JPS5819940B2 - ネンシヨウバ−ナセイギヨソウチ - Google Patents
ネンシヨウバ−ナセイギヨソウチInfo
- Publication number
- JPS5819940B2 JPS5819940B2 JP3055175A JP3055175A JPS5819940B2 JP S5819940 B2 JPS5819940 B2 JP S5819940B2 JP 3055175 A JP3055175 A JP 3055175A JP 3055175 A JP3055175 A JP 3055175A JP S5819940 B2 JPS5819940 B2 JP S5819940B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flame
- circuit
- solenoid valve
- solenoid
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Combustion (AREA)
- Regulation And Control Of Combustion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は燃焼バーナ匍脚装置に関し、特に炎の有無を
固定周期で検知し、炎を検知していない期間に電磁弁を
駆動する半導体素子の非導通を確認する安全な燃焼バー
ナ制御装置に関するものである。
固定周期で検知し、炎を検知していない期間に電磁弁を
駆動する半導体素子の非導通を確認する安全な燃焼バー
ナ制御装置に関するものである。
第1図はこの発明の背景となる燃焼バーナ制御装置の回
路図を示す。
路図を示す。
図において、1はパイロットバーナ、2はメインバーナ
、3は主電磁弁(メインバルブ)、3′はパイロットパ
ルプである。
、3は主電磁弁(メインバルブ)、3′はパイロットパ
ルプである。
4は点火プラグであって、パイロットバーナ1を点火さ
せる。
せる。
5は炎センサ部であって、例えば炎を光学的に検出する
フォトトランジスタ、Cds等のような半導体光電素子
、または炎の整流作用を利用したフレームロンド方式の
もの等が用いられる。
フォトトランジスタ、Cds等のような半導体光電素子
、または炎の整流作用を利用したフレームロンド方式の
もの等が用いられる。
8は比較器、6および6′は比較器80入力抵抗、7お
よび7′は比較器8の入力バイア電圧を定める抵抗であ
る。
よび7′は比較器8の入力バイア電圧を定める抵抗であ
る。
9はスイッチングトランジスタ、10はN流スイッチン
グトランジスタ、11はコレクタ抵抗、12は充電用の
コンデンサで比較的容量が大きいものである。
グトランジスタ、11はコレクタ抵抗、12は充電用の
コンデンサで比較的容量が大きいものである。
13はソレノイドであり、前記主電磁弁3を開閉制御す
る。
る。
14はソレノイド13を駆動するトランジスタである。
15はこの制御回路に電源を供給する定電圧回路、16
はイグニッション回路、17はイグニッショントランス
である。
はイグニッション回路、17はイグニッショントランス
である。
以上の構成において、動作を説明する。
制御装置の起動スイッチ(図示せず)が閉成されると、
前記パイロットパルプ3′が開弁されるとともに、端子
A、B間に所定の整流電圧が印加される。
前記パイロットパルプ3′が開弁されるとともに、端子
A、B間に所定の整流電圧が印加される。
応じて、前記定電圧回路15は所定の直流電圧を夫々の
電子部品に印加する。
電子部品に印加する。
このため、前記電流スイッチングトランジスタ10が導
通シ、コレクタ電流が前記抵抗11および前記コンデン
サ12に流れ込み、大容量充電コンデンサ12を充電し
始める。
通シ、コレクタ電流が前記抵抗11および前記コンデン
サ12に流れ込み、大容量充電コンデンサ12を充電し
始める。
このとき、他の能動素子5,8゜9および14は順バイ
アスが加わらないため動作しない。
アスが加わらないため動作しない。
充電コンデンサ12に所定の充電電流が流れ込み(充電
時定数は抵抗11およびコンデンサ12で定まるもので
一般には数秒であるL a点の電位が所定の電圧になっ
たとき、イグニッション回路16が作動する。
時定数は抵抗11およびコンデンサ12で定まるもので
一般には数秒であるL a点の電位が所定の電圧になっ
たとき、イグニッション回路16が作動する。
このイグニッション回路は例えばSCR等で駆動される
一種の低周波発振回路が用いられる。
一種の低周波発振回路が用いられる。
この発振出力によって前記イグニッショントランス17
が駆動され、二次側に十数kvの高圧が発生し、前記点
火プラグ4の端子間で火花が発生する。
が駆動され、二次側に十数kvの高圧が発生し、前記点
火プラグ4の端子間で火花が発生する。
応じて、前記パイロットバーナ1が点火して、パイロッ
ト炎を形成する。
ト炎を形成する。
このパイロット炎を炎センサ−5が感知するため、フォ
トトランジスタのコレクタ電位が降下する。
トトランジスタのコレクタ電位が降下する。
応じて、前記比較器80一方入力端子が他方入力端子の
バイアス電位より下降するため、比較器8の出力が上昇
する。
バイアス電位より下降するため、比較器8の出力が上昇
する。
この比較器8の出力信号によってスイッチングトランジ
スタ9およびソレノイド駆動トランジスタ14が導通す
る。
スタ9およびソレノイド駆動トランジスタ14が導通す
る。
このスイッチングトランジスタ9の導通によって、充電
コンデンサ12が短絡し放電するため、イグニッション
回路16は発振を停止して点火火花の発生を停止する。
コンデンサ12が短絡し放電するため、イグニッション
回路16は発振を停止して点火火花の発生を停止する。
一方ソレノイド駆動トランジスタ14の導通によって前
記ソレノイドが付勢される。
記ソレノイドが付勢される。
応じて、前記主電磁弁3が開弁され、前記メインバーナ
2から生ガスが噴出して点火される。
2から生ガスが噴出して点火される。
ところが、従来の燃焼バーナ制御装置は、ソレノイド駆
動トランジスタ14が破壊して不所望の導通状態となっ
た場合に、パイロット炎の有無に関係なく、ソレノイド
13が付勢されて、主電磁弁75泪動的に開弁されるた
め、不所望時に生ガスを噴出して、ガス中毒、ガス爆発
等の事故を誘発する危険性があった。
動トランジスタ14が破壊して不所望の導通状態となっ
た場合に、パイロット炎の有無に関係なく、ソレノイド
13が付勢されて、主電磁弁75泪動的に開弁されるた
め、不所望時に生ガスを噴出して、ガス中毒、ガス爆発
等の事故を誘発する危険性があった。
このような危険を防止するために、ソレノイド駆動トラ
ンジスタ14が破壊しているときには、イグニッション
回路16が作動しないような装置が提案されている。
ンジスタ14が破壊しているときには、イグニッション
回路16が作動しないような装置が提案されている。
しかし、このような装置は一度燃焼動作が行なわれ、そ
の燃焼中にトランジスタ14が破壊したとき、または何
らかの外的要因によって、燃焼炎およびパイロット炎が
消火されたとき等には、同様の危険が生じる。
の燃焼中にトランジスタ14が破壊したとき、または何
らかの外的要因によって、燃焼炎およびパイロット炎が
消火されたとき等には、同様の危険が生じる。
それゆえに、この発明の主たる目的は上述のような危険
性を除去し得るもので全く危険性のない安定な燃焼バー
ナ制御装置を提供することである。
性を除去し得るもので全く危険性のない安定な燃焼バー
ナ制御装置を提供することである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかとな
ろう。
を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかとな
ろう。
第2図はこの発明の一実施例の回路図である。
この発明は、前記主電磁弁3を駆動する制御装置の半導
体が破壊したとき、完全にフェイルセーフ(F ail
5afe ;機器や装置が誤動作を生じた場合には必
ず安全になるようにした方式)に安定するように、炎探
知機能を交流検知にしたことを特徴とする。
体が破壊したとき、完全にフェイルセーフ(F ail
5afe ;機器や装置が誤動作を生じた場合には必
ず安全になるようにした方式)に安定するように、炎探
知機能を交流検知にしたことを特徴とする。
すなわち、第2図は交、流炎探知手段と、炎を感知しな
い期間に主電磁弁を駆動する半導体素子の非導通を確認
する手段とを設けたことを特徴とする。
い期間に主電磁弁を駆動する半導体素子の非導通を確認
する手段とを設けたことを特徴とする。
図において、理解を容易にするために、第1図と同一部
分は同一符号を示す。
分は同一符号を示す。
新たに設けられた、18は矩形波発振器で発振周波数は
数十サイクルである。
数十サイクルである。
19は結合コンデンサ、20は検波回路、21はソレノ
イド駆動トランジスタのコレクタと十B電源の間に介挿
された抵抗、22はインバータ、23は排他的OR回路
、24は検波回路、25はスイッチングトランジスタで
ある。
イド駆動トランジスタのコレクタと十B電源の間に介挿
された抵抗、22はインバータ、23は排他的OR回路
、24は検波回路、25はスイッチングトランジスタで
ある。
ここで前記主電磁弁3を駆動するソレノイド13′は数
十サイクルの交流信号で駆動する交流用ソレノイドで、
第1図のソレノイド13と構造的に異なるものである。
十サイクルの交流信号で駆動する交流用ソレノイドで、
第1図のソレノイド13と構造的に異なるものである。
また、25はスイッチングトランジスタであって、この
トランジスタ25の導通動作によってゼナーダイオード
を短絡して、前記定電圧回路15の動作を停止しかつ電
源電圧を遮断し、すべての電子回路の動作を停止させる
ものである。
トランジスタ25の導通動作によってゼナーダイオード
を短絡して、前記定電圧回路15の動作を停止しかつ電
源電圧を遮断し、すべての電子回路の動作を停止させる
ものである。
以上の構成において、次にこの実施例の動作を説明する
。
。
まず、前記パイロットバーナ1が点火されるまでの動作
は、第1図の動作と同様であるため省略する。
は、第1図の動作と同様であるため省略する。
パイロットバーナ1が点火すると、前記炎センサ部5に
含まれるフォトトランジスタが炎を感知するため、フォ
トトランジスタのコレクタ電位が降下する。
含まれるフォトトランジスタが炎を感知するため、フォ
トトランジスタのコレクタ電位が降下する。
応じて、前記比較器8は他の入力点すのバイアス電圧と
比較する。
比較する。
この入力点すには、予め前記矩形波発振器18からの矩
形波信号がダイオードを介して与えられている。
形波信号がダイオードを介して与えられている。
この比較器8は矩形波信号のローレベル(Low l
evel :以下「L」)信号期間のときには作動せず
・・イレベル(High Level ;以′FrHJ
血号期間のときに作動する。
evel :以下「L」)信号期間のときには作動せず
・・イレベル(High Level ;以′FrHJ
血号期間のときに作動する。
すなわち、比較器8は矩形波信号P1を導出する(ただ
しパイロットバーナ1が点火していないときは、「L」
信号のままである)。
しパイロットバーナ1が点火していないときは、「L」
信号のままである)。
従って、比較器8は矩形波の周期でその動作を断続して
炎の有無を検知する。
炎の有無を検知する。
この矩形波信号P1は、前記結合コンデンサ19を介し
て前記検波回路20および前記ソレノイド駆動トランジ
スタ14に与えられる。
て前記検波回路20および前記ソレノイド駆動トランジ
スタ14に与えられる。
検波回路20によって検波された直流電圧は、前記スイ
ッチングトランジスタ9を導通させて、前記充電コンデ
ンサ12を短絡放電させ、前記イグニッション動作を停
止させる。
ッチングトランジスタ9を導通させて、前記充電コンデ
ンサ12を短絡放電させ、前記イグニッション動作を停
止させる。
一方、ソレノイド駆動トランジスタ14は矩形波信号に
応答してスイッチング動作するため、コレクタから矩形
波出力P2 を導出する。
応答してスイッチング動作するため、コレクタから矩形
波出力P2 を導出する。
このとき、前記ソレノイド13′は上述のように交流駆
動のンレノイドであるため、駆動トランジスタ14の矩
形波出力P2によって付勢され、前記主電磁弁3を開弁
させる。
動のンレノイドであるため、駆動トランジスタ14の矩
形波出力P2によって付勢され、前記主電磁弁3を開弁
させる。
次に、JJlトランジスタ14のコレクタ出力信号P2
と、矩形波発振器18の出力信号をインバータ22で
反転された矩形波信号P2 とが、排他的OR回路23
に与えられる。
と、矩形波発振器18の出力信号をインバータ22で
反転された矩形波信号P2 とが、排他的OR回路23
に与えられる。
このとき駆動トランジスタ14が正常にスイッチング動
作している際には、排他的OR回回路230大 一致するため、排他的OR回路23の出力信号は常に「
L」信号となる。
作している際には、排他的OR回回路230大 一致するため、排他的OR回路23の出力信号は常に「
L」信号となる。
従って、検波回路24の出力信号は、rLJ信号(零ボ
ルト)となり、上記スイッチングトランジスタ25の非
導通状態を維持するため、制御装置全体が正常に燃焼状
態を保持する。
ルト)となり、上記スイッチングトランジスタ25の非
導通状態を維持するため、制御装置全体が正常に燃焼状
態を保持する。
ところが駆動トランジスタ14が破壊し、不所望の導通
状態になった場合は、駆動トランジスタ14のコレクタ
電位が常VCrLJとなるため、排他的OR回路23は
矩形波発振器18からの矩形波信号を導出する。
状態になった場合は、駆動トランジスタ14のコレクタ
電位が常VCrLJとなるため、排他的OR回路23は
矩形波発振器18からの矩形波信号を導出する。
従って、この矩形波信号が検波回路24で検波され、そ
の検波出力電圧によってスイッチングトランジスタ25
が導通し、飽和する。
の検波出力電圧によってスイッチングトランジスタ25
が導通し、飽和する。
応じて、定電圧回路15に含まれるゼナーダイオードが
短絡するため、定電圧回路15が作動を停止してンレノ
イド13′およびその他の電子部品に供給している+V
電源電圧を遮断する。
短絡するため、定電圧回路15が作動を停止してンレノ
イド13′およびその他の電子部品に供給している+V
電源電圧を遮断する。
それゆえに、前記主電磁弁が強制的に開弁されて、生ガ
スの噴出が停止される。
スの噴出が停止される。
なお、駆動トランジスタ14が破壊して、非導通状態に
なった場合(このとき、主電磁弁は閉弁される)におい
ても同様の動作によって、供給電源が遮断される。
なった場合(このとき、主電磁弁は閉弁される)におい
ても同様の動作によって、供給電源が遮断される。
上述のごとく、この実施例の燃焼バーナ制御装置は矩形
波発振信号が一定期間以上ないときに、その導通によっ
て主電磁弁を駆動する駆動トランジスタ14を非導通状
態に強制するため、燃焼起動時みたは燃焼定常時を問わ
ず、駆動トランジスタ14の不所望導通時には必ず主電
磁弁を開成制御する。
波発振信号が一定期間以上ないときに、その導通によっ
て主電磁弁を駆動する駆動トランジスタ14を非導通状
態に強制するため、燃焼起動時みたは燃焼定常時を問わ
ず、駆動トランジスタ14の不所望導通時には必ず主電
磁弁を開成制御する。
以上のように、この発明によれば主電磁弁を駆動する半
導体素子が破壊して導通状態となっても、主電磁弁を強
制的に閉成するような、安全な燃焼バーナ制御装置が得
られる。
導体素子が破壊して導通状態となっても、主電磁弁を強
制的に閉成するような、安全な燃焼バーナ制御装置が得
られる。
この発明は、ガス、石油等を燃焼する燃焼バーナにおい
て、すぐれた効果を発揮する。
て、すぐれた効果を発揮する。
第1図はこの発明の背景となる燃焼バーナ制御装置の回
路図を示す。 第2図はこの発明の一実施例の回路図である。 1はパイロットパルプ、2はメインバーナ、3は主電磁
弁、3′はパイロットパルプ、4は点火フラグ、5は炎
センサ部、8は比較器、9,10。 14、および25はトランジスタ、13および13′は
ンレノイド、15は定電圧回路、16はイグニッション
回路、17はイグニッショントランス、18は矩形波発
振器、20および24は検波回路、23は排他的OR回
路を示す。
路図を示す。 第2図はこの発明の一実施例の回路図である。 1はパイロットパルプ、2はメインバーナ、3は主電磁
弁、3′はパイロットパルプ、4は点火フラグ、5は炎
センサ部、8は比較器、9,10。 14、および25はトランジスタ、13および13′は
ンレノイド、15は定電圧回路、16はイグニッション
回路、17はイグニッショントランス、18は矩形波発
振器、20および24は検波回路、23は排他的OR回
路を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 成る一定周期毎に炎の有無を検知する炎検知手段、 燃料の給送制御を行なう電磁弁、 その導通によって前記電磁弁を開成制御する半導体素子
、および 前記炎検知手段出力が一定周期以上ないとき、前記半導
体素子を非導通状態に強制する手段を備えた燃焼バーナ
制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3055175A JPS5819940B2 (ja) | 1975-03-12 | 1975-03-12 | ネンシヨウバ−ナセイギヨソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3055175A JPS5819940B2 (ja) | 1975-03-12 | 1975-03-12 | ネンシヨウバ−ナセイギヨソウチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS51104642A JPS51104642A (ja) | 1976-09-16 |
JPS5819940B2 true JPS5819940B2 (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=12306919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3055175A Expired JPS5819940B2 (ja) | 1975-03-12 | 1975-03-12 | ネンシヨウバ−ナセイギヨソウチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5819940B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS602643U (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-10 | 西川 幸雄 | 包装材 |
JPH0430106Y2 (ja) * | 1985-11-14 | 1992-07-21 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56100231A (en) * | 1980-01-14 | 1981-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Controller for combustor |
JPS56127123A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | Combustion control device |
JPS56130533A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Combustion controller |
JPS58190621A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁弁の制御装置 |
JPS58190620A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁弁の制御装置 |
-
1975
- 1975-03-12 JP JP3055175A patent/JPS5819940B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS602643U (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-10 | 西川 幸雄 | 包装材 |
JPH0430106Y2 (ja) * | 1985-11-14 | 1992-07-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS51104642A (ja) | 1976-09-16 |
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