JPS58190895A - 液相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS58190895A JPS58190895A JP57072442A JP7244282A JPS58190895A JP S58190895 A JPS58190895 A JP S58190895A JP 57072442 A JP57072442 A JP 57072442A JP 7244282 A JP7244282 A JP 7244282A JP S58190895 A JPS58190895 A JP S58190895A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/912—Replenishing liquid precursor, other than a moving zone
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は化合物半導体混晶の液相エピタキシャル成長方
法、特に溶液の温度に差を与えることを必要としない液
相エピタキシャル成長方法に関する。
法、特に溶液の温度に差を与えることを必要としない液
相エピタキシャル成長方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
光通信、各種の産業用機器或いは民生分野において、情
報信号の媒体に用いる光を生成し、検出するための菓子
として、半導体発光装置、受光装置が特に著しい進展を
続けている〇 すなわち、光通信に関しては、波長０．８〔μｍ〕帯に
おいてアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｊｌＧ ａ
Ａ ｓ ）／ガリウム・砒素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）ダブ
ルヘテ０接合レーザとシリコン（Ｓｔ）ＰＩＮｆｆｉ７
オトダイオード（ＰＤ）もしくはＳ１アバランシエ７オ
トダイオード（ＡＰＤ）が実用化されたが、その後光フ
ァイバの伝送損失の低減化が進められて、波長帯域１．
０乃至１．７〔μｍ〕に移行しつつあり、半導体発光装
置、受光装置の長波長化が展開されている〇 他方、情報端末機器、民生機器等の分野への広帯域の短
波長化が要望されている。
報信号の媒体に用いる光を生成し、検出するための菓子
として、半導体発光装置、受光装置が特に著しい進展を
続けている〇 すなわち、光通信に関しては、波長０．８〔μｍ〕帯に
おいてアルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｊｌＧ ａ
Ａ ｓ ）／ガリウム・砒素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）ダブ
ルヘテ０接合レーザとシリコン（Ｓｔ）ＰＩＮｆｆｉ７
オトダイオード（ＰＤ）もしくはＳ１アバランシエ７オ
トダイオード（ＡＰＤ）が実用化されたが、その後光フ
ァイバの伝送損失の低減化が進められて、波長帯域１．
０乃至１．７〔μｍ〕に移行しつつあり、半導体発光装
置、受光装置の長波長化が展開されている〇 他方、情報端末機器、民生機器等の分野への広帯域の短
波長化が要望されている。
半導体発光装置及び受光装置を所要の波長におｈて実現
するために、その波長に対応する禁制帯幅の半導体結晶
が活性層に選択され、この活性層クラッド層及び基板結
晶間の格子定数の整合が良くとれた格子歪の小さなペテ
ロ接合を基板結晶上に形成する。
するために、その波長に対応する禁制帯幅の半導体結晶
が活性層に選択され、この活性層クラッド層及び基板結
晶間の格子定数の整合が良くとれた格子歪の小さなペテ
ロ接合を基板結晶上に形成する。
この結晶成長方法としては、従来液相エピタキシャル成
長方法Ｃ以下ＬＰＥ法と略称する）が多く行われている
が、他に化学気相成長方法（ＣＶＤ法）、分子ビームエ
ピタキシャル成長方法（ＭＢＥ法）及び有機金＾化学気
相成長方法（ＭＯ−ＣＶＤ法）等があり、成長させる結
晶の組成等の条件によりＭ、長方法が選択されている◎ これらの方法により【形成される結晶は半導体発光装置
及び受元訣＠（１）特性及び佃頼腿を支配するもので、
結晶欠陥の排除、結晶組成の安定化などの点について’
Ｅｌｋ改愉が必要とされ、首だ先に述べた適用波長帯域
の拡張も結晶＊＊にがかっている。
長方法Ｃ以下ＬＰＥ法と略称する）が多く行われている
が、他に化学気相成長方法（ＣＶＤ法）、分子ビームエ
ピタキシャル成長方法（ＭＢＥ法）及び有機金＾化学気
相成長方法（ＭＯ−ＣＶＤ法）等があり、成長させる結
晶の組成等の条件によりＭ、長方法が選択されている◎ これらの方法により【形成される結晶は半導体発光装置
及び受元訣＠（１）特性及び佃頼腿を支配するもので、
結晶欠陥の排除、結晶組成の安定化などの点について’
Ｅｌｋ改愉が必要とされ、首だ先に述べた適用波長帯域
の拡張も結晶＊＊にがかっている。
（Ｃ） 従米技術と間１点
従来性なわれている化合物中導体のＬＰＥ法は下記の二
方法に大別される〇 印温度降下法１ｍｌ庚の温度を時間的に降下することＫ
よりて過冷却状紬とし、これによりて基板上にＮｉ晶を
成長させる方法〇 （１１）温度差法１ｍ１ｌｌ＊内に吏間的に温反差を与
えて。
方法に大別される〇 印温度降下法１ｍｌ庚の温度を時間的に降下することＫ
よりて過冷却状紬とし、これによりて基板上にＮｉ晶を
成長させる方法〇 （１１）温度差法１ｍ１ｌｌ＊内に吏間的に温反差を与
えて。
この温度差に伴なう溶液中の溶質のａｔｔＪｔ勾配によ
り基板上に結晶を成長させる方法＠ しかるに、：の温度降下法においては、良好な結晶を成
長させるために必要とする大きさの過冷却が央埃できな
い場合があり、更に成長する混晶の組成変動を抑制して
均一性を高めることが困難である◎ また１１の！ｉ１度差法においては、基板結晶の成長面
内では温度の均一性を保ちつつ、溶液方向にはできるだ
け大きい温度差を与える必要があるために、実施上は困
難が多い◎ ＸＰ）混晶の温度降下法による成長を考察する◎ｌｆ通
常のスライド式カーボンボートな用いて、Ｉ”＊ＩｎＰ
及びＧａＰを所定の重重化をも９て。
り基板上に結晶を成長させる方法＠ しかるに、：の温度降下法においては、良好な結晶を成
長させるために必要とする大きさの過冷却が央埃できな
い場合があり、更に成長する混晶の組成変動を抑制して
均一性を高めることが困難である◎ また１１の！ｉ１度差法においては、基板結晶の成長面
内では温度の均一性を保ちつつ、溶液方向にはできるだ
け大きい温度差を与える必要があるために、実施上は困
難が多い◎ ＸＰ）混晶の温度降下法による成長を考察する◎ｌｆ通
常のスライド式カーボンボートな用いて、Ｉ”＊ＩｎＰ
及びＧａＰを所定の重重化をも９て。
例えば温度８００（ロ）根綻で溶解してＩｎ−Ｇａ−Ｐ
ｍ液を作る・前記基板に対しては大きい過冷却度が必要
で、温度８００（至）近傍の成員温度では、最低めには
１０（ロ）近い過冷却度が必要であるために。
ｍ液を作る・前記基板に対しては大きい過冷却度が必要
で、温度８００（至）近傍の成員温度では、最低めには
１０（ロ）近い過冷却度が必要であるために。
１！ｔｌ記溶液を１０〔匂程斐冷却した後に、ＧａＡｄ
ｉｉｊ晶基板上にこ晶癖板上スライドし接触させて工ｎ
ｌ−４−ＸＧａｘＰ混晶を成長させることとなる。
ｉｉｊ晶基板上にこ晶癖板上スライドし接触させて工ｎ
ｌ−４−ＸＧａｘＰ混晶を成長させることとなる。
しかるに前記温度降下に際して溶液内で温（が均一には
降下せず温度差を生じて、過冷却状態が破壊され易いた
めに５（ロ）以上の過冷却状態を実現することが非常に
困難で、所要のＩｎ１−ＸＧａｘＰ結晶を再現性良く成
長させることができない。
降下せず温度差を生じて、過冷却状態が破壊され易いた
めに５（ロ）以上の過冷却状態を実現することが非常に
困難で、所要のＩｎ１−ＸＧａｘＰ結晶を再現性良く成
長させることができない。
またＩｎｌ ｘＧａｘｐ混晶は、その格子定数の組成
依存性が非常に大きく、結晶性の良好なエピタキシャル
成長層を形成するためには、成長層従うて溶液の組成変
動を極めて小さく抑えることが必要であるために、成幾
層の厚さなどについて、従米技術では限界がある・ 以上述べ九如きＬ Ｐ Ｅ法における間紬点は、溶液の
過冷却状態を、溶液の温度に時間的、空間的に差を与え
ることなく実現することができるならば解決し得るもの
と考えられる・ 本発明は、化合物半導体単結晶基板上に化合物半導体混
晶を成長せしめる液相エピタキシャル成長方法において
、溶液の過冷却状態を形成するために、溶液の温度に時
間的にも空間的にも差を与えることを必委としない成長
方法を提供することを目的とする〇 （ｅ） 発明の構成 不発明０ｉｒｔ前記目的はＴｅの液相エピタキシャル成
長方法により達成される０ （１）所望の半導体を構成する材料を含む溶成を半導体
基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物半導体層
を形成する方法において、前記化合物千尋体層を構成す
る成分の少くとも一部を含む前記半導体材料浴液を、前
記化合物半導体層を構成する成分の一部を含み且つ前記
半導体基板の面方位よりも高い稠密度の面方位を有する
結晶体に接触させ、しかる後、前記半導体材料溶液を前
記半導体基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物
半導体混晶廣を形成する工程を有することを特徴とする
液相エピタキシャル成長方法〇（２）所望の半導体を構
成する材料を含む溶液を半導体基板に接触させて、前記
半導体基板上に化合物半導体材料溶液を、前記化金物半
導体層を構成する成分の一部を含み且つ前記半導体基板
の格子定数とは異なる格子定数及び前記半導体基板の面
方位と等しいか或いはそれよりも高い稠密度の面方位を
有する結晶体に接触させ、しかる後、前記半導体材料溶
液を前記半導体基板に接触させて、前記半導体基板上に
化合物半導体混晶層を形成する工程を有することを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法０ ただし、前記の基板面の面方位より高い稠密度の面方位
とは下１［２ｏ意味である。
依存性が非常に大きく、結晶性の良好なエピタキシャル
成長層を形成するためには、成長層従うて溶液の組成変
動を極めて小さく抑えることが必要であるために、成幾
層の厚さなどについて、従米技術では限界がある・ 以上述べ九如きＬ Ｐ Ｅ法における間紬点は、溶液の
過冷却状態を、溶液の温度に時間的、空間的に差を与え
ることなく実現することができるならば解決し得るもの
と考えられる・ 本発明は、化合物半導体単結晶基板上に化合物半導体混
晶を成長せしめる液相エピタキシャル成長方法において
、溶液の過冷却状態を形成するために、溶液の温度に時
間的にも空間的にも差を与えることを必委としない成長
方法を提供することを目的とする〇 （ｅ） 発明の構成 不発明０ｉｒｔ前記目的はＴｅの液相エピタキシャル成
長方法により達成される０ （１）所望の半導体を構成する材料を含む溶成を半導体
基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物半導体層
を形成する方法において、前記化合物千尋体層を構成す
る成分の少くとも一部を含む前記半導体材料浴液を、前
記化合物半導体層を構成する成分の一部を含み且つ前記
半導体基板の面方位よりも高い稠密度の面方位を有する
結晶体に接触させ、しかる後、前記半導体材料溶液を前
記半導体基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物
半導体混晶廣を形成する工程を有することを特徴とする
液相エピタキシャル成長方法〇（２）所望の半導体を構
成する材料を含む溶液を半導体基板に接触させて、前記
半導体基板上に化合物半導体材料溶液を、前記化金物半
導体層を構成する成分の一部を含み且つ前記半導体基板
の格子定数とは異なる格子定数及び前記半導体基板の面
方位と等しいか或いはそれよりも高い稠密度の面方位を
有する結晶体に接触させ、しかる後、前記半導体材料溶
液を前記半導体基板に接触させて、前記半導体基板上に
化合物半導体混晶層を形成する工程を有することを特徴
とする液相エピタキシャル成長方法０ ただし、前記の基板面の面方位より高い稠密度の面方位
とは下１［２ｏ意味である。
すなわち、例えばＧａＡｓ 単結晶の閃亜鉛鉱形結晶構
造において、第１図（ａ）に示す（１００）面について
は一辺の長さがａ（ａは格子定数）、面積ａ“なる正方
形の本位格子尚たり２個の原子が存在するのに対し、第
１図（ｂ）に示す（１１１）８面る正三角形の単位格子
当たり２個の原子が存在する。従って単位面積当たりの
（１１１）８面の原子数は（１００）面の２／η倍とな
りており、（１１１）８面は（１００）面より稠密度が
高いもしくは高稠密腿であるという０他の結晶面及び１
％定の方位のみで規定することのでき遣い金成面につい
ても同様の稠ｆＳ度の定義を行なうものとする。
造において、第１図（ａ）に示す（１００）面について
は一辺の長さがａ（ａは格子定数）、面積ａ“なる正方
形の本位格子尚たり２個の原子が存在するのに対し、第
１図（ｂ）に示す（１１１）８面る正三角形の単位格子
当たり２個の原子が存在する。従って単位面積当たりの
（１１１）８面の原子数は（１００）面の２／η倍とな
りており、（１１１）８面は（１００）面より稠密度が
高いもしくは高稠密腿であるという０他の結晶面及び１
％定の方位のみで規定することのでき遣い金成面につい
ても同様の稠ｆＳ度の定義を行なうものとする。
前配本発明の構成（１）は化金物半導体層なｍ成する成
分の一部を含む結晶体Ｃ以下溶質源という）の尚稠密反
面と接触している三元又は四元系等の溶液の結相１ｌ１
１１度は、これより低い稠密度の結晶面に接触し【いる
場合の飽和濃度よりも高い値となることを利用し、溶液
の温度に時間的、９間的に差を与えなりでも、低稠密腿
の結晶面に対する過冷却を実現して液相エピタキシャル
成長を行なわせるものである。
分の一部を含む結晶体Ｃ以下溶質源という）の尚稠密反
面と接触している三元又は四元系等の溶液の結相１ｌ１
１１度は、これより低い稠密度の結晶面に接触し【いる
場合の飽和濃度よりも高い値となることを利用し、溶液
の温度に時間的、９間的に差を与えなりでも、低稠密腿
の結晶面に対する過冷却を実現して液相エピタキシャル
成長を行なわせるものである。
また前記本発明の＃Ｉ成（２）は、溶液から析出する同
相の格子定数に比較して溶質源の格子定数が大和と々る
（１１度に達し九後においても溶質源から溶液への溶質
の溶は込みが速度は遅くなるもののなお継続されて過冷
却状態が実現される仁とを利用る。
相の格子定数に比較して溶質源の格子定数が大和と々る
（１１度に達し九後においても溶質源から溶液への溶質
の溶は込みが速度は遅くなるもののなお継続されて過冷
却状態が実現される仁とを利用る。
前８ｔｊ（１）、 （２）の何れの場合においても、溶
液の温度を次第に降下させ、或いは溶岐内に温度勾配を
設けることは必要ではないが、これらの温題差を併用す
ることによって、成長速度を速くすることも可能である
０ また、前記（１）及び（２）の双方に該当することも多
い。
液の温度を次第に降下させ、或いは溶岐内に温度勾配を
設けることは必要ではないが、これらの温題差を併用す
ることによって、成長速度を速くすることも可能である
０ また、前記（１）及び（２）の双方に該当することも多
い。
すなわち溶質源の格子定数が基板の格子定数と後に説明
する如く大幅に異なり、かつ＃質飾の溶液に接する面が
基板の結晶成長面より高稠密腿であるならば、前記（１
）の過冷却とともに前記（２）の過冷さらに前記（１）
及び（２）のそれぞれの方法において。
する如く大幅に異なり、かつ＃質飾の溶液に接する面が
基板の結晶成長面より高稠密腿であるならば、前記（１
）の過冷却とともに前記（２）の過冷さらに前記（１）
及び（２）のそれぞれの方法において。
溶質源結晶を溶液に接触させて溶質の濃度な庖要の値に
到達させた後に、溶質源結晶を浴数から分瀧場せて溶成
を基板結晶に接触させる方法と、溶質源結晶を浴液から
分離することなく接触を持続しつつ基板結晶に溶液を接
ｌ！ｌＩさせる方法とがある。
到達させた後に、溶質源結晶を浴数から分瀧場せて溶成
を基板結晶に接触させる方法と、溶質源結晶を浴液から
分離することなく接触を持続しつつ基板結晶に溶液を接
ｌ！ｌＩさせる方法とがある。
この前者、すなわち溶質源結晶を浴液から分離させた後
に浴液な基板に接触させる方法は、従来段 技術における〃ｌ＋に冷却法に対応するとみなしうる方
法であって、従来は必要な過冷却度を実現することが困
難であった糸に対して非富に有効である。
に浴液な基板に接触させる方法は、従来段 技術における〃ｌ＋に冷却法に対応するとみなしうる方
法であって、従来は必要な過冷却度を実現することが困
難であった糸に対して非富に有効である。
また後者、すなわち基板結晶上へのエピタキシャル成長
中も溶質源と溶液との接触を持続する方法においては、
エビタキ７ヤル成長開始直後は前者と同様であるが、（
イ）＃質源結晶の浴液への溶は込与、（ロ）は浴１ｆｋ
内での府質の拡畝、（ハ）基板結晶上への混晶の成長０
という浴液内拡散による溶質の＠込が行なわれる定常状
態が形成される・この状態は先に述べた従来技術におけ
る温度差法の理想状態に対応するが１不発明においては
温度が均−ｌ／ が良好で大型のエピタキシャル成長層イ答易に得ること
ができる。
中も溶質源と溶液との接触を持続する方法においては、
エビタキ７ヤル成長開始直後は前者と同様であるが、（
イ）＃質源結晶の浴液への溶は込与、（ロ）は浴１ｆｋ
内での府質の拡畝、（ハ）基板結晶上への混晶の成長０
という浴液内拡散による溶質の＠込が行なわれる定常状
態が形成される・この状態は先に述べた従来技術におけ
る温度差法の理想状態に対応するが１不発明においては
温度が均−ｌ／ が良好で大型のエピタキシャル成長層イ答易に得ること
ができる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明を、ＧａＡｓ基板上に、これと格子整合のと
れたＩ ｎｌ ｘ Ｇ ａ ｘ ｌ’を液相成−尺せし
める実施例によフて１図■を参照して具体的に説明する
Ｏ 第２図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明のルｌの実施例の工程
を示す断面図である０ 本実施例に用いたスライド式カーボンポートは、例えば
第２図（ａ）に見られる如く、固定部１とスライダ２と
よりなるが、固定ｓ１には２個のくほみ３及び４が設け
られておりン２イダ２には孔５が設けられている。
れたＩ ｎｌ ｘ Ｇ ａ ｘ ｌ’を液相成−尺せし
める実施例によフて１図■を参照して具体的に説明する
Ｏ 第２図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明のルｌの実施例の工程
を示す断面図である０ 本実施例に用いたスライド式カーボンポートは、例えば
第２図（ａ）に見られる如く、固定部１とスライダ２と
よりなるが、固定ｓ１には２個のくほみ３及び４が設け
られておりン２イダ２には孔５が設けられている。
くぼみ２には従来知られているカーボンボートと同様に
、基板結晶６が収容されるが、本実施例においては、基
板結晶６として面指数（１００）のＧａＡｇ結晶を月曜
る０ 〈はみ３には溶質源結晶７として、Ｉｉｉ指数（１１１
）／−２− のＧａＰ結晶７を（１１１）Ｂ面を上にして収容する。
、基板結晶６が収容されるが、本実施例においては、基
板結晶６として面指数（１００）のＧａＡｇ結晶を月曜
る０ 〈はみ３には溶質源結晶７として、Ｉｉｉ指数（１１１
）／−２− のＧａＰ結晶７を（１１１）Ｂ面を上にして収容する。
まずスライダ２を第２図（ａ）に示す位置に置いて。
Ｉ ｎ ： Ｉ ｎＰ＝１（ｇ）： ２４ （ｍｇ ）
ノ比で孔５に収容し。
ノ比で孔５に収容し。
水素（Ｈ２）雰囲気中において温度７８０ （Ｃ）に昇
温し、約３０分間置くことによってＡ （Ｐ）の未飽和
インジウム（Ｉｎ）溶液８を得る。
温し、約３０分間置くことによってＡ （Ｐ）の未飽和
インジウム（Ｉｎ）溶液８を得る。
次いで第２図（ｂ）に示す如く、スライダ２をスライド
して、溶液８をＧａＰ結晶７上に導いて、燐の未飽和Ｉ
ｎ溶液８がＧａＰ結晶７の（１１１）Ｂ面に接触する状
態として、３０分間この状態に保持する。
して、溶液８をＧａＰ結晶７上に導いて、燐の未飽和Ｉ
ｎ溶液８がＧａＰ結晶７の（１１１）Ｂ面に接触する状
態として、３０分間この状態に保持する。
この間において、ＧａＰ結晶７はＰの未飽和Ｉｎ１１Ｆ
Ｍ＆８に溶解して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｐ三元溶液８／とＸ”
＝ ０．０２７程度に到達するＯ 前記時間経過後、スライダ２を更にスライドして、第２
図（Ｃ）に示す如く、溶液８′をＧａＡｓ基板結晶６に
接触させ３０分間保持する０この間に極のＩｎｌ ｘ
ＧａｘＰＧａＰ結晶７゜以上説明した第１の実施例にお
いて、温度８００（ロ）近傍におけるＩｎＯ，５ＧａＯ
１５Ｐの格子定数は５．６ｒｌｔ、Ｇａｐの格子定数は
５．４６λ程度でありて太幅に異なるが、後に詳細に説
明する如＜、ＧａＰ結晶７と清液８′との接触時間が３
０分間程度では、不発明の構成（２）の基礎とした格子
定数に大幅な走がある場合の飽′４１１ ＃ １１以上
の溶質の浴は込みの効果が現われるに至らず１不発明の
＊Ｘ（１）について説明した基板結晶６が（１００）面
で溶液８′に接触するのに対して、ｍ實姉７が（１００
）面より高稠密な（１１１）Ｂ面でＴｒ！！／＆８ ｔ
に接触するととによる過昂却効果によりてエピタキシャ
ル成長が竹なわれるＯ 不発明の第２の実施例として、前ｎｔ兜÷の実施例と、
誠置材料、温度及び成長時間は同−糸外とし、溶質源と
するＧａＰ結晶７と＃ｆｉ８’ との接触時間を６０分
間とするならば、成長するＩｎ１＝ｘＧａｘＰ混晶はＸ
＝＋０．５２．ＪＩＬさ１−４（μｍ）程度となる０る
場合の飽和濃度以上の溶質の溶は込みの効果が加わって
いる〇 本発明の第３の実施例として溶質源と溶液との接触をエ
ピタキシャル成長中も持続する例を示すＯ第３図（ａ）
乃至（Ｃ１はこの実施例の代表的工程を示す断面図であ
る０不実施例に用いたスライド弐カーイダ２の孔５には
溶液８、第２のスライダ２′のくほみ４には溶質源結晶
７が収浴されるＯ本実例において、基板結晶６は面指数
（１００）のＧａｌ結晶、溶質源結晶７はスライダ２に
対して（１１１）Ｂ面を表出するＧａＰ結晶、溶液８は
Ｉｎ：ＩｎＦ３（ｇ）：２４（ｍｇ、Ｍ）比のＩｎ−Ｐ
溶液、系全体の１ｊｊＡ度は７８０Ｃ句と、前記第１及
び第２の実施例と同一とする。
Ｍ＆８に溶解して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｐ三元溶液８／とＸ”
＝ ０．０２７程度に到達するＯ 前記時間経過後、スライダ２を更にスライドして、第２
図（Ｃ）に示す如く、溶液８′をＧａＡｓ基板結晶６に
接触させ３０分間保持する０この間に極のＩｎｌ ｘ
ＧａｘＰＧａＰ結晶７゜以上説明した第１の実施例にお
いて、温度８００（ロ）近傍におけるＩｎＯ，５ＧａＯ
１５Ｐの格子定数は５．６ｒｌｔ、Ｇａｐの格子定数は
５．４６λ程度でありて太幅に異なるが、後に詳細に説
明する如＜、ＧａＰ結晶７と清液８′との接触時間が３
０分間程度では、不発明の構成（２）の基礎とした格子
定数に大幅な走がある場合の飽′４１１ ＃ １１以上
の溶質の浴は込みの効果が現われるに至らず１不発明の
＊Ｘ（１）について説明した基板結晶６が（１００）面
で溶液８′に接触するのに対して、ｍ實姉７が（１００
）面より高稠密な（１１１）Ｂ面でＴｒ！！／＆８ ｔ
に接触するととによる過昂却効果によりてエピタキシャ
ル成長が竹なわれるＯ 不発明の第２の実施例として、前ｎｔ兜÷の実施例と、
誠置材料、温度及び成長時間は同−糸外とし、溶質源と
するＧａＰ結晶７と＃ｆｉ８’ との接触時間を６０分
間とするならば、成長するＩｎ１＝ｘＧａｘＰ混晶はＸ
＝＋０．５２．ＪＩＬさ１−４（μｍ）程度となる０る
場合の飽和濃度以上の溶質の溶は込みの効果が加わって
いる〇 本発明の第３の実施例として溶質源と溶液との接触をエ
ピタキシャル成長中も持続する例を示すＯ第３図（ａ）
乃至（Ｃ１はこの実施例の代表的工程を示す断面図であ
る０不実施例に用いたスライド弐カーイダ２の孔５には
溶液８、第２のスライダ２′のくほみ４には溶質源結晶
７が収浴されるＯ本実例において、基板結晶６は面指数
（１００）のＧａｌ結晶、溶質源結晶７はスライダ２に
対して（１１１）Ｂ面を表出するＧａＰ結晶、溶液８は
Ｉｎ：ＩｎＦ３（ｇ）：２４（ｍｇ、Ｍ）比のＩｎ−Ｐ
溶液、系全体の１ｊｊＡ度は７８０Ｃ句と、前記第１及
び第２の実施例と同一とする。
まず第３図（ａ）に示す配置においてＩｒ１−Ｐ溶液８
を形成した後に、第３図（ｂ）に示す如く、溶液８を溶
質源結晶（ＧａＰ結晶〕７に接触させる。こ質源結晶７
の位置が異なるだけである。この状態に第２の実施例と
同じく６０分間保持するＯこの時間中にＩｎ−Ｐ溶液８
中にＧａＰが溶解して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｐ三元溶液８′と
なるが、前記時間経過後、第３図（Ｃ）に示す如く、溶
質源結晶７と溶液８“どとの接触を保持したま＼＃液８
′を基板結晶６上に導き、前記二実施例と同じく３０分
間保持してＩｎ１−ｘＱａｘｐ混晶をＧａＡａ基板績晶
６上に成長させる０本実施例においてはＸ−０，５２厚
さｔ＝６（μｍ）程度のＩｎ１−ｘＱａｘｐ混晶が形成
される。
を形成した後に、第３図（ｂ）に示す如く、溶液８を溶
質源結晶（ＧａＰ結晶〕７に接触させる。こ質源結晶７
の位置が異なるだけである。この状態に第２の実施例と
同じく６０分間保持するＯこの時間中にＩｎ−Ｐ溶液８
中にＧａＰが溶解して、Ｉｎ−Ｇａ−Ｐ三元溶液８′と
なるが、前記時間経過後、第３図（Ｃ）に示す如く、溶
質源結晶７と溶液８“どとの接触を保持したま＼＃液８
′を基板結晶６上に導き、前記二実施例と同じく３０分
間保持してＩｎ１−ｘＱａｘｐ混晶をＧａＡａ基板績晶
６上に成長させる０本実施例においてはＸ−０，５２厚
さｔ＝６（μｍ）程度のＩｎ１−ｘＱａｘｐ混晶が形成
される。
この第３の実施例の結果は、羽村、温度及び時間が等し
い前記第二の実施例のＭ米より成長厚さ７が浴液８′に
接触しているために、先に述べた（イ）溶質１ＧａＦの
浴液への溶は込み、（ロ）痛峡中の一度勾配による溶質
の拡散、（ハ）Ｈｎｌ−ｘＱａｘｐ混晶のＱ ａ Ａ
８基板結、ｉ！１６上へ４Ｄ成長という拡散による溶質
の輸送が行なわれるためである。このような拡散は溶液
８′の溶質源結晶７との界面濃度が、基板結晶６との界
面一度よりも高めために。
い前記第二の実施例のＭ米より成長厚さ７が浴液８′に
接触しているために、先に述べた（イ）溶質１ＧａＦの
浴液への溶は込み、（ロ）痛峡中の一度勾配による溶質
の拡散、（ハ）Ｈｎｌ−ｘＱａｘｐ混晶のＱ ａ Ａ
８基板結、ｉ！１６上へ４Ｄ成長という拡散による溶質
の輸送が行なわれるためである。このような拡散は溶液
８′の溶質源結晶７との界面濃度が、基板結晶６との界
面一度よりも高めために。
溶質の一度勾配が溶液内に生ずるために起る◎本発明の
＠４の実施例として、前記ｊＩｊの実施例と装ｆｉｔＰ
ｉ源結晶、Ｉｎ−Ｐ二元溶液、温度及び時間は同一条件
とし、基板結晶６として面指数（１１１）ＢのＧａＡｓ
結晶を用いる点のみを異にするならば、Ｘ＝０．４８、
厚さｔ ＝１（μｍ Ｅ 程度ｔＤ良好なＩｎ１−ｘＱ
ａｘｐエピタキシャル成長層が得られる。
＠４の実施例として、前記ｊＩｊの実施例と装ｆｉｔＰ
ｉ源結晶、Ｉｎ−Ｐ二元溶液、温度及び時間は同一条件
とし、基板結晶６として面指数（１１１）ＢのＧａＡｓ
結晶を用いる点のみを異にするならば、Ｘ＝０．４８、
厚さｔ ＝１（μｍ Ｅ 程度ｔＤ良好なＩｎ１−ｘＱ
ａｘｐエピタキシャル成長層が得られる。
またこれと同様に第５の実施例として、前記第３の実施
例と装置、溶質源結晶、Ｉｎ−Ｐ二元溶液温度及び時間
は同一条件とし基板結晶６として面指数（１１１）ＢＯ
ＧａＡＩ結晶を用いる点のみを異にするならば、Ｘ−０
，４８、厚さｔ＝２（４ｍ）程度の良好なＩｎ１−ｘＱ
ａｘｐエピタキシャル成長層が得られる。
例と装置、溶質源結晶、Ｉｎ−Ｐ二元溶液温度及び時間
は同一条件とし基板結晶６として面指数（１１１）ＢＯ
ＧａＡＩ結晶を用いる点のみを異にするならば、Ｘ−０
，４８、厚さｔ＝２（４ｍ）程度の良好なＩｎ１−ｘＱ
ａｘｐエピタキシャル成長層が得られる。
なお、前二例と同様に、前記第テの実施例０基すなわち
溶質源結晶７と溶液８′との接触時間が３０分間の場合
には、基板結晶６上のエピタキシャル成長層は確認され
ず、かつ、基板結晶６の溶は込みが生じていることどが
知らｔ１７’ｔ。
溶質源結晶７と溶液８′との接触時間が３０分間の場合
には、基板結晶６上のエピタキシャル成長層は確認され
ず、かつ、基板結晶６の溶は込みが生じていることどが
知らｔ１７’ｔ。
以上説明した各実施例では何れも時間的にも空間的にも
温度差を与えることなくエピタキシャル記発明の構成（
２）に核尚し、溶液から析出する同相の格子定数に比較
して、溶質源の格子定数が大幅に異なる場合には、格−
Ｆ定誠が近似するならば飼料となる８度に達したＩ！＆
においても溶質跡から溶液への溶質の溶は込みがなお続
行することによりて夾境されているが、との溶質の溶は
込みをＭ４図を参照して説明する。
温度差を与えることなくエピタキシャル記発明の構成（
２）に核尚し、溶液から析出する同相の格子定数に比較
して、溶質源の格子定数が大幅に異なる場合には、格−
Ｆ定誠が近似するならば飼料となる８度に達したＩ！＆
においても溶質跡から溶液への溶質の溶は込みがなお続
行することによりて夾境されているが、との溶質の溶は
込みをＭ４図を参照して説明する。
第４図は、前記第１乃至第３の実施例と同様にＩｎ：Ｉ
ｎＰ＝１（ｇ）：２４［：ｍｇ）でカーボンボートの孔
５に収容された結晶を、水素（ｋｌ、ｌ＃囲気中で７８
０（’ＣＪに加熱してＩ ｎ −Ｐ ｌ１層蔽Ｂとし、
こＢ面を接触面として接触させたときの接触時間と、Ｇ
ａＰ結晶の溶液内への溶は込み量との相関を示す図表で
ある。第４図の横軸は接触時間（単位分）を、縦軸はＧ
ａＰの浴は込み１１１（単位）（ｍｇ／ｉｎ＝１ｇ〕を
示す。
ｎＰ＝１（ｇ）：２４［：ｍｇ）でカーボンボートの孔
５に収容された結晶を、水素（ｋｌ、ｌ＃囲気中で７８
０（’ＣＪに加熱してＩ ｎ −Ｐ ｌ１層蔽Ｂとし、
こＢ面を接触面として接触させたときの接触時間と、Ｇ
ａＰ結晶の溶液内への溶は込み量との相関を示す図表で
ある。第４図の横軸は接触時間（単位分）を、縦軸はＧ
ａＰの浴は込み１１１（単位）（ｍｇ／ｉｎ＝１ｇ〕を
示す。
第４図より、接触時間３０分間程度までは溶解速度が大
きいが、この時間紅過後も、はぼ一定の遅い速度で溶質
の溶は込みが続くことが知られる。
きいが、この時間紅過後も、はぼ一定の遅い速度で溶質
の溶は込みが続くことが知られる。
東
これに対して、例えばＱａ−Ａｉ−Ａ８三元系７１Ｉ飽
和溶液に、ＱａＡｓ結晶の（１１１）Ｂ面を接触させた
場合には、浴液が一定の濃度に到達すればＧａＡｓ相の
格子定数がＱａＡｓ結晶の格子定数に非常に近いために
、溶液のａ度が飽和に達すると、ＱａＡｓ結晶の表面に
容易にＧａＡＩｔＡｓ混晶の薄膜が析出して、これと溶
液との重化学的平衡が成立するためである◎ しかるに、本実験で使用したＧａＰＭ酷のＩｎ−Ｇａ−
Ｐ溶液に６０分間程度以上接触した（１１１）析等で詳
細に調査した結果、その表面への混晶の析出は全くなく
、ＧａＰが表面に出ていることが確認された。
和溶液に、ＱａＡｓ結晶の（１１１）Ｂ面を接触させた
場合には、浴液が一定の濃度に到達すればＧａＡｓ相の
格子定数がＱａＡｓ結晶の格子定数に非常に近いために
、溶液のａ度が飽和に達すると、ＱａＡｓ結晶の表面に
容易にＧａＡＩｔＡｓ混晶の薄膜が析出して、これと溶
液との重化学的平衡が成立するためである◎ しかるに、本実験で使用したＧａＰＭ酷のＩｎ−Ｇａ−
Ｐ溶液に６０分間程度以上接触した（１１１）析等で詳
細に調査した結果、その表面への混晶の析出は全くなく
、ＧａＰが表面に出ていることが確認された。
以上の結果より、Ｉｎ−０日−Ｐ溶液とＧａＰ結晶との
組合せの如く、溶液から析出する混晶の格子定数と、こ
れに接触する溶質源結晶の格子定数とが大幅に異なる場
１には、ｍ油と重化学的に平衡する混晶薄膜の形成が隔
置されるために、格子定数が近似するならば飽和となる
＃度に達した後にも、溶液の過冷却状態が破れることな
く溶質源結晶から溶液への溶は込みが継続されて溶液の
績曳が高くなり、この状態に到達した溶液に、析出する
同相に近い格子定数を有する結晶を接触させるならば、
接触面が溶質源結晶の接触面と同じ稠密度であっても、
エピタキシャル成長が行なわれることが明らかとなった
。
組合せの如く、溶液から析出する混晶の格子定数と、こ
れに接触する溶質源結晶の格子定数とが大幅に異なる場
１には、ｍ油と重化学的に平衡する混晶薄膜の形成が隔
置されるために、格子定数が近似するならば飽和となる
＃度に達した後にも、溶液の過冷却状態が破れることな
く溶質源結晶から溶液への溶は込みが継続されて溶液の
績曳が高くなり、この状態に到達した溶液に、析出する
同相に近い格子定数を有する結晶を接触させるならば、
接触面が溶質源結晶の接触面と同じ稠密度であっても、
エピタキシャル成長が行なわれることが明らかとなった
。
以上の場合は、約３．６％という非常に大きな格子定数
差がある例であるが、このことは、さらに小さな格子定
数差であっても成り立りことが確かめられている。一般
的には、その上への単結晶成長が不可能になる程度以上
の格子定数差が、析出する混晶と溶質源結晶の間に存在
すれば良く、約０．５−以上の格子定数差がこれにあた
ると考えられる。
差がある例であるが、このことは、さらに小さな格子定
数差であっても成り立りことが確かめられている。一般
的には、その上への単結晶成長が不可能になる程度以上
の格子定数差が、析出する混晶と溶質源結晶の間に存在
すれば良く、約０．５−以上の格子定数差がこれにあた
ると考えられる。
また、前記第４の実施例においてエビタキシャ６の溶液
への溶は込みを生じている前記例は、接触時間３０分間
の溶液は、ＧａＡＳ結晶の（１１１）Ｂ面に対して末だ
過冷却状態に到達しないことを示している。しかしなが
らこの溶液はＱａＡｓ結晶の（１００）面に対しては強
い過冷却状態にあることが第一の実施例より知られる。
への溶は込みを生じている前記例は、接触時間３０分間
の溶液は、ＧａＡＳ結晶の（１１１）Ｂ面に対して末だ
過冷却状態に到達しないことを示している。しかしなが
らこの溶液はＱａＡｓ結晶の（１００）面に対しては強
い過冷却状態にあることが第一の実施例より知られる。
さらに不発明によりて得られる過冷却状態と。
従来の温度降下法とを比較するために、先の第１の実施
例で得られたＧＩＩＰ（Ｄ＠け込み皺にＧａＰ及びＩｎ
Ｐを秤量し、これらをｉｉ晶状態で１ｎ中に（４）まで
昇温して約１時間保持し圧抜に温度７８僕匂まで降温し
、Ｇ ａ Ａ ’ 混晶の（１００）面及び（１１１）
Ｂ面に接触させてエピタキシャル成長を試みたが。
例で得られたＧＩＩＰ（Ｄ＠け込み皺にＧａＰ及びＩｎ
Ｐを秤量し、これらをｉｉ晶状態で１ｎ中に（４）まで
昇温して約１時間保持し圧抜に温度７８僕匂まで降温し
、Ｇ ａ Ａ ’ 混晶の（１００）面及び（１１１）
Ｂ面に接触させてエピタキシャル成長を試みたが。
何れの面についてもエピタキシャル成長層は確認されず
、特に（１００）而の場合にはＱａＡｓ結晶の大幅な溶
は込みを生じていることが明らかとなりた０この結果か
らも本発明の効果が紹められる０以上説明した実施例は
、何れも溶質柳結晶としてＧａＰ結晶の（１１１）Ｂ面
、基板結晶としてＧａＡ［！結晶の（１００）面及び（
１１１）ＢｉｉＩを用いて、Ｊｎｌ−ｘＱａｘｐを成長
させる例であるが。
、特に（１００）而の場合にはＱａＡｓ結晶の大幅な溶
は込みを生じていることが明らかとなりた０この結果か
らも本発明の効果が紹められる０以上説明した実施例は
、何れも溶質柳結晶としてＧａＰ結晶の（１１１）Ｂ面
、基板結晶としてＧａＡ［！結晶の（１００）面及び（
１１１）ＢｉｉＩを用いて、Ｊｎｌ−ｘＱａｘｐを成長
させる例であるが。
この他のＩ−Ｖ族及び■−■族等の化合物半導体の混晶
の液相エピタキシャル成長に対しても通用することが可
能であることは明らかである〇また。前記実施例の溶質
源結晶及び基板結晶は二元化合物であるが、こねは三元
またはそれ以上の多元系でありてもよく、更に溶液及び
エピタキシャル成長する混晶が四元ま九はそれ以上の多
元系であっても、またｍ貿爵結晶接触曲の未飽和躊かを
欠くことなくすべての成分を含む場合にも本発明の方法
が適用可能であることは明らかである〇さらに、溶質−
結晶及び基板結晶は複数個であって良く、捷た、本発明
の要旨きえ満しておけば。
の液相エピタキシャル成長に対しても通用することが可
能であることは明らかである〇また。前記実施例の溶質
源結晶及び基板結晶は二元化合物であるが、こねは三元
またはそれ以上の多元系でありてもよく、更に溶液及び
エピタキシャル成長する混晶が四元ま九はそれ以上の多
元系であっても、またｍ貿爵結晶接触曲の未飽和躊かを
欠くことなくすべての成分を含む場合にも本発明の方法
が適用可能であることは明らかである〇さらに、溶質−
結晶及び基板結晶は複数個であって良く、捷た、本発明
の要旨きえ満しておけば。
そのおのおのが異る方位のものでも良（八ことは言う寸
でもない。
でもない。
（ｍ 発明の効果
本発明の液相エピタキシャル成長方法によれば、溶液等
の温度に時間的にも空間的にも差を与えることなく過Ｉ
ｌ￥１却伏態を夾塊してエピタキシャル成ことも可能で
あるために、液相エピタキシャル成長用溶液の過冷却度
を従来技術より安定して大きく制御することができて、
従来液相エピタキシャル成長方法によって形成されてｂ
る混晶のみならず、従来技術によりて成長が困難であり
た混晶についても、優れた均一性をもって、厚さ及び広
さにつ込て大型化して液相エピタキシャル成長さぜるこ
とが可能となる・ λ３
の温度に時間的にも空間的にも差を与えることなく過Ｉ
ｌ￥１却伏態を夾塊してエピタキシャル成ことも可能で
あるために、液相エピタキシャル成長用溶液の過冷却度
を従来技術より安定して大きく制御することができて、
従来液相エピタキシャル成長方法によって形成されてｂ
る混晶のみならず、従来技術によりて成長が困難であり
た混晶についても、優れた均一性をもって、厚さ及び広
さにつ込て大型化して液相エピタキシャル成長さぜるこ
とが可能となる・ λ３
第１図（ａ）及び（ｂ）は結晶面の原子配列の例を示す
模式図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）、第３図（ａ）乃至（
Ｃ）はそれぞれ本発明の実施例を示す断面図、第４図は
溶質源結晶と溶液との接触時間と、溶は込み縦との相関
の例を示す図表である。 図において、ｌはカーボンボート固定部、２はそのスラ
イダ、２′は第２のスライダ、６は基板結晶、７は溶質
源結晶、８及び８′は溶液を示す〇林 第 ３ 円（σ） 第３図（ｂ） り ４３ 月（Ｃ） 魂 ４ 図 ［”）／ｈｎ＝／ｙ１ １３触時ｒＪＩ （今１
模式図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）、第３図（ａ）乃至（
Ｃ）はそれぞれ本発明の実施例を示す断面図、第４図は
溶質源結晶と溶液との接触時間と、溶は込み縦との相関
の例を示す図表である。 図において、ｌはカーボンボート固定部、２はそのスラ
イダ、２′は第２のスライダ、６は基板結晶、７は溶質
源結晶、８及び８′は溶液を示す〇林 第 ３ 円（σ） 第３図（ｂ） り ４３ 月（Ｃ） 魂 ４ 図 ［”）／ｈｎ＝／ｙ１ １３触時ｒＪＩ （今１
Claims (2)
- （１）所望の半導体を構成する拐料を含む浴液な半導体
基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物半導体層
を形成する方法において、前記化合物半導体層を構成す
る成分の少くとも一部を含む前記半導体材料溶液を、前
記化合物半導体層を構成する成分の一部を含み且つ前記
半導体基板の面方位よりも高い稠密度の面方位を有する
結晶体に接触させ、しかる後、前記半導体材料溶液を前
記半導体基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物
半導体結晶層を形成する工程を有することを特徴とする
液相エピタキシャル成長方法。 - （２）所望の半導体を構成する拐料を含む溶液な半導体
基板に接触させて、前記半導体基板上に化合物半導体層
を形成する方法において、前記化合物半導体層を構成す
る成分の少くとも一部を言むｍ把手導体材料溶液を、ｆ
ｊｔｌ記化合物半導本層を構成する成分の一部を含み且
つ前記半導体基板の格子定数とは異なる格子定数及び前
記半導体基板の面方位と等し込か或いはそれよりも高い
稠密度の面方位をＭする結晶体に接触させ、しかる後、
前記半導体材料溶液を前記半導体基板に接触させて、前
記半導体基板上に化合物半導体結晶層を形成する工程を
有することを％徴とする液相エピタキシャル成長方法０
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072442A JPS6028799B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| CA000426610A CA1204526A (en) | 1982-04-28 | 1983-04-25 | Liquid phase epitaxial growth method |
| EP83302358A EP0093569B1 (en) | 1982-04-28 | 1983-04-26 | A method of liquid phase epitaxial growth |
| DE8383302358T DE3378374D1 (en) | 1982-04-28 | 1983-04-26 | A method of liquid phase epitaxial growth |
| US06/489,348 US4498937A (en) | 1982-04-28 | 1983-04-28 | Liquid phase epitaxial growth method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57072442A JPS6028799B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190895A true JPS58190895A (ja) | 1983-11-07 |
| JPS6028799B2 JPS6028799B2 (ja) | 1985-07-06 |
Family
ID=13489401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57072442A Expired JPS6028799B2 (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4498937A (ja) |
| EP (1) | EP0093569B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6028799B2 (ja) |
| CA (1) | CA1204526A (ja) |
| DE (1) | DE3378374D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4578126A (en) * | 1983-06-22 | 1986-03-25 | Trw Inc. | Liquid phase epitaxial growth process |
| FR2583782A1 (fr) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Slempkes Serge | Procede de depot par epitaxie en phase liquide sur un substrat, d'un alliage au moins quaternaire, et dispositif semi-conducteur comportant un tel alliage |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE754519A (fr) * | 1969-08-06 | 1971-02-08 | Motorola Inc | Procede et appareil pour la croissance de couches epitaxiales en phase liquide sur des semi-conducteurs |
| BE788374A (fr) * | 1971-12-08 | 1973-01-02 | Rca Corp | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat |
| US3793093A (en) * | 1973-01-12 | 1974-02-19 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Method for producing a semiconductor device having a very small deviation in lattice constant |
| US4088514A (en) * | 1975-04-17 | 1978-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for epitaxial growth of thin semiconductor layer from solution |
| US4110133A (en) * | 1976-04-29 | 1978-08-29 | The Post Office | Growth of semiconductor compounds by liquid phase epitaxy |
| JPS53148388A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-23 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Method of producing compound semiconductor crystal |
| US4287485A (en) * | 1977-07-18 | 1981-09-01 | Massachusetts Institute Of Technology | GaInAsP/InP Double-heterostructure lasers |
| US4246050A (en) * | 1979-07-23 | 1981-01-20 | Varian Associates, Inc. | Lattice constant grading in the Aly Ca1-y As1-x Sbx alloy system |
| US4373989A (en) * | 1981-11-30 | 1983-02-15 | Beggs James M Administrator Of | Controlled in situ etch-back |
| FR2519032A1 (fr) * | 1981-12-28 | 1983-07-01 | Benchimol Jean Louis | Procede de depot par epitaxie en phase liquide d'un compose ternaire |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57072442A patent/JPS6028799B2/ja not_active Expired
-
1983
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