JPS5828423B2 - 内燃機関用点火回路における制御回路 - Google Patents
内燃機関用点火回路における制御回路Info
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- JPS5828423B2 JPS5828423B2 JP6064579A JP6064579A JPS5828423B2 JP S5828423 B2 JPS5828423 B2 JP S5828423B2 JP 6064579 A JP6064579 A JP 6064579A JP 6064579 A JP6064579 A JP 6064579A JP S5828423 B2 JPS5828423 B2 JP S5828423B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は内燃機関用点火回路に於ける制御回路の改良に
関する。
関する。
従来から在る制御回路ではしばしばその制御トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の周囲温度に対する約−２
ｍＶ／’Ｃのしきい値の変化を補償するため、そのベー
ス・エミッタ間にサーミスタと抵抗の組合せ回路、ある
いはバリスタダイオードと抵抗の組合せ回路の温度補償
回路を並列接続して、これに一次巻線の端子電圧を抵抗
分圧して印加する方法が採られていることは周知のとむ
りであるが、サーミスタの抵抗値やバリスタダイオード
の順電圧の精度公差が大きいため、個々の製品毎に温度
補償回路のこれら感温素子や抵抗の組替え接続を要し、
あるいは分圧抵抗の交換を要して非生産的であり、また
制御トランジスタのベース・エミッタ間電圧とこれら感
温素子の各温度特性が異るために内燃機関として要求さ
れる広範囲の周囲温度、例えば−２００〜８０’Ｃに亘
り完全な温度補償回路を構成するには極めて困難な問題
がある。
タのベース・エミッタ間電圧の周囲温度に対する約−２
ｍＶ／’Ｃのしきい値の変化を補償するため、そのベー
ス・エミッタ間にサーミスタと抵抗の組合せ回路、ある
いはバリスタダイオードと抵抗の組合せ回路の温度補償
回路を並列接続して、これに一次巻線の端子電圧を抵抗
分圧して印加する方法が採られていることは周知のとむ
りであるが、サーミスタの抵抗値やバリスタダイオード
の順電圧の精度公差が大きいため、個々の製品毎に温度
補償回路のこれら感温素子や抵抗の組替え接続を要し、
あるいは分圧抵抗の交換を要して非生産的であり、また
制御トランジスタのベース・エミッタ間電圧とこれら感
温素子の各温度特性が異るために内燃機関として要求さ
れる広範囲の周囲温度、例えば−２００〜８０’Ｃに亘
り完全な温度補償回路を構成するには極めて困難な問題
がある。
本発明はこれらの課題を解決するため、制御トランジス
タのベース・エミッタ間電圧の変化に対応するサーミス
タやバリスタダイオードに依る温度補償回路を廃して、
如何なる周囲温度にむいても一次巻線の遮断されるべき
順電流に比例した電流によりコンデンサの正充電を行い
、また一次巻線の逆電圧による電流で逆充電を行って制
御回路のトランジスタを制御することによって常に所定
値以上の順電流を遮断して点火コイルの二次巻線に発生
する点火電圧を確保することを目的とする。
タのベース・エミッタ間電圧の変化に対応するサーミス
タやバリスタダイオードに依る温度補償回路を廃して、
如何なる周囲温度にむいても一次巻線の遮断されるべき
順電流に比例した電流によりコンデンサの正充電を行い
、また一次巻線の逆電圧による電流で逆充電を行って制
御回路のトランジスタを制御することによって常に所定
値以上の順電流を遮断して点火コイルの二次巻線に発生
する点火電圧を確保することを目的とする。
本発明をその実施例の第１図及び第２図について説明す
ると、点火コイルＴは鉄心Ｆにその一部巻線をダイオー
ドＤで短絡した一次巻線Ｔ１と二次巻線Ｔ２を巻装して
成り、該両巻線の各一端子は共通接地され、二次巻線Ｔ
２の他端子は点火プラグＰに接続されている。
ると、点火コイルＴは鉄心Ｆにその一部巻線をダイオー
ドＤで短絡した一次巻線Ｔ１と二次巻線Ｔ２を巻装して
成り、該両巻線の各一端子は共通接地され、二次巻線Ｔ
２の他端子は点火プラグＰに接続されている。
前記−次巻線Ｔ１の両端子間には、ＰＮＰ形のトランジ
スタＱ１のコレクタをＮＰＮ形のトランジスタＱ２のベ
ースに接続し、該トランジスタＱ１のベースをバイアス
抵抗ＲＢを介して該トランジスタＱ２のエミッタｌこ接
続して成る複合接続回路をその順方向が前記共通接地側
を正電圧とするように挿入接続する○ ＰＮＰ形のトランジスタＱ３ 、Ｑ４の各エミッタをコ
ンデンサＣを介して接続し、前記−次巻線Ｔ１の両端子
間に分圧抵抗Ｒ４、Ｒ２の直列接続を挿入接続した該直
列接続点に前記のトランジスタＱ３のコレクタとトラン
ジスタＱ４のベースを接続して制御回路を形成して該制
御回路のトランジスタＱ４のコレクタを前記複合接続回
路のトランジスタＱ１のベースに接続し、トランジスタ
Ｑ４のエミッタとトランジスタＱ３のベース間回路を、
第１図にち−いては前記の一次巻線Ｔ１の接地端子と複
合接続回路のトランジスタＱ、のエミッタ間に挿入接続
した制御抵抗Ｒ６の両端子に並列接続し第２図にむいて
は前記の一次巻線Ｔ１の接地端子と複合接続回路のトラ
ンジスタＱ２のコレクタ間に挿入接続した制御抵抗Ｒ６
の両端子に並列接続する。
スタＱ１のコレクタをＮＰＮ形のトランジスタＱ２のベ
ースに接続し、該トランジスタＱ１のベースをバイアス
抵抗ＲＢを介して該トランジスタＱ２のエミッタｌこ接
続して成る複合接続回路をその順方向が前記共通接地側
を正電圧とするように挿入接続する○ ＰＮＰ形のトランジスタＱ３ 、Ｑ４の各エミッタをコ
ンデンサＣを介して接続し、前記−次巻線Ｔ１の両端子
間に分圧抵抗Ｒ４、Ｒ２の直列接続を挿入接続した該直
列接続点に前記のトランジスタＱ３のコレクタとトラン
ジスタＱ４のベースを接続して制御回路を形成して該制
御回路のトランジスタＱ４のコレクタを前記複合接続回
路のトランジスタＱ１のベースに接続し、トランジスタ
Ｑ４のエミッタとトランジスタＱ３のベース間回路を、
第１図にち−いては前記の一次巻線Ｔ１の接地端子と複
合接続回路のトランジスタＱ、のエミッタ間に挿入接続
した制御抵抗Ｒ６の両端子に並列接続し第２図にむいて
は前記の一次巻線Ｔ１の接地端子と複合接続回路のトラ
ンジスタＱ２のコレクタ間に挿入接続した制御抵抗Ｒ６
の両端子に並列接続する。
上記トランジスタＱ１．Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４はすべてシリ
コントランジスタである。
コントランジスタである。
前記点火コイルＴと図示されない磁石を内蔵したロータ
とによってマグネトを構威し、該ロータが内燃機関によ
って回転１駆動されて点火コイルＴの鉄心Ｆ内に磁束変
化が発生し、該ロータの一回紙缶一回の順電流を前記複
合接続回路に流す。
とによってマグネトを構威し、該ロータが内燃機関によ
って回転１駆動されて点火コイルＴの鉄心Ｆ内に磁束変
化が発生し、該ロータの一回紙缶一回の順電流を前記複
合接続回路に流す。
前記の点火コイルＴの一次巻線Ｔ１の一部巻線をダイオ
ードＤで短絡した回路は本件出願人が先に出願した「特
願昭５４−４３６０４（特開昭５５−１３７３５２号公
報）昭５４・４・１２日出願、内燃機関用点火回路に釦
ける逆電流処理回路」に依るものであり、前記のマグネ
ト及び複合接続回路は本件出願人が先に出願した「実願
昭５２−０３２６０７、実開昭５３−１２７０３１号公
報昭５２・３・１７日出願、内燃機関用点火回路」に依
るものである。
ードＤで短絡した回路は本件出願人が先に出願した「特
願昭５４−４３６０４（特開昭５５−１３７３５２号公
報）昭５４・４・１２日出願、内燃機関用点火回路に釦
ける逆電流処理回路」に依るものであり、前記のマグネ
ト及び複合接続回路は本件出願人が先に出願した「実願
昭５２−０３２６０７、実開昭５３−１２７０３１号公
報昭５２・３・１７日出願、内燃機関用点火回路」に依
るものである。
前記マグネトのロータの回転によって点火コイルＴの一
次巻線Ｔ１０両端子間には接地端子を正電圧とする順電
圧ｖ１Ｆが発生して複合接続回路を導通して一次巻線Ｔ
１に順電流１１Ｆが流れる。
次巻線Ｔ１０両端子間には接地端子を正電圧とする順電
圧ｖ１Ｆが発生して複合接続回路を導通して一次巻線Ｔ
１に順電流１１Ｆが流れる。
この順電流ＩＮＦに比例した電流が第１図、第２図の制
御抵抗Ｒ８に流れ、その両端子間に端子電圧Ｖ□０が発
生してコンデンサＣを通してトランジスタＱ３のベース
電流ＩＢ３を流し、同時にコレクタ電流Ｉｃ３が分圧抵
抗Ｒ２を通って流れる○ この過程のはじめにはコンデンサＣは後記する一次巻線
Ｔ１の逆電圧ｖ１Ｒ，で既に逆充電された状態にあるの
で、その端子電圧ＶＣは制御抵抗％の端子電圧ｖ凡○の
正値に対しては負値であり、トランジスタＱ３の工□ツ
タ電流■。
御抵抗Ｒ８に流れ、その両端子間に端子電圧Ｖ□０が発
生してコンデンサＣを通してトランジスタＱ３のベース
電流ＩＢ３を流し、同時にコレクタ電流Ｉｃ３が分圧抵
抗Ｒ２を通って流れる○ この過程のはじめにはコンデンサＣは後記する一次巻線
Ｔ１の逆電圧ｖ１Ｒ，で既に逆充電された状態にあるの
で、その端子電圧ＶＣは制御抵抗％の端子電圧ｖ凡○の
正値に対しては負値であり、トランジスタＱ３の工□ツ
タ電流■。
３によって正充電されて正値に向って上昇する。
一方この過程のはじめにトランジスタＱ２のエミッタの
電位は上記のコンデンサＣの逆充電で正電位に高められ
てかり、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ３ はそのし
きい値を上回っているので、前記ロータの極めて低い回
転速度にむける■ＦＬｏ＜ＶＢＥｓ ｌに釦いてさえも
トランジスタＱ３はオンするが、上記のコンデンサＣの
端子電圧ｖｃの負値から正値に向っての上昇に従ってト
ランジス７０３勺エミッタの電位は降下し、遂にそのベ
ース・エミッタ間電圧ｖＢＥ３ ばそのしきい値を切っ
て遂に零になり、この瞬間にトランジスタＱ３はオフす
る。
電位は上記のコンデンサＣの逆充電で正電位に高められ
てかり、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥ３ はそのし
きい値を上回っているので、前記ロータの極めて低い回
転速度にむける■ＦＬｏ＜ＶＢＥｓ ｌに釦いてさえも
トランジスタＱ３はオンするが、上記のコンデンサＣの
端子電圧ｖｃの負値から正値に向っての上昇に従ってト
ランジス７０３勺エミッタの電位は降下し、遂にそのベ
ース・エミッタ間電圧ｖＢＥ３ ばそのしきい値を切っ
て遂に零になり、この瞬間にトランジスタＱ３はオフす
る。
よってこれまでトランジスタＱ３で短絡されていた分圧
抵抗Ｒ１が開放されて予め高い値に設定されている分圧
ｖ１ＦＲＩ ／ （Ｒ１＋ Ｒ２）が回復してトランジ
スタＱ４は直ちにオンし、トランジスタＱ１のエミッタ
・ベース間を短絡してトランジスタＱ１はオフし、同時
にトランジスタＱ２もオフする。
抵抗Ｒ１が開放されて予め高い値に設定されている分圧
ｖ１ＦＲＩ ／ （Ｒ１＋ Ｒ２）が回復してトランジ
スタＱ４は直ちにオンし、トランジスタＱ１のエミッタ
・ベース間を短絡してトランジスタＱ１はオフし、同時
にトランジスタＱ２もオフする。
即ち制御回路がオン状態になった瞬間に複合接続回路は
オフ状態になり、点火コイルＴの一次巻線Ｔ１の順電流
■１Ｆは遮断されて、その二次巻線Ｔ２に二次高電圧が
発生して点火プラグＰに点火電圧が与えられる。
オフ状態になり、点火コイルＴの一次巻線Ｔ１の順電流
■１Ｆは遮断されて、その二次巻線Ｔ２に二次高電圧が
発生して点火プラグＰに点火電圧が与えられる。
続いて一次巻線Ｔ１には上記順電圧ＶｔＦと反対の逆電
圧Ｖ＋Ｒが誘起して分圧抵抗Ｒ２、トランジスタ０゜３
のコレクタ・ベース間、制御抵抗％を通してトランジス
タＱ３の新たなベース電流を流し、そのコレクタ・エミ
ッタ間を導通して新たなコレクタ電流を流し、コンデン
サＣを逆充電してその端子電圧ＶＣはトランジスタＱ３
のエミッタの接続端子側を正値とする電圧になる。
圧Ｖ＋Ｒが誘起して分圧抵抗Ｒ２、トランジスタ０゜３
のコレクタ・ベース間、制御抵抗％を通してトランジス
タＱ３の新たなベース電流を流し、そのコレクタ・エミ
ッタ間を導通して新たなコレクタ電流を流し、コンデン
サＣを逆充電してその端子電圧ＶＣはトランジスタＱ３
のエミッタの接続端子側を正値とする電圧になる。
内燃機関の点火プラグＰの点火電圧をその低始動回転速
度ｎ。
度ｎ。
にち・いて確保するために、この回転速度ｎ。においで
は一次巻線Ｔ１の順電圧ｖ１Ｆの最大値に対応する順電
流１１Ｆの最大値にむいて複合接続回路がオフになるよ
うに制御回路のオン時が、制御抵抗Ｒ８の抵抗値とコン
デンサＣの静電容量の選定により調整される。
は一次巻線Ｔ１の順電圧ｖ１Ｆの最大値に対応する順電
流１１Ｆの最大値にむいて複合接続回路がオフになるよ
うに制御回路のオン時が、制御抵抗Ｒ８の抵抗値とコン
デンサＣの静電容量の選定により調整される。
従ってこの順電圧Ｖ１Ｆの最大値時の複合接続回路のオ
フに釦いて制御抵抗Ｒ８の端子電圧も最大値である。
フに釦いて制御抵抗Ｒ８の端子電圧も最大値である。
各トランジスタのコレクタ電流は周囲温度の上昇ととも
に増加して、コレクタ・エミッタ間電圧■ｃＥとコレク
タ電流Ｉｃによって定まる動作点を変化させる。
に増加して、コレクタ・エミッタ間電圧■ｃＥとコレク
タ電流Ｉｃによって定まる動作点を変化させる。
コレクタ電流Ｉｃの温度変化をひき起こす要因として考
えられるものにコレクタ遮断電流ｌ０Ｂ０１ベース・エ
ミッタ間電圧ＶＢＥ、直流電流増幅率ｈＦＥ の三つが
あるが、奥際の回路についてこの三つを同時に考えるこ
とは極めて複雑であり、本回路に使用されるトランジス
タは前記のと釦りすべてシリコントランジスタであるの
で上記の三つのうち最も影響の大きいベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥのみについて考えることにする。
えられるものにコレクタ遮断電流ｌ０Ｂ０１ベース・エ
ミッタ間電圧ＶＢＥ、直流電流増幅率ｈＦＥ の三つが
あるが、奥際の回路についてこの三つを同時に考えるこ
とは極めて複雑であり、本回路に使用されるトランジス
タは前記のと釦りすべてシリコントランジスタであるの
で上記の三つのうち最も影響の大きいベース・エミッタ
間電圧ＶＢＥのみについて考えることにする。
周囲温度の変化に対してシリコントランジスタのベース
・エミッタ間電圧ＶＢＢ’Ｉ”！約 ２ｍＶ／Ｃの変化
をするので、周囲温度が上昇すると、複合接続回路のト
ランジスタＱ、、Ｑ２のベース・エミッタ間電圧ＩＶＢ
Ｅ１１、ＶＢＥ２は減少して、主として複合接続回路に
よって決定される順電圧ＶＩＦは低減（この場合Ｖ＞
Ｆの減少値は、トランジスタＱ、のベース電流の増加に
よるバイアス抵抗ＲＢの端子電圧の増加があるので）Ｉ
ＶＢＥＩＩあるいはＶＢＥ２ の減少値より小さい）し
、順電流ＩｔＦは増加する。
・エミッタ間電圧ＶＢＢ’Ｉ”！約 ２ｍＶ／Ｃの変化
をするので、周囲温度が上昇すると、複合接続回路のト
ランジスタＱ、、Ｑ２のベース・エミッタ間電圧ＩＶＢ
Ｅ１１、ＶＢＥ２は減少して、主として複合接続回路に
よって決定される順電圧ＶＩＦは低減（この場合Ｖ＞
Ｆの減少値は、トランジスタＱ、のベース電流の増加に
よるバイアス抵抗ＲＢの端子電圧の増加があるので）Ｉ
ＶＢＥＩＩあるいはＶＢＥ２ の減少値より小さい）し
、順電流ＩｔＦは増加する。
従ってこの場合、前記のとち・り制御抵抗Ｒ８には順電
流ＩＩＦ’に比例した電流が流れているので制御抵抗Ｒ
８の端子電圧ＶＲ，。
流ＩＩＦ’に比例した電流が流れているので制御抵抗Ｒ
８の端子電圧ＶＲ，。
の最大値は増大しようとするが、その並列接続回路に在
るトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧■ＢＥ３
の約−２ｍＶ／’Ｃの変化のためにほぼ周囲温度上昇前
の値に止る。
るトランジスタＱ２のベース・エミッタ間電圧■ＢＥ３
の約−２ｍＶ／’Ｃの変化のためにほぼ周囲温度上昇前
の値に止る。
かくして前記低始動回転速度ｎ。
にトける制御抵抗Ｒ８の端子電圧ｖＲｏの最大値は如何
なる周囲温度にむいてもほぼ一定であり、この一定値に
達すると制御回路はオンして複合接続回路はオフし、一
次順電流ＩｔＦはその最大値にむいて遮断される。
なる周囲温度にむいてもほぼ一定であり、この一定値に
達すると制御回路はオンして複合接続回路はオフし、一
次順電流ＩｔＦはその最大値にむいて遮断される。
本発明の実施例を示す第１図及び第２図の回路にむいて
は、上述の説明において省略した各トランジスタのコレ
クタ遮断電流ＩＣＢＯ直流電流増幅率ｈＦＥ並びにコン
デンサＣの静電容量等の周囲温度による変化の影響もあ
り、順電圧Ｖ＋Ｆ及び制御抵抗Ｒ８の端子電圧は周囲温
度の上昇に伴ってやや低減の傾向を示すが、前記低始動
回転速度ｎ。
は、上述の説明において省略した各トランジスタのコレ
クタ遮断電流ＩＣＢＯ直流電流増幅率ｈＦＥ並びにコン
デンサＣの静電容量等の周囲温度による変化の影響もあ
り、順電圧Ｖ＋Ｆ及び制御抵抗Ｒ８の端子電圧は周囲温
度の上昇に伴ってやや低減の傾向を示すが、前記低始動
回転速度ｎ。
にむいて−２０°〜８０℃の範囲程度の周囲温度にむい
ては点火プラグＰの点火電圧を充分に確保できる。
ては点火プラグＰの点火電圧を充分に確保できる。
前記の一次巻線Ｔ１の一部巻線をダイオードＤで短絡し
た回路は、内燃機関の回転速度が上昇した場合に逆電圧
ｖ１ が複合接続回路のトランジスタＱ２のコレクタ
開放エミッタ・ベース間電圧ＶＥＢＯ２を越してトラン
ジスタＱ２に逆電流が流れて過熱になり、その特性の劣
化を招くことのないように逆電圧ＶｔＲが該電圧Ｖ’Ｂ
Ｂ０２をあまり越さないように抑制する機能をもつもの
である。
た回路は、内燃機関の回転速度が上昇した場合に逆電圧
ｖ１ が複合接続回路のトランジスタＱ２のコレクタ
開放エミッタ・ベース間電圧ＶＥＢＯ２を越してトラン
ジスタＱ２に逆電流が流れて過熱になり、その特性の劣
化を招くことのないように逆電圧ＶｔＲが該電圧Ｖ’Ｂ
Ｂ０２をあまり越さないように抑制する機能をもつもの
である。
前記のＰＮＰ形のトランジスタＱ１ とＮＰＮ形のトラ
ンジスタＱ２の複合接続回路を一次巻線Ｔ１の順電流Ｉ
ＮＦＯ導通回路に応用する理由は、順電圧ｖ１Ｆが他の
複合接続回路例えばＮＰＮ形のトランジスタＱ１．Ｑ２
のダーリントン接続に比較して低く、これに伴って遮断
されるべき順電流Ｉ＋Ｆが一次巻線Ｔ１の短絡電流に近
くとれる特徴を有ることにある。
ンジスタＱ２の複合接続回路を一次巻線Ｔ１の順電流Ｉ
ＮＦＯ導通回路に応用する理由は、順電圧ｖ１Ｆが他の
複合接続回路例えばＮＰＮ形のトランジスタＱ１．Ｑ２
のダーリントン接続に比較して低く、これに伴って遮断
されるべき順電流Ｉ＋Ｆが一次巻線Ｔ１の短絡電流に近
くとれる特徴を有ることにある。
第１図に示すようにこの複合接続回路の一次巻線Ｔ１の
接地端子とトランジスタＱ１のエミッタ間に制御抵抗Ｒ
８を挿入接続すると一次巻線Ｔ１の順電圧■１Ｆは釦よ
そ該抵抗Ｒ６の端子電圧外だけ高くなるがそれでも前記
のダーリントン接続の順電圧程度で止まり、順電流Ｉｔ
Ｆ の主路のトランジスタＱ２のコレクタが直接接地で
きて放熱効果を高める特徴があり、また第２図に示すよ
うに一次巻線Ｔ１の接地端子とトランジスタＱ２のコレ
クタ間に制御抵抗Ｒ６を挿入接続する場合は順電圧Ｖ＋
Ｆに影響しない特徴がある。
接地端子とトランジスタＱ１のエミッタ間に制御抵抗Ｒ
８を挿入接続すると一次巻線Ｔ１の順電圧■１Ｆは釦よ
そ該抵抗Ｒ６の端子電圧外だけ高くなるがそれでも前記
のダーリントン接続の順電圧程度で止まり、順電流Ｉｔ
Ｆ の主路のトランジスタＱ２のコレクタが直接接地で
きて放熱効果を高める特徴があり、また第２図に示すよ
うに一次巻線Ｔ１の接地端子とトランジスタＱ２のコレ
クタ間に制御抵抗Ｒ６を挿入接続する場合は順電圧Ｖ＋
Ｆに影響しない特徴がある。
上述のとムリ本発明は複合接続回路の接地側に挿入接続
した制御抵抗Ｒ６の一次巻線Ｔ１の順電流Ｉ＋Ｆに比例
した端子電圧ＶＲＯによって制御回路のコンデンサＣを
正充電し、また本来ならば障害ともなる一次巻線Ｔ１の
逆電圧ＶｔＲを利用してコンデンサＣの逆充電を行って
制御回路の毎回のオン・オフ作用を完遂させるものであ
り、従って本発明の制御回路は制御トランジスタのベー
ス・エミッタ間にサーミスタ、バリスタダイオード等の
精度公差の大きい感温素子を用いた温度補償回路に依存
しないで広範囲の周囲温度に亘りむらなく低始動回転速
度ｎ。
した制御抵抗Ｒ６の一次巻線Ｔ１の順電流Ｉ＋Ｆに比例
した端子電圧ＶＲＯによって制御回路のコンデンサＣを
正充電し、また本来ならば障害ともなる一次巻線Ｔ１の
逆電圧ＶｔＲを利用してコンデンサＣの逆充電を行って
制御回路の毎回のオン・オフ作用を完遂させるものであ
り、従って本発明の制御回路は制御トランジスタのベー
ス・エミッタ間にサーミスタ、バリスタダイオード等の
精度公差の大きい感温素子を用いた温度補償回路に依存
しないで広範囲の周囲温度に亘りむらなく低始動回転速
度ｎ。
にち−ける充分な点火電圧の確保を保証するものである
。
。
前記のとおり本発明の制御回路はコンデンサＣの逆充電
によって非常に低い回転速度に釦いても制御機能を有し
ていて点火電圧を発生しているので、回転速度が零から
上昇する内燃機関の始動時において点火電圧の発生回数
を多くして始動を容易にする効果がある。
によって非常に低い回転速度に釦いても制御機能を有し
ていて点火電圧を発生しているので、回転速度が零から
上昇する内燃機関の始動時において点火電圧の発生回数
を多くして始動を容易にする効果がある。
本回路は制御抵抗Ｒ６の抵抗値を小さくすれば、中高回
転速度領域に釦ける該抵抗の端子電圧ＶＦＬＯが制御電
圧に達するのが遅れ、従ってコンデンサＣの正充電が遅
れて内燃機関の点火時期も遅れて来る。
転速度領域に釦ける該抵抗の端子電圧ＶＦＬＯが制御電
圧に達するのが遅れ、従ってコンデンサＣの正充電が遅
れて内燃機関の点火時期も遅れて来る。
これと逆に該抵抗Ｒ６の抵抗値を大きくすれば点火時期
は早くなる。
は早くなる。
従って制御抵抗Ｒ６を可変にしてこれを調整すれば、中
高回転速度領域での点火時期が自由に選べる。
高回転速度領域での点火時期が自由に選べる。
第１図は本発明の実施例の電気回路図、第２図は本発明
の他の実施例の電気回路図である。 Ｔ・・・・・・点火コイル、Ｔ１ ・・・・・・一次
巻線、Ｔ２ ・・・・・二次巻線、Ｆ・・・・・・鉄心
、Ｐ・・・・・・点火プラグ、Ｄ・・・・・・ダイオー
ド、Ｑｌ、Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４・・・・・・トランジスタ
、ＲＢ・・・・・・バイアス抵抗、Ｒ１、Ｒ２・・・・
・・分圧抵抗、Ｒｏ ・・・・・・制御抵抗、Ｃ・・・
・・・コンデンサ。
の他の実施例の電気回路図である。 Ｔ・・・・・・点火コイル、Ｔ１ ・・・・・・一次
巻線、Ｔ２ ・・・・・二次巻線、Ｆ・・・・・・鉄心
、Ｐ・・・・・・点火プラグ、Ｄ・・・・・・ダイオー
ド、Ｑｌ、Ｑ２．Ｑ３．Ｑ４・・・・・・トランジスタ
、ＲＢ・・・・・・バイアス抵抗、Ｒ１、Ｒ２・・・・
・・分圧抵抗、Ｒｏ ・・・・・・制御抵抗、Ｃ・・・
・・・コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄心Ｆに一部巻線をダイオードＤで短絡した一次巻
線Ｔ１と二次巻線Ｔ２を巻装して該両巻線の各一端子を
共通接地したマグネトの点火コイルＴの該−次巻線Ｔ、
の両端子間に、バイアス抵抗ＲＢをベースに接続したＰ
ＮＰ形のトランジスタＱ１とＮＰＮ形のトランジスタＱ
２とから成る複合接続回路を該複合回路の順方向が前記
共通接地側を正電圧とするように挿入接続し、更にＰＮ
Ｐ形のトランジスタＱ３． Ｑ４の各工□ツタをコンデ
ンサＣを介して壕続し、前記−次巻線Ｔ、の両端子間に
分圧抵抗Ｆｔ１． Ｒ２の直列接続を挿入接続した該直
列接続点に、前記のトランジスタＱ３のコレクタとトラ
ンジスタＱ４のベースを接続して制御回路を形成し、該
制御回路のトランジスタＱ４のコレクタを前記複合接続
回路のトランジスタＱ１のベースに接続し、複合接続回
路のトランジスタのいずれか一方の接地側の端子と、一
次巻線の接地端子間に制御抵抗Ｒ８を接続し、トランジ
スタものエミッタとトランジスタＱ３のく−ス間回路を
該制御抵抗Ｒ８の両端子に、並列接続したことを特徴と
する内燃機関用点火回路にむける制御回路。 ２ 前記制御抵抗Ｒ６を一次巻線Ｔ１の接地端子と複合
接続回路のトランジスタＱ１のエミッタとの間に挿入接
続して該制御抵抗Ｒ６の両端子に制御回路のトランジス
タＱ４のエミッタとトランジスタＱ３のベース間回路を
並列接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の内燃機関用点火回路に釦ける制御回路。 ３ 前記制御抵抗Ｒ６を一次巻線Ｔ、の接地端子と複合
接続回路のトランジスタＱ２のコレクタとの間に挿入接
続して該制御抵抗Ｒ６の両端子に制御回路のトランジス
タＱ４のエミッタとトランジスタＱ３のベース間回路を
並列接続したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の内燃機関用点火回路における制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064579A JPS5828423B2 (ja) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | 内燃機関用点火回路における制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6064579A JPS5828423B2 (ja) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | 内燃機関用点火回路における制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55153855A JPS55153855A (en) | 1980-12-01 |
| JPS5828423B2 true JPS5828423B2 (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=13148263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6064579A Expired JPS5828423B2 (ja) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | 内燃機関用点火回路における制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828423B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323696Y2 (ja) * | 1984-12-04 | 1991-05-23 |
-
1979
- 1979-05-17 JP JP6064579A patent/JPS5828423B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323696Y2 (ja) * | 1984-12-04 | 1991-05-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55153855A (en) | 1980-12-01 |
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