JPS58210551A - フオトルミネツセンス測定方法 - Google Patents

フオトルミネツセンス測定方法

Info

Publication number
JPS58210551A
JPS58210551A JP9389382A JP9389382A JPS58210551A JP S58210551 A JPS58210551 A JP S58210551A JP 9389382 A JP9389382 A JP 9389382A JP 9389382 A JP9389382 A JP 9389382A JP S58210551 A JPS58210551 A JP S58210551A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photoluminescence
excitation
luminescence
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9389382A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Yamaguchi
昭夫 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP9389382A priority Critical patent/JPS58210551A/ja
Publication of JPS58210551A publication Critical patent/JPS58210551A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N21/6489Photoluminescence of semiconductors

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 11)  発明の技術分野 不発明はフォト−ルミネッセンス() L ) 611
1定万沃に・禰し、褥1/i:呟/」1部がの7オトル
ミネツセンスV測足を行9方法に関丁ゐ。
12)  咬術の背景 1)aAs/GaA4As等の半導体結晶の評価を行な
う手段の一つとして、該半導体結晶に励起用の元を照射
して、該半導体結晶から発生するフォトルミ不ツヤンス
(PL)元のスペクトルもしくa頻度f御j足して、か
かる結晶評価を行うことが行なわnている。
(3)  [米・戊術と問題点 こV)ような結晶評価等、倣9部分のPLスペクトルも
しくはPL強度倉611J足丁ゐ際、試料の所望の位1
11vc、+d くしぼった励起光音照射する方法とし
て、−りには励匹元径お工びその位dll−りら〃・し
め固足し、試料の表面庇状2i工9に所望の部分が励起
を位置にくゐ工う試料ケ桜動ざぜる方法、もしくは一旦
劫起元の照射域τ広くし、rvカメラ等で試料のPII
象をm−し、所望部6分が励起光の中心位置にく、0工
9試料もしくは励起光t−移動嘔ぜた後膣TFJJ起九
紫所望の大きさに絞り込む方法がとらnできた。
しかしながら前記41の方法でぼ、表面に顕著な形状が
ない4曾目標となめものがないために、位置決め精度を
高めることができず、又第2の方法(ゲ試料の表面形状
には関係なく応用できるが励起元来光系の元軸と励起光
の元軸がわずかでもずnていると光束?広げたV絞った
り丁ゐためにレンズめるいはミラー上動かすとそれとと
もに、試料上での励起光の中心位置がずれてしまうとい
う火照がめった。また−jt、を細く絞ると、PL、駅
では励起光の照射された部分のみが光り、非照射領域は
Iff部となって竺く見えなくなるので試料の所望(1
)4ガに正4に励起光が照射さfているかどうか〃二確
認できず、mえて測定の友びに元束會広げ友V)伏めた
りするため手数がρ噌する上、励起条件(たとえば励起
光径など)の再現性に乏しいといり入点がめった。
(4)発明の目的 本発明は、試料の倣小郡分τフォトルミネッでンス元金
用いて揃足すΦ際に、試料の所望の位置に正4に励起光
を照射することがでさるフォトルミネッセンス測定方法
を提供しよりとするものでのる。
(5)発明の構成 このため、本発明に↓れば、被測定試料に、所足の照射
面積tゼして照射さn6渠1の励起用光と、該第1の励
起用光の照射域を言〜でその周囲に照射さrtΦ第2の
励起用光とt照射して、罰記41測足試料からフォトル
ミネッセンス元ケ発生ぜし0、該フォトルミネッセンス
M:、に4いて前記第1の励廷用元?被測定試料のI’
、11足・a置に照射し、該第1の励起用光によって励
起されたフォトルミネッセンス’7t’t”撰)]定す
ることt時機と丁りフォトルミ不ツセノスイdl1足方
法が提供さnる。
以−F不呪明f実施列でもって詳細に説明すめ。
(6)発明の央雁例 図は本祐明にかかるフォトルミ不ッ七ンス、jl!j足
=AII11の構成を示す。
図に2いて、工1は内えばN(1:YAG v−グーか
らなる励起用元弾、12ぼ元ナヨッパー、13aビーム
エクスパ/ダーでめ9.14はバー7ミ□ ラー、15はレンズ、16iミラー、17はし/ズ、l
 8 H,1ツヤツタ−である。
−f′fc、  19QX−Yステージ、20idg’
1A−Yステージ19土に載tされた列えば工nP/工
nGaAsPヘテロfi1を構造を有する仕付切半導体
基板でろゐ。
また、21i巣元Ly ンX、22Dフイルター、23
ハoTIIIhミラーで=b、a、24σ列えばP−o
O−PbSビンコンからなり光検出器、25ぼモニター
用CRTである。
更に、20は分光器、27は列えばP b S光検出岳
、28はコツクイ/アンプ、29は記録針でめり0 このL′)なセ1ji=ti直を用いてのフォトルミネ
ッセンス揃足は仄の工9に行なわれっ。丁なVち、I刀
起用元源まlから照射さnたレーザー元(改長1、06
 & (#m ) )L aはチwyパー12に工って
周波数200(Hz〕の峡続元bbとさn、史にビーム
エクスパングー13.にぶり劉えは直径6(mm$)の
平何元尿Lcと孕几心。
かかる平行光束Lcの一部は、ハーフミラ−1番にて分
岐され、レンズ15によって試料2o上にb−ハて直径
5〜10(μmグ〕の太ささとなる↓う桑光される。η
島かる元L(lか7オトルミ不ツセンス玉励起用の元と
なる。
一方呵内己平行光束i、Icv浅部Lc’は、/ヤシタ
ー18が退避状態でめる時、ミラー167こて反射ざn
、レンズ1γに工って試料2o土に2いて前記王励起用
几シdの照射領域金言む直径100〜6υO〔μmダ〕
の範囲を照射し励起丁ゐ元Leとなゐ0 かかるj助匹用元Ld及びLeの照射に=っで試@20
から王したフォト少ミネッセンス元シpζ、OT@ミラ
ー23が迷逝吠、憾でめΦ時、十元し/ユ21及びフィ
ルターに2r通して光検出器24vcて慎出さrし、そ
ニター用1ji−tT25の[!li面に映し出さnめ
。この時励起用7i:bdが照射、ざnた成域のフォト
ルミネッセンス強(ぼ、励起用光Leが照1ざfた頭載
のフォトルd不ッtンス強度よりt大であり、励起用光
1a(l K、4’つく7オトルミ不ツセンス1戚は0
dT25の画面に2いて、7妨起用元LeVc基づくフ
ォトルミ不ツセ/ス1原=9を日いスポットとして砿祭
さf’Lc+。
仄いでかかるフォトルミネッセンス像を観察しながらX
−Yステージ19t−操作して、試料20の仮組り足部
分に前d己スポットを重ね甘ゎせめ。この時Iry起用
充Leに基っくフォトルミネッセンス康に工ってスポッ
トの周$(1)領域を鍜察し得るために4!l測足部号
とスポットとの位置甘くか極めて4易になきnoo 仄いで呵6ピノヤツター18i閉じて、試料20への励
起用7eLeのH@射を遮断する。
仄いで0T−ミラー23を駆動して、フォトルミ不ッt
ノス元Lpk7:−光器26へ入力し、d分元#26に
2いて波焚炬肴して7オトルミ不ツでンスのスペクトル
の測定τ行なう。
なお、以上の構成に2いて分光器に代えて、励起用光味
云用口/グバスフィルタを設け、フォトルミイッセンス
元才元検出器にて受光すnば、フォトルミネッセンス光
の強度を測定子ゐことができゐ0 筐た、前記芙#例においては、率−の光源から出た光音
ミラーで分岐じて各々の励起元巣元系に用いているが、
それぞ7”Lの勃起光果光系ごとに別々の光源を用いて
も工い。こう′rると、七nぞnの励起慢度金目田に変
兇し侍るりで、m11]足の目出度が大さくなるとこも
に、装置構戟工1./)目出度も大さくなめ。
fた、I/171起尤源としてはY −A Gレーデ−
に限っず、池の波長の異るレーザーめるいぼフラッフ−
ランプやアークラング4倉用いることかで@ゐ。
更に不祐明は、■11F/工Hi)aAsPの評1曲に
かぎらずGaAs/GaAtAsなど他の牛導不材材な
どり評1曲に5bC)用できめ。
(7)発明の動水 以上の工うに、不兇例に工n、ば、試料の倣小部分に励
起用元金照射して7オトルミ不ツセ/ス元金発王さぜΦ
吸、該励起用元と試料の破測定填Jt1.丁なわち該破
励元用元り照射唄域との征膚曾ゎぜτ極のて4易にσう
ことがでさめ。
便って、かかるフすトルミネソセ/ス用いての仰」足を
正(4に且つ極りて効率良く央癩す0ことがで@勾。
【図面の簡単な説明】
di本発明の笑肩にρ1刀よるフォトルミネッセンス測
足裟直の構成を示す元字系−亀気糸結−図でめる。 図VCaいて、1ま・・・励任用光源 Ld・・・第1の励起用元 Le  ・・第2の励起用元 Lp・・・フォトルミネッセンス光 にO・・・被測足試料

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 7A測定試料に、所足の照射面積をMして照射さ′n/
    )f!J1の励起用元と、区第1の励起用九の照射域金
    言んでヤの周囲に照射さn/:)第2の勃起用元とfp
    @射し゛C,@記被測足拭科からフォトルミネッセンス
    7tτ発王ぜしV、該フォトルミ不ツセンス元に¥いて
    前記第1の励起用光倉被測足試料のL′9T定に11に
    照射し、該第1の励起用元によって励起さt′したフォ
    トルミネッセンス元を測定子0ことτ#似とするフォト
    ルミネッセンス測定方法。
JP9389382A 1982-06-01 1982-06-01 フオトルミネツセンス測定方法 Pending JPS58210551A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9389382A JPS58210551A (ja) 1982-06-01 1982-06-01 フオトルミネツセンス測定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9389382A JPS58210551A (ja) 1982-06-01 1982-06-01 フオトルミネツセンス測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58210551A true JPS58210551A (ja) 1983-12-07

Family

ID=14095154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9389382A Pending JPS58210551A (ja) 1982-06-01 1982-06-01 フオトルミネツセンス測定方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58210551A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254149A (ja) * 1988-07-08 1990-02-23 Philips Gloeilampenfab:Nv 光ルミネセンスによる半導体試料の特性表示デバイス
JPH03115957A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Hitachi Ltd ルミネッセンス測定装置
WO1993007470A1 (en) * 1991-10-01 1993-04-15 Tadahiro Ohmi Analyzer
WO1999005511A1 (fr) * 1997-07-28 1999-02-04 Nippon Steel Corporation Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau
WO2006061359A1 (de) * 2004-12-06 2006-06-15 Leica Microsystems Cms Gmbh Verfahren zur auswahl einer wellenlänge und mikroskop

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254149A (ja) * 1988-07-08 1990-02-23 Philips Gloeilampenfab:Nv 光ルミネセンスによる半導体試料の特性表示デバイス
JPH03115957A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Hitachi Ltd ルミネッセンス測定装置
WO1993007470A1 (en) * 1991-10-01 1993-04-15 Tadahiro Ohmi Analyzer
US5578833A (en) * 1991-10-01 1996-11-26 Tadahiro Ohmi Analyzer
WO1999005511A1 (fr) * 1997-07-28 1999-02-04 Nippon Steel Corporation Procede et dispositif servant a determiner la cause d'une anomalie de surface d'un materiau
WO2006061359A1 (de) * 2004-12-06 2006-06-15 Leica Microsystems Cms Gmbh Verfahren zur auswahl einer wellenlänge und mikroskop

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7643859B2 (en) Non-invasive glucose meter
US6025917A (en) Polarization characteristic measuring method and apparatus
CN102589684A (zh) 一种红外激光测量像面对准装置
JP2002116133A (ja) 散乱式粒子径分布測定装置
CN114839145A (zh) 一种激光损伤分析测试仪器
JP2002116133A5 (ja)
JPS58210551A (ja) フオトルミネツセンス測定方法
WO2003010519A1 (fr) Dispositif de mesure d'absorption temporaire par resolution temporelle
US4178513A (en) Art object analyzer
JP2602523B2 (ja) カソードルミネッセンス測定装置
US4571077A (en) Laser-testing scatterferometer
JP2000055809A (ja) 顕微ラマン分光装置及び顕微ラマン分光測定方法
JPH10176906A (ja) 測定装置
JPH0660873B2 (ja) ルミネツセンス測定装置
TW202407325A (zh) 線上光譜檢查裝置及其方法
JP2006214900A (ja) ラマン分光装置及びラマン分光測定方法
JPH05288681A (ja) コヒ−レント反スト−クスラマン散乱分光測定装置
USH315H (en) Method of measuring optical properties of a transparency
Berger Introduction to concepts in laser technology for glucose monitoring
CN102072809A (zh) 光扩散器散射特性测量装置及其方法
JPH1047938A (ja) レーザビーム拡がり角測定装置
TWM637113U (zh) 線上光譜檢查裝置
JPH06177218A (ja) 半導体の自由担体寿命等測定装置
JPS5752807A (en) Device for measuring film thickness
JPH10311791A (ja) 原子吸光分光光度計