JPS58219620A - 温度制御装置 - Google Patents
温度制御装置Info
- Publication number
- JPS58219620A JPS58219620A JP57102484A JP10248482A JPS58219620A JP S58219620 A JPS58219620 A JP S58219620A JP 57102484 A JP57102484 A JP 57102484A JP 10248482 A JP10248482 A JP 10248482A JP S58219620 A JPS58219620 A JP S58219620A
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- JP
- Japan
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- transistor
- temperature
- self
- resistor
- base
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1906—Control of temperature characterised by the use of electric means using an analogue comparing device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は速熱性を向上させた温度制御装置に関するもの
である。
である。
従来の位相制御方式による温度制御装置に於ては、温度
上昇につれてスイッチング素子の導通角が次第に減少す
る為に温度の上昇が遅い(速熱性に欠ける)という欠点
があった。
上昇につれてスイッチング素子の導通角が次第に減少す
る為に温度の上昇が遅い(速熱性に欠ける)という欠点
があった。
本発明は自己保持手段を動作せしめるごとにより、ある
一定温度(設定温度に関係なく)まで100%の導通角
でスイッチング素子を導通せしめ、一定温度に到達後は
自動的に、設定温度と対応した導通角でスイッチング素
子を導通せしめる。
一定温度(設定温度に関係なく)まで100%の導通角
でスイッチング素子を導通せしめ、一定温度に到達後は
自動的に、設定温度と対応した導通角でスイッチング素
子を導通せしめる。
従って1ある一定温度までは100%の導通角(電力)
でヒータは通電される為、導通角が減少する欠点が無く
なり温度上昇が早くなる。
でヒータは通電される為、導通角が減少する欠点が無く
なり温度上昇が早くなる。
以下本発明の湿度制御装置の一実施例を図面に沿って詳
細を説明する。
細を説明する。
第1図に於て、lは交流電源、2は負荷(ヒータ)、3
はトライアック等のスイッチング素子(以下トライアッ
クで説明する)である。4は余波整流ブリッジ、5はツ
ェナーダイオード(定電圧ダイオード)、6はダイオー
ド、7はコンデンサ、8乃至1oは抵抗、11はnpn
)ラング7り・12はダイオード、13乃至16は抵
抗、17はJll)11)ランジスタ、18乃至】9は
抵抗、2゜はコンデンサ、21乃至22は抵抗、23は
温度設定用ボリウム(す変抵抗器)、24乃至25は抵
抗、26乃至27はnpn )ランジスタ、28乃至2
9は抵抗、30はサーミスタ等の感熱素子(以下サーミ
スタで説明)、31は抵抗、32乃至33はnpn )
ランジ呂夕、34乃至36は抵抗、37はpnp )ラ
ンジスタ、38乃至39は抵抗、40はブツシュオンス
イッチ(ブツシュした時にのみ閉成し、離せば開成とな
るスイッチ)、41はnpH)ランジスタ、42は抵抗
、43乃至44はダイオード、45乃至46は抵抗、4
7はダイオード、48は抵抗、49はnpn )ランジ
スタ、50は抵抗、51はnpn’)ランジスタ、52
はダイオード、53はリレー、54はpnpトランジス
タ、55は抵抗、56はコンデンサ、57は抵抗、58
はダイオード、59は抵抗、60乃至6目まnpn )
ランジスタ、62はダイオード、63はパルストランス
、64はダイオードである。
はトライアック等のスイッチング素子(以下トライアッ
クで説明する)である。4は余波整流ブリッジ、5はツ
ェナーダイオード(定電圧ダイオード)、6はダイオー
ド、7はコンデンサ、8乃至1oは抵抗、11はnpn
)ラング7り・12はダイオード、13乃至16は抵
抗、17はJll)11)ランジスタ、18乃至】9は
抵抗、2゜はコンデンサ、21乃至22は抵抗、23は
温度設定用ボリウム(す変抵抗器)、24乃至25は抵
抗、26乃至27はnpn )ランジスタ、28乃至2
9は抵抗、30はサーミスタ等の感熱素子(以下サーミ
スタで説明)、31は抵抗、32乃至33はnpn )
ランジ呂夕、34乃至36は抵抗、37はpnp )ラ
ンジスタ、38乃至39は抵抗、40はブツシュオンス
イッチ(ブツシュした時にのみ閉成し、離せば開成とな
るスイッチ)、41はnpH)ランジスタ、42は抵抗
、43乃至44はダイオード、45乃至46は抵抗、4
7はダイオード、48は抵抗、49はnpn )ランジ
スタ、50は抵抗、51はnpn’)ランジスタ、52
はダイオード、53はリレー、54はpnpトランジス
タ、55は抵抗、56はコンデンサ、57は抵抗、58
はダイオード、59は抵抗、60乃至6目まnpn )
ランジスタ、62はダイオード、63はパルストランス
、64はダイオードである。
骨、−シ、て、交流電源lにヒータ2及びトライアラ原
生回路に全波整流ブリッジ4が接続され、該全波整流ブ
リッジ4の出力にはツェナーダイオミド5が接続されて
いる。該ツェナーダイオード5の両端にダイオード6を
介してコンデンサ7が接続され直流電源をなしている。
生回路に全波整流ブリッジ4が接続され、該全波整流ブ
リッジ4の出力にはツェナーダイオミド5が接続されて
いる。該ツェナーダイオード5の両端にダイオード6を
介してコンデンサ7が接続され直流電源をなしている。
また該ツェナーダイオード50両端に抵抗8,9が接続
され、該抵抗8.9の接続端はトランジスタ11のベー
スに、該トランジスタ11は抵抗1oを介して直流電源
に接続されている。そして該トランジスタ11のコレク
タと抵抗10の接続端は抵抗13を介してトランジスタ
61のベースに接続されている。また上記直流電源に抵
抗14,15.16が接続され、抵抗15.16の接続
端はトランジスタ17のベースに接続されている。該抵
抗14.Itsの接続端はダ#−F12を介してトラン
ジスタ11のコレクタに短絡されている。そして上記ト
ランジスタ17は低抵抗18を介して、直流電源に接続
された抵抗19.コンデンサ2oのうちコンデンサ2゜
の両端に接続されている。また抵抗19とコンデンサ2
0の接続端は抵抗21を介してトランジスタ26のベー
スに接続されている。該トランジスタ?6のべ了スと直
流電源の低側間に抵抗22゜ボリウム23が接続され、
該トランジスタ26のコレクタは抵抗25を介して直流
電源の高側に、エミッタはトランジスタ27のエミッタ
と短絡されて抵抗28を介して直流電源の低側に接続さ
れている。該トランジスタ27のコレクタは直流・□′
電源の高側に接続され、またベースは、直流電源に接続
されたサーミスタ30.抵抗29の接続端に接続されて
いる。上記トランジスタ26のコレクタは第1の差動ア
ンプの出力として抵抗24を介してトランジスタ54の
ベースに接続されている。
され、該抵抗8.9の接続端はトランジスタ11のベー
スに、該トランジスタ11は抵抗1oを介して直流電源
に接続されている。そして該トランジスタ11のコレク
タと抵抗10の接続端は抵抗13を介してトランジスタ
61のベースに接続されている。また上記直流電源に抵
抗14,15.16が接続され、抵抗15.16の接続
端はトランジスタ17のベースに接続されている。該抵
抗14.Itsの接続端はダ#−F12を介してトラン
ジスタ11のコレクタに短絡されている。そして上記ト
ランジスタ17は低抵抗18を介して、直流電源に接続
された抵抗19.コンデンサ2oのうちコンデンサ2゜
の両端に接続されている。また抵抗19とコンデンサ2
0の接続端は抵抗21を介してトランジスタ26のベー
スに接続されている。該トランジスタ?6のべ了スと直
流電源の低側間に抵抗22゜ボリウム23が接続され、
該トランジスタ26のコレクタは抵抗25を介して直流
電源の高側に、エミッタはトランジスタ27のエミッタ
と短絡されて抵抗28を介して直流電源の低側に接続さ
れている。該トランジスタ27のコレクタは直流・□′
電源の高側に接続され、またベースは、直流電源に接続
されたサーミスタ30.抵抗29の接続端に接続されて
いる。上記トランジスタ26のコレクタは第1の差動ア
ンプの出力として抵抗24を介してトランジスタ54の
ベースに接続されている。
またサーミスタ30.抵抗29の接続端はトランジスタ
32のベースに接続され、該トランジスタ32のコレク
タは抵抗31を介して直流電源の高側に、エミッタはト
ランジスタ33のエミッタと短絡されて抵抗84を介し
て直流電源の低側に接続され、該トランジスタ33のコ
レクタは直流電源の高側に接続されている。また上記ト
ランジスタ32のコレクタは第2の差動アンプの出力と
してトランジスタ37のベースに接続され、該トランジ
スタ37は抵抗38を介して直流電源に接続されている
。トランジスタ41は抵抗42を介して直流電源に接続
され、該トランジスタ41のベースはブツシュオンスイ
ッチ40.抵抗39を介して直流電源の高側に接続され
ている。また上記トランジスタ41.+7)コレクタは
抵抗46.ダイオード47を介してFランジスタ49の
ベースに接続され、該トランジスタ49は抵抗48を介
して直流電源に接続されている。そして、トランジスタ
49のコレクタはダイオード43を介してトランジスタ
41のベースに、トランジスタ37のコレクタはダイオ
ード44.抵抗45を介してトランジスタ49のべ4ス
に夫々接続され、また該トランジスタ49のコレクタは
抵抗50を介してトランジスタ51のベース接続され、
該トランジスタ51はリレー53のコイルを介して直流
電源に接続されている。該リレー53のコイルにダイオ
ード52が逆並列に接続されている。また前述のトラン
ジスタ54のエミッタは直流電源の高側にコレクタは抵
抗55,57、コンデンサ56よりなる微分回路に入力
されている。該抵抗57にダイオード58が逆並列に接
続され、該微分回路の、出力は抵抗59を介してトラン
ジスタ60のベースに接続されている。そしてトランジ
スタ60.61はリレー53の接点を介して並列に接続
され、パルストラン蕗63の一次側巻線を介して直流電
源に接続されている。また、該パルストランス63の一
次巻線の両端にダイオード62が逆並列に接続され、該
パルストランス63の二次巻線はダイオード64を介し
てトライアックのゲート(G)−(T1)端子に接続さ
れている。
32のベースに接続され、該トランジスタ32のコレク
タは抵抗31を介して直流電源の高側に、エミッタはト
ランジスタ33のエミッタと短絡されて抵抗84を介し
て直流電源の低側に接続され、該トランジスタ33のコ
レクタは直流電源の高側に接続されている。また上記ト
ランジスタ32のコレクタは第2の差動アンプの出力と
してトランジスタ37のベースに接続され、該トランジ
スタ37は抵抗38を介して直流電源に接続されている
。トランジスタ41は抵抗42を介して直流電源に接続
され、該トランジスタ41のベースはブツシュオンスイ
ッチ40.抵抗39を介して直流電源の高側に接続され
ている。また上記トランジスタ41.+7)コレクタは
抵抗46.ダイオード47を介してFランジスタ49の
ベースに接続され、該トランジスタ49は抵抗48を介
して直流電源に接続されている。そして、トランジスタ
49のコレクタはダイオード43を介してトランジスタ
41のベースに、トランジスタ37のコレクタはダイオ
ード44.抵抗45を介してトランジスタ49のべ4ス
に夫々接続され、また該トランジスタ49のコレクタは
抵抗50を介してトランジスタ51のベース接続され、
該トランジスタ51はリレー53のコイルを介して直流
電源に接続されている。該リレー53のコイルにダイオ
ード52が逆並列に接続されている。また前述のトラン
ジスタ54のエミッタは直流電源の高側にコレクタは抵
抗55,57、コンデンサ56よりなる微分回路に入力
されている。該抵抗57にダイオード58が逆並列に接
続され、該微分回路の、出力は抵抗59を介してトラン
ジスタ60のベースに接続されている。そしてトランジ
スタ60.61はリレー53の接点を介して並列に接続
され、パルストラン蕗63の一次側巻線を介して直流電
源に接続されている。また、該パルストランス63の一
次巻線の両端にダイオード62が逆並列に接続され、該
パルストランス63の二次巻線はダイオード64を介し
てトライアックのゲート(G)−(T1)端子に接続さ
れている。
第2図に於て、イはトランジスタ11のベースに印加さ
れる全波整流及びクリップされた信号波形、口はトラン
ジスタ11のコレクタ信号波形1ハはコンデンサ20の
電位、二は自己保持手段の出力即ちトランジスタ49の
コレクタ信号波形、ホは微分回路の出力信号、へはトラ
イアック3のゲート信y終が−トはトライアック3の導
通波形(ヒータ2の通電波形)、チは交流電源波形、(
3)は自己保持手段の動作時、の)は自己保持手段の動
、。
れる全波整流及びクリップされた信号波形、口はトラン
ジスタ11のコレクタ信号波形1ハはコンデンサ20の
電位、二は自己保持手段の出力即ちトランジスタ49の
コレクタ信号波形、ホは微分回路の出力信号、へはトラ
イアック3のゲート信y終が−トはトライアック3の導
通波形(ヒータ2の通電波形)、チは交流電源波形、(
3)は自己保持手段の動作時、の)は自己保持手段の動
、。
作解除時である。
第3図は温度特性図でθ0は設定温度、θは自己保持手
段の解除温度である。
段の解除温度である。
以上構成の温度制御装置に於て、その動作態様を説明す
る。
る。
先ず通電初期、ブツシュオンスイッチ40 %N(閉成
)すると、抵抗39.ブツシュオンスイッチ40を介し
てトランジスタ41にベース電流が流れる為トランジス
タ41はONする。するとトランジスタ49のベース電
流はトランジスタ41によってバイパスされる為トラン
ジスタ49はOFFとなる。するとトランジスタ49の
コレクタ電位は高レベルとなり、ダイオード43を介し
てトランジスタ41にベース電流を供給し続けるのでト
ランジスタ41のON、トランジスタ49のOFF状態
は持続される(このときはブツシュオンスイッチ40は
開成されている)。従ってトランジii449のコレク
タ電位は高レベル(第2図人口)の為トランジスタ51
にも抵抗50を介してベース電流が流れトランジスタ5
1はONする(自己保持手段が動作)為、リレー53は
励磁され接点はNO(ノーマルオープン)に閉成される
。そしてこのときトランジスタ61のベースには交流電
源のゼロクロス時に同期したパルス信号が印加されてい
る。即ち、トランジスタ11のベースには第2図イの如
く(全波整流後クリップされた)信号が印加されるので
トランジスタ11は交流電源のゼロクロス時(略0,7
ボルト以下で)にOFFとなる。従ってトランジスタ1
1のコレクタには第2図口の如くパルス信号が交流電源
lのゼロクロス時に同期して導出され、該パルス信号が
抵抗13を介してトランジスタ61のベースに印加され
、パルストランス63にも上記パルス信号が第2図(4
)への如く誘起され、トライアック3のゲート信号とし
て印加されるのでトライアック3は第2図(5)トの如
く100%の導通角で導通し、ヒータ2は100%の電
力を消費する為温度は急上昇する。ML、X、温度(θ
)(第3図)(これは抵抗85.36,29、サーミス
タ30の抵抗ブリッジによって決定される)に達すると
上記抵抗ブリッジのうち、トランジスタ32のベース電
位の方がトランジスタ33のベース電位よりも高レベル
となり、(サーミスタ30の抵抗値が減少していて)ト
ランジスタ計2がON)ランジスタ33がOFFとなる
。するとトランジスタ32のコレクタ電位は低レベルと
なりトランジスタ37のベース電流は流れる。従ってト
ランジスタ37はONする為ダイオード44.抵抗45
を介してトランジスタ49にベース電流が印加される(
自己保持手段に解除信号が印加される)。するとトラン
ジスタ49はONする為トランジスタ41のベース信号
はバイパスされるのでトランジスタ41はOFFとなる
(自己保持手段は解除された)。従ってトランジスタ5
1のベース電流もバイパスされOFFとなる為リレー5
3は励磁されずに接点NQは開成(NCは閉成)となる
。従ってトランジスタ61は導通せずパルストランス6
3には交流電源のゼロ姶ミ只ス時に廻期したパルス信号
は導出されない。
)すると、抵抗39.ブツシュオンスイッチ40を介し
てトランジスタ41にベース電流が流れる為トランジス
タ41はONする。するとトランジスタ49のベース電
流はトランジスタ41によってバイパスされる為トラン
ジスタ49はOFFとなる。するとトランジスタ49の
コレクタ電位は高レベルとなり、ダイオード43を介し
てトランジスタ41にベース電流を供給し続けるのでト
ランジスタ41のON、トランジスタ49のOFF状態
は持続される(このときはブツシュオンスイッチ40は
開成されている)。従ってトランジii449のコレク
タ電位は高レベル(第2図人口)の為トランジスタ51
にも抵抗50を介してベース電流が流れトランジスタ5
1はONする(自己保持手段が動作)為、リレー53は
励磁され接点はNO(ノーマルオープン)に閉成される
。そしてこのときトランジスタ61のベースには交流電
源のゼロクロス時に同期したパルス信号が印加されてい
る。即ち、トランジスタ11のベースには第2図イの如
く(全波整流後クリップされた)信号が印加されるので
トランジスタ11は交流電源のゼロクロス時(略0,7
ボルト以下で)にOFFとなる。従ってトランジスタ1
1のコレクタには第2図口の如くパルス信号が交流電源
lのゼロクロス時に同期して導出され、該パルス信号が
抵抗13を介してトランジスタ61のベースに印加され
、パルストランス63にも上記パルス信号が第2図(4
)への如く誘起され、トライアック3のゲート信号とし
て印加されるのでトライアック3は第2図(5)トの如
く100%の導通角で導通し、ヒータ2は100%の電
力を消費する為温度は急上昇する。ML、X、温度(θ
)(第3図)(これは抵抗85.36,29、サーミス
タ30の抵抗ブリッジによって決定される)に達すると
上記抵抗ブリッジのうち、トランジスタ32のベース電
位の方がトランジスタ33のベース電位よりも高レベル
となり、(サーミスタ30の抵抗値が減少していて)ト
ランジスタ計2がON)ランジスタ33がOFFとなる
。するとトランジスタ32のコレクタ電位は低レベルと
なりトランジスタ37のベース電流は流れる。従ってト
ランジスタ37はONする為ダイオード44.抵抗45
を介してトランジスタ49にベース電流が印加される(
自己保持手段に解除信号が印加される)。するとトラン
ジスタ49はONする為トランジスタ41のベース信号
はバイパスされるのでトランジスタ41はOFFとなる
(自己保持手段は解除された)。従ってトランジスタ5
1のベース電流もバイパスされOFFとなる為リレー5
3は励磁されずに接点NQは開成(NCは閉成)となる
。従ってトランジスタ61は導通せずパルストランス6
3には交流電源のゼロ姶ミ只ス時に廻期したパルス信号
は導出されない。
そしてボリウム23によって設定された設定温度(θ0
)(第3図)になるとその温度に対応したへ。
)(第3図)になるとその温度に対応したへ。
(第2図(B)ハ)となってトランジスタ27のベース
に印加される。そしてコンデンサ20による鋸歯状信号
(第2図CB)ハ)が即ちトランジスタ26のベースを
位がトランジスタ27のベース電位よりも高くなった時
点でトランジスタ26が導通し、トランジスタ26のコ
レクタ電位は低レベルとなり抵抗24を介してトランジ
スタ54のベース電流は流れる。そしてトランジスタ5
4がONした時点で微分回路は第2図の)ホの如く微分
信号を導出し、抵抗59を介してトランジスタ60のベ
ースに印加されるのでトランジスタ6oはその時点で導
通(パルス状に)するので、パルストランス63にもそ
の時点で第2図(ロ)への如くパルス信号が誘起され、
トライアック3にゲート信号として印加されるので、ト
ライアック3もその時点(導□“、 通電α)で導通を開始する(第2図(B) ) )。そ
してこの状態で設定温度(θ0)を保持する。そしてこ
の、自己保持手段は設定温度保持中にも動作をせしめる
ことは可能(第3図)である。
に印加される。そしてコンデンサ20による鋸歯状信号
(第2図CB)ハ)が即ちトランジスタ26のベースを
位がトランジスタ27のベース電位よりも高くなった時
点でトランジスタ26が導通し、トランジスタ26のコ
レクタ電位は低レベルとなり抵抗24を介してトランジ
スタ54のベース電流は流れる。そしてトランジスタ5
4がONした時点で微分回路は第2図の)ホの如く微分
信号を導出し、抵抗59を介してトランジスタ60のベ
ースに印加されるのでトランジスタ6oはその時点で導
通(パルス状に)するので、パルストランス63にもそ
の時点で第2図(ロ)への如くパルス信号が誘起され、
トライアック3にゲート信号として印加されるので、ト
ライアック3もその時点(導□“、 通電α)で導通を開始する(第2図(B) ) )。そ
してこの状態で設定温度(θ0)を保持する。そしてこ
の、自己保持手段は設定温度保持中にも動作をせしめる
ことは可能(第3図)である。
以上説明の如く、本発明に依れば任意の温度(のまで設
定温度に関係なくヒータに100%の電力を印加して速
熱性を持たせ、その後自動的に設定温度(θ0)に切り
替るとともに、その設定温度に対応した電力でヒータは
通電される為均一加熱がなされる。従って非常に有益な
(速熱性の高い)位相制御方式による温度制御装置が提
供できる。
定温度に関係なくヒータに100%の電力を印加して速
熱性を持たせ、その後自動的に設定温度(θ0)に切り
替るとともに、その設定温度に対応した電力でヒータは
通電される為均一加熱がなされる。従って非常に有益な
(速熱性の高い)位相制御方式による温度制御装置が提
供できる。
第1図は本発明の温度制御装置の一実施例を示す回路図
、第2図は第1図の主要各部の信号波形図、第3図は温
度特性図である。 図面中、3はスイッチング素子を示す。
、第2図は第1図の主要各部の信号波形図、第3図は温
度特性図である。 図面中、3はスイッチング素子を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 I 温度検出手段、湿度設定手段、自己保持手段。 自己保持解除手段及び半導体スイッチング素子を有し、
該温度検出手段及び温度設定手段の信号に対応して上記
半導体スイッチング素子の導通角を決定する位相制御方
式の温度制御装置に於て・上記自己保持手段の自己保持
動作により上記半導体スイッチング素子の導通を100
%とするとともに上記自己保持手段の自己保持動作を解
除して上記半導体スイッチング素子の導通を位相制御方
式に制御する制御手段を具備してなることを特徴とする
温度制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57102484A JPS58219620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57102484A JPS58219620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 温度制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58219620A true JPS58219620A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14328718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57102484A Pending JPS58219620A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 温度制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58219620A (ja) |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP57102484A patent/JPS58219620A/ja active Pending
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