JPS5824968A

JPS5824968A - 感光性検知回路

Info

Publication number: JPS5824968A
Application number: JP57126642A
Authority: JP
Inventors: バステイア−ン・ベルナルド・ブ−レ・エ−ルテインク; ヘンドリクス・ヨハネス・フアン・エス
Original assignee: Oce Nederland BV
Current assignee: Canon Production Printing Netherlands BV
Priority date: 1981-07-21
Filing date: 1982-07-20
Publication date: 1983-02-15
Also published as: US4516019A; NL8103439A; EP0070590A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は感光性素子、比較器、調整および補正回路およ
び安定化回路を備えており、前記比較器の出力が検知回
路の出力に接続されており、前記調整および補正回路の
出力が安定化回路に接続されており、前記調整および補
正回路が前記安定化回路に出力信号を供給してその結果
前記感光性素子からの出力信号を安定化させるよ５＆Ｃ
なされた感光性検知回路に関する。

このような回路はオランダ特許出願第７５０９４６０号
によって公知である。この公知の回路は特に電子写真装
置における光導電性はルトの裏面のマークを検知するた
めに用いられる。たとえば、黒色の領域を明るく着色さ
れたはルト裏面に設け、またはより明るく着色された銀
色の領域をより暗い裏面に設けることができる。これら
の領域は発光ダイオ−ｒ（ＩＩＤ）から光導電性ベルト
の裏面に対して光を発光させ反射された光を感光性素子
特に感光性トランジスタによって受光させることによっ
て検知される。この公知の回路においては、感光性素子
は抵抗を介して供給電圧に接続されセしてＬＥＤはトラ
ンジスタを介して供給電圧に接続されている。したがっ
てこのＬＥＤＫよって発生される光量はこのトランジス
タの導電状態によって変る。

前記公知の回路においては、感光性素子が分離段を介し
て出力信号を供給し、この信号は一方では調整および補
正回路の入力に供給され、他方では比較器の第一の入力
に供給される。比較器の他方の入力は一定の比較電圧に
接続され工いる。この比較電圧はベルトの裏面の検知＆
Ｃ際しては感光性素子からの出力信号が比較電圧よりも
低くて比較器の出力が第一のレイルにあり、何等かの光
が段階的に受光されるマークの検知時には出力信号が比
較電圧よりも高くなって比較器からの出力が第二のしは
ルになるか、もしくはこの逆の関係になるように選択さ
れている。

フォトトランジスタのような感光性素子については、サ
ンプルのばらつきおよび経時変化、またはたとえば温度
の変動のような周囲条件の変化のために、ＬＥＤ等の光
源からのこの光出力が同一であってもフォトトランジス
タを流れる電流が互いＫ１００倍もしくはそれ以上に変
化することが−ある。

したがって、公知の回路においては、感光性素子からの
出力信号はダイオード、コンデンサおよび抵抗を備えた
調整および補正回路に供給される。

この調整および補正回路からの出力は光源、丁なわちＬ
ＥＤ８ｆｉれる電流がそれによって影響を受けるような
信号を形成する。ばルト真面の検知中には前記のコンデ
ンサが感光性素子の導電状態に対ろする一定のレイルに
充電される。ここでコンデンサ両熾の電圧は制御段を介
してＩＩＤ中の電流を所定の値に調整するように作用す
る。

たとえば感光性素子の感度が低下しまたはＬＥＤからの
光出力が減少すると、感光性素子からの出力電圧が低下
してその結果コンデンサ両端の電圧が増大する。この結
果、ＬＥＤを流れる電流が制御段を介して増大し、それ
Ｋよって感光性素子の感【低下もしくはＬＥＤからの光
出力の減少が補償される。感光性素子の感度またはＩＩ
Ｄからの光出力が増大すると、ＬＥＤを流れる電流が逆
に減少する。

このようなフィードバックがマークの検知時に直ちに起
らないようにするため、コンデンサに対する充電路もし
くは放電路のＲＣ時定数を大きくとってマーク検知時の
感光性素子の出力における過渡的な電圧変動がＬＥＤ電
流の設定に変化を生じさせないようにすることが必要で
ある。

感光性素子からの出力電圧は好ましくは供給電圧の）に
設定して、検知回路の感度が最大になるように、すなわ
ち光度の変化単位あたりの出力電圧の変化が最大になる
ようにしなければならない。

比較器の第二の入力に供給される比較電圧はかかる設定
に整合される。

しかし、ここで感光性素子の感度が変化しもしくはＬＥ
Ｄからの光出力が変化する場合には、検知回路の設定が
変化する。感光性素子の感度が低ドすると、検知回路は
ＬＥＤがより多くの光を発生するように自己制御される
。これは感光性素子の出力電圧値が低下し、コンデンサ
にかかる電圧が増大し、したがつ”（ＬＥＤを流れる電
流が増大することを意味する。感光性素子の出力値がこ
のように永久的に低下するとその結果として、この出力
電圧値を供給電圧値の４とした好ましい設定から変化し
、したがって回路全体としての感度が低下ｊる。さらに
、出力電圧値と比較電圧との間の関係はもはや最適なも
のではなくなる。また、“感光性素子の感度を増加させ
ると設定に変化が生じる。

本発明の目的はこれらの欠点を解消することにある。

本発明によれば、この目的は前記の形式の感光性検知回
路＆Ｃおいて、二つの一定の電位点の間に感光性素子と
直列に接続された電圧依存性抵抗を有する安定化素子を
備えた安定化回路を設けることＫよって達成される。

本発明の回路においては、光源として作用するＩ、ＫＤ
＆Ｃは一定した設定が与えられており、そして電圧依存
性の抵抗を有する素子がこの電圧依存性の抵抗を有する
素子と感光性素子との間の接続点での電圧が極力ある一
定の電位に維持されるように制御されている。

以下本発明による検知回路のその他の利点を有する好ま
しい具体例について、添付図面を参照してさらに詳細に
説明する。

第１図において感光性トランジスタ（フォトトランジス
タ）ｌは・電界効果トランジスタ（ＦＩＴ）２およびツ
ェナーダイオード３と直列に正供電圧ＩＪ　−）”　４
と負供電圧リード５との間に接続され【いる。フォトト
ランジスタ１のエミッタとＦＥＴ２　ｃ））”レインと
の間の接続点の電圧は演算増幅器６の正極側の人力に供
給され（おり、この増幅器の出力は七〇員他側の人力に
フィードバックされている。演算増幅器６の出力はまず
比較器１１σ）正極側の入力膚に接続されそしてまた並
列接続されたコンデンサ８および抵抗９の結合点にダイ
オード９７を介して接続されている。並列接続されたコ
ンデンサ８お工び抵抗９の池の接続点は正供電圧の接続
部に接続されている。抵抗９、コンデンサ８およびダイ
オード７の前記第一の接続部は抵抗１２お工び１３を有
する分圧器の一方の端部に接続されており、その他方の
１部は負供電圧の接続部に接続されている。抵抗１２お
よび１３０間の接続点はＦＥＴ２のゲートに接続され℃
いろ。

ＦＥＴ２のドレインとツェナーダイオード３との間の接
続点は抵抗１４を介して正供゛電圧の接続部４Ｔ／Ｃ，
接続されている。比較器１１の負極側の入力は抵抗１５
および１６からなる分圧器を介して一定の基準電圧に維
持され℃いる。

第１図示の回路においては、フィートノ２ツク−結合さ
れた演算増幅ｌｓ６は単に７２７７１段としてのみ作用
する。すでに述べた感光性素子はこのフォトトランジス
タＩＫよって形成されており、比較器は比較器１１によ
って形成され、ＩＩ整および補正回路はダイオ−Ｆ７．
抵抗９およびコンデンサ８からなり、そして電圧安定化
回路の電圧依存性抵抗を有する素子はＦＥＴ＆Ｃよって
形成されている。

査が必要であること、ｊなわちそれぞれの場合にトラン
ジスタが比較的長い期間にわたって照射されないかある
いは僅かだけ照射されそしてマークの通過の間に比較的
大きな量の光が短い期間にわたってトランジスタＩＫ到
達することが基準とさ光を受光すると、フォトトランジ
スタｌは４Ａしないかもしくはほとんど導通せず、トラ
ンジスタのエミッタ、したがってまた演算増幅器６の出
力における電圧は低くなる。この演算増幅器６からの出
力信号は比較ａｌｌの正極側の入力に供給される。この
比較器の負極側の入力は抵抗１５および１６を介して一
定の比較電圧に接続されている。

には低いものとなる。もしトランジスタＩＫよるマーク
の検知の際に比較的大量の光が受光されると、このトラ
ンジスタは大きな度合いで導通し、したがってトランジ
スタ１のエミッタ電圧、そしてまた演算増幅器６の出力
電圧が高くなりそして実際には比較器１１の負極側の入
力にかかる比較電圧よりも高くなる。この結果、比較器
１１の出カイ直はマークの検出の間は高いものとなる。

演算増幅６６の出力はダイオ−Ｆ７にも接続されており
、そしてこのダイオ−Ｐを通してコンデンサ８が演算増
幅器６の出力饅の電圧からダイオ−ｒ７による・電圧降
下分を減少した値まで充電される。ダイオード７、抵抗
９およびコンデンサ８０間のＩＩ続部は抵抗１２お工び
１３からなる分圧器を経て電界効果トランジスタＦＥＴ
２のデートに接続されている。抵抗９およびコンデンサ
８０ＲＣ時定数は、演算増幅器の出力電圧が過渡的に高
（なるマークの検知時の関に抵抗９を通るコンデンサ８
の放電が不可能でありあるいはほとんど放電が不可能に
なるような大きさに選ばれている。

トランジスタ１からの出力信号のレベル、したがってま
た演算増幅ａ６および抵抗１２および１３を有する分圧
器を介して与えられるＦ　Ｅ　Ｔ　２．のゲート電圧の
直はパックグランド０の検知中にトランジスタＩＫ到来
ｊる光量によって変化する。

ここで、たとえばトランジスタ１の感度の低下または図
中には示していない光源からの発光量の低下の結果とし
てトランジスタｌの出力側の電圧が次第に低下ｊるとこ
れＫよってコンデンサ８がさらに充電され、またその結
果ＦＥＴ２のゲートの電圧が低下ｊる。この結果ＦＥＴ
２の導電度が低くなり、このようにしてトランジスタ１
の導電度の低下は演算増幅ａ６の正極側人力の電圧がほ
とんど一定に保たれるような形態で補償される。

メックグランドの検知中になんらかの理由、たとえばト
ランジスタ１の感度の増加もしくは図中には示されてい
ない光源からの発光量の増大等によってトランジスタ１
の出力側、したがってまた演算増幅器６の出力側の電圧
が増大すると、コンデンサ８が抵抗９を通しである楢度
まで放電し、これＫよって抵抗１２および１３を介して
より高い電圧がＦＥＴ２のゲートに供給される。この結
果ＦＥＴ２がさらに開放状態に向かうように制御される
。この場合にはＦＥＴ２の導電度の増大によってフォト
トランジスタ１の導電度の増大が演算増幅器６の正側の
入力における電圧がほとんど一定に維持されるような形
で同様Ｋ１１Ｉｌｉ慣される。　　−ここでツェナーダ
イオード３および抵抗１４はＦＥＴ２の設定のためにの
み用いられていることに注意すべきである。ＦＥＴ２は
また別の方法によっても設定することができる。

第２図は本発明による検知回路の第二の異体例を示す。

第２図中対応する各部分は同一の符号によって示されて
いる。この図を詳細に参照すれば。

本具体例における比較器１１の負側の入力は一定の比較
電圧には接続されておらずフィートノ２ツク接続された
演算増幅器１０を介し【コンデンサ８１Ｃ！！続されて
いることがわかる。先に示した異体例の場合のように、
ＦＥＴ２のゲートに対する電圧は分圧器によって抵抗１
２および１３から供給されており、この場合には分圧器
はこの演算増幅５１０を経てコンデンサ８に接続され【
いる。本具体例においてはこのよ５Ｋしてコンデンサに
かかる電圧も比較器１１の比較電圧として用いられてい
る。ノ２ツクグランｒの検知中には比較器１１の負側の
人力にがかる電圧がダイオード７中の電圧降下により比
較器１１の正側の入力にかかる電圧よりも高くなる。マ
ークが検知されると、演算増幅器６の出力電圧が過渡的
に高くなる。抵抗９およびコンデンサ８０ＲＣ時定数が
比較的大きいので、コンデンサ８にかかる電圧、シタが
って比較！１１の負側の人力にかかる電圧はほとんど一
定にとどまり、したがってマークの検知中には比較器の
出力電圧が低い値から高い値に変化する。

この比較回路の動作、特にＦＥＴ２を介して検知回路の
挙動く及ぼされるフィードバック経路の影響はその他の
点では丁でに述べた検知回路の第一の異体例の動作の場
合と同様である。

＠３図は本発明による検知回路の第三の異体例を示す。

第３図においても対応する各部は同一の符号で示しであ
る。フォトトランジスタｌのエミッタはここでも演算増
幅器６の正側の人力に接続されており、この増幅器の出
力は七〇員側の入力にフィートノ２ツクされているっこ
の演算増幅器６の出力はここでも比較器１１の正側の入
力に＠続され【いる。比較器１１の負側の入力は抵抗１
５および１６８有する分圧器から生じる一定の比較電圧
に接続され工いる。フォトトランジスタｌのエミッタは
ここでもＦＥＴ２のｒレインＫＩ！続されており、その
ソースは抵抗１４およびツェナーダイオード３を介して
設定されている。演算増幅ａ６の出力はこれも演算増幅
器１９の正側の入力に接続された抵抗１７および１８８
有する分圧器を経【演算増幅器１９の正側の人力に接続
されており、この増幅器の出力は負側の入力にフィード
バックされている。演算増幅器１９の出力はまたダイオ
ード７′および抵抗ダからなる並列の組合わせを介して
コンデンサぎの一方の接続部およびＦＥＴ２のゲートに
対し【接続されている。コンデンサぎの他の接続部はこ
の場合には負供電圧接続部に接続されている。

マークの検出の際におけるこの検知回路の動作は第１図
に４よる検知回路の動作と同様である。バックグランド
０の検知中には、フォトトランジスタ１のエミッタにか
かる電圧、したがってまた演算増幅器６からの出力電圧
がこの例でも比較的低い１罠ある。この比較的低い出力
電圧の一部は抵抗１７および１８を有する分圧器を経て
フィートノ２ツク接続された演算増幅器１９の出力に伝
達される。コンデンサ８′は抵抗グを介して演算増幅器
１９からの出力電圧の値まで充電される。何らかの塩山
に工つ【フォトトランジスタ１の感度が低下し、または
図示されていない光源からの光の放射が減少した場合罠
はフォトトランジスタ１のエミッタの電圧が低下する。

この電圧降下は演算増幅器６、抵抗１７および１８およ
び演算増幅器１９を経てダイオ−）ｅ７′、コンデンサ
８′および抵抗９′を有する調整および補正回路に伝達
される。この結果コンデンサぎはそれ自体で僅かに数域
してＦＥＴ２のゲート電圧を低下させ、したがってこの
ＦＥＴ２の導電度が減少する。この導電度の低下によっ
てフォトトランジスタ１の導電度の減少が本発明の検知
回路の繭記二つの具体例の場合と同様にして補償される
。

逆圧、感度の増大または光出力の増大はＦＥＴ２の導電
度を増加させ、この結果この場合に生じるフォトトラン
ジスタ１の導電度の増大が補償される。

第２図および第３図で使用されている演算増幅器６．１
０および１９は単にバッファ段として作用していること
に注目すべきである。さらに抵抗１４およびツェナーダ
イオード３８介してなされているＦＥＴ２の設定は他の
方法によっても可能であることは明らかである。

ｆ４４図は本発明による検知回路の第四の具体例を示す
。第４図においても対応する各部分は同一の符号で示し
である。フォトトランジスタ１のエミッタはこの場合に
も演算増幅器６の正側の入力に接続されその出力は負側
の入力にフィード、４ツタされている。演算増幅ａｓ６
の出力はこの場合にも比較器１１．の正側の人力に接続
されている。比較器１１の負側の入力には抵抗２０．ダ
イオード２１および２２ならびにツェナーダイオード３
を有する分圧器から生じる一定の比較電圧が加えられて
いる。フォトトランジスタのエミッタはこの場合にもＦ
ＥＴ２のドレインに接続されており。

そのソースは抵抗２０およびツェナーダイオード９３を
介して設定されている。演算増幅器６の出力は抵抗２４
８介して演算増幅器２５の正側の入力にも接続されてお
り、その出力は抵抗２６を介して負側の入力にフィード
バック接続されている。

演算増幅器２５の出力はまたダイオ−臼智よび抵抗９“
を介してコンデンサ８Ｎ　の一方の接続部および演算増
幅１ｓ２７の正側の入力にも接続されている。演算増幅
器２７の出力はその負側の入力およびＦＥＴ２のゲート
ならびに抵抗２８を介して演算増幅器２５の正側の人力
に接ぺされている。コンデンサ８′　の他方の接続部は
抵抗２０．ダイオード＠２１および２２ならびにツェナ
ーダイオード０を有する分圧器に接続され、そしてまた
抵抗２９を介して演算増ｍ６２５の負側の入力に接続さ
れている。抵抗２４お工び２８は加算回路を形成してお
り、一方演算増幅器２５は差製増編器として接続されて
いる。演算増幅器６および２７は低抵抗出力を有するノ
Ｚツファ増１ｌｌｉ器として作用し、したがって必要に
よってはより長いリードを一方でを１部材１．２．３．
６および１４によって形成されろ部分とそして他方では
図示の回路のその他の部分との間に用いることができる
。

パックグランドの検知中には、フォトトランジスタ１の
エミッタの直圧、したがって演算項ＩＩｉ器６からの出
力電圧がこの場合にも比較的低い値となる。この電圧は
抵抗２４を介して演算項＃Ａ器２５の正側の入力に供給
される。演算増幅器２５からの出力電圧は抵抗９″、演
算増ｌｉ器２７および抵抗２８から形成されるループを
介してならびに抵抗９″、演算増幅器２７、ＦＥＴ２．
フォトトランジスタ１、演算増幅器６および抵抗２４か
ら形成されるループを介して自動的にある平衡値に設定
される。前記第一のループはコンデンサ８″　と共に積
分回路を形成しているので、フオｌ−）ランジスタｌと
ＦＥＴ２との接続部は供給電圧のはｙ１／２に近い電圧
に自動的に設定されている。−この供電電圧の１／２の
値への設定は他の部分がその他の点で同一であればＦＥ
Ｔ２のパラメータの値とはほとんど関係がない。これは
これらのノＺラメータが設定（直に対して著しい影響を
及ぼす第１図、第２図および第３図に示す回路とは異な
っている。ここでマークが光導電性トランジスタＩＫＪ
って検知される際には、このトランジスタが比較的大量
の光を受けそしてその導電度が大きくなる。この結果、
トランジスタ１のエミッタ電圧および増幅″ａ６の出力
電圧が増加しそして比較器１１の負側の入力の比較電圧
よりも大きくなる。

かかる手段にＬつ【比較ａ１１の出力蝋圧値はマークの
検出中には高いものとなる。また差動増幅６２５からの
出力電圧もマークの検出中には高（なる。第４図に示す
工５にしてダイオード７″が接続されているのでこの電
圧の増大がダイオ−Ｐ７を経て演算増＃Ａ器２７に伝わ
ることはない。差動増幅器２５からのこの出力電圧の増
大はコンデンサ８の完成状態の変化を伴なう抵抗９“を
介しての演算増ｌ１１ｉ器２７の正側の入力への伝達中
に遅延される。抵抗９″およびコンデンサ８″の値はこ
れらによって定められるＲＣ時定数が極めて大きくてＦ
ＥＴ２の設定１直がマークの検出中にほとんど変化した
いＪ５に選択される。フォトトランジスタ１がマークを
通過すると同時にトランジスタ１のエミッタ鑞圧が再び
低下ｊる。この低下によって比較器１１および差動増幅
器２５の双方の出力値が直ちに低下する。差動増幅ｔｉ
２５の出力電圧が低下すると、この低下の結果としてダ
イオード７″が通過方向く接続されることになり低い抵
抗値しか示さないので、演算増幅器２７の正側の入力に
加わる電圧が低下し、その結果としてコンデンサ８″の
両膚の電圧変化が極めて早く行なわれることになる。

フォトトランジスタ１のエミッタ電圧が次第に変化する
と、第１図示の回路についてすでに説明したように、常
にこのような変化を相殺するように設定されたＦＥＴ２
の設定に必らず変化が生じる。差動増幅器２５から抵抗
９″、演算増幅器２７および抵抗２８を経るループはコ
ンデンサ８″と共に積分回路を形成する。かかる手段に
よって徐々に生じる変化は時間の経過と共に完全に補償
される。

１４５図は本発明による回路の第五の具体例を示す。こ
の回路においても対応する各部分は同一の符号で示され
ている。第５図ＩＣよる回路の説明に際しては、第４図
による回路の説明を以下の点で異なっているものとして
参照すべきである。すなわちダイオード２１が省略され
そして比較器１１の正側の入力は差動増幅器２５の出力
に接続されその負側の入力は抵抗９〃、ダイオード”７
／／およびコンデンサぎ′　の接続点く接続されている
。

第５図示の回路の平衡状趨の設定については第４図によ
る回路の説明が参照される。周知のように極めて高いイ
ンピーダンスを有する比較器１１の入力の接続は動作に
影−ａｌ’Ｅ及ぼさない。＃１４図について丁でに述べ
Ｔこように、）２ツクグランド９の検知中にはダイオ−
Ｆ’　７／／のカンート９接続部の電圧がアノード接続
部の電圧よりも低く、そしてマークの検知中にはカソー
ド０接続部の電圧がアノード接続部の゛電圧よりも高い
ので、比較器１１のマーク偵知に対する応答性はこの場
合においても比較器１１の出力電圧を増大させる。この
回路の感度は前記の各図に示す回路の感度よりもかなり
高い・具体例の動作を考察する場合になされた前記の説明にお
いて、基準としては極めて僅かな光しか反射させずかつ
その上で大量の光を反射するマークを検出しなければな
らないバックグランＦがとられている。しかし、以上説
明および図示した回路は僅かな変化を加えることにより
（はとんど光　　　　−を反射しないマークをその上に
有する大量の光を反射する）２ツクグランＰの検出にも
用いることができろ。この場合には基本的には前記図中
のグイオート９７．７′および７〃のそれぞれの極性を
変更し、そして各抵抗９．９′および９″ならびに各コ
ンデンサ８．８′および８″　の組合せをより低い固定
電圧九対して接続しなければならない。

本発明の範囲内においてさらにその他の変更あるいは改
良８容易に行なえることは明らかであろう。また以上説
明した本発明の範囲内におけるマークの置念はそれらが
従来技術において有していた意味よりもはるかに広い範
囲のものであることは明らかであろう。

この検知回路は複写装置において原稿供給路中での原稿
の存在を検出するためのセ゛ンサとしても極めて有用で
ある。このセンサを原稿が通る通路の一方の＠におき、
それＫよって光源から原稿に送られる光をフォトトラン
ジスタＩＫ対して反射させなければならない場合には、
この回路をここに述べたような形式で用いることができ
る。また光源および感光性トランジスタ１を原稿が通過
する通路の両側に互いに対向して設置する場合には、場
合のために前記のようにして用いることができる。

【図面の簡単な説明】

ｍ１図は本発明回路の第一の異体例の説明図、第２図は
本発明回路の第二の具体例の説明図。第３図は本発明回路の第三の具体例の説明図、第４図は
本発明回路の第四の異体例の説明図。ｍ５図は本発明回路の第五の異体例の説明図である。１・・・・・・感光性トランジスタ、２・・・・・・電界効果トランジスタ、３・・・・・・
ツェナータイオー）＋１゜６・・・・・・演算増幅器、７・・・・・・ダイオード、８・・・・・・コンデンサ、９・・・・・・抵抗、１１・・・・・・比較ｌｓ。１２．１３．１４．１５．１６・・・・・・抵抗。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）感光性素子、比較器、調整および補正回路および
安定化回路を備えており、前記比較器の出力が検知回路
の出力に接続され前記調整および補正回路の出力が安定
化回路に接続されており、前記調整および補正回路が前
記安定回路に出力信号を供給してその結果前記感光性素
子からの出力信号を安定化させるようになされた感光性
検知回路において、前記安定化回路が一定の電位の二つ
の点の間に前記感光性素子と直列に接続された電圧依存
性のある抵抗を有ｊる安定化素子を備えていることを１
！！！徴とする感光性検知回路。
（２）　　前記感光性素子が比較器の第一の入力に接続
され、そして前記調整および補正回路の出力が比較器の
第二の入力に接続されていることを特徴とする特許請求
の範囲１１１項に記載の感光性検知回路。
（３）感光性素子、比較器、調整および補正回路および
安定化回路を備えており、前記比較器の出力が検知回路
の出力に接続されており、ｌＩＩ記調整および補正回路
がダイオード９、抵抗素子およびコンデンサからなりｆ
ＩＪ記調整および補正回路の出力が安定化回路に接続さ
れており、前記調整および補正回路が安定化回路圧出力
信号を供給してその結果前記感光性素子からの出力信号
を安定化させるようになされた感光性検知回路において
、前記安定化回路が一定の電位の二つの点の間に前記感
光性素子と直列に接続された電圧依存性のある抵抗を有
する安定化素子を備えており、感光性素子が加算回路の
第一の入力に接続され、加算回路の出力が差動増幅器回
路の第一の入力に接続されその第二の入力が一定の電位
の点に接続され、ダイオ−ｒと抵抗とが互いＫｉＬ列に
接続されると共に差動増幅回路の出力と一定の電位の点
との間にコンデンサと直列に接続され、そして抵抗素子
とコンデンサとの間の接続点が加算回路の第二の入力お
よび安定化回路に接続されていることを峙倣とする感光
性検知回路。
（４）比較器の人力がダイオードの陽極および陰ｆｆ１
Ｋ夫々接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
１１３項に記載の感光性検知回路。
（５）電圧依存性の抵抗を有する素子が電界効果トラン
ジスタからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第４項のいずれかに記載の感光性検知回路。