、Q富のゲートに
は前段のゲート(TI示せず)からの出力信号A、Bが
それぞれ入力され、負荷用MO8)ランジスタのゲート
KFi上記前段のゲートの入力端の信号すなわちA、B
の反転信号A、Bがそれぞれ印加されている0受信側N
ORゲートG、も駆動用MO8)ランジスタQ+s*Q
tmと負荷用MOB)ラジジスタT、、 、 T□およ
びTI。
を備えており、駆動用、MOS)ランジスタQ8.はそ
のゲートに送信側ゲートG1の出力を信号!Itsを介
□して受は取り、駆動用トランジスタq、のゲートには
他の論理ゲート(図示せず)からの出力Cが入力されて
いる。負荷用MOSトランジスタT’tte’r’t*
のゲートには送信側ゲートG1の入力信号が負荷駆動線
td、およびtd、を介してそれぞれ印加されている。
負荷用MO8)ランジスタT’saのグー)KFi上記
−の論理ゲートの入力信号が入力されている。この橡に
、プツシ、プル回路におりては、ゲート間の#線が、信
号線のほかに負荷駆動−も必要となる。一般Kn入カグ
ー)を次段ゲ−)tCII続するためには信号線1本と
負荷駆動線n本の会計n+1本の信号線が必要となぁ。
通常、LBI内の単位論理ゲート回路の入力数は2〜4
の場合が多く、従ってゲート間の結線数は3〜5本が要
求される場合が多い。更に、一部のゲート回路では、極
−に入力数の多い場合が−あり、この様な場合、第1図
の従来回路では一層、配線数が多くなゐ〇 本発明は、入力数が2〜4の通常のゲート間の配線長が
長く、従って大きい配線面積を要求される場合や、配線
長が比較的短い場合でも、ゲート間の配線数が特に大で
あり、従りて大配線面積を要求される場合などにおいて
、配線数t−2本に抑えようとするものである。
本発明においては、プッシュプル回路の反転回路(イン
バータゲート)からの出力Wi−線数は、出力信号11
本と、入力からの負荷駆動線1本の合計2本であること
を利用し、出力配線数が大きいゲートの出力に近接して
、1段のインバータゲートを設ける仁とにより、次段の
ゲートへの配線を2本に抑える。
第2図は本発明の1実施例を示す回路図である0第21
1において、Glはw41図と同様の送信用ゲー)回路
、INV、H本QIIK!すG、に近接し−C配置され
たインバータゲート、そしてGmFi受信憚ゲー)グー
である。インバータゲートINV、け駆動用MOB)ラ
ンジスタQttと、並列接続された負荷用MO8)ラン
ジスタT□およびTt、とを電源電圧供給端子vDDと
GND間に直列接続して壜っている。ゲート回路への出
力端である駆動用トランジスタQ、、 Ghのドレイン
は信号@ts  を介してインバータゲートINV、の
駆動用トランジスタQ2、Oゲートに接続されている。
ゲート回路qの入力端であるGh、Q霊のゲートはそれ
ぞれ、負荷駆動線Zle z、  を介して、INvl
の負荷用トランジスタTll −Tsa ()グー)K
i!続されている。受信側ゲート回11(aやはり2人
力N0IRゲートであるが、第1図と比べて、負荷用M
O8)ランジスタが1個少なくなっている。GsFi、
駆動用MO8)ランジスタQ+t * Quと負荷用M
O8)ランジスタQ1.。
Qsst備えている。駆動用MO8)ランジスタQts
のグー)H1信号11ts を介してINV、  の入
力端である駆動用MO8)ランジスタQl11のゲート
に接続されている。負荷用MQS)ランジスタフ12の
ゲートは負荷駆動線l、ヲ介して、INV、  の出力
端である駆動用MO8)ランジスタQ!1のドレインに
接続されている。駆動用MO8)ランジスタQ1.およ
び負荷用MOSトランジスタT0のゲートにはそれぞれ
、他の論理ゲート(図示せず)からの出力信号とその反
転信号が°印加される。信号taLa にはINV、 
 の入力すなわちG、の出力が現われており、負荷駆動
線td  KはINV、  の串力が現われているので
、G、の駆動用トランジスタQssと負荷用トランジス
タT1mとのゲートには互いに反転した信号が印加され
る。従って、受信側論理ゲートG、はプッシュプル動作
を行うことが可能である。
第2図から明らかなようにINVX とQss結ぶ配線
数はtaと16  の2本だけである。第1図の従来形
においてVil@、 Lat 、 Lagの3本を必要
としたので、本実施例によ91本の配線が削減されたこ
とになる。なお、G1とINVlを結ぶ配線数は従来通
りtl、を怠、を島の3本であるがG1とI N Vt
は近接して配置されているので11.1!、 LHの配
線がレイアウト上特に大きな間at−もたらすことはな
いO 第3図は本発明の第2の実施例を示す要部回路図である
。第3図において04は送信側2人力NANDゲート、
INV*、 Fi 04に近接して配置すしたインバー
タである。G4は直列接続された駆動用MO8)ランジ
ス/ら、およびQIと、並列接続された負荷用MO8)
ランジスタT□およびT。
とt電源電圧供給端子v!1いGND間に直列に接続し
て構成されている。INV、は、駆動用MOSトランジ
ス’ Qss 、負荷用MO8)ランジスタテ1ssp
よびTsa を電源電圧供給端子間に直列接続して構成
されているOG4の出力端であるも、のドレインは% 
t41介してINV、  の入力端である偽、のグーH
C接続されている。G4の入力端であるQ□、Q、!の
ゲートはそれぞれt、、l−を介してINV、の負荷M
O8)ランジスタT□、T、4のグー)に接続されてい
る。INV、の出力端であるQssのドレインは信号線
t、を介して次段ゲート回路(15!l示せず)の入力
Km綬さ釘ている。 INV。
の入力端であるも、のゲートは負荷駆動84  を介し
て次段ゲート回路の負荷トランジスタのゲートに接続さ
れている。仁の?!2の実施例によっても、G4かも図
示しない次験のゲート回路への接線数は2本である。
一般に、送信側のプッシュプル形論テ回路がn入力の場
合に、受信情のプツシニブル形論理回路への配線は従来
はH+ 1本必要であったのが、本発明により、2本に
低減されることが容易に理解できるであろう。
以上の説明から明らかなように1本発明によれば、プツ
シ為プル形回#&を用いるMO8論理集積回IIにおい
て、配線本数が多くなった9、配線距離が長くなったり
する配線路に対して、従来ti3〜5本あるいはそれ以
上の配置11’していたものを2本だけの配IIK抑え
ることが出来るので、配線面積の縮小、チップ簡積の有
効利用化、ひいてはLSIチップ収率の増大および価格
の低減等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
11EI図は従来のプッシュプル形集積回路の一部を示
す回路図、第2図は本発明の1実施例によるプッシュプ
ル形集積回路の−Sを示す回路図、第3因は本発明のI
ll!2の実施911によるブツシュフル形集積(ロ)
路の一部を示す回路図である。 G1・・・・・・送信w2人力NORゲグー:G、、G
3・・・・・・受信112人力NORゲート:t、・・
・・・・信号線:Zd+’4 h16 !・・・・・・
負荷駆動縁; INVl、 INV、・・・・・・イン
バータ;04・・・・・・2人力NANDゲート特許出
願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木    朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山  口  昭 之 第1図 し 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 少なくとも1個の駆動用電界効果トランジスタと少
    なくとも1個0負荷用電界効果1−ンジスタとを電源電
    圧供給端子間に直列Kll続して成る単位論理ゲート回
    路を複数個含み、1っ0単位論理ゲートの信号出力端を
    他の論理ゲートKかける駆−用トランジスタの六方端子
    K[I続すると共゛に、前記1つの単位論lゲートの信
    号入力端であって前記信号出力端に反転信号を与える信
    号入力端をプツシ為プル形反転回路の入カ端Km絖し、
    前記プツシ為プル形反転回路の出方端を前記他の単位論
    理ゲートにおける負荷用トランジスタノ入力端子に接続
    した構成を有すゐことを特徴とする集積回路口
JP56100507A 1981-06-30 1981-06-30 集積回路 Pending JPS583326A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016272A (ko) 2016-08-04 2018-02-14 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 액정 시일제 및 그것을 이용한 액정 표시 셀, 그리고 액정 표시 셀의 제조 방법
KR20180016273A (ko) 2016-08-04 2018-02-14 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 액정 시일제 및 그것을 이용한 액정 표시 셀, 그리고 액정 표시 셀의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51101457A (ja) * 1975-02-27 1976-09-07 Rca Corp

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KR20180016272A (ko) 2016-08-04 2018-02-14 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 액정 시일제 및 그것을 이용한 액정 표시 셀, 그리고 액정 표시 셀의 제조 방법
KR20180016273A (ko) 2016-08-04 2018-02-14 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 액정 시일제 및 그것을 이용한 액정 표시 셀, 그리고 액정 표시 셀의 제조 방법

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