JPS582408B2 - ジキキオクシステム - Google Patents

ジキキオクシステム

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JPS582408B2
JPS582408B2 JP47122084A JP12208472A JPS582408B2 JP S582408 B2 JPS582408 B2 JP S582408B2 JP 47122084 A JP47122084 A JP 47122084A JP 12208472 A JP12208472 A JP 12208472A JP S582408 B2 JPS582408 B2 JP S582408B2
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JP47122084A
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ジエームス・ピー・リツプ
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HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
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HANEIUERU INFUOOMEISHON SHISUTEMUSU Inc
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B20/00Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/10Digital recording or reproducing
    • G11B20/14Digital recording or reproducing using self-clocking codes
    • G11B20/1403Digital recording or reproducing using self-clocking codes characterised by the use of two levels
    • G11B20/1423Code representation depending on subsequent bits, e.g. delay modulation, double density code, Miller code
    • G11B20/1426Code representation depending on subsequent bits, e.g. delay modulation, double density code, Miller code conversion to or from block codes or representations thereof

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は情報の記憶および読出しに関し、詳細には磁気
記録ヘッドに供給される書込み電流の直流バイアスを減
少する方法および装置に関する。
デイジタル情報は磁気表面を有する記憶媒体の各別の領
域(セル)内に磁気極性変化または磁束反転のパターン
形成で記憶され得る。
従来の情報記憶装置においては、磁束反転を発生する電
磁変換器は精密に作られた別々の部品から個々に作られ
た。
各変換器は個々に組立てられるのでそのコストは高い。
更に、組立装置はある一定の最小寸法よりも大きな寸法
の構成部品しか扱かえないので夫々製造される変換器自
体の最小寸法にも限度がある。
各部品から組立てた変換器はコストおよび寸法の面で制
限があるので、コーティング(堆積)されたフィルム(
膜)から成る変換器も作られるようになった。
この種の変換器は、シリコン基板上に導体および半導体
物質の層を順に堆積させて一群として作りそれをホトエ
ッチングにより分断して各変換器とされる。
堆積およびホトエッチングの工程は精密に制御され得る
ので、各変換器は接近して配置することが可能であり、
そのため変換器を隙間なしに配置して記録されるデータ
トラックの相互間隔を狭くすることが可能である。
これが従来のトラック間隔を狭くする方法である。
堆積された膜で作られた変換器は寸法が小さいというこ
と以外に次の如き利点を有する。
変換器の製造は一群を同時に大量に行なわれるので従来
の変換器より低コストであり不良率は低い。
更に変換器構造の寸法により従来の変換器より高い周波
数でデータを読み書きすることができる。
この種の堆積膜形の変換器は1ターンの磁気構造を有す
るので、大きな書込み電流を必要とすると共に読出し電
圧信号は低い。
このため、堆積膜形変換器とエンコータ/デコータ回路
の間に変成器を用いるのが一般である。
従来のコード形式は変成器結合を有しない情報記憶装置
のために開発されたものである。
一定のデータ順序に対しては、一般に使用されているコ
ード形式では書込み電流は大きな直流成分あるいはバイ
アスを含むことになる。
使用する変成器の増分したインダクタンスは直流バイア
スにより特性を変更させられるので、変成器結合の変換
器と従来のコードを併用すると、書込み電流は変成器の
入力に対応しなくなり記録媒体を飽和させられなくなる
このため記録媒体の飽和は大きな変成器入力電流を用い
てのみ可能となる。
しかしながらこの方法は実用的ではない。
その理由は、太きな電流が変成器の方を大巾に飽和させ
ると共に、堆積膜形の変換器は一定限度の電流以下でし
か動作し得ないからである。
もし一定限度を超える電流を与えると熱的劣化または破
壊が起る。
変換器に関連する結合変成器を使用することによる問題
を克服するために本発明は、データ信号源の出力に現わ
れるデータ信号の制御群を検出する制御手段を含む情報
記憶システムを提供する。
制御手段は制御群の一連の反復発生の内の偶数番目の発
生以外のときの制御群の任意の発生に応答してエンコー
ダ制御信号を発生する。
エンコーダ制御信号は引続くデータ信号群を表わすパタ
ーンの記録時に作用する。
本システムは更にデータ信号源および制御手段に接続し
たエンコーダ手段を含む。
エンコーダ手段はデータ信号の各異なる群に対し記録信
号の少くとも1つの一次パターンを発生すると共にデー
タ信号の特定の群に対し記録信号の交替パターンを発生
する。
エンコーダ制御信号が存在しないときエンコーダは供給
された信号の引続く群に対し一次パターンを発生する。
エンコーダ制御信号の存在するときエンコーダはそのよ
うなパターンを有した任意の供給された群に対し交替パ
ターンを発生する。
記録信号のそれらのパターンはエンコーダ手段に接続し
た記録手段へ供給される。
記録手段は各発生されたパターンを読取り可能形式に変
換し、この読取り可能形式は記録媒体の表面のトラック
の1つのセルに記録されることになる。
本発明はディスクメモリーユニットに関連して説明され
、例示的二進情報表示は第1図に示したディスク10の
表面の同心円形トラックに記録されてるものとする。
電磁変換器12はエンコーダと順序制御ロジック14の
制御の下で磁束反転を記録すると共にデコーダロジック
16で使用するように磁束反転を検出するのに使用され
る。
エンコーダと順序制御ロジック14およびデコーダロジ
ック16は一般には計算機18の制御下にある。
これら回路の詳細は以下において述べる。
エンコーダと順序制御ロジック14の機能は計算機18
または任意のデータ信号源から3デイジットの二進デイ
ジット群を受取りこれら3デイジット群を書込み電流波
形に変換することであり、それにより磁束反転がディス
ク10の表面に与えられる。
以下に述べる本発明の実施例において、二進デイジット
の引続く3ビットを表わす磁気的信号は記録媒体のトラ
ックの引続くセルに記録される。
各磁気的信号は各セル内の4つの遷移位置TO,TI,
T2,T3の内の少くとも2つに現われる磁束反転から
成るパターンに相当する。
当然に磁束反転の異なるパターンは二進ディジットの異
なる3ビットパターンに対応し、本発明において用いる
各パターンの特徴は、磁束反転の生じない遷移位置は引
続いて2つ以上は存在しないということである。
二進デイジットの異なる3ビットパターンに対応する書
込み電流波形と磁束反転パターンは第2図に示してある
第2図において、3ビットの第1組における二進デイジ
ット000,010,100,101および111は単
一の書込み電流波形および単一の磁束反転パターンで表
示されている。
すなわち、3ビットの第1組における異なるビットパタ
ーンは唯一つの磁束反転パターンで表示される。
書込み電流の極性は任意に選べるものであり、実際には
逆にされてもよい。
第2図は更に第2組の3ビット二進ディジット(001
,011および110)を示しており、本発明にしたが
えばこれらは夫々一次または交替磁束反転パターンによ
り表わされる。
例えば3ビット「001」は、セル内の位置TOとT3
に磁束反転を有する一次磁束反転パターンによってまた
はセル内の位置T1とT2に磁束反転を有する交替磁束
反転パターンによって表わされる。
同様に、3ビット「011」は、位置中0,T2および
T3に磁束反転を有する一次磁束反転パターンまたはセ
ル内の位置T2に1つの磁束反転を有する交替磁束反転
パターンによって表わされる。
3ビット「110」は、位置TO ,TIおよびT2に
磁束反転を有する一次磁束反転パターンまたは位置T2
とT3に磁束反転を有する交替パターンによって表わさ
れる。
第2図の書込み電流波形から明らかなように、第1組の
3ビットの2進デイジットに割当てられる磁束反転パタ
ーンの夫々は、零バイアスかあるいは正又は負のいずれ
かの極性の最低バイアスを有している。
また、第2組の3ビットの2進ディジットに割当てられ
る一次磁束反転パターンの夫夫は、一方の極性(例えば
正の極性)の最低バイアスあるいはこれよりも高いバイ
アスを有している。
この第2組の3ビットの2進デイジットに更に割当てら
れる交替磁束反転パターンの夫々は、他の極性(例えば
負の極性)の最低バイアスまたはこれより高いバイアス
を有している。
制御群としては、最も高いバイアスの一次磁束反転パタ
ーンを有する第2組の3ビットの2進ディジットの内の
1つが選択される。
本発明の利点を示すために従来のコーディング方式を参
照する。
従来においては1つの磁束反転パターンは夫々異なる3
ビットの二進ディジットを表わしていた。
例示のために従来のコードは第2図に示したコード形式
であると仮定する。
但し二進3ビット「001,011,IIO」に対する
交替磁束反転パターンは存在しなかった。
換言すれば、この仮定した従来のコードは第2図の8つ
の一次パターンにより表わされるものである。
ある一定の順序の3ビットパターンヲ一次パターンだけ
を用いて記録すると、必要な書込み電流はかなりの直流
バイアスを含むことになる。
その理由は、かなりの時間にわたり書込み電流は一方の
極性を有し反対の極性の時間が短いからである。
この状態は第3図に示されており、それによれば3ビッ
トの二進ディジットが001,001,001.011
,001,110の順に記録される場合が示されている
上記順序の3ビットに対し一次磁束反転パターンを用い
て記録を行なう場合その書込み電流は大きな正のバイア
スを有することになる。
引続く遷移位置の中間における書込み電流が単位の電流
値であるとすれば(単なる1つの値)、上記の記録には
14個の単位電流を正方向に必要とし、負の書込み電流
は10個だけである。
上記の条件下では結果的な正の直流バイアスにより、記
録変換器を駆動するために使用する変成器の磁気コアは
部分的に飽和することになる。
本発明は3ビット「001,011,IIO」の記録に
対し交替磁束反転パターンを使用して直流バイアスを減
少させる。
すなわち上記3つの3ビットのどれかが3ビット「oo
1」の一定回数の発生の後すぐに記録されるとき上記交
替パクーンを使用する。
この3ビット「oo1」を制御3ビットまたは制御群と
称する。
第2図に関連して説明したように、この3ビットに対す
る一次磁束反転パターンは書込み電流により発生される
ものであり、この電流はセルの位置TOにおいて一方の
極性となり位置T3まで同じ極性のままである。
特定した3ビットに対する磁束反転の交替パターンは、
直流バイアスを有しないかあるいは制御群の001用の
1次パターン用の書込み電流が確立する直流バイアスを
オフセットする直流バイアスを有する書込み電流により
発生されるパターン群から選択される。
すなわち、制御3ビットに対する一次パターンの書込み
電流が正にバイアスされていれば、交替パターンの書込
み電流はバイアス無しかまたは負にバイアスされたもの
となる。
このことは書込み電流波形4A,4Bおよび4Cを示す
第4図から明らかになるであろう。
第4A図は3ビット001が引続いて発生したときに一
次および交替パターンを発生する必要のある書込み電流
パターンを示している。
零線より上の書込み電流波形が正であると仮定すれば、
001および、001のための磁束反転パターンを記録
するのに要する電流は4つの正の単位書込み電流と4つ
の負の単位書込み電流とである。
したがって、一次パターンを書込むのに要する正の直流
バイアスは交替パターンを書込むのに要する負の直流電
流により打消される。
同様に、第4B図においては、制御3ビット001に対
する一次パターンとそれに続く3ビット011の交替パ
ターンを書込むのに要する電流は5つの正の単位書込み
電流と3つの負の書込み電流とである。
この例では正の直流電流は完全には除かれないが、3ビ
ット「001と011」に対する一次パターンを書込む
のに要する電流のバイアスは相対的に減少される。
波形4Cにおいてはビット群001の一次パターンと3
ビット110の交替パターンを書込むのに要する4つの
正の書込み電流は同じく必要な4つの負の電流により打
消される。
第5図には、「001,001,001,011,00
1,110」の内の偶数番目の3ビット「001,01
1,110」に対し交替パターンを用いた例が示されて
いる。
第3図と第5図に示した二進3ビット群の順序は同一で
あるが、一次パターンを用いた第3図の場合と交替パタ
ーンを使用した第5図の場合とでは書込み電流の波形は
大巾に異なっている。
第5図の一次および交替パターンに対しては13の正の
単位書込み電流と11の負の単位書込み電流が必要であ
る。
この例では一次と交替パターンを書込むのに要する直流
バイアスは完全には除かれていないが、それは大巾に減
少している。
第6図には、記録中に適切な位置で交替パターンを書込
むためのエンコードおよび順序制御ロジックのフローチ
ャートが示されている。
記録すべき二進デイジットの3ビットを文字「a,b,
c」で表わすと、論理動作の第1ステップは3ビットが
制御3ビット「OO1」であるかどうかを決定すること
である。
二進デイジット「a」と「b」のビットがOで文字「C
」に対応するデイジットが1であれば、記録すべき次の
3ビットは制御3ビットであることになる。
この条件下で次のステップは最後に記録したパターンが
制御3ビットに対する一次パターンであったかどうかを
決定することである。
最後に記録したパターンが一次パターンであったとき、
磁束反転パターン「0110」を発生する信号が発生さ
れる。
最後に記録したパターンが制御3ビットに対する一次パ
ターンでなかったとき、磁束反転パターン「1001」
が記録され、順序制御ロジックがセットされて、制御3
ビットに対する一次パターンが記録されることを指示す
る。
記録されている3ビットが制御3ビットでないと決定さ
れれば、「b」ビットか「c」ビットが1であるかない
か決定することになる。
両ビットが共に1でなければ磁束反転パターンは[01
al」となる。
ここでaはaが1のときOでありaがOのとき1である
もし「b」または「C」ビットが1であれば、別の決定
手段が必要である。
すなわちaが0でCが1であるかaが1でCがOである
かを決定する。
どちらかの条件が満足されれば、次に制御3ビットに対
する一次パターンが最後に記録されたパターンであった
かどうか決定する。
最後に記録したパターンが制御3ビットに対する一次パ
ターンであれば、ここで記録する3ビットに対する磁束
反転パターンは「001τ」の形を取る。
最後に記録したパターンが制御3ビットに対する一次パ
ターンでなければ、磁束反転パターンは「1abcJの
形となる。
第7図には磁束反転パターンを解釈するのに必要なデコ
ーダロジックのフローチャートが示されている。
デコーダロジックは第2組の3ビットに対する一次パタ
ーンおよび交替パターンを同じ3ビットを表わすものと
して解釈できなければならない。
デコード機能を達成するためにロジックは2つの決定ス
テップを行なう。
最初の決定は磁束反転がセルの第1遷移位置において発
生したかどうかを調べることである。
遷移位置TO,TI,T2およびT3は夫々文字W,X
,YおよびZで表わされている。
磁束反転が第1遷移位置Wで記録されていれば、記録さ
れた二進3ビットは3つの残りの遷移位置X,Yおよび
Zに磁束反転が存在するかしないかをこの順に調べるだ
けで決定される。
磁束反転の存在は二進1と解釈される。反転の不存在は
二進Oと解釈される。
デコードステップの第1ステップにおいて遷移位置Wに
磁束反転が生じなかったことが決定されれば、第2の決
定ステップは第2遷移位置Xにおいて磁束反転が生じた
かどうかを調べることである。
位置Xにおいて磁束反転が生じておれれば二進3ビット
はYOZと判明する。
遷移位置YまたはZに磁束反転が存在することは二進0
と解釈される。
したがって磁束反転の不存在は二進1と解釈される。
最初の2つの遷移位置のどちらも磁束反転を有していな
いと決定されれば、二進3ビットは[ZYZ」で表わさ
れる。
この形式にしたがえば、第1および第2二進デイジット
は、遷移位置ZとYにおける磁束反転の存在を二進1と
解釈することにより決定され、第3二進デイジットは遷
移位置Zにおける磁束反転の不存在を二進1と解釈して
決定される。
第6図に示したフローチャートにしたがったエンコーダ
および順序制御ロジックはロジック素子を用いることに
より第8図に示すように具体化される。
3ビットの各二進デイジットは、通常出力1と反転出力
Oを有する3つのフリツブフロツプ20,22.24の
夫々のセット端子へそのままの形で供給され反転されて
リセット端子へ供給される。
二進デイジットが1であればそれを供給されたフリツプ
フロツプはトリガパルスを与えられたときセットされる
フリツプフロツプはセット状態において通常出力に高レ
ベル電圧である「1」信号を発生し、反転出力は「0」
信号すなわち低レベル信号を発生する。
各データフリップフロツプの各出力は複数のANDゲー
トの少くとも1つに接続されている。
ANDゲートはデータフリップフロツプ20.22およ
び24と制御フリツブフロツプ26からの出力信号をA
ND演算する。
多くのANDゲートの出力は対にされORゲートにおい
て論理的に結合され、遷移位置W,X,YおよびZにお
いて磁束反転が存在するかしないかを表わす信号をもた
らす。
制御フリツプフロツブ26の状態はその時記録されてい
る3つの二進信号の構成の関数ではなくて、先行するセ
ルに記録されている3ビットの構成と先行するセルの記
録後にそれ自体の状態との関数である。
ANDゲート28と30の出力が先行した3ビットの二
進デイジットは制御3ビット001であったことと制御
フリツプフロツプはその3ビットを記録中リセット状態
にあったことを表示していれば、ANDゲート32は制
御出力に論理1信号を発生する。
この論理1信号はそのまま制御フリツプフロツプのセッ
ト入力に戻されると共に反転されてリセット入力へ戻さ
れる。
フリツプフロツブ26はそのときのデータの記録中は状
態を変化しないが、データが記録された後またはフリツ
ブフロツプ26に遅延したトリガ信号が供給されたとき
状態を変える。
遅延したトリガ信号は各セルに対する記録サイクルの終
り近くで発生され、それによりフリツプフロツプは次の
セルに記録されるパターンを変更できる状態となる。
制御3ビットに対する一次パターンが先行した記録パタ
ーンであり引続く3ビットが第2組の3ビットであれば
、制御フリツプフロツプ26はセットされその引続く3
ビットに対する交替パターンが記録される。
セット状態にあるフリツプフロツプ26で発生される信
号は上述したエンコーダ制御信号である。
本発明は上記実施例のほかに各種具体化できる。
適用例として堆積膜形の変換器を示したが普通の変換器
にも適用できる。
更に普通のロジック素子の代りに読取り専用メモリーで
構成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にしたがって構成した情報記障システム
のブロック図であり、第2図は3ビット二進デイジット
の構成と磁束反転パターンと書込み電流波形との対応関
係を示すチャートであり、第3図は従来のコーディング
方式を用いたときの二進信号の選択された順序の表示の
記録に用いる書込み電流波形を示しており、第4図(第
4A図、第4B図及び第4C図)は例示二進信号に対す
る一次および交替書込み電流波形の関係を示す図であり
、第5図は本発明にしたがって作られるコードを用いて
第3図の二進信号を書込むとき発生される書込み電流波
形の図であり、第6図は本発明のエンコードおよび順序
制御を説明するためのフローチャートであり、第7図は
本発明にしたがって作られた装置に使用できるデコード
ロジックのフローチャートであり、第8図は本発明を具
体化するとき使用できるエンコーダおよび順序制御ロジ
ックの概略図である。 第1図において、10は磁気ディスク、12はヘッド、
14はエンコーダおよび順序制御ロジック、16はデコ
ーダロジック、18は計算機、を夫々示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 データ信号源に関連して用いるため、磁気記録媒体
    のトラックの引続くセルに引続く3ビットのデータ信号
    の群を表わす引続くパターンを記憶させる情報記憶装置
    であって、 イ)前記データ信号源の出力におけるデータ信号の制御
    群を検出する制御手段であって、前記制御群の単独の発
    生と及び前記制御群の一連の反復発生の内の奇数番目の
    発生とに応答して、引続くデータ信号群の記録中有効な
    エンコーダ制御信号を発生する制御手段と、 口)前記データ信号源および前記制御手段に接続したエ
    ンコーダ手段であって、第1組のデータ信号群の夫々を
    表わす一次パターン記録信号を発生し、かつ第2組のデ
    ータ信号群の夫々を独立に表わす一次パターン記録信号
    および交替パターン記録信号の両方を発生し、更にエン
    コーダ制御信号の不存在に応答して第1組および第2組
    のいずれかの内の任意の与えられたデータ信号群に対し
    前記一次パターンを発生し、更にエンコーダ制御信号の
    存在中に応答して第2組の任意の与えられたデータ信号
    群に対し前記交替パターンを発生しそして第1組の任意
    の与えられたデータ信号群に対し前記一次パターンを発
    生するエンコーダ手段と、 ハ)変成器結合の磁気ヘッドを含んでおりかつ前記エン
    コーダ手段に接続しており各発生されたパターンをトラ
    ック内の単一のセルに記録される読取り可能な形に変換
    する記録手段と、および 二)前記第1組のデータ信号群用の前記一次パターン記
    録信号の夫々が零バイアス又は正あるいは負の極性の最
    低バイアスを有し、前記第2組のデータ信号群用の前記
    一次パターン記録信号の夫々が1つの極性の最低バイア
    ス又はより大きなバイアスを有し、前記第2組のデータ
    信号群用の前記交替パターン記録信号の夫々が他の極性
    の最低バイアス又はより大きなバイアスを有し、最高の
    バイアスの前記一次パターンを有する前記第2組のデー
    タ信号群の1つが前記制御群として選択されること、 から成る情報記憶装置。
JP47122084A 1972-01-03 1972-12-07 ジキキオクシステム Expired JPS582408B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US21597872A 1972-01-03 1972-01-03

Publications (2)

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JPS4878911A JPS4878911A (ja) 1973-10-23
JPS582408B2 true JPS582408B2 (ja) 1983-01-17

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ID=22805161

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JP47122084A Expired JPS582408B2 (ja) 1972-01-03 1972-12-07 ジキキオクシステム

Country Status (7)

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US (1) US3792454A (ja)
JP (1) JPS582408B2 (ja)
CA (1) CA998170A (ja)
DE (1) DE2300179C2 (ja)
FR (1) FR2167585B1 (ja)
GB (1) GB1382515A (ja)
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