JPS58208684A - 放射線結像装置 - Google Patents
放射線結像装置Info
- Publication number
- JPS58208684A JPS58208684A JP9264882A JP9264882A JPS58208684A JP S58208684 A JPS58208684 A JP S58208684A JP 9264882 A JP9264882 A JP 9264882A JP 9264882 A JP9264882 A JP 9264882A JP S58208684 A JPS58208684 A JP S58208684A
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- JP
- Japan
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- energy
- signal
- memory
- energy signal
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発ＢＦＩはシンチレーションカメラ等の放射線結像
装置に関する。
装置に関する。
一般にシンチレーションカメラ等の放射線結像装置にお
いては固有のエネルギ不均一性、す々わちエネルギ信号
波高の位を依存＋！！に基づく感度不均一性が存在する
。
いては固有のエネルギ不均一性、す々わちエネルギ信号
波高の位を依存＋！！に基づく感度不均一性が存在する
。
本発明は上記のエネルギ不均一性に基づく感度不均一性
を実時間で補正する゛ことのできる放射線結像装置を提
供することを目的とする。
を実時間で補正する゛ことのできる放射線結像装置を提
供することを目的とする。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第１図において、シンチレータ］の背面にライ
トガイド２を介して多数のＰＭＴ（光電子増倍管）３が
配列されておシ、各ＰＭＴ出力はプリアンプ４を通して
位か及びエネルギ演算回路５Ｔ／ｃ導かれ、位置信号Ｘ
、Ｙ及びエネルギ信号Ｚが伸られる。この構成は通常の
シンチレーションカメラと同桓である。荀ｆｔ’Ｇ’号
Ｘ 、 Ｙ及びエネルギ信号ｚ４サンプルポ−ルド回１
４６１〜６３にそれぞれ取シ込着れて保持され、ＡＤ変
換器７１〜７３でそれぞれディジタル信号ｘａ、ｙａ及
びＺｄに変換され、これらの信号Ｘａ、Ｙｄ、ＺａＴＰ
ＨＡメモリ（ｔｆＩＬ高分析メモリ）８のアドレスを指
定する。ＰＨＡメモリ８は例・えはダイナミックＲＡＭ
−ｔ’構成され、１ピツトのデータを出力し、パルス信
号発生器１１によシ輝度信号ＵＮＢＬＡＮＫを得て前記
の位置信号Ｘ、Ｙとともに表示装置ｉ１２に入力させる
。
明する。第１図において、シンチレータ］の背面にライ
トガイド２を介して多数のＰＭＴ（光電子増倍管）３が
配列されておシ、各ＰＭＴ出力はプリアンプ４を通して
位か及びエネルギ演算回路５Ｔ／ｃ導かれ、位置信号Ｘ
、Ｙ及びエネルギ信号Ｚが伸られる。この構成は通常の
シンチレーションカメラと同桓である。荀ｆｔ’Ｇ’号
Ｘ 、 Ｙ及びエネルギ信号ｚ４サンプルポ−ルド回１
４６１〜６３にそれぞれ取シ込着れて保持され、ＡＤ変
換器７１〜７３でそれぞれディジタル信号ｘａ、ｙａ及
びＺｄに変換され、これらの信号Ｘａ、Ｙｄ、ＺａＴＰ
ＨＡメモリ（ｔｆＩＬ高分析メモリ）８のアドレスを指
定する。ＰＨＡメモリ８は例・えはダイナミックＲＡＭ
−ｔ’構成され、１ピツトのデータを出力し、パルス信
号発生器１１によシ輝度信号ＵＮＢＬＡＮＫを得て前記
の位置信号Ｘ、Ｙとともに表示装置ｉ１２に入力させる
。
第２図及び第３図にエネルギスペクトル例を示す。第２
図では光ｔビークがＭＬｌであシ、この場合にはエネル
ギウィンドの上下限が各々ＵＬ１．ＬＬＩであればよい
。第３図では第２図と放射線入射位置が異なることに起
因して光電ピークがＭｎ２へとシフトしており、この場
合、エネルギウィンドの上下限としてＵＬｌ及びＬＬＩ
を用いると感度が低下するためＵＬ２及びＬＬ２を用い
るべきである。このようにｄ量に応じて波高分析用のエ
ネルギウィンドｆ：笈えてエネルギ信号波高の位置依存
性に基づく感度イ・均一性を補正するためＰＨＡメモリ
８が用いられる。
図では光ｔビークがＭＬｌであシ、この場合にはエネル
ギウィンドの上下限が各々ＵＬ１．ＬＬＩであればよい
。第３図では第２図と放射線入射位置が異なることに起
因して光電ピークがＭｎ２へとシフトしており、この場
合、エネルギウィンドの上下限としてＵＬｌ及びＬＬＩ
を用いると感度が低下するためＵＬ２及びＬＬ２を用い
るべきである。このようにｄ量に応じて波高分析用のエ
ネルギウィンドｆ：笈えてエネルギ信号波高の位置依存
性に基づく感度イ・均一性を補正するためＰＨＡメモリ
８が用いられる。
ＰＨＡメモリ８Ｆｉ、例えば６４Ｘ６４の各画素及び５
１２ＫｅＶのエネルギを１チャネルＡＪＱ−５に６Ｖで
分けたときの１０２４チヤネル分の各波畜値に対応して
６４Ｘ６４Ｘ１０２４のアドレスを有し、各アドレスに
は１１”または１０″の内容が、波高分析条件、例えば
エネルギウィンドの中心レベル信号ＬＥＶＥＬとウィン
）″幅信号ＷＩＮＤＯＷが設定される毎に次の手続で計
警した結果として、測定前に予め書き込まれている。
１２ＫｅＶのエネルギを１チャネルＡＪＱ−５に６Ｖで
分けたときの１０２４チヤネル分の各波畜値に対応して
６４Ｘ６４Ｘ１０２４のアドレスを有し、各アドレスに
は１１”または１０″の内容が、波高分析条件、例えば
エネルギウィンドの中心レベル信号ＬＥＶＥＬとウィン
）″幅信号ＷＩＮＤＯＷが設定される毎に次の手続で計
警した結果として、測定前に予め書き込まれている。
まず、各位ｔｘ ＋ ｙにおけるエネルギ信号Ｚのピー
クシフトを予め計測し、例えばＰ−Ｒ・ＯＭで構成され
る補正メモリ１０に記憶しておく。
クシフトを予め計測し、例えばＰ−Ｒ・ＯＭで構成され
る補正メモリ１０に記憶しておく。
このピークシフトのデータをｆ（ｘ、ｙ）とする。
そして例えばマイクロコンピュータ勢で構成される計算
回路９を用いて例えば以下の計算をする。
回路９を用いて例えば以下の計算をする。
（ＭＬｘ、ｙ）＝（ＬＥＶＥＬ）Ｘ（１＋ｆ（ｘ、ｙ）
）−（１）（ＵＬｘ、ｙ）＝ （ＭＬｘ、ｙ ）Ｘ （
１＋％ Ｘ （ＷＩ ＮＤＯＷ ） ）・・・・・・・
・・ （２） （ＬＬｘ、ｙ ）＝（ＭＬｘ、ｙ ）ｘ （１−％ｘ（
ＷＩＮＤＯＷ） １−・・・・・・・・（３） ここでＭＬｚ、ｙ 、 ＵＬｘ、ｙ ＊ ＬＬｘ、ｙ
ｔ”各位置Ｘ ＋ ｙに対応するもので、例えば第２図
及び第３図に示し★ＭＬＩ 、ＵＬｌ、ＬＬｌ、Ｍｎ２
、ＵＬ２ 、ＬＬ２と同様である。この計算で各位置
ｘ＋ｙ Ｋ関してＵＬｘ、ｙ及びＬＬｘｌｙが唇られる
とＰＨＡメモリ８の位置に関するアドレスｘｄ 、ｙｄ
Ｋ関して例１えは第４図に示すようにＬＬｘ、ｙ≦Ｚ
ｄ≦ＴＪＬｚ、ｙの範囲のアドレスＺｄについては′１
”を、仙の１囲のアドレスＺｄについては１０″を書き
込む。
）−（１）（ＵＬｘ、ｙ）＝ （ＭＬｘ、ｙ ）Ｘ （
１＋％ Ｘ （ＷＩ ＮＤＯＷ ） ）・・・・・・・
・・ （２） （ＬＬｘ、ｙ ）＝（ＭＬｘ、ｙ ）ｘ （１−％ｘ（
ＷＩＮＤＯＷ） １−・・・・・・・・（３） ここでＭＬｚ、ｙ 、 ＵＬｘ、ｙ ＊ ＬＬｘ、ｙ
ｔ”各位置Ｘ ＋ ｙに対応するもので、例えば第２図
及び第３図に示し★ＭＬＩ 、ＵＬｌ、ＬＬｌ、Ｍｎ２
、ＵＬ２ 、ＬＬ２と同様である。この計算で各位置
ｘ＋ｙ Ｋ関してＵＬｘ、ｙ及びＬＬｘｌｙが唇られる
とＰＨＡメモリ８の位置に関するアドレスｘｄ 、ｙｄ
Ｋ関して例１えは第４図に示すようにＬＬｘ、ｙ≦Ｚ
ｄ≦ＴＪＬｚ、ｙの範囲のアドレスＺｄについては′１
”を、仙の１囲のアドレスＺｄについては１０″を書き
込む。
この”０″、“１″の１ビ°ツトデータは波高分析結果
を表わし、”１″はその位ｔｘ、ｙにおいて得られたエ
ネルギ信号の波高飴かその位置に関して定めらねたエネ
ルギウィンド内であることを示し、“θ″は前言ｅエネ
ルギウィンド外であることを示す。なお第４図は各位置
！、７に関してエネルギウィンドゞが１組の列であるか
、多重スペクトルの場合も各位９ｘ、ｙＫｒ４に＋して
エネルギウィンドを複数持つことができるため従来のよ
うに波高分析器を？！Ｊ数用童する必要はない。
を表わし、”１″はその位ｔｘ、ｙにおいて得られたエ
ネルギ信号の波高飴かその位置に関して定めらねたエネ
ルギウィンド内であることを示し、“θ″は前言ｅエネ
ルギウィンド外であることを示す。なお第４図は各位置
！、７に関してエネルギウィンドゞが１組の列であるか
、多重スペクトルの場合も各位９ｘ、ｙＫｒ４に＋して
エネルギウィンドを複数持つことができるため従来のよ
うに波高分析器を？！Ｊ数用童する必要はない。
各憂象曹に位置信号Ｘ、Ｙ及びエネルギ信号Ｚが得られ
てこれらのディジタル信号Ｘｄ、Ｙｄ。
てこれらのディジタル信号Ｘｄ、Ｙｄ。
Ｚｄかそれぞれアドレス情報としてＰＨＡメモリ８にＪ
５えられ、これらによシアドレスが指定宮れるとそのア
ト°レスに蓄えられている＠１″まｆｃｔ；を頴″が計
み出される。勺”が計み出されたときにはエネルギウィ
ンド内であるからパルス信号発生器１１から鋒度信号Ｕ
ＮＢＬＡＮＫが発生する。こうして各◆象毎にエネルギ
信号波高の位置依存性に基づくｇ度不均−性を実時間で
補正することができる。なお、第１図では説明をａｍに
するため省略したか、各回路にｔｉｔ適邑なタイミング
信号か寿見られているものとする。
５えられ、これらによシアドレスが指定宮れるとそのア
ト°レスに蓄えられている＠１″まｆｃｔ；を頴″が計
み出される。勺”が計み出されたときにはエネルギウィ
ンド内であるからパルス信号発生器１１から鋒度信号Ｕ
ＮＢＬＡＮＫが発生する。こうして各◆象毎にエネルギ
信号波高の位置依存性に基づくｇ度不均−性を実時間で
補正することができる。なお、第１図では説明をａｍに
するため省略したか、各回路にｔｉｔ適邑なタイミング
信号か寿見られているものとする。
上記の式（１）はエネルギ信号波高の位置依存性か測用
核種のエネルギに依存しないと教示した場合の式であり
、この近似による娯差灯通常の光学系では無視できる。
核種のエネルギに依存しないと教示した場合の式であり
、この近似による娯差灯通常の光学系では無視できる。
しかしこのエネルギ依存性を無祁できない場合も補正浄
を加えることによシ容易に対厄できる。すなわち上記式
（１）のｆ（ｘ、ｙ）はある基準エネルギ（例えばｓ９
ｍ ’ｒｃの１４０ＫｅＶとする）に関して測定するこ
とにより予めをることかできる。この基準エネルギに対
応するエネルギウィンドの中心レイル信号ヲＬＢＶＥＬ
Ｏとすると、他のエネルギのＭＬ Ｘ＋３’は（ＭＬｘ
、ｙ）＝（ＬＥＶＥＬ）−ｘ（１＋ｇ（ＬＥＶＥＬ−Ｌ
ＥＶＢＬＯ） ｘ ｆ （ｘ、ｙ） ）の式で方えるこ
とかできる。ここでｇ （ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ）
Ｈ（ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ）（Ｄ［９で、例えば ｇ（ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ） ＝ １ ＋ ｋ （
ＬＥＶＥＬ −ＬＥＶＢＬＯ） ｋ：定数 の火勢で近似できる。
を加えることによシ容易に対厄できる。すなわち上記式
（１）のｆ（ｘ、ｙ）はある基準エネルギ（例えばｓ９
ｍ ’ｒｃの１４０ＫｅＶとする）に関して測定するこ
とにより予めをることかできる。この基準エネルギに対
応するエネルギウィンドの中心レイル信号ヲＬＢＶＥＬ
Ｏとすると、他のエネルギのＭＬ Ｘ＋３’は（ＭＬｘ
、ｙ）＝（ＬＥＶＥＬ）−ｘ（１＋ｇ（ＬＥＶＥＬ−Ｌ
ＥＶＢＬＯ） ｘ ｆ （ｘ、ｙ） ）の式で方えるこ
とかできる。ここでｇ （ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ）
Ｈ（ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ）（Ｄ［９で、例えば ｇ（ＬＥＶＥＬ−ＬＥＶＥＬＯ） ＝ １ ＋ ｋ （
ＬＥＶＥＬ −ＬＥＶＢＬＯ） ｋ：定数 の火勢で近似できる。
ところで一般にシンチレーションカメラではエネルギ信
号波高の位置依存性はＰＭＴ配列に者づ〈空間周波数を
主成分とし、同じ光ｔビークのシフトを示す位置か繰り
返して現れる。そこで第２の実ｍ ｆ！＋では同じピー
クシフトを示す各位置に関してＰＨＡメモリのアドレス
を共通化し、ＰＨＡメモリ容量の済少及びアドレスの簡
皐化、ＰＨＡメモリ省込計算時間の短縮等を図るように
している。
号波高の位置依存性はＰＭＴ配列に者づ〈空間周波数を
主成分とし、同じ光ｔビークのシフトを示す位置か繰り
返して現れる。そこで第２の実ｍ ｆ！＋では同じピー
クシフトを示す各位置に関してＰＨＡメモリのアドレス
を共通化し、ＰＨＡメモリ容量の済少及びアドレスの簡
皐化、ＰＨＡメモリ省込計算時間の短縮等を図るように
している。
この第２の実施例について第５図及び第６図を参照しな
がら説明する。ＡＤ変換器７１〜７３まで及びＰＨＡメ
モリ１０８から読み出したデータをパルス信号発生器１
１に送った以降の構成は第１図と同様である。ＡＤ変換
器７１．７２からのディジタル信号Ｘｄ、Ｙｄによシア
ドレスデータメモリ１０７のアドレスを指定し、得らア
ドレスを指定する。この実施例では同じピークシフトを
示す多数の位置を供通にくくって１つの位置ａで代表さ
せるようにしておシ、アドレスデータメモリ１０７はこ
の各位置ｘ、ｙのアドレスＸｄ、Ｙｄを代表位置ａのア
ドレスＡｄに変換するものである。ＰＨＡメモリ１０８
は第６図に示すように位ｆｔ ｘ−＊ ｙの代りに代表
位置ａに関するアドレス信号毎に１” 、１０”のデー
タが省き必着れている。この誉き込みは計算回路】０９
と補正メモリ１１０により行なわれるが、第１の実施例
の位置ｘ ＋ ｙを代表位置ａに変換し７ビークシフト
データｆ（ｘ、ｙ）をｆ（ａ）に量き拌メるだけか異な
り、計算過程醇は上記第１の実施例と同様である。
がら説明する。ＡＤ変換器７１〜７３まで及びＰＨＡメ
モリ１０８から読み出したデータをパルス信号発生器１
１に送った以降の構成は第１図と同様である。ＡＤ変換
器７１．７２からのディジタル信号Ｘｄ、Ｙｄによシア
ドレスデータメモリ１０７のアドレスを指定し、得らア
ドレスを指定する。この実施例では同じピークシフトを
示す多数の位置を供通にくくって１つの位置ａで代表さ
せるようにしておシ、アドレスデータメモリ１０７はこ
の各位置ｘ、ｙのアドレスＸｄ、Ｙｄを代表位置ａのア
ドレスＡｄに変換するものである。ＰＨＡメモリ１０８
は第６図に示すように位ｆｔ ｘ−＊ ｙの代りに代表
位置ａに関するアドレス信号毎に１” 、１０”のデー
タが省き必着れている。この誉き込みは計算回路】０９
と補正メモリ１１０により行なわれるが、第１の実施例
の位置ｘ ＋ ｙを代表位置ａに変換し７ビークシフト
データｆ（ｘ、ｙ）をｆ（ａ）に量き拌メるだけか異な
り、計算過程醇は上記第１の実施例と同様である。
なお、上記第１．第２の実施例１において波高分析８度
またはエネルギ不均一性補正精度をＰＨＡメモリの容量
を増すことなしに向上させるため、エネルギ信号Ｚをア
ナログ的にまたはディジタル的にｆｔ−算・乗算処理し
たのちにＰＨＡメモリのアドレス信号Ｚｄとして用いる
ようにしてもよい。またＰＨＡメモリをη数のブロック
に分割し、それぞれのブロック毎にエネルギウィンドを
設定して、輝度信号ＵＮＢＬＡＮＫを発生させるデータ
がどのブロックから出力されたかを判別することによシ
多核９１ｆｆｌ＋定が可能となる。このＰＨＡメモリを
複数のプロ、りに分割する代りにＰＨＡメモリのデータ
の深さを２ビット以上にすることにより、例えば”０１
” 。
またはエネルギ不均一性補正精度をＰＨＡメモリの容量
を増すことなしに向上させるため、エネルギ信号Ｚをア
ナログ的にまたはディジタル的にｆｔ−算・乗算処理し
たのちにＰＨＡメモリのアドレス信号Ｚｄとして用いる
ようにしてもよい。またＰＨＡメモリをη数のブロック
に分割し、それぞれのブロック毎にエネルギウィンドを
設定して、輝度信号ＵＮＢＬＡＮＫを発生させるデータ
がどのブロックから出力されたかを判別することによシ
多核９１ｆｆｌ＋定が可能となる。このＰＨＡメモリを
複数のプロ、りに分割する代りにＰＨＡメモリのデータ
の深さを２ビット以上にすることにより、例えば”０１
” 。
”１０” 、１１”がそれぞれ第１．第２．第３のエネ
ルギウィンド内であることを示し、”ｏｏ”がこれらの
範囲外であることを示すようにする等して多重スペクト
ルまたは多核種測定を行々うことも可能である。
ルギウィンド内であることを示し、”ｏｏ”がこれらの
範囲外であることを示すようにする等して多重スペクト
ルまたは多核種測定を行々うことも可能である。
以上、実施例について説明したように、本発明によれば
、エネルギ不均一性に基づ＜ｓ度不均−性を改善するこ
とができる。そして波高分析結果のデータを位置及びエ
ネルギ信号で指定されるアドレス毎にメモリに記憶させ
る集成をとっているため、本質的にマルチチャネルアナ
ライザの構成をとっていると見ることができ、エネルギ
ウィンドの設定条件の自由度が太きい。
、エネルギ不均一性に基づ＜ｓ度不均−性を改善するこ
とができる。そして波高分析結果のデータを位置及びエ
ネルギ信号で指定されるアドレス毎にメモリに記憶させ
る集成をとっているため、本質的にマルチチャネルアナ
ライザの構成をとっていると見ることができ、エネルギ
ウィンドの設定条件の自由度が太きい。
第１図は本発明の第１の実施例１のブロック図、第２図
及び第３図はエネルギスペクトルのグラフ、第４図はＰ
ＨＡメモリ８の内容を示す図１、第５図は第２の夾九例
１の景部を示すブロック図、第６図にＰＨＡメモリ１０
８の内容を示す図である。 １・・・シンチレータ ２・・・ライトガイド３・−
・ＰＭＴ ４・・・プリアンプ５・・・位置
及びエネルギ演シ回路 ６１〜６３・・・サンプルホールド回路７１〜７３・・
・ＡＤ変換器 ８，１０８・・・ＰＨＡメモリ９．１０
９・・・計算回路 １０ 、１１０・・・補正メモリ
１】・・・パルス信号発生器 １２・・・表示装置１０
７・−・アドレスデータメモリ 出願人 株式会社 島津製作所 菩θ目 アＹし入Ｚｄ
及び第３図はエネルギスペクトルのグラフ、第４図はＰ
ＨＡメモリ８の内容を示す図１、第５図は第２の夾九例
１の景部を示すブロック図、第６図にＰＨＡメモリ１０
８の内容を示す図である。 １・・・シンチレータ ２・・・ライトガイド３・−
・ＰＭＴ ４・・・プリアンプ５・・・位置
及びエネルギ演シ回路 ６１〜６３・・・サンプルホールド回路７１〜７３・・
・ＡＤ変換器 ８，１０８・・・ＰＨＡメモリ９．１０
９・・・計算回路 １０ 、１１０・・・補正メモリ
１】・・・パルス信号発生器 １２・・・表示装置１０
７・−・アドレスデータメモリ 出願人 株式会社 島津製作所 菩θ目 アＹし入Ｚｄ
Claims (1)
- （１１放射線入を、の各事象毎に位置信号とエネルギ信
号とを得る手段と、前記エネルギ信号の波高が所定のエ
ネルギウィンド内にあるか否かを判別するエネルギ信号
波高の分析手段とを有する放射縁結＆装置において、予
め測定されたエネルギ信号波高の位置依存性に基づき各
位置におけるエネルギ信号の各波高他についてそれが前
記ウィンドレベル内であるか否かの分析結果を位置信号
及びエネルギ信号で指定される各アドレスに記憶してい
る波高分析メモリによル前記分析手段を構成し、各事象
毎に弗られる位置信号及びエネルギ信号によｐ前記波高
分析メモリのアドレスを指定して該アドレスに記憶され
ている分析結果を読み出すことによりエネルギ信号波高
の位１依存性に基づく感度不均一性を実時間で補正する
ことを特徴とする放射線結像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264882A JPS58208684A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 放射線結像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264882A JPS58208684A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 放射線結像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208684A true JPS58208684A (ja) | 1983-12-05 |
| JPH052956B2 JPH052956B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=14060270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9264882A Granted JPS58208684A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 放射線結像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58208684A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627675A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Shimadzu Corp | Scintillation camera |
| JPS5686377A (en) * | 1979-11-20 | 1981-07-14 | Siemens Ag | Method and device for correcting scintillation camera |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9264882A patent/JPS58208684A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627675A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Shimadzu Corp | Scintillation camera |
| JPS5686377A (en) * | 1979-11-20 | 1981-07-14 | Siemens Ag | Method and device for correcting scintillation camera |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052956B2 (ja) | 1993-01-13 |
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