JPS5818851A - 反射電子検出装置 - Google Patents
反射電子検出装置Info
- Publication number
- JPS5818851A JPS5818851A JP56115206A JP11520681A JPS5818851A JP S5818851 A JPS5818851 A JP S5818851A JP 56115206 A JP56115206 A JP 56115206A JP 11520681 A JP11520681 A JP 11520681A JP S5818851 A JPS5818851 A JP S5818851A
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- Japan
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- magnetic pole
- sample
- reflected
- electron
- lower magnetic
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射電子検出装置に係り、特に対物レンズに試
料全近接した状態で反射電子の検出効率の良い反射電子
検出装置に関する。
料全近接した状態で反射電子の検出効率の良い反射電子
検出装置に関する。
従来の反射電子検出装置としては、半導体検出器を対物
レンズの下面に設置して反射電子を検出する方法と、対
′物しンズと試料との間に、シンチレータを設けて反射
電子がこのシンチレータに当たった時に生ずる光をライ
トガイドで真空外に導き２次電子増倍管で増巾するとい
う方法が採らｎていた。こｎらのいず扛の方法も、対物
レンズの下面に配置するために、対物レンズ下面から試
料までの距離（ワーキングディスタンス、以下Ｗ。
レンズの下面に設置して反射電子を検出する方法と、対
′物しンズと試料との間に、シンチレータを設けて反射
電子がこのシンチレータに当たった時に生ずる光をライ
トガイドで真空外に導き２次電子増倍管で増巾するとい
う方法が採らｎていた。こｎらのいず扛の方法も、対物
レンズの下面に配置するために、対物レンズ下面から試
料までの距離（ワーキングディスタンス、以下Ｗ。
Ｄと略す。）が長くなり、電子線を細く絞り、高い分解
能を得ることができなくなるという欠点があった。また
、反射電子を効率よく検出するために、試料近傍に反射
電子検出器を配置する必要があるが、上記した従来の方
法では反射電子検出器を真空を遮断しながら試料に近す
けたり、使わない時には遠ざけておくという方法が採ら
１ｒＬ１操作性の点からも、好１しくなかった。
能を得ることができなくなるという欠点があった。また
、反射電子を効率よく検出するために、試料近傍に反射
電子検出器を配置する必要があるが、上記した従来の方
法では反射電子検出器を真空を遮断しながら試料に近す
けたり、使わない時には遠ざけておくという方法が採ら
１ｒＬ１操作性の点からも、好１しくなかった。
本発明の目的は、短かいＷ、Ｄの試料位置で、高い反射
電子検出効率を有する反射電子検出装置を提供するにろ
る。
電子検出効率を有する反射電子検出装置を提供するにろ
る。
本発明は、対物レンズの下部磁極に複数ケの孔を設け、
この孔に反射電子検出器を構成したものである。
この孔に反射電子検出器を構成したものである。
以下に本発明について詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す。第１図および第２図
はシンチレータ方式による反射電子検出の一実施例であ
る。対物ンンズは上磁極１と下磁極２、および励磁コイ
ル３よジなる。下磁極２には下磁極孔２−１、がら下磁
極孔２−４が設けらγしている。
はシンチレータ方式による反射電子検出の一実施例であ
る。対物ンンズは上磁極１と下磁極２、および励磁コイ
ル３よジなる。下磁極２には下磁極孔２−１、がら下磁
極孔２−４が設けらγしている。
対物レンズにより電子線４は試料５上に収束さ扛る。試
料５よジ反射する反射電子６はシンチレータ７により光
に変換さ扛、ライトガイド８により真空外に導かｎ、２
次電子増倍管で増巾さｎるシンチレータ７は下磁極孔２
−１〜２−４に設置さ扛、ライトガイド８は、上磁極１
と下磁極２の空隙に配置さ扛るので下磁極２の下部には
、観察する試料５以外には、試料５を下磁極２に近ずけ
るのに対して何ら妨害するものがないので短かいＷ、Ｄ
にすることができる。周知の如く、電子線を細く収束さ
せるためには、対物レンズの球面収差係数、色収差係数
ケ小さくすることが必要であジ１．ｗ、Ｄｉ短かくする
ことは、上記したいずｎの収差係数も小さくなり小さな
電子線径が得らｎ１高分解能像が得らｎる。
料５よジ反射する反射電子６はシンチレータ７により光
に変換さ扛、ライトガイド８により真空外に導かｎ、２
次電子増倍管で増巾さｎるシンチレータ７は下磁極孔２
−１〜２−４に設置さ扛、ライトガイド８は、上磁極１
と下磁極２の空隙に配置さ扛るので下磁極２の下部には
、観察する試料５以外には、試料５を下磁極２に近ずけ
るのに対して何ら妨害するものがないので短かいＷ、Ｄ
にすることができる。周知の如く、電子線を細く収束さ
せるためには、対物レンズの球面収差係数、色収差係数
ケ小さくすることが必要であジ１．ｗ、Ｄｉ短かくする
ことは、上記したいずｎの収差係数も小さくなり小さな
電子線径が得らｎ１高分解能像が得らｎる。
、 また、反射電子６全検出するためのシンチレータ７
が下磁極孔２−１〜２−４に設けらｎているので、試料
５を下磁極２に近すけでも何ら妨害にならないので、通
常の２次電子全検出して像表示する２次電子像観察に何
ら妨害を与えることなく、反射電子６奮２次電子と同時
に得ることができる。
が下磁極孔２−１〜２−４に設けらｎているので、試料
５を下磁極２に近すけでも何ら妨害にならないので、通
常の２次電子全検出して像表示する２次電子像観察に何
ら妨害を与えることなく、反射電子６奮２次電子と同時
に得ることができる。
本発明の一実施例では第２図に示した如く、下磁極孔が
４ケの場合を示したが、２ケ以上なら任意に設けること
ができる。
４ケの場合を示したが、２ケ以上なら任意に設けること
ができる。
下磁極孔２−１から下磁極孔２−４１でそｎぞ扛独立し
てシンチレータ７を設けて反射電子６を検出できるよう
にしておくと、そｎぞｎ９０°ずつずｎ；ｅ位置から試
料５を眺めていることになるので各検出器からの信号を
取り出すことにより、各検出器の方向から眺めた凹凸像
が得らｎる。ｆ。
てシンチレータ７を設けて反射電子６を検出できるよう
にしておくと、そｎぞｎ９０°ずつずｎ；ｅ位置から試
料５を眺めていることになるので各検出器からの信号を
取り出すことにより、各検出器の方向から眺めた凹凸像
が得らｎる。ｆ。
た、下磁極孔２−１と下磁極孔２−３全一対とするか全
体の検出器からの信号を同時に取ると凹凸の状情が消さ
ｔ′Ｌり、原子番号の相違による反射電子量の違いとし
た反射電子信号となりいわゆる組成像が得らｎる。第３
図は２ケの検出器の場合の一実施例を示す。試料５より
発生する反射電子６−１．６−２はシンチン−夕７−１
．７−２により光に変換さ扛ライトガイド８−１．８−
２によって導かｎる。ライトガイド８−１．８−２と２
次電子増倍管との間にはシャッタ９が設けら扛、そｎぞ
ｎの検出器の信号を各々とり出すことにより各検出器の
側から眺めた反射電子による凹凸を主とした信号が得ら
扛、両方の検出器の信号を同時に取り出すことにより反
射電子による組成を主とした信号が得ら【る。
体の検出器からの信号を同時に取ると凹凸の状情が消さ
ｔ′Ｌり、原子番号の相違による反射電子量の違いとし
た反射電子信号となりいわゆる組成像が得らｎる。第３
図は２ケの検出器の場合の一実施例を示す。試料５より
発生する反射電子６−１．６−２はシンチン−夕７−１
．７−２により光に変換さ扛ライトガイド８−１．８−
２によって導かｎる。ライトガイド８−１．８−２と２
次電子増倍管との間にはシャッタ９が設けら扛、そｎぞ
ｎの検出器の信号を各々とり出すことにより各検出器の
側から眺めた反射電子による凹凸を主とした信号が得ら
扛、両方の検出器の信号を同時に取り出すことにより反
射電子による組成を主とした信号が得ら【る。
説明ではシンチレータ方式の場合について述べたが、半
導体検出器を利用した場合でも同様に反射電子を検出す
毬ことができ、同様の結果が得ら扛る。半導体検出器の
場合にはシンチレータおよびライトガイドは不要となり
、直接下磁極に設けらＡｍ孔部に半導体検出器を設置す
ることにより同様の結果が得ら【る。
導体検出器を利用した場合でも同様に反射電子を検出す
毬ことができ、同様の結果が得ら扛る。半導体検出器の
場合にはシンチレータおよびライトガイドは不要となり
、直接下磁極に設けらＡｍ孔部に半導体検出器を設置す
ることにより同様の結果が得ら【る。
以上述べたように本発明によ扛ば
（１）試料と対物レンズ下磁極との距離すなわちワーキ
ングディスタンスを小さくシタ状態で反射電子を検出す
ることができるので、商い分解能で効率の良い反射電子
検出が可能になる。
ングディスタンスを小さくシタ状態で反射電子を検出す
ることができるので、商い分解能で効率の良い反射電子
検出が可能になる。
（２）試料と対物レンズ下面と間に何も存在しないので
、効率の良い２次電子検出が可能となり、２次電子と反
射電子の双方の信号を同時に効率良く検出することが可
能になる。
、効率の良い２次電子検出が可能となり、２次電子と反
射電子の双方の信号を同時に効率良く検出することが可
能になる。
という効果があり、工業的実用価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、第２図は下
磁極孔の配置の一例全示す平面図であり、第３図は本発
明の一具体例ケ示す概略図である。 ２・・・下磁極、４・・・電子線、５・・・試料、６・
・・反射電子、７・・・シンチレータ、８・・・ライト
ガイド。
磁極孔の配置の一例全示す平面図であり、第３図は本発
明の一具体例ケ示す概略図である。 ２・・・下磁極、４・・・電子線、５・・・試料、６・
・・反射電子、７・・・シンチレータ、８・・・ライト
ガイド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子線を試料上に収束させる電磁レンズの試料に対
向する側の磁極に複数ケの孔を設け、該孔部近傍に複数
ケの反射電子検出器を備えたことを特徴とする反射電子
検出装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の反射電子検出装置にお
いて、磁極の孔部に備える反射電子検出器はシンチレー
タとライトガイドによって構成したこと全特徴とする反
射電子検出装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載の反射電子検出装置にお
いて、磁極の孔部に備える反射電子検出器は半導体検出
器であることを特徴とする反射電子検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115206A JPS5818851A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 反射電子検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115206A JPS5818851A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 反射電子検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818851A true JPS5818851A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14656979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115206A Pending JPS5818851A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 反射電子検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818851A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201356A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | Shimadzu Corp | 走査型電子顕微鏡 |
| JPS62129232U (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-15 | ||
| EP1916696A1 (en) | 2006-10-25 | 2008-04-30 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Charged particle detector assembly, charged particle beam apparatus and method for generating an image |
| EP1673797B1 (en) * | 2003-10-14 | 2009-12-09 | Politechnika Wroclawska | Detector system of secondary and backscattered electrons for a scanning electron microscope |
| JP2015023032A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 切り換え型マルチパースペクティブ検出器、切り換え型マルチパースペクティブ検出器用光学系、及び切り換え型マルチパースペクティブ検出器の動作方法 |
| US10991543B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-04-27 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115206A patent/JPS5818851A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59201356A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-14 | Shimadzu Corp | 走査型電子顕微鏡 |
| JPS62129232U (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-15 | ||
| EP1673797B1 (en) * | 2003-10-14 | 2009-12-09 | Politechnika Wroclawska | Detector system of secondary and backscattered electrons for a scanning electron microscope |
| EP1916696A1 (en) | 2006-10-25 | 2008-04-30 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Charged particle detector assembly, charged particle beam apparatus and method for generating an image |
| US7842930B2 (en) | 2006-10-25 | 2010-11-30 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterpruftechnik mbH | Charged particle detector assembly, charged particle beam apparatus and method for generating an image |
| JP2015023032A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー | 切り換え型マルチパースペクティブ検出器、切り換え型マルチパースペクティブ検出器用光学系、及び切り換え型マルチパースペクティブ検出器の動作方法 |
| US10991543B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-04-27 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
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