JPS58210551A - フオトルミネツセンス測定方法 - Google Patents
フオトルミネツセンス測定方法Info
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- JPS58210551A JPS58210551A JP9389382A JP9389382A JPS58210551A JP S58210551 A JPS58210551 A JP S58210551A JP 9389382 A JP9389382 A JP 9389382A JP 9389382 A JP9389382 A JP 9389382A JP S58210551 A JPS58210551 A JP S58210551A
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- JP
- Japan
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- light
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- excitation
- luminescence
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
11) 発明の技術分野
不発明はフォト−ルミネッセンス() L ) 611
1定万沃に・禰し、褥1/i:呟/」1部がの7オトル
ミネツセンスV測足を行9方法に関丁ゐ。
1定万沃に・禰し、褥1/i:呟/」1部がの7オトル
ミネツセンスV測足を行9方法に関丁ゐ。
12) 咬術の背景
1)aAs/GaA4As等の半導体結晶の評価を行な
う手段の一つとして、該半導体結晶に励起用の元を照射
して、該半導体結晶から発生するフォトルミ不ツヤンス
(PL)元のスペクトルもしくa頻度f御j足して、か
かる結晶評価を行うことが行なわnている。
う手段の一つとして、該半導体結晶に励起用の元を照射
して、該半導体結晶から発生するフォトルミ不ツヤンス
(PL)元のスペクトルもしくa頻度f御j足して、か
かる結晶評価を行うことが行なわnている。
(3) [米・戊術と問題点
こV)ような結晶評価等、倣9部分のPLスペクトルも
しくはPL強度倉611J足丁ゐ際、試料の所望の位1
11vc、+d くしぼった励起光音照射する方法とし
て、−りには励匹元径お工びその位dll−りら〃・し
め固足し、試料の表面庇状2i工9に所望の部分が励起
を位置にくゐ工う試料ケ桜動ざぜる方法、もしくは一旦
劫起元の照射域τ広くし、rvカメラ等で試料のPII
象をm−し、所望部6分が励起光の中心位置にく、0工
9試料もしくは励起光t−移動嘔ぜた後膣TFJJ起九
紫所望の大きさに絞り込む方法がとらnできた。
しくはPL強度倉611J足丁ゐ際、試料の所望の位1
11vc、+d くしぼった励起光音照射する方法とし
て、−りには励匹元径お工びその位dll−りら〃・し
め固足し、試料の表面庇状2i工9に所望の部分が励起
を位置にくゐ工う試料ケ桜動ざぜる方法、もしくは一旦
劫起元の照射域τ広くし、rvカメラ等で試料のPII
象をm−し、所望部6分が励起光の中心位置にく、0工
9試料もしくは励起光t−移動嘔ぜた後膣TFJJ起九
紫所望の大きさに絞り込む方法がとらnできた。
しかしながら前記41の方法でぼ、表面に顕著な形状が
ない4曾目標となめものがないために、位置決め精度を
高めることができず、又第2の方法(ゲ試料の表面形状
には関係なく応用できるが励起元来光系の元軸と励起光
の元軸がわずかでもずnていると光束?広げたV絞った
り丁ゐためにレンズめるいはミラー上動かすとそれとと
もに、試料上での励起光の中心位置がずれてしまうとい
う火照がめった。また−jt、を細く絞ると、PL、駅
では励起光の照射された部分のみが光り、非照射領域は
Iff部となって竺く見えなくなるので試料の所望(1
)4ガに正4に励起光が照射さfているかどうか〃二確
認できず、mえて測定の友びに元束會広げ友V)伏めた
りするため手数がρ噌する上、励起条件(たとえば励起
光径など)の再現性に乏しいといり入点がめった。
ない4曾目標となめものがないために、位置決め精度を
高めることができず、又第2の方法(ゲ試料の表面形状
には関係なく応用できるが励起元来光系の元軸と励起光
の元軸がわずかでもずnていると光束?広げたV絞った
り丁ゐためにレンズめるいはミラー上動かすとそれとと
もに、試料上での励起光の中心位置がずれてしまうとい
う火照がめった。また−jt、を細く絞ると、PL、駅
では励起光の照射された部分のみが光り、非照射領域は
Iff部となって竺く見えなくなるので試料の所望(1
)4ガに正4に励起光が照射さfているかどうか〃二確
認できず、mえて測定の友びに元束會広げ友V)伏めた
りするため手数がρ噌する上、励起条件(たとえば励起
光径など)の再現性に乏しいといり入点がめった。
(4)発明の目的
本発明は、試料の倣小郡分τフォトルミネッでンス元金
用いて揃足すΦ際に、試料の所望の位置に正4に励起光
を照射することがでさるフォトルミネッセンス測定方法
を提供しよりとするものでのる。
用いて揃足すΦ際に、試料の所望の位置に正4に励起光
を照射することがでさるフォトルミネッセンス測定方法
を提供しよりとするものでのる。
(5)発明の構成
このため、本発明に↓れば、被測定試料に、所足の照射
面積tゼして照射さn6渠1の励起用光と、該第1の励
起用光の照射域を言〜でその周囲に照射さrtΦ第2の
励起用光とt照射して、罰記41測足試料からフォトル
ミネッセンス元ケ発生ぜし0、該フォトルミネッセンス
M:、に4いて前記第1の励廷用元?被測定試料のI’
、11足・a置に照射し、該第1の励起用光によって励
起されたフォトルミネッセンス’7t’t”撰)]定す
ることt時機と丁りフォトルミ不ツセノスイdl1足方
法が提供さnる。
面積tゼして照射さn6渠1の励起用光と、該第1の励
起用光の照射域を言〜でその周囲に照射さrtΦ第2の
励起用光とt照射して、罰記41測足試料からフォトル
ミネッセンス元ケ発生ぜし0、該フォトルミネッセンス
M:、に4いて前記第1の励廷用元?被測定試料のI’
、11足・a置に照射し、該第1の励起用光によって励
起されたフォトルミネッセンス’7t’t”撰)]定す
ることt時機と丁りフォトルミ不ツセノスイdl1足方
法が提供さnる。
以−F不呪明f実施列でもって詳細に説明すめ。
(6)発明の央雁例
図は本祐明にかかるフォトルミ不ッ七ンス、jl!j足
=AII11の構成を示す。
=AII11の構成を示す。
図に2いて、工1は内えばN(1:YAG v−グーか
らなる励起用元弾、12ぼ元ナヨッパー、13aビーム
エクスパ/ダーでめ9.14はバー7ミ□ ラー、15はレンズ、16iミラー、17はし/ズ、l
8 H,1ツヤツタ−である。
らなる励起用元弾、12ぼ元ナヨッパー、13aビーム
エクスパ/ダーでめ9.14はバー7ミ□ ラー、15はレンズ、16iミラー、17はし/ズ、l
8 H,1ツヤツタ−である。
−f′fc、 19QX−Yステージ、20idg’
1A−Yステージ19土に載tされた列えば工nP/工
nGaAsPヘテロfi1を構造を有する仕付切半導体
基板でろゐ。
1A−Yステージ19土に載tされた列えば工nP/工
nGaAsPヘテロfi1を構造を有する仕付切半導体
基板でろゐ。
また、21i巣元Ly ンX、22Dフイルター、23
ハoTIIIhミラーで=b、a、24σ列えばP−o
O−PbSビンコンからなり光検出器、25ぼモニター
用CRTである。
ハoTIIIhミラーで=b、a、24σ列えばP−o
O−PbSビンコンからなり光検出器、25ぼモニター
用CRTである。
更に、20は分光器、27は列えばP b S光検出岳
、28はコツクイ/アンプ、29は記録針でめり0 このL′)なセ1ji=ti直を用いてのフォトルミネ
ッセンス揃足は仄の工9に行なわれっ。丁なVち、I刀
起用元源まlから照射さnたレーザー元(改長1、06
& (#m ) )L aはチwyパー12に工って
周波数200(Hz〕の峡続元bbとさn、史にビーム
エクスパングー13.にぶり劉えは直径6(mm$)の
平何元尿Lcと孕几心。
、28はコツクイ/アンプ、29は記録針でめり0 このL′)なセ1ji=ti直を用いてのフォトルミネ
ッセンス揃足は仄の工9に行なわれっ。丁なVち、I刀
起用元源まlから照射さnたレーザー元(改長1、06
& (#m ) )L aはチwyパー12に工って
周波数200(Hz〕の峡続元bbとさn、史にビーム
エクスパングー13.にぶり劉えは直径6(mm$)の
平何元尿Lcと孕几心。
かかる平行光束Lcの一部は、ハーフミラ−1番にて分
岐され、レンズ15によって試料2o上にb−ハて直径
5〜10(μmグ〕の太ささとなる↓う桑光される。η
島かる元L(lか7オトルミ不ツセンス玉励起用の元と
なる。
岐され、レンズ15によって試料2o上にb−ハて直径
5〜10(μmグ〕の太ささとなる↓う桑光される。η
島かる元L(lか7オトルミ不ツセンス玉励起用の元と
なる。
一方呵内己平行光束i、Icv浅部Lc’は、/ヤシタ
ー18が退避状態でめる時、ミラー167こて反射ざn
、レンズ1γに工って試料2o土に2いて前記王励起用
几シdの照射領域金言む直径100〜6υO〔μmダ〕
の範囲を照射し励起丁ゐ元Leとなゐ0 かかるj助匹用元Ld及びLeの照射に=っで試@20
から王したフォト少ミネッセンス元シpζ、OT@ミラ
ー23が迷逝吠、憾でめΦ時、十元し/ユ21及びフィ
ルターに2r通して光検出器24vcて慎出さrし、そ
ニター用1ji−tT25の[!li面に映し出さnめ
。この時励起用7i:bdが照射、ざnた成域のフォト
ルミネッセンス強(ぼ、励起用光Leが照1ざfた頭載
のフォトルd不ッtンス強度よりt大であり、励起用光
1a(l K、4’つく7オトルミ不ツセンス1戚は0
dT25の画面に2いて、7妨起用元LeVc基づくフ
ォトルミ不ツセ/ス1原=9を日いスポットとして砿祭
さf’Lc+。
ー18が退避状態でめる時、ミラー167こて反射ざn
、レンズ1γに工って試料2o土に2いて前記王励起用
几シdの照射領域金言む直径100〜6υO〔μmダ〕
の範囲を照射し励起丁ゐ元Leとなゐ0 かかるj助匹用元Ld及びLeの照射に=っで試@20
から王したフォト少ミネッセンス元シpζ、OT@ミラ
ー23が迷逝吠、憾でめΦ時、十元し/ユ21及びフィ
ルターに2r通して光検出器24vcて慎出さrし、そ
ニター用1ji−tT25の[!li面に映し出さnめ
。この時励起用7i:bdが照射、ざnた成域のフォト
ルミネッセンス強(ぼ、励起用光Leが照1ざfた頭載
のフォトルd不ッtンス強度よりt大であり、励起用光
1a(l K、4’つく7オトルミ不ツセンス1戚は0
dT25の画面に2いて、7妨起用元LeVc基づくフ
ォトルミ不ツセ/ス1原=9を日いスポットとして砿祭
さf’Lc+。
仄いでかかるフォトルミネッセンス像を観察しながらX
−Yステージ19t−操作して、試料20の仮組り足部
分に前d己スポットを重ね甘ゎせめ。この時Iry起用
充Leに基っくフォトルミネッセンス康に工ってスポッ
トの周$(1)領域を鍜察し得るために4!l測足部号
とスポットとの位置甘くか極めて4易になきnoo 仄いで呵6ピノヤツター18i閉じて、試料20への励
起用7eLeのH@射を遮断する。
−Yステージ19t−操作して、試料20の仮組り足部
分に前d己スポットを重ね甘ゎせめ。この時Iry起用
充Leに基っくフォトルミネッセンス康に工ってスポッ
トの周$(1)領域を鍜察し得るために4!l測足部号
とスポットとの位置甘くか極めて4易になきnoo 仄いで呵6ピノヤツター18i閉じて、試料20への励
起用7eLeのH@射を遮断する。
仄いで0T−ミラー23を駆動して、フォトルミ不ッt
ノス元Lpk7:−光器26へ入力し、d分元#26に
2いて波焚炬肴して7オトルミ不ツでンスのスペクトル
の測定τ行なう。
ノス元Lpk7:−光器26へ入力し、d分元#26に
2いて波焚炬肴して7オトルミ不ツでンスのスペクトル
の測定τ行なう。
なお、以上の構成に2いて分光器に代えて、励起用光味
云用口/グバスフィルタを設け、フォトルミイッセンス
元才元検出器にて受光すnば、フォトルミネッセンス光
の強度を測定子ゐことができゐ0 筐た、前記芙#例においては、率−の光源から出た光音
ミラーで分岐じて各々の励起元巣元系に用いているが、
それぞ7”Lの勃起光果光系ごとに別々の光源を用いて
も工い。こう′rると、七nぞnの励起慢度金目田に変
兇し侍るりで、m11]足の目出度が大さくなるとこも
に、装置構戟工1./)目出度も大さくなめ。
云用口/グバスフィルタを設け、フォトルミイッセンス
元才元検出器にて受光すnば、フォトルミネッセンス光
の強度を測定子ゐことができゐ0 筐た、前記芙#例においては、率−の光源から出た光音
ミラーで分岐じて各々の励起元巣元系に用いているが、
それぞ7”Lの勃起光果光系ごとに別々の光源を用いて
も工い。こう′rると、七nぞnの励起慢度金目田に変
兇し侍るりで、m11]足の目出度が大さくなるとこも
に、装置構戟工1./)目出度も大さくなめ。
fた、I/171起尤源としてはY −A Gレーデ−
に限っず、池の波長の異るレーザーめるいぼフラッフ−
ランプやアークラング4倉用いることかで@ゐ。
に限っず、池の波長の異るレーザーめるいぼフラッフ−
ランプやアークラング4倉用いることかで@ゐ。
更に不祐明は、■11F/工Hi)aAsPの評1曲に
かぎらずGaAs/GaAtAsなど他の牛導不材材な
どり評1曲に5bC)用できめ。
かぎらずGaAs/GaAtAsなど他の牛導不材材な
どり評1曲に5bC)用できめ。
(7)発明の動水
以上の工うに、不兇例に工n、ば、試料の倣小部分に励
起用元金照射して7オトルミ不ツセ/ス元金発王さぜΦ
吸、該励起用元と試料の破測定填Jt1.丁なわち該破
励元用元り照射唄域との征膚曾ゎぜτ極のて4易にσう
ことがでさめ。
起用元金照射して7オトルミ不ツセ/ス元金発王さぜΦ
吸、該励起用元と試料の破測定填Jt1.丁なわち該破
励元用元り照射唄域との征膚曾ゎぜτ極のて4易にσう
ことがでさめ。
便って、かかるフすトルミネソセ/ス用いての仰」足を
正(4に且つ極りて効率良く央癩す0ことがで@勾。
正(4に且つ極りて効率良く央癩す0ことがで@勾。
di本発明の笑肩にρ1刀よるフォトルミネッセンス測
足裟直の構成を示す元字系−亀気糸結−図でめる。 図VCaいて、1ま・・・励任用光源 Ld・・・第1の励起用元 Le ・・第2の励起用元 Lp・・・フォトルミネッセンス光 にO・・・被測足試料
足裟直の構成を示す元字系−亀気糸結−図でめる。 図VCaいて、1ま・・・励任用光源 Ld・・・第1の励起用元 Le ・・第2の励起用元 Lp・・・フォトルミネッセンス光 にO・・・被測足試料
Claims (1)
- 7A測定試料に、所足の照射面積をMして照射さ′n/
)f!J1の励起用元と、区第1の励起用九の照射域金
言んでヤの周囲に照射さn/:)第2の勃起用元とfp
@射し゛C,@記被測足拭科からフォトルミネッセンス
7tτ発王ぜしV、該フォトルミ不ツセンス元に¥いて
前記第1の励起用光倉被測足試料のL′9T定に11に
照射し、該第1の励起用元によって励起さt′したフォ
トルミネッセンス元を測定子0ことτ#似とするフォト
ルミネッセンス測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9389382A JPS58210551A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | フオトルミネツセンス測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9389382A JPS58210551A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | フオトルミネツセンス測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58210551A true JPS58210551A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14095154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9389382A Pending JPS58210551A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | フオトルミネツセンス測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58210551A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0254149A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-02-23 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光ルミネセンスによる半導体試料の特性表示デバイス |
JPH03115957A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Hitachi Ltd | ルミネッセンス測定装置 |
WO1993007470A1 (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-15 | Tadahiro Ohmi | Analyzer |
WO1999005511A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau |
WO2006061359A1 (de) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Verfahren zur auswahl einer wellenlänge und mikroskop |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP9389382A patent/JPS58210551A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0254149A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-02-23 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 光ルミネセンスによる半導体試料の特性表示デバイス |
JPH03115957A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-16 | Hitachi Ltd | ルミネッセンス測定装置 |
WO1993007470A1 (en) * | 1991-10-01 | 1993-04-15 | Tadahiro Ohmi | Analyzer |
US5578833A (en) * | 1991-10-01 | 1996-11-26 | Tadahiro Ohmi | Analyzer |
WO1999005511A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Nippon Steel Corporation | Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau |
WO2006061359A1 (de) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Verfahren zur auswahl einer wellenlänge und mikroskop |
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