JPS58191529A - Logical circuit - Google Patents

Logical circuit

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JPS58191529A
JPS58191529A JP57074756A JP7475682A JPS58191529A JP S58191529 A JPS58191529 A JP S58191529A JP 57074756 A JP57074756 A JP 57074756A JP 7475682 A JP7475682 A JP 7475682A JP S58191529 A JPS58191529 A JP S58191529A
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Japan
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logic
node
output
potential side
side power
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JP57074756A
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Inventor
Takayasu Sakurai
貴康 桜井
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/096Synchronous circuits, i.e. using clock signals
    • H03K19/0963Synchronous circuits, i.e. using clock signals using transistors of complementary type

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  • Power Engineering (AREA)
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To attain high-density circuit integration and high speed, by combining nodes having a high and a low precharge potential suitably and turning off the logical block at the post-stage at the precharge. CONSTITUTION:When a precharge signal phip is a high potential Vcc and an inversion phip' is a low potential Vss (at precharge), nodes 31, 32 are precharged to the voltage Vcc and a node 21 is precharged to the voltage Vss. At the operation (signal phip set to the voltage Vss, signal phip' set to the voltage Vcc), when inputs 11, 12 are set to the voltage Vcc, transistors(TRs) T2, T3 are set and the node 31 is discharged into the voltage Vss. Thus, TRT42 is turned on and an output 21 goes to the voltage Vcc. Then, the desired logic is realized. Through the constitution like this, an output inverter which is required for domino C-MOS logical circuits is eliminated, and the high-density circuit integration, high speed and low power consumption are attained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体LSI (大規模集積回路)特に論理L
SI、メモ’)−LSIに使用して好適する論理回路に
関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a semiconductor LSI (large scale integrated circuit), particularly a logic LSI.
SI, Memo')-Relates to a logic circuit suitable for use in LSI.

〔発明の技術的背景及びその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

従来、クロック入力をもつn入力論理f−トでは、ベル
研のMarphy等によってドミノCMOSなるものが
公知である( l5SCC81、TechniealD
igest P 230 )。これは、例えば第1図の
如きナンド回路1,2、オア回路3よりなる論理図を構
成するのに、第2図のようなトランジスタTI〜Tl1
1を用いた回路を使用する。第2図のプリチャージ信号
φPは、第3図で示したような波形をもつ信号で、φP
が低電位側電源VIIF+ (接+++J)の時期(区
間、q s 、 s e )をノリチャージ時と呼び、
φPが高電位側電源Yecの時期(区間37)を動作時
と呼ぶ。上記プリチャージ時、トランジスタTl  *
 TS  # 713はオン(導通)するため、節点3
1,32.20はvecにプリチャージされる。それは
トランジスタT、、T、IT!−がオフ(遮断)のため
、節点3 J 、 ;? 2 。
Conventionally, as an n-input logic gate having a clock input, Domino CMOS has been known by Murphy et al. of Bell Labs (15SCC81, Technical D.
igest P 230). For example, when configuring a logic diagram consisting of NAND circuits 1, 2 and OR circuit 3 as shown in FIG. 1, transistors TI to Tl1 as shown in FIG.
A circuit using 1 is used. The precharge signal φP in FIG. 2 is a signal with a waveform as shown in FIG.
The period (interval, q s , s e ) of the low potential side power supply VIIF+ (connection +++ J) is called the time of nori charging,
The period when φP is at the high potential side power supply Yec (section 37) is called the operating time. During the above precharging, the transistor Tl *
Since TS #713 turns on (conducts), node 3
1,32.20 is precharged to vec. It's a transistor T,,T,IT! - is off (blocked), so node 3 J, ;? 2.

20は、直流的にはVsmから切り離されているためで
ある。上記プリチャージ時が終了して動作時に入る前に
、入力11〜14は確定しているものとする。上記動作
時に移行すると、トランジスタT1  + T 5  
+ ’r1gはオフになり、トランジスタT4  + 
’rs  l ”illはオンになる。もし。
This is because 20 is separated from Vsm in terms of direct current. It is assumed that inputs 11 to 14 are determined before the precharge period ends and the operation starts. When transitioning to the above operation, transistor T1 + T5
+ 'r1g is turned off and transistor T4 +
'rs l ”ill turns on. If.

入力11.12が共に″H”(高)レベルならばトラン
ジスタ’r、、’rsはオンし、節点31は放電されて
低電位側電源レベルVssに落ちる。
If inputs 11 and 12 are both at "H" (high) level, transistors 'r, ,'rs are turned on, and node 31 is discharged and falls to the low potential side power supply level Vss.

従ってトランジスタTg  + 716で構成されるイ
ンバータの出力はH#になり、トランジスタT14を′
オンにする。そのため節点20は放電されてVSSに落
ちる。これでトランジスタTIT lTl1lで構成さ
れるインバータの出力は′H”となり、所望の論理が組
めることになる。論理入力の組み合わせが異なる場合も
同様である。
Therefore, the output of the inverter consisting of transistor Tg + 716 becomes H#, and transistor T14 is
turn on. Therefore, node 20 is discharged and drops to VSS. With this, the output of the inverter composed of the transistors TITlTl1l becomes 'H', and the desired logic can be constructed.The same applies when the combinations of logic inputs are different.

このようにドミノCMO8論理回路では、高電位側電源
Vecと低電位側電源V+sの間に直流パスがないため
、低消費電力である。また従来のCMO8回路と異々す
、論理を構成する部分のトランジスタ数も半減している
In this way, the Domino CMO8 logic circuit has low power consumption because there is no DC path between the high potential side power supply Vec and the low potential side power supply V+s. Also, unlike the conventional CMO8 circuit, the number of transistors that make up the logic has been halved.

しかしながらドミノCMO8論理回路では、トランジス
タTs*Ttoq或いはTll l T12 %或いは
トランジスタTI7 * T’sで構成されるインバー
タは不可欠である。なぜなら、もしとi]らの出力イン
バータがないと、プリチャージ時節点33.J 4は″
H#になり、トランジスタTI41 T’tsをオンに
している。入力11.12がH#と仮定すると、動作時
節点33はL”(低)レベルでなくてはいけない。しか
るに動作時に移った瞬間は節点33はH”のため、トラ
ンジスタT14を通して節点20を放電してしまう。次
に節点33が′″L”になっても、節点20は放電され
たまt″L#となり、誤動作することになる。
However, in Domino CMO8 logic circuits, an inverter consisting of transistors Ts*Ttoq or Tll l T12 % or transistors TI7*T's is essential. This is because if there is no output inverter such as i], the node 33. J 4 is''
becomes H#, turning on transistor TI41 T'ts. Assuming that the inputs 11 and 12 are H#, the node 33 must be at L'' (low) level during operation.However, at the moment when the input is switched to operation, the node 33 is H'', so the node 20 is discharged through the transistor T14. Resulting in. Next, even if the node 33 becomes ``L'', the node 20 remains discharged and becomes t''L#, resulting in a malfunction.

このようにドミノCMO8論理回路では出力インバータ
が不可欠であり、この出力インバータの分、信号が遅れ
ると共に、高集積密度化及び低消費電力化にも難があっ
た。
As described above, an output inverter is indispensable in the Domino CMO8 logic circuit, and this output inverter delays the signal and makes it difficult to achieve high integration density and low power consumption.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、従来のドミ
ノCMO8論理回路よりも高集積密度化、高速化、低消
費電力化が可能となる論理Io回路を提供しようとする
ものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to provide a logic Io circuit that can achieve higher integration density, higher speed, and lower power consumption than the conventional Domino CMO8 logic circuit.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明では、プリチャージ電位が高電位の節点と低電位
の節点の2s類を適切に組み合わせ、プリチャージ時に
は後段側の論理ブロックをオフとして該後段側の論理プ
ロ、りの誤動作を々くす構成としたものである。
In the present invention, the 2s type, which is a node with a high potential precharge potential and a node with a low potential, is appropriately combined, and during precharging, the logic block on the subsequent stage is turned off to prevent malfunctions of the logic block on the subsequent stage. That is.

〔発明の実施例J 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第4
図は同実施例であるが、第2図のものと対応させた場合
の例であるから、対応個所には同一符号を付して説明を
省略し、特徴とする点を説明する。図示される如くトラ
ンジスタT !  l T @ よシなる論理プロ、り
、トランジスタ’r、、’r、よシなる論理プロ、りは
それぞれナンド構成であシ、トランジスタT41 e 
T4!よシなる論理プロ、りはノア構成である。上記ナ
ンド回路の節点31(出力端)はトランジスタ14重の
r−)に接続され、他のナンド回路の節点32(出力端
)はトランジスタT41のダートに接続される。
[Embodiment J of the Invention An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Fourth
Although the figure shows the same embodiment, since it is an example in which it corresponds to that in FIG. 2, corresponding parts are given the same reference numerals and explanations will be omitted, and the characteristic points will be explained. As shown, the transistor T! l T @ Good logic pro, ri, transistor 'r,,'r, good logic pro, ri are each NAND configuration, transistor T41 e
T4! A good logic program is Noah's configuration. The node 31 (output end) of the NAND circuit is connected to the transistor 14 (r-), and the node 32 (output end) of the other NAND circuit is connected to the dart of the transistor T41.

図中のプリチャージ信号φP、φPは第3図の如き波形
をもっているものとすれば、プリチャージ時、節点31
.32はトランジスタT1+T11によυ高電位側電源
電圧Vecにプリチャージサれ、節点21はトランジス
タT4mによシ低電位側電源電圧Vssにプリチャージ
される。次に動作時、入力11.12がVccだとする
と、トランジスタT z  e T sはオンとなシ、
節点31は放電されてViaとなる。このためトランジ
スタテ4鵞がオンとなシ、出力21はVCCに高められ
る。これによりて所望の論理が実現されているのが理解
できる。入力が他の状態の時も同様である。即ち第4図
の回路は第2図の回路と同等の機能を果している。
Assuming that the precharge signals φP and φP in the figure have waveforms as shown in FIG.
.. The node 32 is precharged to the high potential power supply voltage Vec by the transistors T1+T11, and the node 21 is precharged to the low potential power supply voltage Vss by the transistor T4m. Next, during operation, if the input 11.12 is Vcc, the transistor T ze T s is turned on.
Node 31 is discharged and becomes Via. Therefore, when the transistor T4 is turned on, the output 21 is increased to VCC. It can be seen that the desired logic is realized through this. The same applies when the input is in other states. That is, the circuit of FIG. 4 performs the same function as the circuit of FIG. 2.

第4図ではPチャネル型トランジスタ、Nチャネル型ト
ランジスタを使用した例を示したが、本発明の概念はも
つと広範囲なものである。第5図には、以下の説明で使
用する負論理スイッチ(第5図(&))と正論理スイッ
チ(第5図(b) ) −の記号を示す、負論理スイッ
チ/正論理スイッチとは、コントロールゲート101/
104に低電位を与えた時、両端子102.103/1
05.106間がオン/オフし、高電位を与えた時には
逆にオフ/オンする論理スイッチをいう。出力負論理ダ
ート(第6図(1) )及び出力正論理ff−)(第6
図(b))は、上記論理スイッチを使って構成される。
Although FIG. 4 shows an example using a P-channel type transistor and an N-channel type transistor, the concept of the present invention is quite wide-ranging. Figure 5 shows the negative logic switch (Figure 5 (&)) and positive logic switch (Figure 5 (b)) - symbols used in the following explanation.What is a negative logic switch/positive logic switch? , control gate 101/
When applying a low potential to 104, both terminals 102.103/1
It is a logic switch that turns on/off between 05 and 106, and turns off/on when a high potential is applied. Output negative logic dart (Figure 6 (1)) and output positive logic ff-) (Figure 6
Figure (b)) is constructed using the above logical switches.

第6図中11〜InnI!′〜In′は論理入力、01
  + 01’は出力である。” 1  e L’2は
論理スイッチを1個ないし複数個組み合わせて構成され
た論理プロ、りである。正論理スイッチをNチャネル型
トランジスタ、負論理スイッチをPチャネル型トランジ
スタを使用して実現する場合には、閾値による出力論理
振幅の減少を嫌って、論理プロ、りLlはNチャネル温
トランジスタのみで構成し、論理プロ、りL12はPチ
ャネル型トランジスタのみで構成するとよい。図中51
.52はリーク補充用高抵抗(低コンダクタンス)であ
る。また図中一点鎖線の部分子4.53はもしプリチャ
ージ時、出力O1とVsmが短絡し危い場合や、出力0
7重 とVceが短絡しない場合は省略が可能である。
11~InnI! in Figure 6! '~In' are logical inputs, 01
+01' is the output. 1 e L'2 is a logic processor configured by combining one or more logic switches.The positive logic switch is realized using an N-channel transistor, and the negative logic switch is realized using a P-channel transistor. In this case, in order to prevent the output logic amplitude from decreasing due to the threshold value, it is preferable to configure the logic circuit L1 with only N-channel temperature transistors, and to configure the logic circuit L12 with only P-channel transistors. 51 in the figure.
.. 52 is a high resistance (low conductance) for leak replenishment. In addition, the part 4.53 indicated by the dashed line in the figure may be dangerous if output O1 and Vsm are short-circuited during precharging, or output 0
It can be omitted if the 7-layer and Vce are not short-circuited.

また二点鎖線の部分51.52は、プリチャージ電位が
充分長い間(論理動作が最終段の論理ダートまで伝播す
るまで)保持される場合は省略してもよい。
Further, the portions 51 and 52 indicated by two-dot chain lines may be omitted if the precharge potential is held for a sufficiently long time (until the logic operation propagates to the final stage logic dart).

論理プロ、りL 1  s L’lは動作時、所望の条
件を満足すると、第6図(a)の場合は出力0.とVm
sが、第6図(b)の場合は出力0′ll!:vCCが
電気的に接続されるように構成される。一旦この入力条
件が満足されると、出力0!はVecからVs@へ、出
力θ′重はVssからWeeへ変化する。
When the logic processor L 1 s L'l satisfies the desired conditions during operation, the output is 0.0 in the case of FIG. 6(a). and Vm
If s is as shown in FIG. 6(b), the output is 0'll! : Constructed so that vCC is electrically connected. Once this input condition is satisfied, the output is 0! changes from Vec to Vs@, and the output θ' weight changes from Vss to Wee.

重要なことは、出力角(正)論理ダートの出力を、次段
の論理r−)の論理プロ、りに含まれる負(正)論理ス
イッチのコントロールゲートに接続することにより、プ
リチャージ時その論理!口、りの両端間を非導通状態に
させておくことができるという事実で、これによりドミ
ノCMO8で出力インバータがない時に生じる誤動作は
なくなるものである。
What is important is that by connecting the output of the output angle (positive) logic dart to the control gate of the negative (positive) logic switch included in the logic pro- gram of the next stage logic logic! The fact that the terminals can be kept non-conducting will eliminate the malfunctions that occur when there is no output inverter in the Domino CMO8.

上述した如き構成によれば、従来のドミノCMO8では
、n入力の論理ゲートを構成するのに(n+4)個のト
ランジスタが必要だったのに対し、本発明による論理回
路では、出力インバータが不要のため(n+2)個のト
ランジスタで済む。もしn入力すべてが本発明による論
理回路の出力に接続されている時は、トランジスタaU
(n+1)個でよい。そのため集積度が上がる。また出
力インパークが不要なため、このインバータでの信号の
遅延がなくて高速となる。更にファンアウトが1の論理
ダートでは、出力は次段のMOS )ランノスタのゲー
ト1個を駆動すればよく、ドミノCMO8のようにMO
S )2ンジスタのダート2個を駆動する必要がある場
合に比し、出力容量の減少分だけ高速動作が可能である
。その上出力インパータのないことは、その分の消費電
力もいらないことになシ、一層の低消費電力化も実現で
きる。また従来のドミノCMO8では負論理r−ト(例
えばNOT 。
According to the configuration described above, the conventional Domino CMO8 required (n+4) transistors to configure an n-input logic gate, whereas the logic circuit according to the present invention does not require an output inverter. Therefore, only (n+2) transistors are required. If all n inputs are connected to the output of the logic circuit according to the invention, the transistor aU
(n+1) pieces are sufficient. Therefore, the degree of integration increases. Furthermore, since no output impark is required, there is no signal delay in this inverter, resulting in high speed. Furthermore, in a logic dart with a fanout of 1, the output only needs to drive one gate of the next stage MOS (MOS) Runnostar, and it is necessary to drive one gate of the MOS (MOS) runnostar in the next stage.
S) Compared to the case where it is necessary to drive two darts of two transistors, high-speed operation is possible by the reduction in output capacitance. Furthermore, since there is no output inverter, there is no need for the corresponding power consumption, and even lower power consumption can be achieved. Furthermore, in the conventional Domino CMO8, negative logic r-to (for example, NOT) is used.

NAND 、 NOR)をつくれないため、論理系とし
て完備でない。ちなみに第2図のトランジスタT、〜T
4 1 To  e Ttoはアンド回路、トランジス
タTts〜T’+sはオア回路である。しかるに本発明
による論理回路では、負論理ダートも容易に形成できる
ので、設計の自由度が増す、また本発明による回路では
、ドミノCMO8、と違い、PチャネルとNチャネルの
トランジスタ数も略等しくなり、最近のゲートアレイに
もよく適合するものである。
Since it cannot create NAND, NOR), it is not complete as a logic system. By the way, the transistors T, ~T in Figure 2
4 1 Toe Tto is an AND circuit, and transistors Tts to T'+s are OR circuits. However, in the logic circuit according to the present invention, negative logic darts can be easily formed, which increases the degree of freedom in design.In addition, in the circuit according to the present invention, unlike the Domino CMO8, the number of P-channel and N-channel transistors is approximately equal. , which is well suited to modern gate arrays.

第7図、第8図は本発明の他の実施例であル、本発明の
思想によシ、ナンド回路71.72、ノア回路73、オ
ア回路74の論理回路をトランジスタ76〜9oで実現
した本のである。
7 and 8 show other embodiments of the present invention, in which logic circuits of NAND circuits 71, 72, NOR circuits 73, and OR circuits 74 are realized by transistors 76 to 9o according to the idea of the present invention. This is a book written by

なお本発明は実施例のみに限られるものではなく、稽々
の応用が可能である。例えば本発明においては、第4図
において各トランジスタのチャネル型を逆にした構成と
してもよい、。また本発明においては、例えば第6図(
a)において出力01とVec間を、リーク補充用抵抗
51のみで、トランジスタT1を省略した形釦してもよ
いし、を丸薬6図(b)において出力o′1 とVec
間を、抵抗52のみで、トランジスタTag を省略し
た形にしてもよい。また本発明においては、例えば第6
図(a)においてトランジスタT4 。
Note that the present invention is not limited to the embodiments only, and can be applied in many ways. For example, in the present invention, the channel type of each transistor may be reversed in FIG. 4. In addition, in the present invention, for example, FIG.
In a), the connection between the output 01 and Vec may be made by using only the leakage replenishment resistor 51 and omitting the transistor T1, or in Figure 6 (b), the output o'1 and Vec may be connected.
It is also possible to use only the resistor 52 between them and omit the transistor Tag. Further, in the present invention, for example, the sixth
In figure (a) transistor T4.

Vs−の代りに、ノード6ノに信号φPを供給してもよ
いし、また第6図(b)においてトランジスタ53、v
ceの代シに、ノード62に信号φPを供給するように
してもよい。
Instead of Vs-, the signal φP may be supplied to the node 6, and in FIG. 6(b), the transistor 53, V
The signal φP may be supplied to the node 62 in place of ce.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した如く本発明によれば、従来のドミノCMO
S論理回路より高集積密度化、高速化、低消費電力化、
設計の容易化などが可能となる論理回路が提供できるも
のである。
As explained above, according to the present invention, the conventional Domino CMO
Higher integration density, higher speed, lower power consumption than S logic circuit,
A logic circuit that can be easily designed can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は論理回路図、第2図は同回路をドミノCMO8
構成で実現した回路図、第3図は同回路の動作を示す信
号波形図、第4図は本発明の一実施例の回路図、第5図
は論理スイッチを記号化した図、第6図は本発明の実施
例を一般化して示す構成図、第7図、第8図は本発明の
他   。 の実施例を説明するための論理回路図である。 T1〜Ts 、T41〜T43・・・MOSトランジス
タ、si、sx・・・高抵抗(低コンダクタンス)、L
 1  + L’l・・・論理プロ、り、21.31.
32゜01  m ()l、・・・出力端(節点)、6
1.62・・・節点・ 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1区 第2図 第3図 35         37       36第6図 (a)        (b) 1
Figure 1 is a logic circuit diagram, Figure 2 shows the same circuit in Domino CMO8
Fig. 3 is a signal waveform diagram showing the operation of the circuit, Fig. 4 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 5 is a diagram symbolizing the logic switch, Fig. 6 is a generalized configuration diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are diagrams showing other embodiments of the present invention. FIG. 2 is a logic circuit diagram for explaining an embodiment of the present invention. T1-Ts, T41-T43...MOS transistor, si, sx...high resistance (low conductance), L
1 + L'l...Logic pro, ri, 21.31.
32゜01 m ()l, ... Output end (node), 6
1.62...Node/Applicant's agent Patent attorney Suzue Takehiko District 1 Figure 2 Figure 3 35 37 36 Figure 6 (a) (b) 1

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  コントロールダートに高電位をかけると両端
間が導通状態になる正論理スイッチと、コントロールケ
゛−トに低電位をかけると両端間が導通状態になる負論
理スイッチとを総称して論理スイッチと呼び、また第1
の節点を、プリチャージ時高電位側電源と電気的に接続
すると共に動作時、入力によらず繭記高電位側電源から
は直流的に切り離すか、もしくは第1の論理プロ、りが
導通した時のコンダクタンスより小さいコンダクタンス
で高電位側電源と連結する第1のプリチャージ手段と、
第2の節点を動作特低電位側電源に接続する第1の手段
と、前記第1の節点と第2の節点との間に論理スイッチ
が設けられた前記第1の論理ブロックとを有し、前記第
1の節点を出方端子とする論理ケ°−トを出力負論理ダ
ートと呼び、第3の節点を、プリチャージ時低電位側電
源と電気的に接続すると共に動作時、入力によらず低電
位側電源からは直流的に切シ離すか、もしくは第2の論
理プロ、りが導通した時のコンダクタンスよシ小さいコ
ンダクタンスで低電位側電源と連結する第2のプリチャ
ージ手段と、第4の節点を創作時高電位側電源に電気的
に接続する第2の手段と、前記第3の節点と第4の節点
との間に論理スイ、チが設けられた前記第2の論理プロ
、りとを有し、前記第3の節点を出力端子とする論理ダ
ートを出力正論理ダートと呼ぶとき、出力負論理ダート
と出力正論理ダートを共に有し、出力p論理ケ゛−トの
出力を次段の論理デートの論理r−)に含まれる負論理
スイッチのコントロールク°−トに接続する結線を有す
るか、もしくは出力正論理r−)の出力を次段の論理ダ
ートの論理ブロックに含まれる正論理スイッチのコント
ロールff−)に接続する結線を有することを特徴とす
る論理回路。
(1) A positive logic switch that becomes conductive between both ends when a high potential is applied to the control gate, and a negative logic switch that becomes conductive between both ends when a low potential is applied to the control gate are collectively referred to as logic switches. Also called the first
The node is electrically connected to the high-potential side power supply during precharging, and during operation, it is disconnected from the high-potential side power supply regardless of the input, or the first logic circuit is electrically connected. a first precharge means connected to a high potential side power supply with a conductance smaller than the conductance of the first precharge means;
a first means for connecting a second node to an operating extra-low potential side power supply; and a logic block provided with a logic switch between the first node and the second node. , the logic gate having the first node as the output terminal is called an output negative logic gate, and the third node is electrically connected to the low potential side power supply during precharging and is connected to the input during operation. a second precharging means that is either directly disconnected from the low potential power source or connected to the low potential power source with a conductance smaller than the conductance when the second logic circuit is conductive; a second means for electrically connecting a fourth node to a high potential side power supply at the time of creation; and a logic switch provided between the third node and the fourth node. When a logic dart having pro and gate terminals and having the third node as an output terminal is called an output positive logic dart, it has both an output negative logic dart and an output positive logic dart, and an output p logic gate. It has a connection to connect the output to the control gate of the negative logic switch included in the logic r-) of the next stage logic date, or the output of the output positive logic r-) is connected to the logic block of the next stage logic dirt. A logic circuit characterized in that it has a connection connected to a control ff-) of a positive logic switch included in the logic circuit.
(2)  前記第1の論理ブロックが正(負)論理スイ
ッチだけで構成され、前記第2の論理ブロックが負(正
)論理スイッチだけで構成されることを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載の論理回路。
(2) Claim 1, wherein the first logic block is composed of only positive (negative) logic switches, and the second logic block is composed of only negative (positive) logic switches. Logic circuit described in Section.
(3)前記正論理スイッチをNチャネル型MOSトラン
ジスタで、前記負論理スイッチをPチャネル型MO8)
ランジスタで構成することを特徴とする特許請求の範囲
第1項または第2項に記載の論理回路。
(3) The positive logic switch is an N-channel type MOS transistor, and the negative logic switch is a P-channel type MO8)
3. The logic circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is formed of a transistor.
(4)前記第1のプリチャージ手段をPチャネル型MO
8)ランジスタで、第2のプリチャージ手段をNチャネ
ル型MO8)ランジスタで構成し、前記第2の手段を単
に第4の節点と高電位側布。 源を結線するか或いはPチャネル型MO8)ランジスタ
を使用して構成し、かつ前記第1の手段を単に第2の節
点と低電位側電源を結線するか或いはNチャネル型MO
8)ランジスタを使用して構成することを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の論理回路。
(4) The first precharge means is a P-channel type MO
8) A transistor, the second precharging means is composed of an N-channel type MO8) transistor, and the second means is simply connected to the fourth node and the high potential side cloth. The first means can be configured by simply connecting the second node and the low potential side power source, or by using a P-channel type MO8) transistor, or by connecting the first means to the second node and the low-potential side power source, or by using an N-channel type MO8) transistor.
8) The logic circuit according to claim 1, which is constructed using transistors.
(5)  前記第1のプリチャージ手段と並列配置され
為電位側電源と第1の節点を動作時も低いコンダクタン
スで接続する手段かあるいは前記第2のプリチャージ手
段と並列配置され低電位側電源と第3の節点を動作時も
低いコンダクタンスで接続する手段を有することを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の論理回路。
(5) A means arranged in parallel with the first precharge means to connect the potential side power supply and the first node with low conductance even during operation, or a low potential side power supply arranged in parallel with the second precharge means. 2. The logic circuit according to claim 1, further comprising means for connecting the first node and the third node with low conductance even during operation.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6075127A (en) * 1983-09-30 1985-04-27 Sharp Corp Cmos logical circuit

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JPS4917148A (en) * 1972-05-29 1974-02-15
JPS52663A (en) * 1975-05-10 1977-01-06 Nippon Haigou Shiryo Kk Extruding type press steaming device

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