JPS58215625A - 結晶加工法 - Google Patents
結晶加工法Info
- Publication number
- JPS58215625A JPS58215625A JP9827282A JP9827282A JPS58215625A JP S58215625 A JPS58215625 A JP S58215625A JP 9827282 A JP9827282 A JP 9827282A JP 9827282 A JP9827282 A JP 9827282A JP S58215625 A JPS58215625 A JP S58215625A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- orientation flat
- boule
- specific
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0018—Electro-optical materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｌｉ −ｒａ Ｏ３，ｌ−ｉ Ｎｂ Ｏ３等の
表面弾性波用圧電Ｐｌ甲結晶の結晶加工法に関するもの
℃ある。
表面弾性波用圧電Ｐｌ甲結晶の結晶加工法に関するもの
℃ある。
従来、この種の単結晶に設（プるΔリエン７−ションノ
ラッ［・（以下Ａリフラど略ず）は、第１図に示り如く
つＪバーに一方向ｔｉｃノ明示する形０行われ（いる。
ラッ［・（以下Ａリフラど略ず）は、第１図に示り如く
つＪバーに一方向ｔｉｃノ明示する形０行われ（いる。
また、−での池にもつ１バーの表裏をあきらかにする目
的でなｌυらかの形状加工も行われくいる。しかしなが
ら、一方向だ（〕の〕Ａリーノでは、基板として結晶を
用いしかもイの基板特性かでの方向に依存し、また方向
に敏感に対応りるような、ＩＰＩえは′表面弾性波紫芋
どして用いられるｌ ｉ ＮｂＯ２、Ｌｉ−ｒａｏ３等
の単結晶の場合、方位合せを正確に行うことが困難にな
るという問題点があった。さらに表裏をあきらかにする
目的Ｃなんらかの形状加工が行われても、切断・研磨さ
れたつ１ハ〜はり−べで同一形状のものＣあり、一枚一
枚のウェハーについてつ］バー形状から、加工前のもと
の結晶位置ど切断・研磨されたウェハーとの位置関係を
把握４ることが困ＭＣあるという問題点もあった。
的でなｌυらかの形状加工も行われくいる。しかしなが
ら、一方向だ（〕の〕Ａリーノでは、基板として結晶を
用いしかもイの基板特性かでの方向に依存し、また方向
に敏感に対応りるような、ＩＰＩえは′表面弾性波紫芋
どして用いられるｌ ｉ ＮｂＯ２、Ｌｉ−ｒａｏ３等
の単結晶の場合、方位合せを正確に行うことが困難にな
るという問題点があった。さらに表裏をあきらかにする
目的Ｃなんらかの形状加工が行われても、切断・研磨さ
れたつ１ハ〜はり−べで同一形状のものＣあり、一枚一
枚のウェハーについてつ］バー形状から、加工前のもと
の結晶位置ど切断・研磨されたウェハーとの位置関係を
把握４ることが困ＭＣあるという問題点もあった。
第１図に示すように結晶１１０１１１８１のＸ軸の方（
ｆｌを定め、イの方向を基準にＡリフラを設（〕るＩｊ
向をカット面検査装置もしくはＸ線ラウェ法により決定
し、しかる後研削盤により図に示づように切り落し第１
のオーリツク２を形成づる。
ｆｌを定め、イの方向を基準にＡリフラを設（〕るＩｊ
向をカット面検査装置もしくはＸ線ラウェ法により決定
し、しかる後研削盤により図に示づように切り落し第１
のオーリツク２を形成づる。
次ニｂｏｕｌｅ １ （７）中心軸のまわりに ｔ＋ｏ
ｕｌｅｌを所定の角度た（ブ回転さぜＣ１第１のオリフ
ラ２に対しＣより多く（または少く）側面を研削し第２
のオリフラ３を形成する。しがる後このオリフラ２１こ
り、またはオリフラ２および３のついた結晶ｂｏｕ’ｌ
ｅ １を中心軸に垂直に所定の厚さ−（切断づれは、
第２図（ａ） （ｈ ）の様ｔ【−木又は二本のオリ
フラをもったＣウェハー４を作成でさる。このようにし
Ｃ得られたつＴバー（ａ）（ｂ）はｂｏｕｌｅ ｌの引
さ上げｌＮ１（第１図ではＸ軸方向）【こつぃＣ平行な
［、下位岡に対しすへて同一形状どなって切断加：Ｖさ
れたちのどなる。
ｕｌｅｌを所定の角度た（ブ回転さぜＣ１第１のオリフ
ラ２に対しＣより多く（または少く）側面を研削し第２
のオリフラ３を形成する。しがる後このオリフラ２１こ
り、またはオリフラ２および３のついた結晶ｂｏｕ’ｌ
ｅ １を中心軸に垂直に所定の厚さ−（切断づれは、
第２図（ａ） （ｈ ）の様ｔ【−木又は二本のオリ
フラをもったＣウェハー４を作成でさる。このようにし
Ｃ得られたつＴバー（ａ）（ｂ）はｂｏｕｌｅ ｌの引
さ上げｌＮ１（第１図ではＸ軸方向）【こつぃＣ平行な
［、下位岡に対しすへて同一形状どなって切断加：Ｖさ
れたちのどなる。
しかしながら、近年、例えは表面弾性波用基板とｌ、
Ｕ用いられるＩｉ ’７−ａＯ、ｌ１Ｎｔ＋０３単結晶
についでは、ぞの７軸方向に 定電圧を印加するいわゆ
るボーリンクを終γした後ウーハー加土されるまＣ，ｘ
、ｙ、ｚ軸の判別ｄ３よびぞれそ゛れの正負方向の判別
を必要どし、さらにはイの住Ωの判別ＩごＣＪｉ” ’
、ｒ ＜、「ウェハーの表裏をはしめイれぞれのウェハ
ーのもどの結晶位胃との対応関係を把握りる必要がＣて
さＣいる。
Ｕ用いられるＩｉ ’７−ａＯ、ｌ１Ｎｔ＋０３単結晶
についでは、ぞの７軸方向に 定電圧を印加するいわゆ
るボーリンクを終γした後ウーハー加土されるまＣ，ｘ
、ｙ、ｚ軸の判別ｄ３よびぞれそ゛れの正負方向の判別
を必要どし、さらにはイの住Ωの判別ＩごＣＪｉ” ’
、ｒ ＜、「ウェハーの表裏をはしめイれぞれのウェハ
ーのもどの結晶位胃との対応関係を把握りる必要がＣて
さＣいる。
これはウェハーが切り出された各々の素ｒの表面波特性
、例えば音速に−）い−（イのバラツキをより少く覆る
ことが要求され、（れが主としくＦＴ成された結晶自身
によることが明らかにされ（きたためＣある。例えば育
成結晶の育成初期すなわら結晶１）ｏｕｌｅの上端部ど
育成後期りなわちｌｌ０ＬＩＩＯの下端部との組成のず
れ、不純物量の差、まＩこ結晶欠陥の差が音速のバラツ
キと関係づると考えられでおり、従〕てぞれらの素子を
形成づる際のつＪ−バーが育成結晶の位置と対応かっ（
）は素子０１ｈ性の評価に一層効果的なものとなるから
（ある。
、例えば音速に−）い−（イのバラツキをより少く覆る
ことが要求され、（れが主としくＦＴ成された結晶自身
によることが明らかにされ（きたためＣある。例えば育
成結晶の育成初期すなわら結晶１）ｏｕｌｅの上端部ど
育成後期りなわちｌｌ０ＬＩＩＯの下端部との組成のず
れ、不純物量の差、まＩこ結晶欠陥の差が音速のバラツ
キと関係づると考えられでおり、従〕てぞれらの素子を
形成づる際のつＪ−バーが育成結晶の位置と対応かっ（
）は素子０１ｈ性の評価に一層効果的なものとなるから
（ある。
本弁明は上記要望に応えるべくなされたちのＣウェハー
形状から加工前の結晶の切断位置と切断・研磨されたウ
ェハーどの位置濶係を知ることの出来る結晶加工法を提
供りるもの−Ｃある。
形状から加工前の結晶の切断位置と切断・研磨されたウ
ェハーどの位置濶係を知ることの出来る結晶加工法を提
供りるもの−Ｃある。
以下本発明を実施例により具体的に説明づる。
第３図に示づごとく、Ｘ軸方向にヂョクラルス士−法Ｃ
育成したｌ ｉ Ｔａ ０３単結晶〔ｉの肩部７どＴａ
１１部８を切断し第４図に示づ様ｙ、ｚ ｂｏｕ ｌ
ｅ ９を作成りる。この時のり１ｊｆ＃ｊ向は引さＩげ
輔（Ｘ軸）と重直どなる３ノ、うにづる。このｂｏｕｌ
ｅ ９をカーホンの冶具に接着し、Ｘ線カッＩ・面検査
機またはＸ線ラウェにより（Ｙ方向を定め、しかる後こ
のＹ軸にス・１し所定の角度どなるよう４ｒ方向を定め
、イの後結晶の側面を所定の吊（幅尤、）だけ研削し第
１のオリフラ２を形成する。次に１）Ｏ１ｌ１８９の中
心軸のまわりにｌｌ０ＩＪＩ０９を所定の角度だり回転
させ、さらに結晶の−ｒａｉ１部８（又は肩部７）の端
部ｌこけ研削砥石に所定の高さより高く（または低く）
なる様に設置し、第１のオリフラ２より多く（または少
くン研削しく第２のオリフラ５を形成りる。
育成したｌ ｉ Ｔａ ０３単結晶〔ｉの肩部７どＴａ
１１部８を切断し第４図に示づ様ｙ、ｚ ｂｏｕ ｌ
ｅ ９を作成りる。この時のり１ｊｆ＃ｊ向は引さＩげ
輔（Ｘ軸）と重直どなる３ノ、うにづる。このｂｏｕｌ
ｅ ９をカーホンの冶具に接着し、Ｘ線カッＩ・面検査
機またはＸ線ラウェにより（Ｙ方向を定め、しかる後こ
のＹ軸にス・１し所定の角度どなるよう４ｒ方向を定め
、イの後結晶の側面を所定の吊（幅尤、）だけ研削し第
１のオリフラ２を形成する。次に１）Ｏ１ｌ１８９の中
心軸のまわりにｌｌ０ＩＪＩ０９を所定の角度だり回転
させ、さらに結晶の−ｒａｉ１部８（又は肩部７）の端
部ｌこけ研削砥石に所定の高さより高く（または低く）
なる様に設置し、第１のオリフラ２より多く（または少
くン研削しく第２のオリフラ５を形成りる。
このＷ！２のオリフラ５のｂｏｕｌ（！９の両端部にお
（］る幅は１１．λ２となりλ１、Ｊ２、支３についＣ
は、尤ｊくｆ２・（ｙ９となる様に研削づる。この様イ
ヱ２木のＡす７う２，５のライたｂｏｕｌｅ ９を、Ｘ
軸に垂直に所定の厚さで切断Ｊるど第５図（ａ ）（ｈ
）に示づようｈ×カン１−ウェハーが１ｑられる。
（］る幅は１１．λ２となりλ１、Ｊ２、支３についＣ
は、尤ｊくｆ２・（ｙ９となる様に研削づる。この様イ
ヱ２木のＡす７う２，５のライたｂｏｕｌｅ ９を、Ｘ
軸に垂直に所定の厚さで切断Ｊるど第５図（ａ ）（ｈ
）に示づようｈ×カン１−ウェハーが１ｑられる。
この・ル［バーのオリフラ５の幅Ｊｕｌ 、Ｊｚは同−
Ｃないためイの長さにより結晶のＩ’（ｌ置ど対１ｉｊ
、づ′【〕ることが可能となる。
Ｃないためイの長さにより結晶のＩ’（ｌ置ど対１ｉｊ
、づ′【〕ることが可能となる。
以１説明した本弁明／）法によれぽつ］バーの形状によ
り、加１前の結晶の切断イｉ′／買ど切断・ｔｉｌｌ
ＩＲサレタウｒバーどのＩＱ同関係がわかり、つ１バー
の特↑１を向上さけるためにイ１効な１：Ｊのどなる。
り、加１前の結晶の切断イｉ′／買ど切断・ｔｉｌｌ
ＩＲサレタウｒバーどのＩＱ同関係がわかり、つ１バー
の特↑１を向上さけるためにイ１効な１：Ｊのどなる。
なお」−記実施例においではＬ ｉ ｌ’ ａ ０３
甲Ｍ １１％についで説明したが、ｌ ｉ Ｎｂ Ｑ
、 等の電気光学結晶、ＧＧＧ等の基板１１１結晶さ
らにはフｒライト単結晶などについ−Ｃも適用可能であ
ることは勿論Ｃある。
甲Ｍ １１％についで説明したが、ｌ ｉ Ｎｂ Ｑ
、 等の電気光学結晶、ＧＧＧ等の基板１１１結晶さ
らにはフｒライト単結晶などについ−Ｃも適用可能であ
ることは勿論Ｃある。
第１図は従来行われ−ＣぎたΔリンク形成の結晶ｂｏｕ
ｌｅを示づ図、第２図（ａ）（ｂ）は第１図のｂｏｏｌ
ｅより切出したつＴバーを承り図、第３図は本発明を説
明りるｌこめの育成結晶とＡリ−ノラの位置関係を承り
説明図、第４図は第３図の結晶を加コーシ第１．第２の
オリフラを形成しＩζ結晶ｂｏｕｌｅを示す図、第５図
は第４図の結晶ｂｏｕｌｅより切出したウェハー形状説
明図Ｃある。。 １：９：結晶１）Ｏｌｌｌｅ 、 ２ ： ３ ： Ｅ
ｉ ：オリフラ。 １：つ］−バー、６：育成結晶、７：結晶の肩部。 ８：結晶の１８１１部。 第７図 裕 ２ 図 第５図 （Ｃ７） （ｂ）手続補正
書（方式） １１、″（川 ５７．１α２５１Ｉ 士１′ に′１″ １） 長 １°・、 屏寺昭
■１１５フイｌ−′１．’＋″許咄第 ９８２７２
；￥づ＆１１月の８弥 結晶加工法 ｒ山 １（を （−る 習 Ｐ、 Ｉ！ｌ ｔ５ｏ８１１Ｉ）’ｒ３
’ｚ Ｉ、＠ ＋末代 会ン１代 Ｉｆ 古
０１■ 甲ｒ り延 火成
ｆ甲 人
ｌｅを示づ図、第２図（ａ）（ｂ）は第１図のｂｏｏｌ
ｅより切出したつＴバーを承り図、第３図は本発明を説
明りるｌこめの育成結晶とＡリ−ノラの位置関係を承り
説明図、第４図は第３図の結晶を加コーシ第１．第２の
オリフラを形成しＩζ結晶ｂｏｕｌｅを示す図、第５図
は第４図の結晶ｂｏｕｌｅより切出したウェハー形状説
明図Ｃある。。 １：９：結晶１）Ｏｌｌｌｅ 、 ２ ： ３ ： Ｅ
ｉ ：オリフラ。 １：つ］−バー、６：育成結晶、７：結晶の肩部。 ８：結晶の１８１１部。 第７図 裕 ２ 図 第５図 （Ｃ７） （ｂ）手続補正
書（方式） １１、″（川 ５７．１α２５１Ｉ 士１′ に′１″ １） 長 １°・、 屏寺昭
■１１５フイｌ−′１．’＋″許咄第 ９８２７２
；￥づ＆１１月の８弥 結晶加工法 ｒ山 １（を （−る 習 Ｐ、 Ｉ！ｌ ｔ５ｏ８１１Ｉ）’ｒ３
’ｚ Ｉ、＠ ＋末代 会ン１代 Ｉｆ 古
０１■ 甲ｒ り延 火成
ｆ甲 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 結晶成長した単結晶に第１のＡリエンｊ−シコンフ
ラットを形成りる工程ど、前記第１のオリ土ンｊ−ジョ
ン゛ノラットに対し、異なる方向に第２のＡリエンｊ−
ジョンを形成づるＪ程とを有し、前記第２のΔリエンｊ
−ジョンの幅を結晶成長軸方向に連続的に変化づるよう
に形成りることを特徴どする結晶加−■法。 ２、」−記１）ｒ１請求の範囲第１項記載の方法にａ）
いて、結晶加１後つ１バーを切出りＴ程を有することを
特徴とリ−る結晶加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9827282A JPS58215625A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 結晶加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9827282A JPS58215625A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 結晶加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215625A true JPS58215625A (ja) | 1983-12-15 |
Family
ID=14215300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9827282A Pending JPS58215625A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 結晶加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013115534A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Seiko Epson Corp | 単結晶ウェハーの製造方法、単結晶ウェハー、振動素子、及び圧電デバイス |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP9827282A patent/JPS58215625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013115534A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Seiko Epson Corp | 単結晶ウェハーの製造方法、単結晶ウェハー、振動素子、及び圧電デバイス |
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