JPS5832171A - 光応用電圧電界センサ - Google Patents
光応用電圧電界センサInfo
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- JPS5832171A JPS5832171A JP56118257A JP11825781A JPS5832171A JP S5832171 A JPS5832171 A JP S5832171A JP 56118257 A JP56118257 A JP 56118257A JP 11825781 A JP11825781 A JP 11825781A JP S5832171 A JPS5832171 A JP S5832171A
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- Japan
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- bso
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- voltage
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- electric field
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
- G02F1/0322—Arrangements comprising two or more independently controlled crystals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/241—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption
- G01R15/242—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using electro-optical modulators, e.g. electro-absorption based on the Pockels effect, i.e. linear electro-optic effect
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビスマスシリコンオキサイドＢｉ１２ＳｉＯ２
゜（以下ＢＳｏという）あるいはビスマスゲルマニウム
オキサイドＢ１１２Ｇｅ０２ｏ（以下ＢＧＯという）素
子を用いた、広帯域化した光応用電圧電界センサに関す
る。
゜（以下ＢＳｏという）あるいはビスマスゲルマニウム
オキサイドＢ１１２Ｇｅ０２ｏ（以下ＢＧＯという）素
子を用いた、広帯域化した光応用電圧電界センサに関す
る。
第１図は光の進行方向と電圧もしくは電界の印加方向が
共に＜１００〉方向である縦型光応用電圧電界センサ９
基本的な構成を示す図である。１は光ファイバ、２はロ
ッドレンズ、３は偏光子、４はｚ波長板、５はＢＳＯ素
子あるｙ）はＢＧＯ素子、６は検光子、７は入力型、圧
源である。ＢＳＯ素子及びＢＧＯ素子共に同じ説明が適
用できるので、以下にはＢＳＯ素子を用いて説明する。
共に＜１００〉方向である縦型光応用電圧電界センサ９
基本的な構成を示す図である。１は光ファイバ、２はロ
ッドレンズ、３は偏光子、４はｚ波長板、５はＢＳＯ素
子あるｙ）はＢＧＯ素子、６は検光子、７は入力型、圧
源である。ＢＳＯ素子及びＢＧＯ素子共に同じ説明が適
用できるので、以下にはＢＳＯ素子を用いて説明する。
光ファイバｌに入射されロッドレンズ２、偏光子３及び
２波長板４を通って透明電極を表裏面に形成したＢＳＯ
素子５に入射した光は、入力電圧源７から電極を介して
ＢＳＯ素子５に印加される電圧の大きさに応じて偏光の
状態が変わる。光応用電圧センサはこの偏光の状態を知
ることにより被検出入力電圧もしくは電界の大きさを検
出するものである。。
２波長板４を通って透明電極を表裏面に形成したＢＳＯ
素子５に入射した光は、入力電圧源７から電極を介して
ＢＳＯ素子５に印加される電圧の大きさに応じて偏光の
状態が変わる。光応用電圧センサはこの偏光の状態を知
ることにより被検出入力電圧もしくは電界の大きさを検
出するものである。。
第２図は光の進行方向が＜１１０＞方向であり電圧もし
くは電界の印加方向が（１１０）方向で互に直交する横
型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子８と入力電圧源７
とを示すものである。他の構成部分は第１図と同様であ
る。
くは電界の印加方向が（１１０）方向で互に直交する横
型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子８と入力電圧源７
とを示すものである。他の構成部分は第１図と同様であ
る。
第３図は第１図の光応用電圧センサの変調感度の従来の
周波数特性を示す図である。従来のＢＳＯ素子を用いた
光応用電圧電界センサにおいては、入力電圧もしくは電
界の周波数を変えてゆくとある特定周波数で圧電現象に
よりＢＳＯ素子に機械的共振現象が発生する。この共振
による機械的な応力が更にＢＳＯ素子の屈折率に影響を
及ぼす。
周波数特性を示す図である。従来のＢＳＯ素子を用いた
光応用電圧電界センサにおいては、入力電圧もしくは電
界の周波数を変えてゆくとある特定周波数で圧電現象に
よりＢＳＯ素子に機械的共振現象が発生する。この共振
による機械的な応力が更にＢＳＯ素子の屈折率に影響を
及ぼす。
このため、従来のＢＳＯ素子を用いた光応用電圧電界セ
ンサの変調感度の周波数特性は第８図に示す様に特定周
波数で非常に大きなピークａ１ｂ１Ｃ等を発生する欠点
がある。従って、高電圧のサージ現象等の高い周波数成
分まで一定の変調感度を必要とする解析には、従来の光
応用電圧センサは使用できない欠点があった。
ンサの変調感度の周波数特性は第８図に示す様に特定周
波数で非常に大きなピークａ１ｂ１Ｃ等を発生する欠点
がある。従って、高電圧のサージ現象等の高い周波数成
分まで一定の変調感度を必要とする解析には、従来の光
応用電圧センサは使用できない欠点があった。
本発明の目的は、共振現象の影響をなくし広帯域化でき
るＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子を用いた光応用電圧セ
ンサを提供することである。
るＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子を用いた光応用電圧セ
ンサを提供することである。
以下に図面を参照して本発明について詳細に説明する。
［Ａ）第４図（イ）は縦型光応用電圧電界センサのＢＳ
Ｏ素子の形状（長さｌｘ幅ｗ×厚さｂ）と方位との関係
を示す図である。ｌｘｗ面内（１００）面にＸ軸、ｙ軸
を図のようにとり、ｌｘｗ面と垂直につまり厚さｂと平
行に２軸をとるものとする。
Ｏ素子の形状（長さｌｘ幅ｗ×厚さｂ）と方位との関係
を示す図である。ｌｘｗ面内（１００）面にＸ軸、ｙ軸
を図のようにとり、ｌｘｗ面と垂直につまり厚さｂと平
行に２軸をとるものとする。
圧電現象によりＢＳＯ素子に前記共振現象が生・する理
由について発明者が行なった解析によると、振動モード
は第４図（ロ）に実線及び点線で示すいわゆる面すべり
振動（ｆａｃｅ ５ｈｅａｒ ｍｏｄｅ）である。すな
わち第８図（イ）の座標系でＢＳＯを使用した場合、結
晶に発生する圧電現象はＸ軸−ｙ軸平面において生ずる
面すべり振動であり、ｚ軸方向の厚、Ｑｂにはほとんど
依存しないことがわかった。
由について発明者が行なった解析によると、振動モード
は第４図（ロ）に実線及び点線で示すいわゆる面すべり
振動（ｆａｃｅ ５ｈｅａｒ ｍｏｄｅ）である。すな
わち第８図（イ）の座標系でＢＳＯを使用した場合、結
晶に発生する圧電現象はＸ軸−ｙ軸平面において生ずる
面すべり振動であり、ｚ軸方向の厚、Ｑｂにはほとんど
依存しないことがわかった。
面すべり振動における共振周波数ｆＲは近似的に次式で
与えられることが知られている。
与えられることが知られている。
ｍ、ｎ＝１ｍ２．３．・・・・・・・・・この共振周波
数は基本モード（ｍ−ｎ ＝ １ ）におで示される。
数は基本モード（ｍ−ｎ ＝ １ ）におで示される。
ここで、ρ：比重、Ｃ４４＝圧電ステイツフネス、ｌ及
びｗ：Ｂｓｏ素子の長さ及び幅。
びｗ：Ｂｓｏ素子の長さ及び幅。
ＢＳＯの場合、圧電スティッフネスＣ４＋＝ ０．２５
Ｘ １０”（Ｎ７ｍす、比重ｐ ＝ ９．２ Ｘ １
０３（Ｋｙ ７ｍ８）程度である。
Ｘ １０”（Ｎ７ｍす、比重ｐ ＝ ９．２ Ｘ １
０３（Ｋｙ ７ｍ８）程度である。
ＢＳＯ素子の大きさに対する共振周波数についての発明
者の行なった実験結果と計算結果とを表１に示す。
者の行なった実験結果と計算結果とを表１に示す。
表１． 共振周波数
この表１から分かる様に、実験値は計算値の０．８５倍
程度になっており比較的良く一致している。また、ＢＳ
Ｏ素子のｌとＷとが同じでｂのみが異なる（１）の７Ｘ
５Ｘ２のＢＳＯ素子と（４）の７Ｘ５Ｘ１５− のＢＳＯ素子では共振周波数が殆んど変化しないことが
わかる。
程度になっており比較的良く一致している。また、ＢＳ
Ｏ素子のｌとＷとが同じでｂのみが異なる（１）の７Ｘ
５Ｘ２のＢＳＯ素子と（４）の７Ｘ５Ｘ１５− のＢＳＯ素子では共振周波数が殆んど変化しないことが
わかる。
従って共振周波数を高くするためには１及びＷを極力小
さくすることが望ましい。
さくすることが望ましい。
一方、高電圧応用分野では立ち上がり時間１μＳｅｃ立
ち下がり時間４０μｓｅｃのいわゆる標準インパルス波
形が多用されるが、本センサで標準インパルス波形を測
定するためには共振周波数が少なくとも５００ＫＨｚ以
上望ましくはＩ ＭＨｚ以上である必要がある。
ち下がり時間４０μｓｅｃのいわゆる標準インパルス波
形が多用されるが、本センサで標準インパルス波形を測
定するためには共振周波数が少なくとも５００ＫＨｚ以
上望ましくはＩ ＭＨｚ以上である必要がある。
表１より共振周波数をＩ ＭＨｚ以上にすることは１＝
１ｉＬｍ％ｗ＝ １ｍ以下にすることにより達成される
が、このような小さいＢＳＯ素子を用いることは他の光
学部品との組み合せ、及び調整が困難となるとともに、
光束の直径が１．５〜２．０ＩｎＸ程度であることより
透過光量が減少してい比を低下させることとなる。
１ｉＬｍ％ｗ＝ １ｍ以下にすることにより達成される
が、このような小さいＢＳＯ素子を用いることは他の光
学部品との組み合せ、及び調整が困難となるとともに、
光束の直径が１．５〜２．０ＩｎＸ程度であることより
透過光量が減少してい比を低下させることとなる。
本発明はこのような欠点の無いＢＳＯ素子もしくはＢＧ
Ｏ素子を提供するものである。
Ｏ素子を提供するものである。
従来は（２）式において１とＷの両方を小さくする６一
方式が行われてきたが、発明者はｌとＷのいずれか一辺
のみを極端に小さくすることによ怜、他の一辺を組立て
調整等の取扱いに支障の無い長さにとどめたままで共振
周波数を高めることができることに着目した。ところが
このように極端に一辺を小さくすることは光の透過面積
を非常に狭くするため光束の極く一部しか利用できずい
が低下し測定感度が低下することになる。そこで発明者
はさらに種々の方式を検討した結果、上記の極端に一辺
を小さくしたＢＳＯを光の進行方向と直角な方向に積層
する方法を発明した。
のみを極端に小さくすることによ怜、他の一辺を組立て
調整等の取扱いに支障の無い長さにとどめたままで共振
周波数を高めることができることに着目した。ところが
このように極端に一辺を小さくすることは光の透過面積
を非常に狭くするため光束の極く一部しか利用できずい
が低下し測定感度が低下することになる。そこで発明者
はさらに種々の方式を検討した結果、上記の極端に一辺
を小さくしたＢＳＯを光の進行方向と直角な方向に積層
する方法を発明した。
第５図は本発明によるＢＳＯ素子９の基本的な構成を示
すものであり、幅ｗ×長さｌ×奥行きｂのＢＳＯ板をｎ
枚積層した構成を示す。このような構成により各々の８
８０片はほぼＷで決まる高い共振周波数を示し高周波化
できるとともに、光の入射面積を従来と全く同程度に広
くとることができるためＳ／Ｎの劣化による感度１の低
下は生じない。また全体としての寸法はＩ Ｘ （ｗＸ
ｎ） Ｘ ｂであり、組立て調整も従来と同様に容易に
できる。
すものであり、幅ｗ×長さｌ×奥行きｂのＢＳＯ板をｎ
枚積層した構成を示す。このような構成により各々の８
８０片はほぼＷで決まる高い共振周波数を示し高周波化
できるとともに、光の入射面積を従来と全く同程度に広
くとることができるためＳ／Ｎの劣化による感度１の低
下は生じない。また全体としての寸法はＩ Ｘ （ｗＸ
ｎ） Ｘ ｂであり、組立て調整も従来と同様に容易に
できる。
実施例として表裏面に透明電極を形成したＷ＝０．６＃
Ｉｘ％１ ＝ ７ａｉ、 ｂ ＝ ２鵡のＢＳＯ板を８
枚積層したところ、光の入射面の面積は（ｏ、ａｘｓａ
ｍ） ｘ７Ｍ−４８厄×７題 となり従来の５×７題の
素子と全く同様の組立て調整が可能であった。８枚を積
層するためには酢酸ビニール系の接着材を用いたがこれ
による各ＢＳＯ板間の振動の干渉はほとんど発生せず、
共振周波数ｆｏはＷ＝ Ｑ、（ｌａｗｌｌ ＝７ Ｍの
時の計算値ｆｏ −１，２ＭＨｚに対して測定値ｆｏ＝
１．３ＭＨｚとなりｆ ｏ ＝ Ｉ ＭＨｚ以上の縦
型光応用電圧電界センサが容易に構成できた。また接着
層の厚みは数１０μｍ以下であり光束の透過損失はほと
んどみとめられなかった。
Ｉｘ％１ ＝ ７ａｉ、 ｂ ＝ ２鵡のＢＳＯ板を８
枚積層したところ、光の入射面の面積は（ｏ、ａｘｓａ
ｍ） ｘ７Ｍ−４８厄×７題 となり従来の５×７題の
素子と全く同様の組立て調整が可能であった。８枚を積
層するためには酢酸ビニール系の接着材を用いたがこれ
による各ＢＳＯ板間の振動の干渉はほとんど発生せず、
共振周波数ｆｏはＷ＝ Ｑ、（ｌａｗｌｌ ＝７ Ｍの
時の計算値ｆｏ −１，２ＭＨｚに対して測定値ｆｏ＝
１．３ＭＨｚとなりｆ ｏ ＝ Ｉ ＭＨｚ以上の縦
型光応用電圧電界センサが容易に構成できた。また接着
層の厚みは数１０μｍ以下であり光束の透過損失はほと
んどみとめられなかった。
また接着層を透過してくる光は電圧による変調をうけな
いのでノイズとなるが、このような透過光によるＳ／Ｎ
の低下はほとんどみい出されなかった。より完全には、
光吸収性の（不透明性の）接着材を用いると良いす。
いのでノイズとなるが、このような透過光によるＳ／Ｎ
の低下はほとんどみい出されなかった。より完全には、
光吸収性の（不透明性の）接着材を用いると良いす。
ここで、さらに各ＢＳＯ板間の振動の干渉を極力少なく
するためには接着層は緩やかな接着状態であることが好
ましく、上記の酢酸ビニル系の接着材に何ら限定される
ものではない。
するためには接着層は緩やかな接着状態であることが好
ましく、上記の酢酸ビニル系の接着材に何ら限定される
ものではない。
またこの結果よりｆｏΣＩＭＨｚとなるためにはＷ≦０
、８ ＪＬＩＬであればよいことが判る。
、８ ＪＬＩＬであればよいことが判る。
〔８１次に横型光応用電圧電界センサの場合について縦
型の場合と同じ解析と実験を行ったところ横型では第６
図の実線と破線ヤ示すように振動モ゛−ドは厚みすべり
振動であり、この時の基本モードでの共振周波数ｆＯは で表わされ、そしてここでｑはこの方位に特有の圧電ス
テイクネスであるが、測定結果よりＢＳＯの場合Ｃ４４
とほとんど一致することが判った。
型の場合と同じ解析と実験を行ったところ横型では第６
図の実線と破線ヤ示すように振動モ゛−ドは厚みすべり
振動であり、この時の基本モードでの共振周波数ｆＯは で表わされ、そしてここでｑはこの方位に特有の圧電ス
テイクネスであるが、測定結果よりＢＳＯの場合Ｃ４４
とほとんど一致することが判った。
すなわち直径１．５〜２Ｉｎ１１Ｌの光束を損失無く透
過させるために１＝２１１１１！Ｌとしたときｆｏ＝４
００団２であった。この場合もｆｏ ｔ ＩＭＨｚ以上
にするためにはｌをさらに小さくする必要があり、望ま
しくは０．８Ｂ以下にする必要がある。すると縦型の場
合と同じ問題が生じることとなる。
過させるために１＝２１１１１！Ｌとしたときｆｏ＝４
００団２であった。この場合もｆｏ ｔ ＩＭＨｚ以上
にするためにはｌをさらに小さくする必要があり、望ま
しくは０．８Ｂ以下にする必要がある。すると縦型の場
合と同じ問題が生じることとなる。
一〇−
かかる欠陥を改善するべ〈発明者は第７図に示すように
１を極端に小さくして積層するＢＳＯ素子ｌＯを発明し
た。この場合相隣接したＢＳＯ板の電極が麹触するため
電圧の極性は（＋−） （−＋）（十−）・・・・・・
・・（＋−） （−＋）というように接触した電極を同
じ極性にする必要がある。
１を極端に小さくして積層するＢＳＯ素子ｌＯを発明し
た。この場合相隣接したＢＳＯ板の電極が麹触するため
電圧の極性は（＋−） （−＋）（十−）・・・・・・
・・（＋−） （−＋）というように接触した電極を同
じ極性にする必要がある。
実施例として、１ ＝ ０．６Ｍ、Ｗ＝７Ｍ、ｂ ＝
１０ａｍのＢＳＯ板の（１１０）面にＡｕ電極を形成し
たものを９枚積層して ｆｏを測定したところｆ ｏ
＝ Ｌ、Ｓ ＭＨｚで縦型と同様の良好な結果を得るこ
とができた。
１０ａｍのＢＳＯ板の（１１０）面にＡｕ電極を形成し
たものを９枚積層して ｆｏを測定したところｆ ｏ
＝ Ｌ、Ｓ ＭＨｚで縦型と同様の良好な結果を得るこ
とができた。
以上の結果は電圧、電界いずれの場合にも確認された。
またＢＧＯを用いた場合にも全（同様の結果を得た。
以上のように本発明によれば、特定の辺の長さのみを短
かくした結晶板を光の進行方向と直角の方向に積層する
ことにより共振周波数を高めて光応用電圧電界センサの
測定周波数範囲を広げることが可能となる。
かくした結晶板を光の進行方向と直角の方向に積層する
ことにより共振周波数を高めて光応用電圧電界センサの
測定周波数範囲を広げることが可能となる。
第１図は縦型光応用電圧電界センサの基本的な１０−
構成を示す図、
第２図は横型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子部分を
示す図、 第３図は第１図のセンサの変調感度の従来の周波数特性
を示す図、 第４図（イ）は縦型ＢＳＯ素子の形状と方位との関係を
示す図、（ロ）は面すべり振動を示す図、゛第５図は本
発明による縦型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子もし
くはＢＧＯ素子基本的な構成を示す図、 第６図は横型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子の形状と方
位とその厚みすべり振動を示す図、第７図は本発明によ
る横型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子もしくはＢＧ
Ｏ素子の基本的な構成を示す図である。 １ ：光７アイバ ２：ロツドレンズ８：偏光子
４：Ｖ４波長板 ５：ＢＳＯ素子あるいはＢＧＯ素子 ６：検光子 ７：入力電圧源 ８：横型ＢＳＯ素子もし５くけＢＧＯ素子９：積層され
た縦型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子 ｌＯ：積層された横型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子 ａｌｂｌｃ ：ビーク値 ＩＸＷＸｂ ：素子の長さＸ幅Ｘ厚さ ）１図 カ２０ 卑３図 卑５図 卑６図 卑７図 ０ （
示す図、 第３図は第１図のセンサの変調感度の従来の周波数特性
を示す図、 第４図（イ）は縦型ＢＳＯ素子の形状と方位との関係を
示す図、（ロ）は面すべり振動を示す図、゛第５図は本
発明による縦型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子もし
くはＢＧＯ素子基本的な構成を示す図、 第６図は横型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子の形状と方
位とその厚みすべり振動を示す図、第７図は本発明によ
る横型光応用電圧電界センサのＢＳＯ素子もしくはＢＧ
Ｏ素子の基本的な構成を示す図である。 １ ：光７アイバ ２：ロツドレンズ８：偏光子
４：Ｖ４波長板 ５：ＢＳＯ素子あるいはＢＧＯ素子 ６：検光子 ７：入力電圧源 ８：横型ＢＳＯ素子もし５くけＢＧＯ素子９：積層され
た縦型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子 ｌＯ：積層された横型ＢＳＯ素子もしくはＢＧＯ素子 ａｌｂｌｃ ：ビーク値 ＩＸＷＸｂ ：素子の長さＸ幅Ｘ厚さ ）１図 カ２０ 卑３図 卑５図 卑６図 卑７図 ０ （
Claims (2)
- （１）ビスマスシリコンオキサイド（ＢｉｌｓＳｉＯｉ
ｌｏ）あるいはビスマスゲルマニウムオキサイド（Ｂｉ
１２Ｇｅ（転）単結晶に印加される電圧もしくは電界を
検出する光応用電圧電界センサにおいて、光の進行方向
に直交する方向に結晶板を積層して成ることを特徴とす
′る光応用電圧電界センサ - （２）積層方向の結晶板の厚みが０．８駄以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光応用電圧
電界センサ
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118257A JPS5832171A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 光応用電圧電界センサ |
| US06/397,009 US4595876A (en) | 1981-07-27 | 1982-07-12 | Optical voltage and electric field sensor |
| EP82106372A EP0071106B1 (en) | 1981-07-27 | 1982-07-15 | Optical voltage and electric field sensor |
| DE8282106372T DE3275128D1 (en) | 1981-07-27 | 1982-07-15 | Optical voltage and electric field sensor |
| CA000407984A CA1212148A (en) | 1981-07-27 | 1982-07-23 | Optical voltage and electric field sensor |
| AU86448/82A AU556145B2 (en) | 1981-07-27 | 1982-07-27 | Optical voltage and electric field sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118257A JPS5832171A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 光応用電圧電界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832171A true JPS5832171A (ja) | 1983-02-25 |
| JPH0210383B2 JPH0210383B2 (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=14732137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118257A Granted JPS5832171A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 光応用電圧電界センサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595876A (ja) |
| EP (1) | EP0071106B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5832171A (ja) |
| AU (1) | AU556145B2 (ja) |
| CA (1) | CA1212148A (ja) |
| DE (1) | DE3275128D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1982-07-15 DE DE8282106372T patent/DE3275128D1/de not_active Expired
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| EP0071106B1 (en) | 1987-01-14 |
| JPH0210383B2 (ja) | 1990-03-07 |
| AU8644882A (en) | 1983-02-03 |
| CA1212148A (en) | 1986-09-30 |
| US4595876A (en) | 1986-06-17 |
| AU556145B2 (en) | 1986-10-23 |
| EP0071106A1 (en) | 1983-02-09 |
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