JPS5827952U - 光結合半導体装置 - Google Patents

光結合半導体装置

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Publication number
JPS5827952U
JPS5827952U JP12202581U JP12202581U JPS5827952U JP S5827952 U JPS5827952 U JP S5827952U JP 12202581 U JP12202581 U JP 12202581U JP 12202581 U JP12202581 U JP 12202581U JP S5827952 U JPS5827952 U JP S5827952U
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JP
Japan
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light
recess
base
receiving
side base
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Pending
Application number
JP12202581U
Other languages
English (en)
Inventor
吉見　隆男
Original Assignee
株式会社東芝
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東芝 filed Critical 株式会社東芝
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Publication of JPS5827952U publication Critical patent/JPS5827952U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の光結合半導体装置の断面図、第２図はこ
の考案の一実施例の断面図、第３図はこの考案の他の実
施例の断面図である。 １１・・・発光側基台、１２，１３，１４・・・リード
、１５・・・発光ダイオードペレット、１７・・・発光
側ユニット、１８・・・受光側ユニット、１９・・・受
光側基台、２０，２１．２２・・・リード、２３・・・
フォトトランジスタベレット。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 凹部が形成された発光側基台と、この発光側基台と、こ
    の発光側基台の凹部底面からこの発光側基台を貫通して
    直状に伸びるリードと、このリードの凹部底面側端部に
    取り付けられた発光素子と、凹部が形成された受光側基
    台と、この受光側基台の凹部底面からこの受光側基台を
    貫通して直状に伸びるリードと、このリードの凹部底面
    側端部に取り付けられた受光素子とを具備し、上記発光
    素子と受光素子が対向するように上記発光側基台と受光
    側基台とを対設し、且つ上記両基台をそれぞれの凹部周
    縁部において熱硬化性樹脂を介して接着したことを特徴
    とする光結合半導体装置。
JP12202581U 1981-08-18 1981-08-18 光結合半導体装置 Pending JPS5827952U (ja)

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JP12202581U JPS5827952U (ja) 1981-08-18 1981-08-18 光結合半導体装置

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JPS5827952U true JPS5827952U (ja) 1983-02-23

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6373678A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH05251734A (ja) * 1992-03-05 1993-09-28 Sharp Corp 光結合装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4529488Y1 (ja) * 1967-05-31 1970-11-12

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4529488Y1 (ja) * 1967-05-31 1970-11-12

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