JPS58198844A - イオン発生収束装置 - Google Patents
イオン発生収束装置Info
- Publication number
- JPS58198844A JPS58198844A JP57081641A JP8164182A JPS58198844A JP S58198844 A JPS58198844 A JP S58198844A JP 57081641 A JP57081641 A JP 57081641A JP 8164182 A JP8164182 A JP 8164182A JP S58198844 A JPS58198844 A JP S58198844A
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- JP
- Japan
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- period
- electrode
- magnetic field
- electron beam
- ion
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明はイオン発生収束装置に係シ、就中質量分析装置
及び一定の質量の粒子の密度の測定装置として使用する
に適するイオン発生収束装置に関する。
及び一定の質量の粒子の密度の測定装置として使用する
に適するイオン発生収束装置に関する。
［従来技術及びその問題点」
真空装置内の気体、蒸気の構成は質量分析装置で測定さ
れるが、一定の質量の粒子の密度の測定にはこの質量分
析装置を用いて着目する質量の粒子だけについて行われ
ることが多かった。質量分析装置の代表的なものとして
、四極子マスフィルタ及び磁場偏向形のものがある。四
極子マスフィルタは微小な直流電流を増幅して測定して
いるが増幅率がドリフトし易く、定量分析には熟練を要
し、しかも磁場が存在する場所では使用できないという
欠点がある。磁場偏向形は生成されるイオンビームが偏
向されるので設置に大きな空間が必要であること、また
強い磁場が存在する場所では使用が困難である、という
欠点があった。
れるが、一定の質量の粒子の密度の測定にはこの質量分
析装置を用いて着目する質量の粒子だけについて行われ
ることが多かった。質量分析装置の代表的なものとして
、四極子マスフィルタ及び磁場偏向形のものがある。四
極子マスフィルタは微小な直流電流を増幅して測定して
いるが増幅率がドリフトし易く、定量分析には熟練を要
し、しかも磁場が存在する場所では使用できないという
欠点がある。磁場偏向形は生成されるイオンビームが偏
向されるので設置に大きな空間が必要であること、また
強い磁場が存在する場所では使用が困難である、という
欠点があった。
［発明の目的］
この発明の主たる目的は第一に、小形で取扱いに熟練を
要しない質量分析装置を提供すること、第二に強い磁場
が存在する場所で使用できる質量分析装置を提供するこ
と、にある。この質量分析装置として使用するイオン発
生収束装置は一定の質量の粒子の密度の測定装置として
用いることもできるだけでなく、イオンを発生させそれ
を一定の場所へ収束させることによってもたらされる効
果を利用する全ての装置に適用できることはいうまでも
なく、かかる広範囲の応用を可能にすることも本発明の
目的である。
要しない質量分析装置を提供すること、第二に強い磁場
が存在する場所で使用できる質量分析装置を提供するこ
と、にある。この質量分析装置として使用するイオン発
生収束装置は一定の質量の粒子の密度の測定装置として
用いることもできるだけでなく、イオンを発生させそれ
を一定の場所へ収束させることによってもたらされる効
果を利用する全ての装置に適用できることはいうまでも
なく、かかる広範囲の応用を可能にすることも本発明の
目的である。
［発明の概要］
電子ビームを短時間入射して空間に存在する中性粒子を
イオン化し、発生したイオンを収束都電極内で時間的、
空間的に収束できるようにしてイオン発生収束装置を実
現し、電子ビーム電流のノくルスの周期Ｔにあわせて、
その整数分の−の周期信号の大きさを検出できるように
し、周期Ｔを変化させて質量分析を行えるようにし、周
期Ｔを一定にして一定の質量の粒子の密度測定を行える
ようにし、もって発明の目的を達成した。
イオン化し、発生したイオンを収束都電極内で時間的、
空間的に収束できるようにしてイオン発生収束装置を実
現し、電子ビーム電流のノくルスの周期Ｔにあわせて、
その整数分の−の周期信号の大きさを検出できるように
し、周期Ｔを変化させて質量分析を行えるようにし、周
期Ｔを一定にして一定の質量の粒子の密度測定を行える
ようにし、もって発明の目的を達成した。
［発明の実施例］
本発明のイオン発生収束装置の構成を、質量分析装置と
して実施した例をもとに説明する。第１図は本発明の一
実施例である質量分析装置主要部構成説明図で、一部を
断面図で示しである。
して実施した例をもとに説明する。第１図は本発明の一
実施例である質量分析装置主要部構成説明図で、一部を
断面図で示しである。
Ｚ軸は図示されない磁場発生装置が発生する磁場の方向
と平行で、このＺ軸上の点０（Ｚ＝Ｏ）では磁場は強い
。（１）は２軸と一致する軸を有する貫通孔（２）を有
する収束部電極で、該貫通孔（２）の中心はＺ軸上のへ
δに一致している。平面２＝０は°基準面で磁場に垂直
であり後述の電位分布の基準となる。（３）は電子ビー
ム入射電極で、・その貫通孔の直径の小さい部分の２軸
に垂直な平面Ａ（Ｚ＝Ｚａ）は空間を画定する面の一部
をなし、（４）はイオン反射電極で、点Ｏ側の表面に近
いＺ軸に垂直な平面Ｂ （Ｚ＝Ｚｂ）は空間を画定する
面の他の一部を為す。電子ビーム入射電極（３）の貫通
孔の直径の小さい部分の直径を２Ｒとしたとき、Ｚ軸か
ら距離Ｒの改はＺ軸を軸とする半径Ｒの円筒を構成【−
１半径凡の円筒と二つの平１１ｉＡ及びＢで包囲される
円柱状空間が、本発明で利用される画定された空間であ
る。（５）及び（６）は遮蔽電極でそれぞれＺ軸に一致
する軸を有する貫通孔を有し、この遮蔽電極（５）（６
）の貫通孔の直径は本実施例では収束部電極（１）の貫
通孔（２）の直径と等しく、咳画定された円柱状空間の
直径２Ｒより大きい。（Ｖ、（（至）は電位分布形成電
極で、それぞれ互に相等しい直径の２軸に一致する軸を
有する貫通孔を有する要素電極（７ａ）〜（７１）（８
ａ）〜（８１）で構成される。この要素電極（７ａ）〜
（７ｉ）、（８ａ）〜（８１）の貫通孔の直径は遮蔽電
極（５）。
と平行で、このＺ軸上の点０（Ｚ＝Ｏ）では磁場は強い
。（１）は２軸と一致する軸を有する貫通孔（２）を有
する収束部電極で、該貫通孔（２）の中心はＺ軸上のへ
δに一致している。平面２＝０は°基準面で磁場に垂直
であり後述の電位分布の基準となる。（３）は電子ビー
ム入射電極で、・その貫通孔の直径の小さい部分の２軸
に垂直な平面Ａ（Ｚ＝Ｚａ）は空間を画定する面の一部
をなし、（４）はイオン反射電極で、点Ｏ側の表面に近
いＺ軸に垂直な平面Ｂ （Ｚ＝Ｚｂ）は空間を画定する
面の他の一部を為す。電子ビーム入射電極（３）の貫通
孔の直径の小さい部分の直径を２Ｒとしたとき、Ｚ軸か
ら距離Ｒの改はＺ軸を軸とする半径Ｒの円筒を構成【−
１半径凡の円筒と二つの平１１ｉＡ及びＢで包囲される
円柱状空間が、本発明で利用される画定された空間であ
る。（５）及び（６）は遮蔽電極でそれぞれＺ軸に一致
する軸を有する貫通孔を有し、この遮蔽電極（５）（６
）の貫通孔の直径は本実施例では収束部電極（１）の貫
通孔（２）の直径と等しく、咳画定された円柱状空間の
直径２Ｒより大きい。（Ｖ、（（至）は電位分布形成電
極で、それぞれ互に相等しい直径の２軸に一致する軸を
有する貫通孔を有する要素電極（７ａ）〜（７１）（８
ａ）〜（８１）で構成される。この要素電極（７ａ）〜
（７ｉ）、（８ａ）〜（８１）の貫通孔の直径は遮蔽電
極（５）。
（６）の貫通孔の直径より大きい。（印は分圧器で、そ
れぞれコンデンサと抵抗器の並列接続で構成される分圧
要素（９ａ）〜（９１）を直列接続して構成される。
れぞれコンデンサと抵抗器の並列接続で構成される分圧
要素（９ａ）〜（９１）を直列接続して構成される。
分圧器の両端すなわち分圧要素（９ａ’） 、 （９１
）のそれぞれ他の分圧要素（９ｂ）、（９ｋ）に接続さ
れない側の一端は、それぞれ端子（へ）の接ａ（１０ａ
）及び（１０１）に接続され、この端子（ＩＪには図示
されない電源から直流電圧が印加される。イオン反射電
極（４）、電子ビーム入射電極（３）、電位分布形成電
極（７） 、 （Ｊ８の各要素電極（７ａ）〜（７１）
、（８ａ）〜（８１）、及び遮蔽電極（５） 、 （６
）はそれぞれ通電された分圧器（辺の各点に接続されそ
定まった電位を与えられ、収束部電極（１）はトランス
圓の一次捲線を介して分圧器（勇の一端すなわち端子的
の接点（ＩＯｌ） Ｋ接続され、直流的に定まった電位
を与えられる。各電極（１） 、 （３） 、 （４）
。
）のそれぞれ他の分圧要素（９ｂ）、（９ｋ）に接続さ
れない側の一端は、それぞれ端子（へ）の接ａ（１０ａ
）及び（１０１）に接続され、この端子（ＩＪには図示
されない電源から直流電圧が印加される。イオン反射電
極（４）、電子ビーム入射電極（３）、電位分布形成電
極（７） 、 （Ｊ８の各要素電極（７ａ）〜（７１）
、（８ａ）〜（８１）、及び遮蔽電極（５） 、 （６
）はそれぞれ通電された分圧器（辺の各点に接続されそ
定まった電位を与えられ、収束部電極（１）はトランス
圓の一次捲線を介して分圧器（勇の一端すなわち端子的
の接点（ＩＯｌ） Ｋ接続され、直流的に定まった電位
を与えられる。各電極（１） 、 （３） 、 （４）
。
（５） 、 （６） 、 （Ｚ） 、（５））は、この
画定された空間内の各点に、基準面から磁場の方向に測
った距離の自乗に実質的に比例する電位差を、収束部電
極との間に形成する。すなわち、画定された空間の任意
の点の電位Ｖは、その点の２座標で定まり、Ｖ＝Ｖ（ｚ
）とあられすことができて、かつ、各電極の電位を適切
に定めることによシ、 Ｖ（Ｚ ）−Ｖ（０） ＝ ”−ｋｚ２−（１）とあら
れせるようになされている。ｋは正の定数である。嗜は
電子銃で、画定された空間の磁場方向の一つの端部であ
る平面Ａを形成する電子ビーム入射電極（３）の近傍に
配設され、この画定された ′空間内に磁場と平行
なパルス電子ビームを入射するものである。電子ビーム
入射電極（３）は電子銃（ＩＪの陽極を兼ねる。（１２
ａ ）はヒータ（１２ｂ）に加熱される陰極、（１２Ｃ
）は電子ビームをオンオフする制御電極で、図示されな
い電子ビーム制御電流の出力は端子０に供給されて、陰
極（１２ａ）と制御電極（１２０’）の間に印加される
。かくして構成された本発明のイオン発生収束装置の作
用効果をその実施例である第１図に示す質量分析装置を
参照して説明する。
画定された空間内の各点に、基準面から磁場の方向に測
った距離の自乗に実質的に比例する電位差を、収束部電
極との間に形成する。すなわち、画定された空間の任意
の点の電位Ｖは、その点の２座標で定まり、Ｖ＝Ｖ（ｚ
）とあられすことができて、かつ、各電極の電位を適切
に定めることによシ、 Ｖ（Ｚ ）−Ｖ（０） ＝ ”−ｋｚ２−（１）とあら
れせるようになされている。ｋは正の定数である。嗜は
電子銃で、画定された空間の磁場方向の一つの端部であ
る平面Ａを形成する電子ビーム入射電極（３）の近傍に
配設され、この画定された ′空間内に磁場と平行
なパルス電子ビームを入射するものである。電子ビーム
入射電極（３）は電子銃（ＩＪの陽極を兼ねる。（１２
ａ ）はヒータ（１２ｂ）に加熱される陰極、（１２Ｃ
）は電子ビームをオンオフする制御電極で、図示されな
い電子ビーム制御電流の出力は端子０に供給されて、陰
極（１２ａ）と制御電極（１２０’）の間に印加される
。かくして構成された本発明のイオン発生収束装置の作
用効果をその実施例である第１図に示す質量分析装置を
参照して説明する。
磁場は画定された空間内で実質的に一様で、強さは約０
．１Ｔである。電子は時刻ｔ＝＝Ｑからｔ−τ。
．１Ｔである。電子は時刻ｔ＝＝Ｑからｔ−τ。
■間で画定された空間に入射する。電子銃の陰極（１２
ａ）の電位は収束細電極（１）の電位より高くとられて
おシ、電子ビーム入射電極（３）から入射した電子は収
束細電極（１）の手前で反射されて電子銃ａ２へ逆戻り
する。電子はその運動の過程で空間に存在する気体分子
等の中性粒子をイオン化する。生成されたイオンは入射
電子が存在する短い時間（約２τ０）ではほとんど加速
されず、その速度は実質的に零であるから、同時刻１＝
Ｑに全てのイオンが作られたと考えてよい０磁場に垂直
な方向の運動は磁場により抑制される。イオンの運動の
磁場方向成分は、第（１）式で与えられる電場、Ｅ ＝
−ｄＶ／ｄＺ ＝ −ｋＺ で定まシ、その運動方程式は、 ｄＺ／ｄｔ ｅＥ／ｍ ＝（−ｅｋ／ｍ）・Ｚ・・
・（２）である。ここでｅ及びｍはそれぞれイオンの電
荷及び質量である。ｔ＝０でＺ ＝ Ｚｏ、ｄ″ＺＶ／
ｄｔ ＝Ｑ ｆ するイオンの運動は、第（２）式を解
いて、ｚ ＝＝ ｚｏ ｃｏｓ （ωｔ） 、 Ｇ）
＝ｈ【儒−（３）で表わされる。イオンは、第（３）式
よシ、ｔ＝τ１、τｌ＝π／２ω …
（４）で全てＺ＝０となることがわかる。すなわちｔ＝
０に生成されたイオンは、画定された空間内であればそ
の生成された位置に無関係にｚ＝０すなわち基準面の収
束細電極（１）の内部に第（４）式で与えられる時刻τ
１に於て集束する。イオンは時刻τ１以後も引続いて運
動し、、第（３） 、 （４）式より明らかな如く時刻
ｔ＝２τ１に於て、位置は一２ｏとなシ、速度は零とな
る。以後イオンは気体分子等との衝突により、運動の規
束性は徐々に乱されるが、それまでの間に時刻ｔ＝３ｒ
、、５τ１．・・・、に於てＺ−０すなわち基準面の収
束細電極（１）の内部に集束される。収束電極（１）に
は、Ｔｉ＝２τ１＝π／ωの周期で、イオンの作る空間
電荷に誘起された電位が生じ、トランス０υの一次捲線
には周期Ｔｉの交流電圧が印加される。トランスＯｎの
二次捲線には端子０が接続され、この端子側に周期Ｔｉ
にあわせて、その整数分の−（ｌ／１を含む）の周期の
信号の大きさを検出する手段を接続することにより、信
号の大きさに比例するイオンの量を知ることができる。
ａ）の電位は収束細電極（１）の電位より高くとられて
おシ、電子ビーム入射電極（３）から入射した電子は収
束細電極（１）の手前で反射されて電子銃ａ２へ逆戻り
する。電子はその運動の過程で空間に存在する気体分子
等の中性粒子をイオン化する。生成されたイオンは入射
電子が存在する短い時間（約２τ０）ではほとんど加速
されず、その速度は実質的に零であるから、同時刻１＝
Ｑに全てのイオンが作られたと考えてよい０磁場に垂直
な方向の運動は磁場により抑制される。イオンの運動の
磁場方向成分は、第（１）式で与えられる電場、Ｅ ＝
−ｄＶ／ｄＺ ＝ −ｋＺ で定まシ、その運動方程式は、 ｄＺ／ｄｔ ｅＥ／ｍ ＝（−ｅｋ／ｍ）・Ｚ・・
・（２）である。ここでｅ及びｍはそれぞれイオンの電
荷及び質量である。ｔ＝０でＺ ＝ Ｚｏ、ｄ″ＺＶ／
ｄｔ ＝Ｑ ｆ するイオンの運動は、第（２）式を解
いて、ｚ ＝＝ ｚｏ ｃｏｓ （ωｔ） 、 Ｇ）
＝ｈ【儒−（３）で表わされる。イオンは、第（３）式
よシ、ｔ＝τ１、τｌ＝π／２ω …
（４）で全てＺ＝０となることがわかる。すなわちｔ＝
０に生成されたイオンは、画定された空間内であればそ
の生成された位置に無関係にｚ＝０すなわち基準面の収
束細電極（１）の内部に第（４）式で与えられる時刻τ
１に於て集束する。イオンは時刻τ１以後も引続いて運
動し、、第（３） 、 （４）式より明らかな如く時刻
ｔ＝２τ１に於て、位置は一２ｏとなシ、速度は零とな
る。以後イオンは気体分子等との衝突により、運動の規
束性は徐々に乱されるが、それまでの間に時刻ｔ＝３ｒ
、、５τ１．・・・、に於てＺ−０すなわち基準面の収
束細電極（１）の内部に集束される。収束電極（１）に
は、Ｔｉ＝２τ１＝π／ωの周期で、イオンの作る空間
電荷に誘起された電位が生じ、トランス０υの一次捲線
には周期Ｔｉの交流電圧が印加される。トランスＯｎの
二次捲線には端子０が接続され、この端子側に周期Ｔｉ
にあわせて、その整数分の−（ｌ／１を含む）の周期の
信号の大きさを検出する手段を接続することにより、信
号の大きさに比例するイオンの量を知ることができる。
電子ビームを入射する時間をｌ＝Ｑ〜τ０ｅＴＩ〜ンの
量を増加させるときができ、その結果端子Ｕにあられれ
る周期Ｔｉの信号の大きさを増加させることができる。
量を増加させるときができ、その結果端子Ｕにあられれ
る周期Ｔｉの信号の大きさを増加させることができる。
Ｔｉ−π／ωであシ、ωは第（３）式で与えられるから
、 Ｔｉ＝πＶｍｌろ■ ・・・（５）である。
、 Ｔｉ＝πＶｍｌろ■ ・・・（５）である。
電子ビーム電流のパルスの周期をＴとし収束細電極から
トランスαυを介して検出される周期Ｔの整数分の−の
周期の信号の大きさを検出すれば、Ｔ＝Ｔｉであるイオ
ン、すなわち、ｍ／ ｅ ＝ ｋ （’ｌ”／ｙｒ ）
２− （６）の条件を満たすイオンの量が検出できる。
トランスαυを介して検出される周期Ｔの整数分の−の
周期の信号の大きさを検出すれば、Ｔ＝Ｔｉであるイオ
ン、すなわち、ｍ／ ｅ ＝ ｋ （’ｌ”／ｙｒ ）
２− （６）の条件を満たすイオンの量が検出できる。
本発明は第（１）式のｋの値を制限するものではないが
、−例としてｋ ＝ Ｉ Ｘ １０’ボルト／平方メー
トルとしてよい。
、−例としてｋ ＝ Ｉ Ｘ １０’ボルト／平方メー
トルとしてよい。
この時、例えば鰐、Ｈ２＋、Ｈ：はｍ ／ ｅがそれぞ
れ１．０４Ｘ１０８，２．０９Ｘ１０−ｕ 、 ４．１
７ＸＩＯ８（巣位１ｄ：キｏクラム／クーロン）である
から、対応する周期Ｔはそれぞれ、０．３２μＩＩ、０
．４５μ島、０．６４μｓとなる。
れ１．０４Ｘ１０８，２．０９Ｘ１０−ｕ 、 ４．１
７ＸＩＯ８（巣位１ｄ：キｏクラム／クーロン）である
から、対応する周期Ｔはそれぞれ、０．３２μＩＩ、０
．４５μ島、０．６４μｓとなる。
［発明の効果コ
本発明の効果の一つは、パルス電子ビームを入射する手
段が入射する電子ビーム電流のパルスの周期Ｔを変化さ
せ、収束細電極には周期Ｔの整数分の−の周期の信号の
大きさを検出する手段を接続して、第（６）式によりＴ
の変化にともない、検出されるイオンのｍ／ｅが変化す
ることを利用して質量分析装置として使用できることで
ある。かかる質量分析装置は小形あり、取扱いに熟練を
要しないものである。また強い磁場が存在する場所で使
用できることは言うまでもなく、本発明では磁場はイオ
ンの散逸を防ぐ働きをしているので、強い磁場を発生す
る磁場発生装置をそのまま本発明を構成する磁場発生装
置として利用してよい。
段が入射する電子ビーム電流のパルスの周期Ｔを変化さ
せ、収束細電極には周期Ｔの整数分の−の周期の信号の
大きさを検出する手段を接続して、第（６）式によりＴ
の変化にともない、検出されるイオンのｍ／ｅが変化す
ることを利用して質量分析装置として使用できることで
ある。かかる質量分析装置は小形あり、取扱いに熟練を
要しないものである。また強い磁場が存在する場所で使
用できることは言うまでもなく、本発明では磁場はイオ
ンの散逸を防ぐ働きをしているので、強い磁場を発生す
る磁場発生装置をそのまま本発明を構成する磁場発生装
置として利用してよい。
本発明の他の効果は、入射電子ビームパルスの周期Ｔを
一定とし、第（６）式で定まる一定のｍ／ｅのイオンの
量を検出できるときである。このとき、収束線電極の信
号は一定とされた周期Ｔの整数分の−の周期の信号の大
きさを検出する。
一定とし、第（６）式で定まる一定のｍ／ｅのイオンの
量を検出できるときである。このとき、収束線電極の信
号は一定とされた周期Ｔの整数分の−の周期の信号の大
きさを検出する。
斯様な構成により、例えば真空容器内の特定の種類の残
留気体の密度の変化を検出でき、それを応用して、プロ
ーブガスを用いた真空容器のリークテストを行うことも
可能である。
留気体の密度の変化を検出でき、それを応用して、プロ
ーブガスを用いた真空容器のリークテストを行うことも
可能である。
本発明は上述のような目的に使用されるだけでなく、イ
オンを発生させそれを一定の場所へ収束させることによ
ってもたらされる効果を利用する全ての装置に適用でき
ることは言うまでもない。
オンを発生させそれを一定の場所へ収束させることによ
ってもたらされる効果を利用する全ての装置に適用でき
ることは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例である質量分析装置主要部構
成説明図である。 （１）・・・収束線電極、（２）・・・収束線電極（１
）の貫通孔、（３）・・・電子ビーム入射電極、（４）
・・・イオン反射電極、（５） 、 （６）・・・遮蔽
電極、（Ｖ、（印・・・電位分布形成電極、（９）・・
・分圧器、［株］、嗜、（ロ）・・・端子、αυ・・・
トランス、０２・・・電子銃。
成説明図である。 （１）・・・収束線電極、（２）・・・収束線電極（１
）の貫通孔、（３）・・・電子ビーム入射電極、（４）
・・・イオン反射電極、（５） 、 （６）・・・遮蔽
電極、（Ｖ、（印・・・電位分布形成電極、（９）・・
・分圧器、［株］、嗜、（ロ）・・・端子、αυ・・・
トランス、０２・・・電子銃。
Claims (2)
- （１）磁場発生装置と、この磁場発生装置が発生する磁
場内に配設されかつ発生する磁場方向に貫通孔を有する
収束部電極と、この収束部電極の貫通孔内に磁場に垂直
な一平面を基準面として画定された空間内の各県に前記
基準面から前記磁場の方向に測った距離の自乗に実質的
に比例する電位差を前記収束部電極との間に形成する手
段と、前記基準面として画定された空間の前記磁場方向
の少なくとも一つの端部の近傍に配設され、前記基準面
として画定された空間内に前記磁場と平行なパルス電子
ビームを入射する手段とを具備してなることを特徴とす
るイオン発生収束装置。 - （２）パルス電子ビームを入射する手段を入射する電子
ビーム電流のパルスの周期Ｔを変化させるよう構成し、
収束部電極に周期Ｔの整数分の−の周期の信号の大きさ
を検出する手段を接続してなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のイオン発生収束装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081641A JPS5939852B2 (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | イオン発生収束装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57081641A JPS5939852B2 (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | イオン発生収束装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58198844A true JPS58198844A (ja) | 1983-11-18 |
| JPS5939852B2 JPS5939852B2 (ja) | 1984-09-26 |
Family
ID=13751961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57081641A Expired JPS5939852B2 (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | イオン発生収束装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939852B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123154A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Shimadzu Corp | 飛行時間型質量分析装置 |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57081641A patent/JPS5939852B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123154A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Shimadzu Corp | 飛行時間型質量分析装置 |
| JPH0346946B2 (ja) * | 1982-12-29 | 1991-07-17 | Shimadzu Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5939852B2 (ja) | 1984-09-26 |
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