JPS58219787A - Manufacture of semiconductor laser diode - Google Patents
Manufacture of semiconductor laser diodeInfo
- Publication number
- JPS58219787A JPS58219787A JP10134782A JP10134782A JPS58219787A JP S58219787 A JPS58219787 A JP S58219787A JP 10134782 A JP10134782 A JP 10134782A JP 10134782 A JP10134782 A JP 10134782A JP S58219787 A JPS58219787 A JP S58219787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- type
- semiconductor laser
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、低閾値で動作しかつ埋込まれ層の作成の再
現性を向上させることができるようにした半導体レーザ
ダイオードの製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser diode that operates at a low threshold and can improve the reproducibility of buried layer creation.
第１図は従来の大出力半導体レーザダイオードの断面図
である。この第１図におけるｌは（＋）電極、２はＰ型
ＩｎＰ基板結晶、３はＰ型ＩｎＰクラッド層、４はノン
−ドープドのＩｎＧａＡｓＰ活性層、５はｎ型ＩｎＰク
ラッド層であシ、また、上記Ｐ型ＩｎＰり２ラド層３上
にはｎ型ＩｎＰの埋込み層６とＰ型ＩｎＰの埋込み層７
が順次埋め込まれている。そして、この埋込み層７およ
びｎ型ＩｎＰクラッド層５上には（−）電極８が形成さ
れている。FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional high-output semiconductor laser diode. In FIG. 1, l is a (+) electrode, 2 is a P-type InP substrate crystal, 3 is a P-type InP cladding layer, 4 is a non-doped InGaAsP active layer, 5 is an n-type InP cladding layer, and , on the P-type InP layer 3, an n-type InP buried layer 6 and a P-type InP buried layer 7 are formed.
are embedded sequentially. A (-) electrode 8 is formed on the buried layer 7 and the n-type InP cladding layer 5.
このような構成の半導体レーザダイオードの埋込み層６
（逆メサ型部）の作成には、Ｓｉｎ、膜を成長すせ、臭
素−メタノール系のエラチャントラ用い、逆メサ形にエ
ツチングを行っていたため、その形状の再現性の困難さ
と、破線の円Ａで示されるいわゆる「すそだれ」のため
に、２回目の液相エピタキシャル成長において、第１図
のｎ型ＩｎＰの埋込み層６の「せり上がシ」を誘引し、
このｎ、ＩＩＩｎＰの埋込み層６の成長をＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層４の下で停止させると云う制御が困難である欠
点があった。Buried layer 6 of a semiconductor laser diode having such a configuration
In order to create the (inverted mesa type part), a film of Sin was grown, and etching was performed in the inverted mesa shape using a bromine-methanol based elachantra, which made it difficult to reproduce the shape and the broken line circle A. Due to the so-called "sagging" shown in FIG. 1, the n-type InP buried layer 6 in FIG.
The growth of this n,IIIInP buried layer 6 is performed using InGaAs.
There is a drawback that it is difficult to control the process to stop under the P active layer 4.
この発明は、上記従来の欠点を除去する九めになされた
もので、電流閉じ込めの高効率化と埋込まれ層の作成の
再現性を向上させることができる半導体レーザダイオー
ドの製造方法を提供することを目的とする。This invention has been made to eliminate the above-mentioned conventional drawbacks, and provides a method for manufacturing a semiconductor laser diode that can improve the efficiency of current confinement and the reproducibility of creating a buried layer. The purpose is to
以下、この発明の半導体レーザダイオードの製造方法の
実施例について図面に基づき説明する。Embodiments of the method for manufacturing a semiconductor laser diode of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第２図はその一実施例によって製造された高出力半導体
レーザダイオードの断面図である。この第２図によシ、
この発明の製造方法を説明する。FIG. 2 is a cross-sectional view of a high-power semiconductor laser diode manufactured according to one embodiment. According to this second figure,
The manufacturing method of this invention will be explained.
！２図における９は（＋）電極である。この（＋〕電極
９はＰ ｆｆ１ＩｎＰ基板１０の下面に形成されている
。このＰ型ＩｎＰ基板１０上に第１回目のエピタキシャ
ル成長法により、エツチング停止層としてのＰ”ｆｆ１
ＩｎＧａＡｓＰ １１ ｔ−形成する。コｏ ｐ”型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ １１上にＰ型ＩｎＰクラッド層１２、活
性層としてノン−ドープドのＩｎＧａＡｓＰ １３ 、
ｎ型ＩｎＰクラッド層１４およびエツチングマスク層
としてのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ １５を順次成長させる。! 9 in Figure 2 is a (+) electrode. This (+) electrode 9 is formed on the lower surface of a Pff1InP substrate 10.A P”ff1 layer as an etching stop layer is formed on this P type InP substrate 10 by the first epitaxial growth method.
InGaAsP 11 t-forms. Co-op” type I
P-type InP cladding layer 12 on nGaAsP 11, non-doped InGaAsP 13 as an active layer,
An n-type InP cladding layer 14 and an n-type InGaAsP 15 as an etching mask layer are successively grown.
しかる後に、フォトリソグラフィにより、レジスト（た
とえば、ＡＺ １３５０ Ｊ ）のストライプ膜をつけ
てＩｎＧａＡｓＰのみをエツチングするＷｃｒＲ系のエ
ツチング液により、ｎ＋型ＩｎＧａＡｓＰ １５による
エツチングマスクを形成させる。Thereafter, a stripe film of resist (for example, AZ 1350 J) is applied by photolithography, and an etching mask of n+ type InGaAsP 15 is formed using a WcrR-based etching solution that etches only InGaAsP.
引き続いて、塩酸系のエツチング液によシ、エツチング
すると、仁のエツチング液はｎ＋型ＩｎＧａＡａＰ １
５に対してはほとんど不活性であるため、このｎ＋型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ １５はエツチングマスクとして働き、ま
た、Ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰ １１もＩｎＧａＡｓＰとし
たことによシ、エツチングはこのＰ型ＩｎＧａＡｓＰ１
１達すると、自動的に停止し、最狭部に活性層としての
ノン−ドープドのＩｎＧａＡｓＰ １３ ｋ Ｍする鼓
型の埋込まれ層が形成される。Subsequently, when etching is performed using a hydrochloric acid-based etching solution, the etching solution becomes n+ type InGaAaP1.
Since it is almost inactive against 5, this n+ type I
The nGaAsP 15 acts as an etching mask, and since the P+ type InGaAsP 11 is also InGaAsP, etching is performed using this P type InGaAsP1.
When it reaches 1, it automatically stops, and a drum-shaped embedded layer of non-doped InGaAsP 13 kM is formed as an active layer in the narrowest part.
次イーｃ、 第２回目のエビ！キシャル成長により、Ｐ
＋型ＩｎＧａＡｓＰ ｌ １上にｎ型ＩｎＰの埋込み層
１６を形成し、その上にＰ型ＩｎＰの埋込み層１７を形
成し、この埋込み層１７およびｎ型ＩｎＧａＡｓＰ １
５上に（−）電極１８を形成し、半導体レーザダイオー
ドが製造される。Next Ec, 2nd shrimp! Due to axial growth, P
An n-type InP buried layer 16 is formed on the +-type InGaAsP l 1, a P-type InP buried layer 17 is formed on it, and this buried layer 17 and the n-type InGaAsP 1
A (-) electrode 18 is formed on the semiconductor laser diode 5, and a semiconductor laser diode is manufactured.
このようにしそ製造され九半導体レーザダイオードにお
いて、（＋〕電極９より注入された正孔は（＋）電極９
−Ｐ型ＩｎＰ基板１０−Ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰ１１を経
てＰ型ＩｎＰり２ツド／１１２に集中注入され、また（
−）電極１８より注入された電子は（−）電極１８−ｎ
＋型ＩｎＧａＡｓＰ １５を経てｎ型クラッド層１４に
集中注入され、活性層とし、てのＩｎＧａＡｓＰ １３
において再結合し、レーザ発振する。In the nine semiconductor laser diodes manufactured in this way, the holes injected from the (+) electrode 9
-P-type InP substrate 10-P+ type InGaAsP11, P-type InP is intensively implanted into 2/112, and (
-) Electrons injected from the electrode 18 are (-) electrode 18-n
It is intensively implanted into the n-type cladding layer 14 through the +-type InGaAsP 15 and becomes an active layer.
The two recombine at the same time and oscillate as a laser.
以上説明したように、上記第１の実施例では、これまで
の埋込み構造を有する半導体レーザダイオドの製造工程
で必須でありながら、ウェハとＯ密着性の悪さなどから
、再現性に問題を与えていたＳ１０＊膜によるエツチン
グマスクの形成工程が不要となフ、ま九ＩｎＧａＡｓＰ
１３による活性層を設は友ので、埋込まれ層の作成の
制御が容易になると云う利点ｔＷする。その結果、埋込
まれ層が鼓型となシ、その最狭部に活性層が位置し、電
流閉じ込めの効率が上がる。As explained above, in the first embodiment, although it is essential in the manufacturing process of semiconductor laser diodes having a conventional buried structure, it poses a problem in reproducibility due to poor adhesion between the wafer and O. InGaAsP does not require the process of forming an etching mask using S10* film.
Since it is possible to form an active layer according to No. 13, there is an advantage that the production of the buried layer can be easily controlled. As a result, the buried layer forms a drum shape, and the active layer is located at its narrowest part, increasing the efficiency of current confinement.
また、第１図に示すような埋込まれ層の「すそだれ」が
なくなシ、第２回目のエビメキシャル成長による埋込み
層の「せり上が９」全抑制でき、ｎ ＩＪＩ ＩｎＰ埋
込み層１６．Ｐ型ＩｎＰ 堀込み層１７の成長制御が容
易であると云う利点がある。In addition, the "sagging" of the buried layer as shown in FIG. 1 is eliminated, and the "rise" of the buried layer due to the second evimexial growth can be completely suppressed by 9, and the n IJI InP buried layer 16. An advantage is that the growth of the P-type InP digging layer 17 can be easily controlled.
上記第１の実施例では、大出力化を目指し、Ｐ型ＩｎＰ
基板ｌＯ上に成長させた半導体レーザダイオードを示し
たが、この構造は低閾値化のみを目標とすれば、第３図
に゛示すように％ｎ１ＩｎＰ基板２０上に作成すること
も可能である。In the above first embodiment, aiming at high output, P-type InP
Although a semiconductor laser diode grown on a substrate 1O is shown, this structure can also be formed on a %n1InP substrate 20 as shown in FIG. 3 if the only goal is to lower the threshold value.
この第３図において、１９は（−）電極であり、ｎ型Ｉ
ｎＰ基板２０の下面に形成されている。このｎ型ＩｎＰ
基板２０上に第１回目のエピタキシャル成長法によりｎ
＋型ＩｎＧａＡｓＰ ２１のエツチング停止層を形成し
、その後、ｎｆｆ１ＩｎＰり２ラド層２２゜ノン−ドー
プドのＩｎＧａＡｓ５Ｐ ２３ を活性層として形成し
、さら−に、このＩｎＧａＡｓＰ ２３上にＰ屋ＩｎＰ
クラッド層２４．エツチングマスクとしてのＰ＋型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ ２５を順次形成し、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
２１によるエツチング停止層上にＰ型ＩｎＰの埋込み層
２６゜ｎ 屋ＩｎＰ Ｏ埋込み層２７を順次第２回目の
エピタキシャル成長法によシ形成する。In this FIG. 3, 19 is a (-) electrode, which is an n-type I
It is formed on the lower surface of the nP substrate 20. This n-type InP
n on the substrate 20 by the first epitaxial growth method.
An etching stop layer of + type InGaAsP 21 is formed, and then an nff1InP layer 22 and a non-doped InGaAs5P 23 are formed as an active layer.
Cladding layer 24. P+ type In as an etching mask
GaAsP 25 is sequentially formed, and n-type InGaAsP is formed.
A P-type InP buried layer 26° and an InP O buried layer 27 are sequentially formed on the etching stop layer 21 by a second epitaxial growth method.
この埋込み層２７上およ、び戸型ＩｎＧａＡａＰ ２５
上に（＋）を極２８ｔ−形成する。On this buried layer 27 and the door-shaped InGaAaP 25
A (+) pole 28t- is formed on the top.
このようにして製造された半導体レーザダイオ−ドにお
いて、低出力ではあるが、低電流動作を目標とする場合
には、ｎ型ＩｎＰ基板２０上に埋込まれ層を成長させる
ことが望ましく、この鼓型による高効率電流閉じ込めに
より、さらに低電流動作が期待できる。In the semiconductor laser diode manufactured in this way, if the goal is low output but low current operation, it is desirable to grow an embedded layer on the n-type InP substrate 20. Due to the highly efficient current confinement provided by the mold, even lower current operation can be expected.
以上のように、この発明の半導体レーザダイオードの製
造方法によれば、第１のＩｎＰクラッド層の下にエツチ
ング停止層全成長させるとともに第２のＩｎＰクラッド
層上にエツチングマスク層ｔ−成長させるとともに第１
および第２のＩｎＰクラッド層に活性層を形成し、２Ｐ
１類の化学エツチング液で選択的にエツチングすること
により第１．第２のＩｎＰクラッド層間の活性層が最狭
部となｐ鼓形の埋込まれ層を形成するようにしたので、
３１０．膜形成工程をなくすることができ、しかもこ
の埋込まれ層の作成の再現性を向上することができると
ともに、鼓形の構造とすることにより、低閾値で電流閉
じ込めの高効率化が可能と゛な１゛るものである。As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor laser diode of the present invention, the etching stop layer is entirely grown under the first InP cladding layer, and the etching mask layer t is grown on the second InP cladding layer. 1st
and a second InP cladding layer to form an active layer, and a 2P
By selectively etching with a chemical etching solution of type 1. Since the active layer between the second InP cladding layers is the narrowest part and forms a p-shaped embedded layer,
310. It is possible to eliminate the film formation process, improve the reproducibility of creating this buried layer, and by creating an hourglass-shaped structure, it is possible to achieve high efficiency in current confinement with a low threshold value. There is something like that.
第１図は従来の高出力中導体レーザダイオードの断面図
、第２図はこの発明の半導体レーザダイオードの製造方
法によシ裂遺され次高出力半導体レーザダイオードの断
面図、第３図はこの発明の ゛半導体レーザダイ
オードの製造方法の他の実施例によって製造された低閾
値半導体レーザダイオードの断面図である。
９ 、１９ ＝−（−）電極、１０−Ｐ型ＩｎＰ基板１
１１−Ｐ＋型ＩｎＧａＡａＰ ＊ １２ 、２４ ＝
Ｐ型ＩｎＰクラッド層、１３ ｒ ２３ ・” Ｉｎ
ＧａＡｓＰ ｓ １４ Ｈ２２・・・ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層、１５− ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ ｓ １６ ＋１
７．２６．２７・・・埋込み層、１８．２８・・・（＋
）電極、２５−Ｐ型ＩｎＧａＡ８Ｐ 。
第３図
手続補正書
昭和５８年５月２０日
特許庁長官若杉和夫 殿
１、事件の表示
昭和５７年 特許 願第 １０１３４７２、発明の名
称
半導体レーザダイオードの製造方法
３、補正をする者
事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社
本代理人
５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄
７、補正の内容
別紙の通り
７、補正の内容
１）明細書２頁５行「埋め込まれて」′ｆ：「埋込み成
長されて」と訂正する。
２）同２頁９行「込み層６」を「め込まれ層３゜４．５
」と訂正する。
３）同２頁１０行「臭素」ヲ「臭素」と訂正する。
４）同３頁１３行「形成」ヲ「成長」と訂正する。
５）同５頁１１行「またＩｎＧａＡｓＰ １３による活
性層」ヲ［またＰ”−ＩｎＧａＡｓＰ １１によるエツ
チング停止層」と訂正する。
６〕 同７頁１０行および１１行「長させるとともに・
・・・・・２種類」ヲ「長させ、２種類」と訂正する。
７）同８頁７行ｒ９，１９・・・（−）を極」を「９゜
２８・・・（＋）電極」と訂正する。
８）同８頁８行「１１」をｒｌｌ、２５ｊと訂正する。
９）同８頁１０行ｒ１５Ｊｔ：ｒ１５，２１Ｊと訂正す
る。
１０）同８頁１１行「２８・・・（＋）」全「１９・・
・（−）と訂正する。
１１）同８頁１２行ｒ ２５−ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ Ｊ
ｋ［２０・・・ｎ型ＩｎＰ基板」と訂正する。Fig. 1 is a cross-sectional view of a conventional high-power medium conductor laser diode, Fig. 2 is a cross-sectional view of the next high-power semiconductor laser diode that has been torn apart by the manufacturing method of the semiconductor laser diode of the present invention, and Fig. 3 is a cross-sectional view of this high-power semiconductor laser diode. FIG. 3 is a cross-sectional view of a low threshold semiconductor laser diode manufactured by another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor laser diode of the invention. 9, 19 =-(-) electrode, 10-P type InP substrate 1
11-P+ type InGaAaP * 12 , 24 =
P-type InP cladding layer, 13 r 23 ・”In
GaAsP s 14 H22... n-type InP cladding layer, 15- n-type InGaAsP s 16 +1
7.26.27...Buried layer, 18.28...(+
) Electrode, 25-P type InGaA8P. Figure 3 Procedural Amendment Document May 20, 1980 Kazuo Wakasugi, Commissioner of the Patent Office 1, Indication of the Case 1981 Patent Application No. 1013472, Title of Invention Method for Manufacturing Semiconductor Laser Diode 3, Person Making the Amendment Related Patent Applicant (029) Oki Electric Industry Co., Ltd. Principal Agent 5, Date of amendment order: 1925, Month, Day (spontaneous) 6, Detailed explanation of the invention column and brief explanation of drawings in the specification subject to amendment Column 7, Contents of the Amendment As shown in Attachment 7, Contents of the Amendment 1) Page 2 of the specification, line 5, ``Embedded'''f: Corrected to ``Embedded and grown.'' 2) Change ``Inset layer 6'' to ``Inset layer 3゜4.5'' on page 2, line 9.
” he corrected. 3) On page 2, line 10, "bromine" is corrected to "bromine". 4) On page 3, line 13, "formation" is corrected to "growth." 5) On page 5, line 11, ``Also an active layer made of InGaAsP 13'' is corrected to ``Also an etching stop layer made of P''-InGaAsP 11''. 6] Page 7, lines 10 and 11 “As well as lengthening the
``...2 types'' was corrected to ``Longer, 2 types''. 7) On page 8, line 7 r9, 19...(-) is the pole" is corrected to "9°28...(+) electrode." 8) On page 8, line 8, "11" is corrected to rll, 25j. 9) Same page 8 line 10 r15Jt: Corrected as r15, 21J. 10) Page 8, line 11 “28...(+)” all “19...
・Correct it as (-). 11) Same page 8 line 12r 25-p-type InGaAsP J
k[20... n-type InP substrate" is corrected.
Claims (1)
チング停止層上に第１のＩｎＰクラッド層を形成する工
程と、この第１のＩｎＰクラッド層上に活性層を形成す
る工程と、この活性層上に第２のＩｎＰクラッド層を形
成する工程と、この第２のＩｎＰクラッド層にエツチン
グマスクを形成する工程と、２種類の化学エツチング液
を選択的に用いて上記活性層が中央部に位置して最狭部
となる鼓をの埋込まれ層を形成する工程とよりなる半導
体レーザダイオードの製造方法。forming an etch stop layer on the substrate; forming a first InP cladding layer on the etch stop layer; forming an active layer on the first InP cladding layer; A process of forming a second InP cladding layer thereon, a process of forming an etching mask on the second InP cladding layer, and selectively using two types of chemical etching solutions to position the active layer in the center. A method for manufacturing a semiconductor laser diode comprising the step of forming an embedded layer having a narrowest part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10134782A JPS58219787A (en) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | Manufacture of semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10134782A JPS58219787A (en) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | Manufacture of semiconductor laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219787A true JPS58219787A (en) | 1983-12-21 |
Family
ID=14298298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10134782A Pending JPS58219787A (en) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | Manufacture of semiconductor laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219787A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259591A (en) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Fujikura Ltd | Manufacture of buried semiconductor laser |
| KR100781719B1 (en) | 2004-04-20 | 2007-12-03 | 학교법인 포항공과대학교 | Method of fabrication hyperboloid drum structures using ion beam etching |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP10134782A patent/JPS58219787A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259591A (en) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | Fujikura Ltd | Manufacture of buried semiconductor laser |
| KR100781719B1 (en) | 2004-04-20 | 2007-12-03 | 학교법인 포항공과대학교 | Method of fabrication hyperboloid drum structures using ion beam etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5748659A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS6348888A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS58219787A (en) | Manufacture of semiconductor laser diode | |
| JP2000193813A (en) | Diffraction grating formation method, diffraction grating and optical semiconductor element | |
| JPH08250801A (en) | Semiconductor laser device and its manufacture | |
| JPS6223191A (en) | Manufacture of ridge type semiconductor laser device | |
| JP2002232069A (en) | Method of manufacturing optical semiconductor device | |
| JPH01186688A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2004128372A (en) | Distribution feedback semiconductor laser device | |
| JPS58158988A (en) | Distributed feedback type semiconductor laser | |
| JPS61150393A (en) | Semiconductor laser and manufacture thereof | |
| JP2525776B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPS63250886A (en) | Manufacture of semiconductor laser element | |
| JPS6351558B2 (en) | ||
| JPS6254987A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH05226774A (en) | Semiconductor laser element and its production | |
| JPH07263802A (en) | Manufacture of semiconductor light emitting element | |
| JPH05291702A (en) | Manufacture of semiconductor laser | |
| JPH0637394A (en) | Semiconductor laser device and its manufacture | |
| JPS613486A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH06120615A (en) | Manufacture of semiconductor laser element | |
| JPS6177327A (en) | Etchant | |
| JPH0213470B2 (en) | ||
| JPH05190975A (en) | Semiconductor laser element and manufacturing method thereof | |
| JPS6281085A (en) | Etching mask |