JPS581960A - イオン注入室装置 - Google Patents

イオン注入室装置

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Publication number
JPS581960A
JPS581960A JP57083317A JP8331782A JPS581960A JP S581960 A JPS581960 A JP S581960A JP 57083317 A JP57083317 A JP 57083317A JP 8331782 A JP8331782 A JP 8331782A JP S581960 A JPS581960 A JP S581960A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
disk
ion implantation
chamber
carriage
ion
Prior art date
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Pending
Application number
JP57083317A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Yoshioka
吉岡 信博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc, Nihon Shinku Gijutsu KK filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP57083317A priority Critical patent/JPS581960A/ja
Publication of JPS581960A publication Critical patent/JPS581960A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイオン注入Nfl装置に関する。
従来、傭数枚のウニ八を着脱自在に取付けたディスクを
、イオン注入口を備え九真空のイオン注入窩内で回転さ
せ、敵性入口を介して導入されるイオンビームによ11
ウニ^にイオン注入処理を行なう式の装置は知られるが
該ディスクは蚊柱入室を介して内外に伸びる回転軸によ
り一転されるt一般とするもので、該ディスクを腋−転
軸に取付けするに際し該注入量に大気を導入して大暑(
−暑、その取付IINび真11に排気するを要し比稜的
ディスクの取付交換に時間が掛る不都合がi=゛かかる
不都合を解消する手段として腋注入寵を常時真空とする
と共にこれに大気圧す真空圧とに変動自在O胃ツタ璽を
グー)パルプを介して連設し、両璽閤に今ヤリツーそO
*SCよ)ディ×りを往復移励畜せることが考えられる
がζO場合該注入寵内を汚損する仁とな(皺ディスタi
取扱い操作団来るものであることが好盲し−。
本員@はこれに遺□し九イオン注入寵装置を提供するこ
とをその目的としえもので、複数枚のウニ^を着脱自在
に取付は大ディスタを、イオン注入口を備え九真−のイ
オン注入璽内で一転畜せ、該注入口を介して導入される
イオンビームによ)誼つニへにイオン注入口理を行なう
式O%OK1にて、該イオン注入口内に移動自在O書■
寵を設け、諌書簡意内に該ディスタの回転装置を収容し
て威る= 本発明の1例を別紙図mK’)龜説明する。
1111図はイオン注入装置の截断平面図1特すも必で
、(1)は比較的扁平で嘗時真II状態にあるイオン注
入i[、(2)は鉄性入口(l訃内にイオンビー^を導
入するイオン注入口、(3)は複数枚のウェハ(4)が
取付けられて回転するディスクを示し、皺ディスタ(3
)は例えば籐21111C1lEられるように円盤形に
構成され、各ウェハ(4)は該ディスク(3)の周縁附
近に開口形成した複歇儒O円孔(6)K幇応させて止め
異(6)によ)着脱自在に取付けされる。
を九(7)は該イオン注入室(1101偶に連設した大
気圧と真空圧とに変動自在ORツタ富、(a)&li誼
注入富…と該讐ツタICフ)とを連這する長手開口(9
)を密閉すぺ〈設けえ開閉自在のゲートバルブ、1舖は
骸ディスク(31をS執して該注入室(13と諌田ツク
富(])との間を諌開q(9)を介して往復移動する枠
形のキャリッジを警し、皺キャリッジ舖が真空化され九
讐ツタI! (7)内にあると自はその1個に設けた伸
縮自在のチャック装置IIが予め骸ロツタ11 (7)
内に用意され大ディスク(3)を把んで鋏中ヤリツジ+
10へ塔駿し、鋏キャリッジQlは該ディスク(3)の
ウェハ(4)にイオン注入を行なうべくイオン注入室(
1)へと移動する。該キャリッジ儀・が該注入II 1
11 K入ると腋ゲーFバルブ(8)が閉じられ、該ロ
ック室(7)は一旦大気圧に戻され九のち七のII!部
の扉α通が開かれて新丸なウニ^(41を取付は丸状の
ディスク(3)が該田ツタ室(7) OJIlml K
用意されると共に該注入! (1) K於ては次のよう
なディスク駆動装置■によ)自動的に該キャリッジaθ
からディスク(3)を取外し、これKa転と左右動を与
えて該ディスク(31の各ウニ^(430金画に均等な
イオン注入IJ&環を施す。
該ディスク駆動装置alは咳イオン注入11(1)を拡
大して形成したII(1&)内を自在に移動する独立し
九mm*龜4を備え、該富a4内に該ディスク(3)を
−転させる電動機115と、該室a4を介して伸びると
共にその先端sWc該ディスク(3)と着脱自在に係着
する係着装置(2)を備え九出役自在の回転軸a1とか
らなる該ディスク(3)の回転装置(170を収容し、
腋書間iiuのamを#I易図及び第4図示のように!
(1K)に敷設し九レール(IH・上に摺動自在に支承
すると共に一癩部OWNス甑■を介してII(la)を
内外に伸びる螺杵aIK螺゛合亨せて構成°され1.、
#螺杵−が該11(1荀の外側の電動機3υによp正逆
転されると該密閉室(14が該レールαI(l碍に沿っ
て左右に移動されるようにし九、かくて該IF M l
! amはイオン注入口Qjに対しては気密状態となり
、回転装置(170から生じ勝ちの塵芥は該注入m1(
1)内へと飛散することがなくなるもの!、図示のもの
では該密II II am内を該螺杵−を覆う套管(2
)及びべ―−ズ儲との閏の気密路o4を介してイオン注
入11(1)外へ連らなるようにし良。
該回転軸重は#I5図に明示するように骸密閉11i 
(141を介して注入室口IKgIa$すると共に該密
閉室a4内の電動機四により回転される1jlS筒体(
至)件、その内部七迩)後方の鰐スシンrlaに作用す
る水その他の圧力流体によ如出没作動が与えられるロッ
ド(財)とを備え、該〒ラド(財)の先1111に該デ
ィスク(3)の中心孔(至)内に進入して拡開すること
により*ディスク(3)を係着把持する係着装置舖會取
付けし友、ま九該係着装置舖はllジッド@O先燗O歓
射状に拡がつ九腕杆■と、これに支軸−を中心として揺
動自在の爪片偽力と、該ロッド−の先端に設けられ且つ
線回転篩体(2)の後方のロニタリジ)璽イン)(至)
を介しての圧力流体によ〕出没作動して前記爪片eOK
揺動作動を与える把持操作ピストン(至)とを備え、該
把持操作ピストン(至)がその前方のばね(財)によ〕
〕該−ツド■に引自込まれると該爪片・珍が拡IIi該
ディスタ(3)がその中心孔(2)内KMて係着把持さ
れる。
該係着装置aeによシ係着把持され九ディスク(3)は
該璽ツド(2)の没入で第5図実線示のイオン注入位置
KMII、−転筒体(至)及びこれと共Kin転する―
ラド@によ〕回転されるが、との場会該ディスク(3)
の背mが該−転筒体@O先端の一体11に影成し九環林
の突起(至)と係合してバックアップされるようKL、
該ディスク(3)の回転中に生じ勝ちな1iil一方向
O12動を防止するようにし良、IFイオン注入位置K
Mては、該ディスク(3)は電動機鱈によシ回転されそ
の複数枚のウニ八(4)を順次イオンビームO前方に至
もしめると共に密閉室a4の左右動により冬ウェハ(4
)の全面にイオンを注入するが、その注入が終ると該ジ
ッド■はその前方ド待機するキャリッジ(1(1方向へ
と突出して該ディスク(3)を塔載させ、しかるのち係
着装置αeを一旦解除して後退勤し、該キャリッジaG
がゲートパルプ(8)を介してロック室(7)K*D、
新九なウニ八(4)を取付けたディスク(3)を塔載し
て再び鋏係着装置aSOm方に来ると該装置儂・は再度
突出してディスク(3)を把み、第5図示のイオン注入
位置へと復帰させる。この場合のリッド(2)及び係着
装置1・の出没作動は、その後方のp−タリジ曹インド
@を介して接続される第6WJに例示する如き流体圧作
動装置−によシ行なわれるもので、該装置(財)はロッ
ド罰を出没作動させる丸めの低圧系回路−と係着装置a
・を作動させる丸めの高圧系回路(2)とを備も前記し
たようにイオン注入鋤珊を終えてディスク(3)をそ0
#方のキャリッジ・(IK塔載させる場合には低ffL
ji&−路gaの各開閉弁−一9−を夫々開弁すると共
にその方向−關弁−を位置(4Ia)に切換えてジッド
(2)を前進させ、皺ディスク(3)がキャリッジ(l
@に達すると該制御弁−を中立位跋(01)KIJ換え
ると同時に高圧系回路@O方向制御弁−を位置(44m
)に切換え、該リッド(財)の前方o*−vc増圧装置
−によって加圧された高圧流体を作用させると共に後方
のmwo流体が絞9−を介して排出されるようKし、皺
前方のl[−に把持操作ピストン(至)をばね(HK抗
して作動させる高圧を発生させ、かくて該操作ピストン
(至)OII進作動によれば爪片G■が内方に縮小して
ディスク(3)の中心孔(至)から■れる係着装置nの
解除作動を行なって該キャリッジa・へのディスク(3
)の塔載作動が終了するようにした。
崗、鋏今ヤリツジ鵠には畿述するディスク保持装置が設
けられ、こ、れKよって該ディスク(3)が該牛ヤリツ
ジ翰に確保される。
さらに該流体圧作動装置(2)の高圧系の方向制御弁−
をその11位置(44m)とすれば前配絞)−によJ)
I!−からの流体の排出が絞られると共に増圧装置−に
よIIEnK高圧流体が供給され続けるので係着装置(
Leは把持操作ピストン(至)がばねo4に抗して突出
し九係着装置舖の解除状■を維持した壕を後退1する。
さらに該キャリッジa・が前記胃ツタ富(7)へと戻シ
新九なウニ八(4)を取付は九ディスク(3)を塔載し
て再びディスク駆動装置■の前方に来九ときは、該流体
圧作動装置(財)の方向制御弁(財)を位置(44b)
11c切換えすれd係着*蒙fA@はこれを解除状態と
したまま該ディスク(3)の中心孔(2)へと進入し、
そこて該制御弁−を位置(44o)とすると共に低正系
の制御弁−を位t(48@)K切換えれば富−が排圧さ
れ、これに伴4って寵−の圧力も低下するので把持操作
ピストン−がばね@4により押され、かくて爪片@I)
がディスク(3)を把持すべくそ0中心孔(至)内Km
)て拡開し、同時KIHaK供給される低圧の圧力流体
によ)該係着装置−は第5WJ示のイオン注入位fKデ
ィスク食うかんで戻る。そして該ディスク(3)は電動
機LiKよる係着装置−の回転と密閉W1a4による左
右動とが与えられ該ディスク(3)上の複数枚のウニ八
(4)に勾−亀イオン注入蝙厘が施される。
鎖中ヤリツジa@性例えば馬2図示のように上下に車輪
−を備え九略方形固棒状のフレーム−にて構成されるが
、これに円板状のディスク(3)を安定に塔載するため
に第7図示の如く該7レームーのi!1llK該ディス
ク(3;の端縁を支える支片■と、ばね611で弾発さ
れて突出し該ディスク(3)の両面を支える先端2叉状
のローラーとから成るディスク保持装置を設けるように
し九、これをさもKIF述すれと該ローラーはその背I
IK接続し九ワイヤーがキャリッジα・の左右に設は九
レバー軸@によ〕引かれるとはね軸に抗して没入する奄
ので、かくて該キャリッジ翰のlII後から伺えば前記
係着装置αeによ〕鋏ディスク(31を@職し或は取外
せるようにし九、さらに腋し/(−114−は腋キャリ
ッジαQがイオン注入型(1)或はロック室(7)のデ
ィスタ着脱位置に停止1九とき各基(1)(7)の軸方
から出没するシリンダー@によシ押圧されて作動するも
ので、この際該キャリッジ<10は各室(1)(7)内
に設けえ出没自在の一ツクビン@@によシネ動KIN定
される。6ηは該キャリッジa・の1@に設けたラック
を示し、これにタイ電ングベルート(至)そOAKよシ
互に同期回転された冬1!(11(7)内の歯車−が咬
合すると該キャリッジ帥は各室il+ (7) K夫々
設けられ九し−ルーーに沿って車輪−によ)走行する。
次にその作動を説明するに1真空のイオン注入1(1)
内にゲートバルブa■を介して四ツ?1E(7)からキ
ャリッジa・によりディスク(3)が運び込まれると、
該ゲートバルブ(10が閉じ、ディスクの回転装置(1
7m)の回転軸a力が伸長してその先端の係着装置舖が
ディスク(3)の中心孔(2)内にその爪片6υを縮め
て進入する。続いて該爪片ellが該中心孔(至)内に
於て開きディスク(3)を把むと共にキャリッジ(1(
1のディスク保持**が解歓されると該回転軸a’nh
ディスク(3)を把んでイオン注入位置Ktで没入し、
そこで密M II 14内の電動機Iによる回転と螺杵
(2)で移動する密閉室64による左右動とが与えられ
、該ディスタロ)の各ウニ八(4)には密II l[@
4により塵芥の発生が防止されているので清浄1に雰囲
気に於てイオン注入処理が□処される。
このように本発明によるときはイオン注入室内に移動自
在の密WIi室を設け、その内部にディスクの回転装置
を収容するようにしたのでイオン注入室内への回転装置
からの塵芥の飛散を防止出来、不純物の混入のtk17
%イオン注入処理を行なえ、ディスクの取扱操作も迅速
に行なえる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1WJは本発明装置の1例の裁断平面図、第2WJは
そO論断正面図、第5図は第1図のm−圧作動輪電の線
図、第゛7図はキャリッジの一部拡大截断傭画閣、籐6
図は第2図の■−■線部分の拡大断面図である。 (1)・・・イオン注入室    (2)・・・イオン
注入口13+・・・ディスク     44)・・・ウ
 エ ハ(141・・・密w11i1aη・・・−転装
置特許田麺人 日本真空技II株式会社 代   理   人  北  村  欣  −f;′さ
一部 外2名

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. +a数枚のウニ八を着脱自在に取付けえディスクを、イ
    オン注入口を備え九真空Oイオン注入富内で回転嘔せ、
    該注入口を介L”l(導入されるイオンビー^に上り該
    ウニ八にイオン注入処理を行なう式のものに於て、皺イ
    オン注入富内に移動自在の密v11!を設け、該密lI
    !璽内に該ディスクの回転1置を収容して成るイオン注
    入装鎗。
JP57083317A 1982-05-19 1982-05-19 イオン注入室装置 Pending JPS581960A (ja)

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JP57083317A JPS581960A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 イオン注入室装置

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JP57083317A JPS581960A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 イオン注入室装置

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JP2221481A Division JPS57136755A (en) 1981-02-19 1981-02-19 Disc operating device for ion implanting device

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JPS581960A true JPS581960A (ja) 1983-01-07

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JP57083317A Pending JPS581960A (ja) 1982-05-19 1982-05-19 イオン注入室装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615898A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 東京電力株式会社 ヒ−トポンプ式衣類乾燥機
JPS61146299A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 東京電力株式会社 衣類の乾燥終了時の検出方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55104057A (en) * 1979-02-02 1980-08-09 Hitachi Ltd Ion implantation device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55104057A (en) * 1979-02-02 1980-08-09 Hitachi Ltd Ion implantation device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615898A (ja) * 1984-06-19 1986-01-11 東京電力株式会社 ヒ−トポンプ式衣類乾燥機
JPS61146299A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 東京電力株式会社 衣類の乾燥終了時の検出方法
JPH0371160B2 (ja) * 1984-12-20 1991-11-12 Tokyo Denryoku Kk

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