JPS58196773A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58196773A JPS58196773A JP57078328A JP7832882A JPS58196773A JP S58196773 A JPS58196773 A JP S58196773A JP 57078328 A JP57078328 A JP 57078328A JP 7832882 A JP7832882 A JP 7832882A JP S58196773 A JPS58196773 A JP S58196773A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/58—Means for changing the camera field of view without moving the camera body, e.g. nutating or panning of optics or image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分νデ〕
本発明は、固体連：象装置の高４４像度化にともなう固
体ＩＩ １１素子の１禰向装蟹に関する。
体ＩＩ １１素子の１禰向装蟹に関する。
固体撮偉装蓋は従来のｄ＆濠管とくらべ、小型、纏１、
高信頼性％特性面では図杉歪がなく、残置が小さく、焼
付きがない等多くの利点を有しているため、ＩＴＶ、家
庭用ビデオカメラ、鋼重フィルムを用いない一子カメラ
等、応用は広く、今後艇に拡大されると考えられる。こ
れらの応用において、構在の固体蟻澹ｍｌｔに対して篩
屏ｆ象１１化の要＊が・Ａい、しかし、一方向体樟１象
装置置に目を向けもと、威装置はｊｊｌ在のＬＳＩの中
でも最も大きいチップサイズを有しており、低価格化へ
のアプローチとしてもチップサイズの縮小化が求められ
ている。従って、チップサイズの縮小化を行ない更に＾
漕・度化を行なって高解（象度化を行なわなくてはなら
なく・、−造技術的にも困難である。このような間−に
対処ｒるため、インターフィン転送方式（１，：ｌ）
（以ドｔ’ｒ−ｃｃｏと称す）のμ口き、感光ｆｌｓ（
同えば７オトダイオード、以下ＰＤと弥）にＪ積された
１ｄ号鴫荷が垂直グランキング期間（無幼期１…）ｖＣ
ｖいて同時に垂直ＣＣＤに停動され、次のフィールド有
切期間中に続出される撮像動作を有した固体４壕チップ
基板を前記フィールド期間の無効期間ｉｃ層層中中心位
１置する如く振動せしめることにより、ＩＩＩＩｍ ＋
＊ ＆化が試みられている。つまり、固体ｒａ６チツプ
蟇榎を該チップ面に対して水平に適当な禰波数で適当な
振幅を与えることで、従来のＩＮ体１１麿装置の４４１
象（化を図ろうとするものであ乙。
高信頼性％特性面では図杉歪がなく、残置が小さく、焼
付きがない等多くの利点を有しているため、ＩＴＶ、家
庭用ビデオカメラ、鋼重フィルムを用いない一子カメラ
等、応用は広く、今後艇に拡大されると考えられる。こ
れらの応用において、構在の固体蟻澹ｍｌｔに対して篩
屏ｆ象１１化の要＊が・Ａい、しかし、一方向体樟１象
装置置に目を向けもと、威装置はｊｊｌ在のＬＳＩの中
でも最も大きいチップサイズを有しており、低価格化へ
のアプローチとしてもチップサイズの縮小化が求められ
ている。従って、チップサイズの縮小化を行ない更に＾
漕・度化を行なって高解（象度化を行なわなくてはなら
なく・、−造技術的にも困難である。このような間−に
対処ｒるため、インターフィン転送方式（１，：ｌ）
（以ドｔ’ｒ−ｃｃｏと称す）のμ口き、感光ｆｌｓ（
同えば７オトダイオード、以下ＰＤと弥）にＪ積された
１ｄ号鴫荷が垂直グランキング期間（無幼期１…）ｖＣ
ｖいて同時に垂直ＣＣＤに停動され、次のフィールド有
切期間中に続出される撮像動作を有した固体４壕チップ
基板を前記フィールド期間の無効期間ｉｃ層層中中心位
１置する如く振動せしめることにより、ＩＩＩＩｍ ＋
＊ ＆化が試みられている。つまり、固体ｒａ６チツプ
蟇榎を該チップ面に対して水平に適当な禰波数で適当な
振幅を与えることで、従来のＩＮ体１１麿装置の４４１
象（化を図ろうとするものであ乙。
一方、従来技術において、倣小変立を与えるための装置
＃とじてバイモルフ圧ｉｉｃ水子を用いることは周知で
あり、自営用いられる片持梁方式のバイモルフ圧ｔ＊子
の応用列としてはビデオディスク等の光学系を用い免シ
ステムで該バイモルフ圧電素子の先端ｊｒこミラーを取
り付はレーザー光の偏向素子とし、て、ちるいは、ヘリ
カルスキャン型ｖ’ｒａでの１−））ラッキングのため
のビデオヘッド−向虞子等が挙げられる。これらの応用
例はいずれもバイモルフ圧電素子を琳−型で用い、又、
偏向物を該バイモルフ王（素子を片持梁で用い、その先
端に取り１・ｉ５る寺の方法が主流である。しかるにこ
の方法にお（Ｑては、バイモルフ圧４Ｊ子先端に、パイ
七Ｉレフ圧１１水子と比較して軽−の物体を１反り付け
ることが渚であり、たとえばヘリカルスキャン型ｖ′ｒ
ルでの応用列ではビデオヘッドの１瀘１１１ は５〜１０１ｎｇ ト、バイモルフ圧ＩＥ素子のそれに
比ベト分怪いため、このような応用例ではバイモルフ圧
電菓子の耐久性、ｆ＊械的強１度と偏向物には大きな１
係はない、ところが上１ピ固体撮康素子をバイモルフ圧
電素子によって撮動させようとした場１、一体重１象本
子は代表的な素子の大きさで、縦３０５鴎、横１５騙、
厚さ３ｊ１ｍ、重さ５ｇであり、従来の偏向物に比較し
て夢枕、 １ｉｉｉ共に大きいためバイモルフ圧喝虞子
の先端にこのように重−のあるものを収り付けるとする
とバイモルフ圧電素子の耐久性について間喧が生ずる。
＃とじてバイモルフ圧ｉｉｃ水子を用いることは周知で
あり、自営用いられる片持梁方式のバイモルフ圧ｔ＊子
の応用列としてはビデオディスク等の光学系を用い免シ
ステムで該バイモルフ圧電素子の先端ｊｒこミラーを取
り付はレーザー光の偏向素子とし、て、ちるいは、ヘリ
カルスキャン型ｖ’ｒａでの１−））ラッキングのため
のビデオヘッド−向虞子等が挙げられる。これらの応用
例はいずれもバイモルフ圧電素子を琳−型で用い、又、
偏向物を該バイモルフ王（素子を片持梁で用い、その先
端に取り１・ｉ５る寺の方法が主流である。しかるにこ
の方法にお（Ｑては、バイモルフ圧４Ｊ子先端に、パイ
七Ｉレフ圧１１水子と比較して軽−の物体を１反り付け
ることが渚であり、たとえばヘリカルスキャン型ｖ′ｒ
ルでの応用列ではビデオヘッドの１瀘１１１ は５〜１０１ｎｇ ト、バイモルフ圧ＩＥ素子のそれに
比ベト分怪いため、このような応用例ではバイモルフ圧
電菓子の耐久性、ｆ＊械的強１度と偏向物には大きな１
係はない、ところが上１ピ固体撮康素子をバイモルフ圧
電素子によって撮動させようとした場１、一体重１象本
子は代表的な素子の大きさで、縦３０５鴎、横１５騙、
厚さ３ｊ１ｍ、重さ５ｇであり、従来の偏向物に比較し
て夢枕、 １ｉｉｉ共に大きいためバイモルフ圧喝虞子
の先端にこのように重−のあるものを収り付けるとする
とバイモルフ圧電素子の耐久性について間喧が生ずる。
第１図ｆａ）〜（ｄ）は上述の従来の単一型片持梁パイ
ｅルフ圧＃１卓子を用いて前記固体撮ｒ象素子の偏向を
行なう１合の概略図で、この図を用いてその間一点につ
き峰しく述べる。
ｅルフ圧＃１卓子を用いて前記固体撮ｒ象素子の偏向を
行なう１合の概略図で、この図を用いてその間一点につ
き峰しく述べる。
第１図＋ａ） 、 （ｂ）において固体撮１寮木子１は
、そり直上立直に取り付けられたバイモルフ圧電菓子２
とこのバイモルフ圧ＩＩｃ素子２を固定する基台３によ
り１向が町症なように取り付けられる。このように構成
された固体１壕孝子の偏向方法にしいては、第１図（Ｃ
）に示す如く、固体ｍ 律素子ｌは矢印 １”の方向の
み偏向可能であるが、第１図（ｄ）に示す如く、固体偉
１象素子はその偏向駿と川に基準位置（偏向を与えない
位置）から０の傾斜を持ってしまう。このことは固体Ｐ
Ｉ＆像素子面内での光学的情報の不均一を生じ、一体撮
偉素子面内で焦点が正確に一致しないことを意味する。
、そり直上立直に取り付けられたバイモルフ圧電菓子２
とこのバイモルフ圧ＩＩｃ素子２を固定する基台３によ
り１向が町症なように取り付けられる。このように構成
された固体１壕孝子の偏向方法にしいては、第１図（Ｃ
）に示す如く、固体ｍ 律素子ｌは矢印 １”の方向の
み偏向可能であるが、第１図（ｄ）に示す如く、固体偉
１象素子はその偏向駿と川に基準位置（偏向を与えない
位置）から０の傾斜を持ってしまう。このことは固体Ｐ
Ｉ＆像素子面内での光学的情報の不均一を生じ、一体撮
偉素子面内で焦点が正確に一致しないことを意味する。
さらに第１図に示す偏向方法においては、−向物が直い
ためバイモルフ圧電素子２の機械的強度が信頼性に大き
（影響し、バイモルフ圧−素子の設計が甑めて困−であ
り、信頼性、性能面で十分な候品を得ることができない
という欠点があった。
ためバイモルフ圧電素子２の機械的強度が信頼性に大き
（影響し、バイモルフ圧−素子の設計が甑めて困−であ
り、信頼性、性能面で十分な候品を得ることができない
という欠点があった。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、ｉｆＩ述
の如き、固体漕４１！ ｆ２Ｉｌｔの高解像度化を得る
為に、（１）機械Ｉｇ強度に優れ、（２）バイモルフ圧
題素子自体で大きな変位が得られ偏向の際、固体撮１象
素子の微小角度の制御が６絡となり、信頼性、機械的強
度に優れた製品化が８！Ａな固体撮１砿木子の偏向榛凌
を礎供することを目的とする。
の如き、固体漕４１！ ｆ２Ｉｌｔの高解像度化を得る
為に、（１）機械Ｉｇ強度に優れ、（２）バイモルフ圧
題素子自体で大きな変位が得られ偏向の際、固体撮１象
素子の微小角度の制御が６絡となり、信頼性、機械的強
度に優れた製品化が８！Ａな固体撮１砿木子の偏向榛凌
を礎供することを目的とする。
本発明は一＆台と、両端をスプリング作用を有する支持
体を介して前記基台に固定されたバイモルフ圧電素子と
、 Ａ（Ｉ紀バイモルフ圧電素子の＆筋発生が自と平行
に移動可能な如く取着された固体１暉素子とｔｌ−具備
した固体融１象素子の偏向装［縦である。
体を介して前記基台に固定されたバイモルフ圧電素子と
、 Ａ（Ｉ紀バイモルフ圧電素子の＆筋発生が自と平行
に移動可能な如く取着された固体１暉素子とｔｌ−具備
した固体融１象素子の偏向装［縦である。
つまり、固体撮像素子を平行にかつ水平に移動するため
の手段として、また従来方式である片持梁バイモルフ圧
電素子Ｑ）欠点である機械的強１（を改善する手段とし
て、バイモルフ圧電素子を両端支持方式で用い、かつ両
端支持方式の欠点である変位置の減少を、両端支持の方
法を改善したものでおる。この晴東両端支持方式によれ
ば最大変位の得られるバイモルフ圧電系子の長手方向の
中心に前記固体蟻１′蹟素子を取着しても十分な強度が
得られる。また゛、変位置については、バイモルフ圧＃
を素子と固定層の間にスプリング作用を有する支持具を
用いることで両端自由に甑めて近よった形の固定方法を
邂現し、増大が計られ九。
の手段として、また従来方式である片持梁バイモルフ圧
電素子Ｑ）欠点である機械的強１（を改善する手段とし
て、バイモルフ圧電素子を両端支持方式で用い、かつ両
端支持方式の欠点である変位置の減少を、両端支持の方
法を改善したものでおる。この晴東両端支持方式によれ
ば最大変位の得られるバイモルフ圧電系子の長手方向の
中心に前記固体蟻１′蹟素子を取着しても十分な強度が
得られる。また゛、変位置については、バイモルフ圧＃
を素子と固定層の間にスプリング作用を有する支持具を
用いることで両端自由に甑めて近よった形の固定方法を
邂現し、増大が計られ九。
次お本発明に用いられるスプリング作用を有する支持体
としては、所望の変形を吸収する事のある弾性を誉する
ものでおれば適宜４択する事がＣき、支持体自身がスプ
リング作用をするもので、もしくは金−帯の中１ＩＪ１
部に礪砿的加工によりスプリング作用を持たせたもの等
を用いる事ができる。
としては、所望の変形を吸収する事のある弾性を誉する
ものでおれば適宜４択する事がＣき、支持体自身がスプ
リング作用をするもので、もしくは金−帯の中１ＩＪ１
部に礪砿的加工によりスプリング作用を持たせたもの等
を用いる事ができる。
本発明による両端支持方式を用いたバイ上１７圧鑞素子
により固体撮像素子を（−向させればｓ ｔ１画・１
支持により機械的強度が向上する。２）固体撮１験素子
がバイモルフ圧電素子の変位発生方向に対し＋行修動−
ｉる九め、固体ｒＩ＆１ｍ素子内の各セルが１・り一移
動し、均一に固体撮！ｊＪ！素子の高層１度化がΔｔら
れる。３）両端支持方式においてバイモルフ圧りｔ素子
と固定端の間ケスプリング作用を有する支ｒ＃ Ｋを用
いることで従来の両端支持方式と比較して３倍以トの変
位−をＯｆ牝とし１１！Ｉｉ体撮１歳素子−向＾１殻の
小型化、低４圧化が実現できｔｏ〔発明の央織例〕 以下に本定明を詳細に説明する。第２図は本発明による
固体１懺索子のＩＪ４同装置の一実施例を説明すもため
のｅ略の斜視図である。また第３図は本発明に用いろバ
イモルフ壬４卓子を説明するための断面図である。
により固体撮像素子を（−向させればｓ ｔ１画・１
支持により機械的強度が向上する。２）固体撮１験素子
がバイモルフ圧電素子の変位発生方向に対し＋行修動−
ｉる九め、固体ｒＩ＆１ｍ素子内の各セルが１・り一移
動し、均一に固体撮！ｊＪ！素子の高層１度化がΔｔら
れる。３）両端支持方式においてバイモルフ圧りｔ素子
と固定端の間ケスプリング作用を有する支ｒ＃ Ｋを用
いることで従来の両端支持方式と比較して３倍以トの変
位−をＯｆ牝とし１１！Ｉｉ体撮１歳素子−向＾１殻の
小型化、低４圧化が実現できｔｏ〔発明の央織例〕 以下に本定明を詳細に説明する。第２図は本発明による
固体１懺索子のＩＪ４同装置の一実施例を説明すもため
のｅ略の斜視図である。また第３図は本発明に用いろバ
イモルフ壬４卓子を説明するための断面図である。
まｒ１第２図で一体盪津素子ｌＯは、基台５にスプリン
グ作用を有する支持体３１，３２，３３．３４を介して
取着されたバイモルフ圧１１Ｅ索子１２．ｔ２’の長手
方向の中心位ｔｉｌｌＣＡ）Ｋ固定されている。つまり
固体撮像素子１０はバイモルフ圧電素子α湯Ｏｊの変位
発生方向（図中矢印）と平行に移動０Ｔ能な如く職層さ
れている。ここでバイモルフ圧′（素子の長手方向の中
心位ｌ１ｌｔ（Ａ）はバイモルフ圧ｍ＊子１２゜１２′
反屈曲する際の最大振幅が得られる場所である。つまり
変位置が最大となる付蓋である。なお固体−）象素子の
バイモルフ）Ｅ電素子への取着方法としては、例えば固
体撮ず象素子のマウント裏面にピン、取付具を固定し、
バイモルフ圧電素子の長方方向における中心位１１に接
着剤、ハンダ等に固定もしくは嵌合する事ができる０本
−ｊ！施例においては、バイモルフ圧電−子１２及び１
２′に従来のＰＺＴ三成分系圧鑞セラミック材料を用い
た。バイモルフ圧′１１素子としては、５ｔｍ幅、１８
龍長さ、０．１５１１１厚みの圧電セランツク素子２枚
を貼り合せ接合したものを用い友。またスプリング作用
を有する支持体３１，３２，３３．３４には５鵡幅で５
０μ【ｎ厚のニッケル板を変位量が最大となるように適
当な大きさに加工（中間部において半径２ｍの曲線に加
工し、両端は基台、バイモルフ圧Ｗｔ素子と接合する為
に直角に曲げられている）シ、前記基台５と前記バイモ
ルフ圧電素子１２ 、１２’間に接合され、支持体とし
て作用する。バイモルフ圧電素子１２ 、１２’は互に
平行であるように基台５にスプリング作用を有する支持
体を介して支持されている。このように１成された固体
蟻１象素子の偏向装置においてはバイモルフ圧電卓子１
２及び１２′に印ＩＪｌ］する電界をコントロールし、
前記２つのバイモルフ王ｉｔ木子が斤に同一方向に屈曲
する必要がある。
グ作用を有する支持体３１，３２，３３．３４を介して
取着されたバイモルフ圧１１Ｅ索子１２．ｔ２’の長手
方向の中心位ｔｉｌｌＣＡ）Ｋ固定されている。つまり
固体撮像素子１０はバイモルフ圧電素子α湯Ｏｊの変位
発生方向（図中矢印）と平行に移動０Ｔ能な如く職層さ
れている。ここでバイモルフ圧′（素子の長手方向の中
心位ｌ１ｌｔ（Ａ）はバイモルフ圧ｍ＊子１２゜１２′
反屈曲する際の最大振幅が得られる場所である。つまり
変位置が最大となる付蓋である。なお固体−）象素子の
バイモルフ）Ｅ電素子への取着方法としては、例えば固
体撮ず象素子のマウント裏面にピン、取付具を固定し、
バイモルフ圧電素子の長方方向における中心位１１に接
着剤、ハンダ等に固定もしくは嵌合する事ができる０本
−ｊ！施例においては、バイモルフ圧電−子１２及び１
２′に従来のＰＺＴ三成分系圧鑞セラミック材料を用い
た。バイモルフ圧′１１素子としては、５ｔｍ幅、１８
龍長さ、０．１５１１１厚みの圧電セランツク素子２枚
を貼り合せ接合したものを用い友。またスプリング作用
を有する支持体３１，３２，３３．３４には５鵡幅で５
０μ【ｎ厚のニッケル板を変位量が最大となるように適
当な大きさに加工（中間部において半径２ｍの曲線に加
工し、両端は基台、バイモルフ圧Ｗｔ素子と接合する為
に直角に曲げられている）シ、前記基台５と前記バイモ
ルフ圧電素子１２ 、１２’間に接合され、支持体とし
て作用する。バイモルフ圧電素子１２ 、１２’は互に
平行であるように基台５にスプリング作用を有する支持
体を介して支持されている。このように１成された固体
蟻１象素子の偏向装置においてはバイモルフ圧電卓子１
２及び１２′に印ＩＪｌ］する電界をコントロールし、
前記２つのバイモルフ王ｉｔ木子が斤に同一方向に屈曲
する必要がある。
・８３図及び第４図は本発明に用いるバイモルフ圧１１
１ｃ素子を説明するための断面図であり、＠３図（ａ）
は１道来の一般的な両端支持方式の概略を示す断面図で
ある。第３ ｔ４ ｆａ）において、バイモルフ圧電素
子２１は支持板１４．１４’を介して基台の固定端１３
、１３’に接着剤等で固定されている。一方第３図（
ｂ）は本発明に用い九両４支持方法の概略図である４、
ｓ３図（ｂ）でバイモルフ圧′蝋素子２２はスプリング
作用を有する支持具１６．１６’を介して基台の固定４
１５．１５’に接着剤等で固定されている。またｖ／４
４図は、第３図に示す従来の・くイモルフ圧鑞卓子と本
発明に用いたバイモルフ圧ａｔＸ子との特性を説明する
ための曲線図である。第４図において曲−（１）は（支
）米のバイモルフ圧電素子の変位置を示ｔもので、曲線
（ｂ）は本発明に用いたバイモルフ圧鴫嵩子の変位置を
示すものでちる０図から明らかなように本発明に用いた
スプリング作用を有す６支持体を介してバイモルフ圧電
素子を固定した両端支持方法は従来の両端支持方法と比
して３倍以上の変位置が得られる。
１ｃ素子を説明するための断面図であり、＠３図（ａ）
は１道来の一般的な両端支持方式の概略を示す断面図で
ある。第３ ｔ４ ｆａ）において、バイモルフ圧電素
子２１は支持板１４．１４’を介して基台の固定端１３
、１３’に接着剤等で固定されている。一方第３図（
ｂ）は本発明に用い九両４支持方法の概略図である４、
ｓ３図（ｂ）でバイモルフ圧′蝋素子２２はスプリング
作用を有する支持具１６．１６’を介して基台の固定４
１５．１５’に接着剤等で固定されている。またｖ／４
４図は、第３図に示す従来の・くイモルフ圧鑞卓子と本
発明に用いたバイモルフ圧ａｔＸ子との特性を説明する
ための曲線図である。第４図において曲−（１）は（支
）米のバイモルフ圧電素子の変位置を示ｔもので、曲線
（ｂ）は本発明に用いたバイモルフ圧鴫嵩子の変位置を
示すものでちる０図から明らかなように本発明に用いた
スプリング作用を有す６支持体を介してバイモルフ圧電
素子を固定した両端支持方法は従来の両端支持方法と比
して３倍以上の変位置が得られる。
以上のよりに本発明に係る固体撮１砿素子の偏向装置に
よればｓ ｔ）固体撮像素子が水平にかつ平行に移動
する丸め、固体撮像素子内の各セルが同一に停動し、均
一に固体撮像素子の高層１象変化が達成される。２）両
端支持により機械的Ｉｌ！ｊｆが向上する、３）両４支
持方式においてバイモルフ圧電素子と固定端の間をスプ
リング作用を有する支持体を用いることで従来の両端支
持方法と比較して３倍以上の・（位駿が得られる０等々
の効果があり固体撮１象木子の高層ＩＪＩＩ 、ｆｆｉ
化が固体撮１１１素子の改良なしに達成される。尚本実
施例ではバイモルフ圧電素子を２個所に用いたが、バイ
モルフ圧電素子は１個所でも１１様の効果が得られる。
よればｓ ｔ）固体撮像素子が水平にかつ平行に移動
する丸め、固体撮像素子内の各セルが同一に停動し、均
一に固体撮像素子の高層１象変化が達成される。２）両
端支持により機械的Ｉｌ！ｊｆが向上する、３）両４支
持方式においてバイモルフ圧電素子と固定端の間をスプ
リング作用を有する支持体を用いることで従来の両端支
持方法と比較して３倍以上の・（位駿が得られる０等々
の効果があり固体撮１象木子の高層ＩＪＩＩ 、ｆｆｉ
化が固体撮１１１素子の改良なしに達成される。尚本実
施例ではバイモルフ圧電素子を２個所に用いたが、バイ
モルフ圧電素子は１個所でも１１様の効果が得られる。
第１図は従来技術による固体ｒＩ＆儂素子の偏向方法を
説明する丸めの概略図、第２図は本発明における固体撮
爆素子の偏向方法の実施例を説明するための概略斜ｆｊ
！図、第３−は従来及び本発明に係る両端支持方法のバ
イモルフ圧りｔ巣子を示す断面図、第４図・ｄ％′＄発
明に用い九バイモルフ圧電素子の特性例を示す曲線図。 １０・・・固体撮１象素子、１２！１２’、２１．２２
・・・バイモルフＦＥ（素子、３１，３２，３３，３４
，１６．１６’・・・スプリング作用を有する支持体、
５・・・基台。 代理人 弁４士 則 近 憲 佑 ｒ ！’４議、１ Ｑ １ 第 １ 図 第 ２ 図 出
説明する丸めの概略図、第２図は本発明における固体撮
爆素子の偏向方法の実施例を説明するための概略斜ｆｊ
！図、第３−は従来及び本発明に係る両端支持方法のバ
イモルフ圧りｔ巣子を示す断面図、第４図・ｄ％′＄発
明に用い九バイモルフ圧電素子の特性例を示す曲線図。 １０・・・固体撮１象素子、１２！１２’、２１．２２
・・・バイモルフＦＥ（素子、３１，３２，３３，３４
，１６．１６’・・・スプリング作用を有する支持体、
５・・・基台。 代理人 弁４士 則 近 憲 佑 ｒ ！’４議、１ Ｑ １ 第 １ 図 第 ２ 図 出
Claims (1)
- 基台と、両端をスプリング作用を有する支持体を介して
前記基台に固定されたバイモルフ圧電素子と、前記バイ
モルフ圧電卓子の変位発生方向と
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078328A JPS58196773A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 固体撮像装置 |
| EP82306971A EP0083240B1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-24 | Solid state image sensor with high resolution |
| DE8282306971T DE3278604D1 (en) | 1981-12-25 | 1982-12-24 | Solid state image sensor with high resolution |
| US06/484,511 US4554586A (en) | 1982-05-12 | 1983-04-13 | Solid state image sensing device |
| CA000426865A CA1200881A (en) | 1982-05-12 | 1983-04-27 | Solid state image sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078328A JPS58196773A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196773A true JPS58196773A (ja) | 1983-11-16 |
| JPH0245874B2 JPH0245874B2 (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13658896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078328A Granted JPS58196773A (ja) | 1981-12-25 | 1982-05-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196773A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687437A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Murata Mach Ltd | 物品搬送装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5592088A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-12 | Sony Corp | Head support unit in recording and reproducing device |
| JPS5698968A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Toshiba Corp | Picture input device |
| JPS58130677A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57078328A patent/JPS58196773A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5592088A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-12 | Sony Corp | Head support unit in recording and reproducing device |
| JPS5698968A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Toshiba Corp | Picture input device |
| JPS58130677A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245874B2 (ja) | 1990-10-12 |
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