JPS58205541A - 蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蒸着装置に関するものである。

近年、アモルファスシリコン（以１、ａ−８ｌト称する
。）は太陽電池や電子写真感光体等の構成材料として非
常に有用視、ｌｔできている。まｌ（、ａ−８ｉ中に水
素原子を導入してそのダングリングボンドを埋めること
により−（、暗抵抗及び光導電性を向卜させた水素含廟
ａ−８ｉ（以下、ａ−８ｉ：Ｈと称−ｒる。）が知ら７
’ｌ　−Ｃいる。

このようなａ−８ｉ：Ｈｒ、１これ１で、次の［＞’Ｊ
　〜［３）の蒸虐法で基板トに堆ヰ＾さ、σ−Ｃいる。

ＬＩＪＲｆイオンノド−ティング法 （２）　Ｌ）Ｃイオノプレー７−インク広開　イオン化
又はｔ凸性化水素導入法（例えば特開昭５６−７８４１
３号） （ａ）水素放電管ケ使用 （１１＞ｌ）Ｃイオ−・鍵を１史ＩＩＩ（ｃ）Ｒｆイオ
ノ銃を使用　′ こｉｔら（１’）　〔ｌ〕〜ＯＪ　ＩＬ二塙（蒸ｉ１ｉ
　装置ｔ　Ｉｔ　イー４’　ｔＬ　（＋、蒸着槽又は真
空槽（ペルジャー）内で活性又はイオン化水素の存在下
Ｖ（シリ−１）を加熱蒸発させるようにしているが、次
の如き考え方を基本としている。即ち、活性化又はイオ
ン化した水素をペルジャー内に導入していること、或い
は水素と／リコン蒸気との少なくとも一方はＲｆ電場又
はＤＣ電場によって放電せしめて活性化していることで
ある。

しかしながら、本発明者が検討を加えたところ、上記の
蒸着装置はいずれも問題点があり、改善すべき欠点を有
していることが分った。まず、上記〔０の装置において
は、実質的にペルジャー内の全域でグロー放電が生ぜし
められるために、既に不純物ガス（例えばＰＨａ）から
単離してペルジャー内面等に付着している元素（例えば
Ｐ）がグロー放電時に再蒸発し、基板上に堆積するａ−
８ｉ：）ｌ中に混入して膜汚染の原因となってしまう。

上記■の装置では、／リコン蒸発源上でシリコン蒸気に
対してｗ１１極から熱電子を放出せしめてシリコンをイ
オン化するが、電子吸引用の対向電極との間でアーク放
電が生じ易く、放電が不安定となると共に、放電時に上
記したと同様に不純物による膜汚染が生じてしまう。ま
た、上記（２）の装置にょれば、放電管内で生デしめた
水素イオンを基板の方向へ向けて放射１７でおり、ａ　
−Ｓｉ膜中に水素原子を多ｔＶこ導入することｒ［でき
るが、その導入被は基板面上でばらつき、例えば基板中
央部では水素イオン分布量が多く、周辺部では少ないと
いう不均一性の問題が生じる。この問題を解消するため
に、ペルジャー内に供給された水素イオンを電場による
偏向手段で振らせ、基板面上を一様に走査することが考
えられるが、水素イオンをそのように振らせることはあ
まり容易で鉱なく、しかも高電圧を要することからアー
ク放電が生じ易い。

本発明者は、上記シ１．た状況を考慮して種々検討を加
えた結果、上記の水素イオン等の修飾ガス成分を均一に
蒸着膜中に導べし、かつこの導入を安定にして容易に行
なλ、膜汚染も軽減させ得る蒸着装置を見出し、本発明
に到達したものである。

即ち、本発明による蒸着装置は、シリコン等の蒸着物質
を収容する蒸発源と、この蒸発源に対向【７た被蒸着基
体とが蒸着槽内に配さ扛、この蒸着槽に設けられた修飾
ガス導入［］から前記蒸着槽内ｔ（供給された水素等の
修飾ガスの存在トで、前記蒸発源を加熱して前記蒸着物
′誓を１１１記基体上に蒸着−［る装置であ−）て、前
記基体に向けて電子線ケ発引して前記基体近傍の修飾ガ
スを７古性化又はイオン化するための電子線供給装置が
前記蒸着槽に配役さｎていることを特徴とするものであ
る。

従、って、本発明の装置によれは、水素等の修飾ガスは
そのま１（即ち活性化又はイオン化することなく）蒸着
槽内へ広範囲に供給し、これを基体ノＪ向−＼発射さｎ
る電子線により基体近傍で効果的に活性化又はイオン化
し、蒸着膜中に均一に導入ｆにとができろ。つまり、基
体近傍にて修飾ガスを均一に分布させ、これな偏同谷易
な電子線りこより励起させて蒸虐膜中にガス成分を一様
にドー　　　　ゾできる。また、その励起が栖体近傍で
生じろことから、修飾σスの励起寿命がたとえ短かくて
も活性化又はイオン化修飾ガスを効率良く基体に到達さ
せ、かつ既述した全域放電等に比べ蒸着膜の汚染を大幅
に減少させることができる。更に、修飾ガスはその′１
ま蒸着槽内に供給できるので、その活性化又ＱＬイオノ
化のための放電管を使用することを要しないから、放電
管使用時に生じるスパッタ（例えば放電電極材料の放出
）を防止でき、かつ広範囲のガスを供給してもその分解
による放！骨の汚染や損傷（例えばフッ素等の−・ロゲ
ンガスの分解による汚染、損傷）を阻止できることにな
る。

こうした顕著な作用効果な奏する上で、本発明による装
置においては、桔体に負電圧（特に−１０ＫＶ以内の直
流電圧）を印ノ１１１１　、、基体近傍で生じミに入 るイオ／を基体側へ吸引（ることが←−≠テナ効率を良
くする点で埴生しい。′１ｋ、基体方向へ発射する電子
線は、蒸着槽の内部又は外部に配されたＷｔ惨等の熱電
子発生器から生Ｃしめるのがよく、或いは場合によって
は同様の位置に配されたガス放を管から選択的に放出さ
せてもよい。更に、電子線供給装置から放射される電子
線を加速−（４）ための加速装置や、基体り向へ指向さ
せるための磁場偏向装置又は電場偏向装置を設けるのが
望゛埜しい。また、基体面に対［７一様に電子線を照射
するには、基体方間への電子線の進行経路を変化（又は
振動）させて基体面を均一に走査するための磁場偏向装
置又はｔ場偏向装置を設けるのがよい１゜ 以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に説明す
る。

第１図は、本実施例による真空蒸着装置の構成を概略的
に示すものである。

この装置は、被蒸着基板１と例えばシリコ／蒸発源２な
収容した真空槽（即ちペルジャー）３を具備している。

基板１はヒーター４で３５０〜４５０”ＣＩｔ＜−加熱
される一方、直流電源５によりθ〜−１゜ＫＶの負の直
流バイアス電圧が印加される。図中、６は水素等の修飾
ガスを導入するための導入管、７Ｆｉ蒸発源２を加熱す
る電子ビーム加熱装置（電子ビームの経路は破線で示１
、た。）、８は排気管であ−って真空ポンプ（図示せず
）に接続されている。そして注目すべきことは、基板１
の方向へ電子線９を発射する熱電子発生器１０　（例え
ばＷノイラメント電極１３を有するもの）がペルジャー
３内に配されていることである１、 この装置を用いることｅ（よ）て、例えば１０−”’ｒ
ｏｒｒオーダーのに空丁で蒸発源２から蒸発されたシリ
コン１１を基板ＩＦにａ−８ｉとＥ７て堆積させると同
時に、熱電子発生器１０から例えば５００ｅＶのエネル
ギーで放射される熱電子９をペルジャー３内に一様に導
入された修飾ガスに対し〜基板ｌ近傍で作用させる１、
この結果、生成（また活性化又Ｃよイオン化ガス（例え
ば水素イオン）が買電イＨ”１の基板１Ｆに吸引されて
堆積する例オばａ−８ｉ膜中−１効率良く導入され、既
１１＼【だタンクリングボンドが埋められたａ−８ｉ：
Ｈ等の、蒸着膜る・得ることができる。このように１．
−（得られた例えば水素含有ａ　−Ｓ　ｉは、暗抵抗及
び光感度ともに充分なものとなり、膜質が均一でばらつ
きの少ないものとな−）ている。

第２図には、基板１近傍で修飾ガスと［７ての水素ガス
１２が熱電子９によってイオン化（又は活性化）される
状況が１９理的に示されている。即ち、ｔ７ｉ己の熱電
子発生器１０からの熱電子９が水素分子１２に衝突し、
そのエネルギーで水素分子を水素イオン１２′とｊ−て
解離（イオン化）せしめ、生じた水素イオン１２′が負
電位の基板１側へ吸引されて、同時に基板１上に堆積す
るａ−８ｔ膜中へ効率良く混入される。一方、水素分子
に衝突しない熱電子９（及び衝突後の電子９′）は、基
板ｌの電位を適切に設定することによって図示した如く
反発されるから、ａ　−Ｓｉ膜中に入射することはない
。従って、基板１上に堆積するａ−８ｉ：Ｈ膜は電子の
衝突による照射夕“メージを受けることをゴなく、膜質
を良好にすることができる。

熱電子発生器１０け実際には、第３図に例示１〜た如く
に構成するのが望ましい。即ち、Ｗフィラメント１３に
は交流電圧１４（又は直流電圧でもよい）が印加され、
例えば５００ｅＶのエネルギ〜の熱電子９が発生せしめ
られると同時に、一方の端子側に直流の可変電源１５を
介して接続された例えばリング状の加速電極１６がＷフ
ィラメント１３上に配される。この加速電極１６は正電
位が与えられている次めに、フィラメント１３からの熱
電子９を引寄せて充分な速度に加速する。史に、この加
速された電子＆ｒＪ例えば電嚇による偏向装置１７で前
後左右（Ｘ及びＹ方向）へ振動させらｊ、その進行経路
が基板１０面に対［７て−・様となるよう（・（二変化
せ［７められるのが望ま１．い。これによ−〕て、電子
線９を基板面に対して均一に走査（、基板面近傍におい
て修飾ガスを場所的にみてより一様に活性化又はイオン
化できるので、得られたａ−８ｉ：Ｈ膜中での水素原子
等の分布が均一どなり、膜特性が非常に向りする。なお
、偏向装置１７はＸ方向及びＹＪｊ向に夫々配置さ）１
．た各　削の偏向を極１８ａ、１８ｂ及び１９ａ％１９
ｂの組からな）ており、各一対の電極間には所定の交流
電源（図７ドせず）が接続され、交流電圧の印加によっ
て′電子線９を所定方向−・振らせるように構成さｔｌ
でいる、この場合、電子線９ｔま軽い粒子からな・τい
るので容易に偏向させることができる。これにル（７、
既述した如く水素イオンを偏向さする場合には大きな電
圧を必安ど１、アーク放電が生にる／（めに・、実用的
にみてあまりよくない。

第３図に示した熱電子発生器１０は、ポイント型と称妊
れるタイプのものであるか、これ以外に第４図に示１−
線型、第５図に示−１面型の電子線発生器を用いること
ができる。第４図の例では、Ｗフィラメント１３を第３
図のものよシ長くすることによって、その長さ方向に沿
って電子線９が放射され、これが更に加速電極１６のス
リット２０を通して一定幅の線状平行ビームに絞られる
１、この場合には、ス’）ｙト２Ｄ通過彼の線状平行ビ
ーム９は第３図のＸ方向か或いはＹ方向において基板面
に線状に発射されるように操作できるから、偏向電極の
うち１８ａ及び１８ｂ１又は１９ａ及び１９ｂを省略し
ても基板面に対し電子流を一様に走査することが可能と
なる。また、基板１としそ第１図〜第３図の平板状のも
のを用いる代りに、回転ドラム状又は移動フィルム状の
ものを用いれば、そのドラノ・又ｔまフィルムの幅方向
に上記の線状平行ビームを定位置で発射して、ドラム周
面全体に均一に水素原子等を蒸着膜に導入することがで
きる。第５図の熱電子発生器１０は多数本のＷフィラメ
ント１３を平行に配列し、この配列面積分に対応−「る
面積で加速電極１６を通して基板に対し電子線を発射で
きる。もので弗る。加速電極１６は図示したもの以外に
も、格子状、メツシュ状等種々のものであってよい。従
ってこの場合には、平板状の基板であってもその全面積
に亘って′電子線を発射可能であり、上記した如き偏向
装置は不要となる。第５図のフィラメント１３はスパイ
ラル状に巻き、第５図と同様の固型にすることができる
。、塘た、第５図に一点鎖線で示す外形のＷ板１３を熱
電子発生用の面ヒーターとして用いてもよい。

上記に説明したように、本実施例による蒸着装置は、偏
向を容易かつ安定に行なわせ得る電子線を修飾ガスの一
様な供給下で基板上に発射するように構成されているの
で、水素イオン等を効率良く均一に蒸着膜中に導入でき
、また基板以外の部分では電子線発射の影響がないため
に付着不純物の再蒸発等による膜汚染を大幅に減少させ
ることができる。１ 特に、ペルジャー内のガス圧、電子線の加速電圧等を調
整することによって、基板近傍に修飾ガスのイオンを充
分に生成させることができ、励起＃砧の短かい水素を効
率良く蒸着膜に混入する上で極めて有利である。また、
既述した如き放電管を用いていないので、イオン密度と
電流密度の高い放電部分を設けなくてよく、スパッタリ
ング等による装置の汚染も皆無となる。これに関連して
、修飾ガスの放電による分解で装置が汚染することもな
いので、修飾ガスを広範囲のものから選択でき、適用範
囲を拡大できる６ 本実施例で供給可能な修飾ガスとしては、水素の他、或
いは水素と併用して、酸素、窒素、フッ素等のハロゲン
、アンモニア、モノシラ／、ホスフィノ、ジボラン、ア
ル・／／、メタン等の炭化水素、フレオン等の如く種々
のものが使用できる。。

また、蒸着膜はａ−８ｉ：Ｈの他、ａ　−Ｇｅ　：　Ｈ
ｌａ−８ｉＧａ　：　Ｈ−１ａ−８ｉＣ：　Ｈ，ａ−８
ｉＧｅＣ：　Ｈ。

ａ−Ｂｔ　：　Ｆ、　ａ−８ｉＱｅ　：　Ｆ、　ＩＬ−
ｓｉｃ　：　Ｆ、　　ａ＝ＳｉＧｅＣ：　Ｆ、　５ｉａ
Ｎ４、ＳｉＯ２，５ｎｕ２、Ｉｎ２ｏ３、ＭｇＦ％Ａｔ
２０３等からなるものを堆積させてよく、このためには
相当−［る蒸発源及び修飾ガスを選択すればよい。

本発明者の検＃ｔ　Ｋよ７１ば、本実施例の装置を用い
て得られた蒸着膜、例えばａ−８ｉ：Ｈ膜につ（・で、
その光学特性は基板電圧との関係で第６図に示す傾向を
示すことが分った。これによれば、基板電トドを負に大
きくしてゆくに従って−ＩＫＶ伺近からΔδが低下して
光導電性（光感度）が悪くなるが、それより更に負電圧
を大きくすれば光導電性が向上している１、これは、基
板電圧が負であれば電子流を反発して蒸着膜への電子の
衝突を防げる′電圧範囲←特に−ＩＫＶ付近、−４ＫＶ
以ト：）か存在するが、−２〜−４ＫＶでは電子流によ
り生じた水素イＡノが基板方向へ加速さ７′１−１未だ
イオン化していない水素分子に衝突し７てそのイオン化
と同時に二次電子を牛１７’　Ｌめ、この二次電子がａ
−８ｉ：Ｈ膜中に流入し、膜特性（光導電性）が劣化す
るものと推察される。第７図は、第６図の傾向を基板に
流れ込む電子流（電流ｌｉｔ＞とじて測定した結果を示
すが、第６図とほぼ対応し、た結果とな−っていること
が分る。

第６図及び第７図の結果から、基板へ電子流が流れ込ま
ない適切な条件（特に基板電圧）下で操作゛すれば、良
質の蒸着膜が得られることが理解されよう。なお、基板
電圧は一般に負に大きくすると結果は良好となるが、−
１０ＫＶを越えるとアーク放電が生じ易くなるので、基
板電圧を一１０ＫＶ以内に抑えるのが望ましい。

なお、第８図に示すように、基板１の蒸発源側に絶縁層
器を予め形成し、この−トに上記蒸着装置でａ−８ｉ：
Ｈ膜冴を堆積させる場合がある。例えば、基板１として
ガラス基板２１トにゲート電極２２を形成したものを用
い、この上にゲート酸化膜としての５ｉ０２膜ｎ１及び
両側にソース及びドレイン領域を有しかつゲート電極１
上をチャネル部とするａ　−Ｓ　ｉ半導体層２４を積層
せしめ、ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　　Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆ
ｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ　）を作成することがあ
る。この場合、ａ−８ｉ　：　Ｈｆ［２４の堆積時に絶
縁層器が存在するために水素イオンによる電荷が蓄積（
チャージアラ１目７、これによ、って面内放電が発生【
７でａ−”Ｓｉ：■１膜２４が破壊さ〕することがある
。ところが、本実施例ｔ（よれば、適当−の電子が基板
に到達できるように基板電圧を適当な負電圧に設定する
ことによって、基板上の水素イオンを到達した電子で適
当讐中和することができる。このために、基板上ではチ
ャージアップを抑制し、面内放電を効果的に防止するこ
とができる。なお、第８図に示した如き構造は、絶縁層
２３を７０ノヤング層とする電子写真用の感光体として
も適用可能である。

Ｍ９図は、熱電子発生装置１０のフィラメント１３を蒸
発源２から遮蔽する遮蔽板部を設け、更に放射された熱
電子９をマグネット％及び交流駆動コイル３４＋Ｊきマ
グネット２７等によって基板方向へ磁気的に偏向若しく
は指向せしめ、さらに走査機能を付与した例を示してい
る。

これによｔ’ｌば、遮蔽板６によ・）て、蒸着時に蒸発
源２からの例えばシリコン蒸気が例えば夕／ゲステンフ
ィラメント１３Ｆに伺着するのを防止できる。これに反
し、遮蔽板ゐがない場合にはシリコンｆｌがフィラメン
ト１３上に付着してタンクスケン／リーリイドを形成し
、これが再蒸発して夕／グステ／が基板方向へ飛翔し、
蒸着膜中に混入してその膜實を劣化させる原因となる。

第１０図及び第１１図は別の実施例による蒸着装置を示
すものである。

この列では、上記した熱電子発生器１０のツイツタ・・
ト（ヒーター）部分１３をペルジャー３外に配置し、基
板１方向に低びる誘導管側によって電子線９を基板面に
発射するように構成している。この熱電子発生器１０は
、ガラス壁側で囲まれた電子線発生室３０内にフィラメ
ン１−１３を配し、このフィツメントを直流電源３１で
加熱（２ている。そして、誘導管２８はペルジャー壁を
貫通して延び、ペルジャー外面近傍の内周面には直流可
変電源３２に接続された加速電極３３が設けられている
。

従って、この電子線発生器１０のフィラメント１３がペ
ルジャー３内から隔離された状態になっているから、蒸
発源からの蒸気が付着して上述した如き汚染を効果的に
なくすことができる。

なお、上記した熱電子発生器１０に代えて、第１０図に
一点鎖線で示す如く直流又れ交流式の放電管４０をペル
ジャー３外に設け、この放電管４０で生じた電子を導入
管３４から基板１の方向に向けて供給しても、本発明に
よる目的は基本的には達成できる。こうした放電管とし
て、図示は省略したが、人目側の負電位の筒状電極と出
１１側の正電位の筒状電極との間を水冷パイプで結合し
て供給ガスを放電せしめ、生じた電子を出［Ｊ側から導
入管３４を経てペルジャー３内へ導入できるように構成
【７たものを用いてよい。

この蒸着装置においては、放電管４０をペルジャー３外
に配しているので、ペルジャー３内に配する場合に比べ
て、汚染が非常に少々＜なり、操作時のペルジャー内の
熱やガスで放電管の電極や構成材料が損傷を受けること
がない。従って、放電管の材質の選択の自由度が大きく
なり、またその構築や配置も任意に行なうことができる
。また、放電管内の冷却用水冷パイプ（図ボせず）の構
造も設計し易く、その冷却効率も良好となると共に、放
電管自体の交換作業もペルジャー外で容易に行なえる。

但、電子線を送り込むという点では、放電管ケベルジャ
ー内に設けてよいことは勿論である。

以下に説明した実施例は本発明の技術的思想に基いて種
々変形が可能である。

例えば、熱電子発生器に用いる電極（ヒーター）はタン
グステン以外にもランタンポライド等を用いることもで
きるし、その配置も様々であってよ（・。また、上述し
た偏向装置は電場によるもの又は磁場によるもののいず
れでもよく、或いは両者を併用したものであってもよい
。基板に印加する負電圧は種々選択でき、またそＯｔ圧
も時間的に呵責してよい。蒸発源の加熱は電子ビーム方
式でなくても、抵抗加熱方式でもよい。なお、本発明は
一ヒ述した水素イオンの混入に限らず、上述した各種の
修飾ガスの使用によって蒸着膜中へ不純物を混入したり
、或いは各種の蒸着膜を形成する場合にも同様に適用で
きることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を河くすｉ、のであ）で、第１図
は真空蒸丸・装置道の概略断面図、第２図は基板近８１
での修飾ガスの活性化又はｆオン化の状況を示す概略ト
１、 第３図は熱電子発生器、その加速電極及び偏向装置を概
略的に７Ｊ＜す斜視図、 第４図は別の熱電子発生器及びその加速電極を概略的に
示す斜視図、 ・窮５図は更に別の熱電ｆ−発生器を概略的に汀くず斜
視図、 第６図は越惚軍圧による蒸着膜の光市気特ヂ１．の変化
ケ示すグラフ、 ・Ａ各７図Ｑま基板箱ＦＦ−，に１［る流れ込み電子流
の変化を示すグラフ、 第８図は蒸着によ）′Ｃ得られる素子の装部拡大断面図
、 ＠９図は別の実施例による熱電子発生装置及びその偏向
装置の配置状態を概略的に示す断面図、第１０図は更に
別の実施例に、よる真空蒸着製蓋の概略断面図、 第１１図は第１０図における熱＊、子発生器の拡大断面
図 である。 なお、図面に示されている符号において、ｌ・・・・・
・・・・・・・被蒸着基板２・・・・・・・・・・・・
蒸発源 ５・・・・・・・・・・・・直流電源 ６・・・・・・・・・−・・修飾ガス導入管９・・・・
・・・・・・・・熱電子（電子線）１０・罫・・・・・
・・熱電子発生装置１２・・・・・・・・・・・・水素
分子１２−・・・・・・・・−・・水素イオン１３・・
・・・・・・・・・・フィラメ／ト又はヒーター１６．
３３・・・・・・・・・加速電極１７・・・・・・・・
・・・・偏向装置１８ａ、　１８ｂ、　１９ａ、　１９
ｂ・−・＝−偏向電極加・・・・・・・・・・・・スリ
ット ２３・・・・・・・・・・・・絶縁層 ２４・・・・・・・・・・・・蒸着膜 ２５・・・・・・・・・・・・遮蔽板 ２６．２７・・・・・・・・−ｌグ不ノ１２８・・・・
・・・・・・・・誘導管 ４０・・・・・・・・・・・・カス放電管である。 代理人　弁理士　　逢　坂　　宏 ♀４回 第５凹 叉１３ ￥６日 第７図 幕板電圧（＠１（ＫＶ） 第８図 θ 第９図 鼻！ポンプ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、蒸着物質を収容する蒸発源と、この蒸発源に対向し
   た被蒸着基体とが蒸着槽内に配され、この蒸着槽に設け
   られた修飾ガス導入口から前記蒸着槽内に供給された修
   飾ガスの存在下で、前記蒸発源を加熱して前記蒸着物質
   を前記基体上に蒸着する装置であって、前ｉピ基体に向
   けて電子線を発射して前記基体近傍の修飾ガスを活性化
   又はイオン化するための電子線供給装置が前記蒸着槽に
   配設されていることを特徴とする蒸着装置。 ２、基体に負電圧が印加されるように構成した、特許請
   求の範囲の第１項に記載した装置。 ３、負電圧が一１０ＫＶ以内の直流電圧である、特許請
   求の範囲の第２珀に記載した装置。 ４、電子線供給装置が蒸着槽の内部又は外部に配された
   熱電子発生器からな−っている、特許請求の範囲の第１
   項　第３項のいずれか１項に記載した装置。 ５、電子線供給装置が蒸着槽の内部又は外部に配された
   ガス放電管からなっている、特許請求の範囲の第１項〜
   第３項のいずれか１項に記載した装置。 ６、電子線供給装置から放射される電子線を加速−「る
   ための加速装置を有１″な、特許請求の範囲の第１項〜
   第５項のいずれか１墳に記載した装置。 ７、電子線供給装置から放射さｒＬる電子線を基体の力
   量へ指向せしめるための磁場又は電場偏向装置を有する
   、特許請求の範囲の第１項〜第６項のい（ｒＬか１項に
   記載した装【ｄ、。 ８、基体の方向へ向かう電子線の進行経路を変化させる
   ことによって電子線を基体面に対して均一に走査するた
   めの磁場又は電場偏向装置を有する、Ｗｉ＋蹟求の範囲
   の第１ＩＪｉ〜第７項のい′イ”れか１項ＶＣ記載【ま
   た装置１、