JPS5827980A - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS5827980A JPS5827980A JP12529581A JP12529581A JPS5827980A JP S5827980 A JPS5827980 A JP S5827980A JP 12529581 A JP12529581 A JP 12529581A JP 12529581 A JP12529581 A JP 12529581A JP S5827980 A JPS5827980 A JP S5827980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- porous layer
- porous
- evaporation
- evaporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基体の表面に膜欠陥のない蒸着膜を形成する
ために有効な真空蒸着法に関する。
ために有効な真空蒸着法に関する。
真空蒸着法は、真空中で蒸発材料（例えばＡ）Ａｕなど
の金属）を蒸発させて、これを各種の基体の表面に沈着
させ、該基体に薄膜を形成する方法であって、各種の工
業分野で広く適用されている。
の金属）を蒸発させて、これを各種の基体の表面に沈着
させ、該基体に薄膜を形成する方法であって、各種の工
業分野で広く適用されている。
この真空蒸着法において、ヒータとしては主としてタン
グステン又はモリブデンが用いられ、その形状もフィラ
メント状、箔状、ボート状。
グステン又はモリブデンが用いられ、その形状もフィラ
メント状、箔状、ボート状。
等積々のものがある。
このうち、箔状、ボート状のものは、蒸発材料を収容し
、一定の面積を有する上方開口の凹みを備えている。使
用に際しては、この凹みの中に蒸発材料を収容し、適宜
ガ加熱手段（例えば高周波加熱９通電加熱）によって該
ヒータを所定温度にまで加熱して、凹みに収容されてい
る蒸発材料を蒸発させるものである。蒸発した蒸発材料
は、該凹みの上方位置に設置された基体の表面に沈着し
て薄膜を形成する。
、一定の面積を有する上方開口の凹みを備えている。使
用に際しては、この凹みの中に蒸発材料を収容し、適宜
ガ加熱手段（例えば高周波加熱９通電加熱）によって該
ヒータを所定温度にまで加熱して、凹みに収容されてい
る蒸発材料を蒸発させるものである。蒸発した蒸発材料
は、該凹みの上方位置に設置された基体の表面に沈着し
て薄膜を形成する。
このとき、蒸発材料の表面温度の不均一に起因するもの
と思われるが、基体表面に形成され ゛る薄膜（蒸着膜
）には、″ピンホール”又は“ふくれ″等の膜欠陥の生
ずることがある。この膜欠陥は、半導体素子用Ａノミ極
の形成などのように均質な薄膜が要求される分野におい
ては重大な問題である。
と思われるが、基体表面に形成され ゛る薄膜（蒸着膜
）には、″ピンホール”又は“ふくれ″等の膜欠陥の生
ずることがある。この膜欠陥は、半導体素子用Ａノミ極
の形成などのように均質な薄膜が要求される分野におい
ては重大な問題である。
本発明は、上記のような膜欠陥のない均質な蒸着膜を基
体の表面に形成する真空熱オ）法の提供を目的とするも
のである。
体の表面に形成する真空熱オ）法の提供を目的とするも
のである。
すなわち、本発明方法は、蒸発材料をＩ１ｇ容する凹み
を備えたヒータを用いて行なう真空蒸着法において、該
凹みの中に該蒸発材料を収容し、ついで該蒸発材料の表
面を櫟って多孔質層を形成した後、常法により、＃蒸発
材料を蒸発せしめることを特徴とするものである。
を備えたヒータを用いて行なう真空蒸着法において、該
凹みの中に該蒸発材料を収容し、ついで該蒸発材料の表
面を櫟って多孔質層を形成した後、常法により、＃蒸発
材料を蒸発せしめることを特徴とするものである。
本発明方法にかかるヒータは、蒸発材料の蒸発温度に耐
用できるものであれば、何を用いてもよいが１通常はタ
ングステン又はモリブデンが用いられる。ｉた。その形
状は、蒸発材料を収容し得る凹みを備えたものである。
用できるものであれば、何を用いてもよいが１通常はタ
ングステン又はモリブデンが用いられる。ｉた。その形
状は、蒸発材料を収容し得る凹みを備えたものである。
例えば、ボート状のものが最も好ましい。
本発明方法は次のようにして行なわれる。まず、上記し
たヒータの凹みに蒸発材料を収容する。蒸発材料が粉末
の場合には、凹みの底に一様にならして収容する。つい
で、蒸発材料の表面を多孔質材料で覆う。このようにし
て、多孔質材料は、蒸発材料と蒸発空間の間に介在する
多孔質層として形成される。
たヒータの凹みに蒸発材料を収容する。蒸発材料が粉末
の場合には、凹みの底に一様にならして収容する。つい
で、蒸発材料の表面を多孔質材料で覆う。このようにし
て、多孔質材料は、蒸発材料と蒸発空間の間に介在する
多孔質層として形成される。
本発明方法においては１例えば、凹みの上方開口部を多
孔質板で密閉する方法、または、蒸発材料の表面をタン
グステン細線のウール、クロス等で覆う方法、更には、
蒸発材料の表面をタングステン粗粒で覆う方法などが適
用される。
孔質板で密閉する方法、または、蒸発材料の表面をタン
グステン細線のウール、クロス等で覆う方法、更には、
蒸発材料の表面をタングステン粗粒で覆う方法などが適
用される。
これらの多孔質板、ウール、クロス、粗粒等はいずれも
蒸発材料の蒸発温度に耐用できるものでなければならな
いが、例えばタングステン。
蒸発材料の蒸発温度に耐用できるものでなければならな
いが、例えばタングステン。
モリブデンから構成されることが好ましい。
これら多孔質層は、蒸発材料の凹み（蒸発源）からの蒸
発時、不均一に蒸発する蒸発材料を一旦吸収し、均一な
状態で蒸発空間に放射する緩衝材の働きをするものと考
えられる。したがって、これら多孔質層の多孔構造の状
態は重要であり、気孔率ｌＯ〜３０％のものが好ましい
。
発時、不均一に蒸発する蒸発材料を一旦吸収し、均一な
状態で蒸発空間に放射する緩衝材の働きをするものと考
えられる。したがって、これら多孔質層の多孔構造の状
態は重要であり、気孔率ｌＯ〜３０％のものが好ましい
。
なお、ウール、クロス、粗粒を用いる場合には、蒸発材
料をこれらとまぶして同時にヒータの凹部に収容しても
、同様の効果が得られる。
料をこれらとまぶして同時にヒータの凹部に収容しても
、同様の効果が得られる。
以下に本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例１
厚さ０．２寵のタングステン板の中央部に凹みを有する
タングステンボートをヒータとした。
タングステンボートをヒータとした。
このヒータの凹みの中に金の箔を５〜７り収納した。
ついで、この凹みの上に長さ４０ｏ＋幅１２萌厚み１．
２ ｍのタングステンの多孔質板を載せて凹み全体を覆
った。タングステン多孔質板は気孔率１０〜３０％（比
重１３〜１６）のものであった。
２ ｍのタングステンの多孔質板を載せて凹み全体を覆
った。タングステン多孔質板は気孔率１０〜３０％（比
重１３〜１６）のものであった。
これら全体を常用の真空蒸着炉に入れ、最大電流３７０
Ａでアルミナの上に金を０．３〜１，５μ真空蒸着した
。
Ａでアルミナの上に金を０．３〜１，５μ真空蒸着した
。
得られた蒸着膜の任意の個所の面積３００■２を顕微鏡
で表面観察し、その個所における゛ピンホール”の有無
を調べた。
で表面観察し、その個所における゛ピンホール”の有無
を調べた。
その結果を、上記面積当シの個数の平均値として表に示
した。またピンホールの大きさも示した。なお比較のた
めに、タングステン多孔質板を用いない場合の結果もあ
わせて記した。
した。またピンホールの大きさも示した。なお比較のた
めに、タングステン多孔質板を用いない場合の結果もあ
わせて記した。
実施例２
実施例１と同様に作成した金の粉末層の上に、平均粒径
０．５〜２１ａ＋のタングステン粗粒の層を厚み１〜２
＋ｗで形成した。
０．５〜２１ａ＋のタングステン粗粒の層を厚み１〜２
＋ｗで形成した。
実施例１と同様にアルミナの上に金を１．２μ蒸着し、
得られた蒸着膜の膜欠陥を調べた。
得られた蒸着膜の膜欠陥を調べた。
実施例１と同じ面積当りの膜欠陥の個数は平均で３個以
内であった。
内であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 発熱体に設けた凹みの中に蒸発材料を収容し、該
蒸発材料の表面を多孔質層にて覆った後、蒸着すること
を特徴とする真空蒸着法。 ２、該多孔質層がタングステン又はモリブデンから成る
特許請求の範囲第１項記載の真空蒸着法。 五 該多孔質層が多孔質板、ウール、クロス。 粗粒粉末のいずれかである特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の真空蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12529581A JPS5827980A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12529581A JPS5827980A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827980A true JPS5827980A (ja) | 1983-02-18 |
Family
ID=14906543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12529581A Pending JPS5827980A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 真空蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5827980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151014A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Ulvac Corp | 金属炭化物超微粉末製造方法 |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP12529581A patent/JPS5827980A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151014A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Ulvac Corp | 金属炭化物超微粉末製造方法 |
| JPH0377125B2 (ja) * | 1984-12-24 | 1991-12-09 | Ulvac Corp |
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