JPS5827982A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
- Publication number
- JPS5827982A JPS5827982A JP12520181A JP12520181A JPS5827982A JP S5827982 A JPS5827982 A JP S5827982A JP 12520181 A JP12520181 A JP 12520181A JP 12520181 A JP12520181 A JP 12520181A JP S5827982 A JPS5827982 A JP S5827982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- film
- metal film
- alternating magnetic
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エツチング装置に関する。
従来、半導体素子製造過程の内、電極形成のための金属
膜の選択エツチングはエッチ液を用いる方法で行なわれ
ている。この方法では、金属膜厚の変動、液の組成変化
、液温などによってエツチングにかかる時間は鋭敏に変
化することから、エツチングの終了を目視により判断す
る傾斜エツチング装置が用いられてきた。ところが目視
検出であるため個人差が出ること、熟練が必要であるこ
と−などの問題があり品質の不揃いが起りやすい、自動
化が困難であるという欠点があっム７゜本発明は、自動
エツチング終了検出機能を有するエツチング装置を提供
することを目的とする。
膜の選択エツチングはエッチ液を用いる方法で行なわれ
ている。この方法では、金属膜厚の変動、液の組成変化
、液温などによってエツチングにかかる時間は鋭敏に変
化することから、エツチングの終了を目視により判断す
る傾斜エツチング装置が用いられてきた。ところが目視
検出であるため個人差が出ること、熟練が必要であるこ
と−などの問題があり品質の不揃いが起りやすい、自動
化が困難であるという欠点があっム７゜本発明は、自動
エツチング終了検出機能を有するエツチング装置を提供
することを目的とする。
本発明は、被加工物である金属膜ＶＣ交番磁界を印加す
ることにより金属膜内に流れる渦電流、および表面で一
定力向に反射される光の強度がエツチングの進行に伴っ
て変化することがわかり、これらの変化を検出すること
によって、エツチング終了時点を検出することか可能と
なり、これを従来の傾斜エツチング装置に取りつけ、目
視にかわってエツチング終了時点を自動検出する機能を
有するエツチング装置としたものである。
ることにより金属膜内に流れる渦電流、および表面で一
定力向に反射される光の強度がエツチングの進行に伴っ
て変化することがわかり、これらの変化を検出すること
によって、エツチング終了時点を検出することか可能と
なり、これを従来の傾斜エツチング装置に取りつけ、目
視にかわってエツチング終了時点を自動検出する機能を
有するエツチング装置としたものである。
第１図は本発明の一実施例におけろ斜視図である。ウェ
ハを配列してエッチ液を流下させながらエッチする傾斜
した流路を持つエッチ部１．ウェハな水洗するための水
洗部２．エッチ部１から水洗部２にウェハな移し替える
ための移し替え機構３、およびエツチング終了時点を検
出する検出部４とからなる。ウェハは検出部４の直下に
固定され、斜面を流下するエッチ流によってエッチされ
る。エツチングの進行状況は検出部４によって常に監視
されており、エツチングの終了時点になると、それを表
示、あるいは移し替え機構３によって自動的に水洗部２
にウェハを移動する。
ハを配列してエッチ液を流下させながらエッチする傾斜
した流路を持つエッチ部１．ウェハな水洗するための水
洗部２．エッチ部１から水洗部２にウェハな移し替える
ための移し替え機構３、およびエツチング終了時点を検
出する検出部４とからなる。ウェハは検出部４の直下に
固定され、斜面を流下するエッチ流によってエッチされ
る。エツチングの進行状況は検出部４によって常に監視
されており、エツチングの終了時点になると、それを表
示、あるいは移し替え機構３によって自動的に水洗部２
にウェハを移動する。
第２図は検出部３で用いる検出方法の一実施例の構成図
である。被加工体であるウェハ表面の金属膜に交番磁界
を印加するコイル６はウェハかも一定間隔で固定されて
いる。コイル６に交流電源７かも交流を印加する。交流
電流計８はコイルに流れる電流の変化を検出するための
ものである。
である。被加工体であるウェハ表面の金属膜に交番磁界
を印加するコイル６はウェハかも一定間隔で固定されて
いる。コイル６に交流電源７かも交流を印加する。交流
電流計８はコイルに流れる電流の変化を検出するための
ものである。
コイル６に印加された交流により、金属膜を貫通する交
番磁界が発生し、電磁前溝によって渦電流が金属膜に流
れる。この電流は新たな磁界な発生し、この磁界はコイ
ルに影響を与える。この電磁誘導作用のために、見かけ
上コイル６のインダクタンスは本来のものと異なる。と
ころで渦電流はコイルとウェハとの距離を一定とすると
、金属膜のエツチング進行状態によって大きく変化する
。
番磁界が発生し、電磁前溝によって渦電流が金属膜に流
れる。この電流は新たな磁界な発生し、この磁界はコイ
ルに影響を与える。この電磁誘導作用のために、見かけ
上コイル６のインダクタンスは本来のものと異なる。と
ころで渦電流はコイルとウェハとの距離を一定とすると
、金属膜のエツチング進行状態によって大きく変化する
。
′ｆなわち、渦電流は金属膜中を流れろため、金属膜に
切れ目のないエツチング初期には多（、エツチング終了
時点のように、金属膜が雷、極に細分された時には小さ
くなる。このため、エツチングの進行に伴って、コイル
のインダクタンスは見かけ上質化する。これを電流の変
化として電流計８で検出する。
切れ目のないエツチング初期には多（、エツチング終了
時点のように、金属膜が雷、極に細分された時には小さ
くなる。このため、エツチングの進行に伴って、コイル
のインダクタンスは見かけ上質化する。これを電流の変
化として電流計８で検出する。
ここでコイル６の固定場所はここに示した例ばかりでな
く、ウェハの裏側に固定し、た場合も同じ効果が得られ
る。
く、ウェハの裏側に固定し、た場合も同じ効果が得られ
る。
エツチングの終了時点の検出は、渦電流を利用するだけ
ではない。第３図は、光の反射を利用した一例の構成図
である。これは、ウェハの表面に光をあてろための投光
部７、および反射光を受光し電圧あるいは電流に変換す
る受光部８とからなる。エツチングの進行とともに金属
膜の一部が溶出し、凹凸ができる。さらにエツチング終
了点附近では下地が露出し、下地と金属膜との反射率の
差によって、受光部に入る光量が変化する。この変化を
検出することにより、エツチングの進行状態を監視し、
エツチング終了時点を検出する。
ではない。第３図は、光の反射を利用した一例の構成図
である。これは、ウェハの表面に光をあてろための投光
部７、および反射光を受光し電圧あるいは電流に変換す
る受光部８とからなる。エツチングの進行とともに金属
膜の一部が溶出し、凹凸ができる。さらにエツチング終
了点附近では下地が露出し、下地と金属膜との反射率の
差によって、受光部に入る光量が変化する。この変化を
検出することにより、エツチングの進行状態を監視し、
エツチング終了時点を検出する。
本発明により、従来目視に頼っていたエツチングの終了
時点の検出を一定の基準で自動的に行うことができ、品
ηの変動が小すクナリ、エッチ工程における加工精度が
向上する。さらに従来、目視判断によって行っていたた
め、自動化が困難であつムコ金属膜エッチ７グ作業を自
動化できる効果がある。
時点の検出を一定の基準で自動的に行うことができ、品
ηの変動が小すクナリ、エッチ工程における加工精度が
向上する。さらに従来、目視判断によって行っていたた
め、自動化が困難であつムコ金属膜エッチ７グ作業を自
動化できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による自動終点検出装置付エ
ツチング装置の斜視図、第２図はその検出部の一例とし
て、金属膜内の渦電流を検出する場合の実施例による構
成図、および第３図は、光反射を利用した実施例による
構成図である。 ｌ・・・エッチ部、２・・水洗部、３・・・移し替え機
構、４−検出部、５・・・ウェハ、６・コイル、７・・
・交流電源、８・・・交流筒２流引、９ 投光部、Ｉ
Ｃ１・・・受光部、Ｊトシリコンウエハ、１２・・金属
膜、１３・・レジスト。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
ツチング装置の斜視図、第２図はその検出部の一例とし
て、金属膜内の渦電流を検出する場合の実施例による構
成図、および第３図は、光反射を利用した実施例による
構成図である。 ｌ・・・エッチ部、２・・水洗部、３・・・移し替え機
構、４−検出部、５・・・ウェハ、６・コイル、７・・
・交流電源、８・・・交流筒２流引、９ 投光部、Ｉ
Ｃ１・・・受光部、Ｊトシリコンウエハ、１２・・金属
膜、１３・・レジスト。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子製造における電極形成のための金属膜の
選択エツチングの終了を自動検出する機能を持ったこと
を特徴とするエツチング装置。 ２、上記自動検出機能は金属膜を貫通するように印加さ
れた交番磁界によって金属膜内に発生する渦電流を検出
することより成ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のエツチング装置。 ３、上記自動検出機能は金属膜と下地との光反射率の違
い、ならびに、エツチングの進行に伴って生じる段差に
よる光散乱により、一定方向に反射される光の強さがエ
ツチングの進行とともに変化することを利用しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエツチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12520181A JPS5827982A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12520181A JPS5827982A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827982A true JPS5827982A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14904403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12520181A Pending JPS5827982A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827982A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271434A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Hitachi Ltd | エツチング完了点検出方法 |
| US4891138A (en) * | 1986-12-25 | 1990-01-02 | Ebara Corporation | Method of separating and transferring ion-exchange resin |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12520181A patent/JPS5827982A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62271434A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Hitachi Ltd | エツチング完了点検出方法 |
| US4891138A (en) * | 1986-12-25 | 1990-01-02 | Ebara Corporation | Method of separating and transferring ion-exchange resin |
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