JPS58183920A - 空気フイルタ及び流速増大装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、空気フィルタ及び流速増大装置に関するもの
である。

〔先行技術〕

１９８１年１０月９日出願Ｏ米ｉ！ｉ１％許願第３１Ｏ
１３４５号に開示されている高感度気流層ンサは、検出
構造を詰まらせる粒子、糸くず等ｔ−除六する保繰フィ
ルタ装置を必要としている。更に、他の用例ではセンナ
周辺の流れを増大してセンサの出力信号を大きくする装
置を使用することによってセンサを有利に作動させるこ
とが出来る。こうした構成は高速用と同様に低連用に対
しても容易に適用できなければならない。

〔発明の概要〕

本発明は、流速を有する気流中の空気を一過するフィル
タを備えた空気フィルタ及び流速増大装置であシ、更に
上記フィルタの下流における流速以上に流速を増大させ
るハウジング装置を含む空気フィルタ及び流速増大装置
である。このハウジング装置はフィルタに結合しかつ増
大し九流速を検知する流量センナに取り付けることがで
きるものである。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について説
明する。

〔実施例〕

本発明Ｌ１低い流れ抵抗のフィルタ及び流速増大装置の
両者を提供するものである。第１図に示す構造において
、ハウジング１００はその両端部に取りつけられた低い
流れ抵抗フィルタ１０２を有する管から成っている。図
示したハウジングは、フィルタ１０２が占めるハウジン
グ１００の部分より小さい断面積を有する管１０４ｉＫ
通じる１つまたは複数のテーパ状の流路１０４を有して
いる。ハウジング部１０６は、ヘッダ１１Ｇに取シつけ
られ九チップとして図示している。気流センｖ１０＄上
に気流を送る。このヘッダ１１０は、リード線１１４が
取シつけられ九固定部材１１２に設置されている。

本発明は、ハウジング部１０６の両側にフィルタ１０２
とテーパ状ハウジング部１０４ｔ−有する双方向装置と
して示されている。しかし、１つのフィルタ１０２と１
つのテーバ状部分しか持たず、一方向からの気流しか受
は入れない一方向装置も本発明の思想の範囲にあること
は云うまでもない。上述したように、本発明はフィルタ
１０２の断面からハウジング部１０６ｔで平坦に傾斜し
友部分１０４を有している。しかし、必ずし−このよう
な平坦な傾斜状でなくてもよく、実際にはフィルタ１０
２とハウジング部１０６間の空間はどのような形状であ
ってもよい。たとえば、流れ部分１０４は、一端にフィ
ルタを有し、他端に部分１０＠に対応した小さな径の開
口を有する直円柱のような形状でもよい。

フィルタ１０２の気流断面積は、部分１０６の気流ｖ／
に面積に比較してかなｐ大きい。従ってフィルタの流れ
抵抗は、部分１０６の流速インピーダンスに比較してか
なり低い値に選択することができる。

そのため、部分１０４による圧力降下は＃１とんどなく
、圧力降下のほとんどは部分１０６において生じる。こ
の部分１０６は、できるだけ圧力勾配を大きくシ、かつ
センサ１０８におゆる流速をできるだけ大きくするよう
、できるだけ短くしなけれはならない。

大面積低抵抗フィルタ１０２によって、オリアイス１０
６における圧力降下をほとんど変化させずに多量の糸く
ずやＩ′１ζｐを集めることができる。九とえば、フィ
ルタ対オリフィスの面積比は１０００対ｌが適当である
。この場合、目詰まシからフィルタ抵抗が１０倍に増加
しても、部分１０６における流量はＩｌｌか減少しない
。また、九とえ、目詰まりによってフィルタ抵抗が１０
０倍に増加しても、上記流量の減少は９ｇ６に過ぎない
。

ハウジング部分１０６の断面積は比験的小さい方がよい
。面積が小さいとフィルタ１０２の流量は低く保持され
、従ってフィルタの目詰壕〉も少なくなる。また、はと
んどの流れはフィルタ管通過せずフィルタ及びハウジン
グの周囲を流れるので、小さい粒子はフィルタ中ではな
く、フィルタ及びハウジングの周囲を流れる。

非常に低い差圧しか有さない２つの異なる部屋と部屋の
間の流れを検出あるいは測定する目的で本発明を適用す
る場合、部屋と部屋の間の差圧のすべてが部分１０１ｉ
にかかり、空気流の検出感度が最大になるよう、本発明
装置を壁口に配置しかつ密封しなければならない。自由
に流れる気流では、上流のフィルタに及ぼす空気の慣性
圧力と、下流のフィルタを通過する空気の吸気効果とに
よ妙、部分１０６における圧力勾配はさらに大きくな〕
、これによって部分１０６を流れる流速奄増加する。

従って、図示するようなフィルタ構造は、幅広い流速範
１１に使用で亀、これを規格化すればユニットのコスト
をかな夛低下できる０ フィルタ１０２で捕えられ九粒子は、前に捕えられてい
た流子の上で捕獲されるので、後で捕った粒子が流れ抵
抗を比例的に増加させるわけではない。つｉ〉、流れ抵
抗が初期値に関して５倍から１０倍に増加するには、最
初の５倍に増加すゐまでＫたまつ九はζ夛及び糸くずの
量よ如はるかに大量のはζり及び糸くずが九まらなけれ
ばまらない。このようにオリフィス１０６の抵抗対フィ
ルタ１０２の抵抗の初期比率がかな〕高いので、目詰ま
りに対するフィルタ１０２の有効寿命はかな夛長い。

なお流れ抵抗の増加とフィルタの纜ζＤＣ）量との間の
むの関係は、面積比、使用する実際のスクリーンすなわ
ちフィルタ及びはζりの種類により変化する。

後述する流れセンサと同様に１一般的な熱線風速針も常
Ｋ）ｌれの中に位置し、糸くず中はこシを確実に捕える
。しかしこのような流れセンナは、操作し九に設置し九
ヤする場合の保睡構造がない丸め機械的な損傷が生じる
可能性が６つ九。本発明とともに使用する場合、空気流
が面に並列に薄板状（層流状）に流れ、かつ検知素子に
おいて空気をＰ遇するよう、流れセンナの検知素子をハ
クジング部分１００の平面に設ける。さらに、検知素子
は、保唖構造内に全体的に設置される。最後に、この構
造によシ圧力降下及び流れセンナにおける流速は最大に
なる。

このように、本発明によって、流れセンナは機械的損傷
から保護されかつ糸くず及び纜こシからも守られる。壕
九、部分１０６における空気流速に対するフィルタの目
＃１オシによる影響は大幅に除去される。さらに、部分
１０＠の空気流速度は、フィルタ１０２の空気流速度に
関してかな如増大される。なお、本発明は幅広い用途に
使用できるよう規格化したデザインにすることもできる
。また、過剰に目結壕抄することがないのでフィルタの
寿命はかなりｇび、かつフィルタの変換は簡単にできる
ので装置の寿命も延長される。

第２図から第５図及び第７図には、本発ｖ１４に使用す
る流れセンサの実施例を示している。第６図は、第４図
に示しえ流れセンナに適した回路を示している。

第２図及び第３図は、流れセンナの別の実施例の断面図
を示している。単結晶亭導体１０は、窒化シリコンのよ
う＊ｉｉ＊電体層１２でカバーされた第１面１４を有し
ている。図示し九実施例において、素子２２（ＮＳＥ）
Ｆｉ、誘電体層１２に般けられ九リード２４とパーマロ
イ抵抗素子すなわちグリッド１・から成っている。素子
２２は、窒化シリコンのような誘電体の層１８でカバー
されている。

誘電体層１２は、素子２２と半導体１０との間を電気的
に絶縁する（層１２，１８は素子２２に対する不活性化
層として働く）。素子１６の下に凹部２０を形成する仁
とによシ、抵抗素子１６と半導体１０との間は、熱的及
び物理的に＃１とんど絶縁されてい石。凹部２０ａ、エ
ツチング技術を用いて形成できる。凹部２０がないと、
検知素子１６と半導体１０間の熱的及び物理的絶縁を行
なうことは困難である。九とえば、固体誘電体層だけＫ
よシ抵抗素子１６を半導体１０から絶縁した場合、固体
鰐電体の熱伝導率は空気の熱伝導率より大きいので、抵
抗素子１６は半導体１０に放熱する〇検知素子１６と半
導体１０間を熱的及び物理的に絶縁することによシ多く
の利点が得られる。たとえば、半導体本体１０から熱的
に絶縁し九検出素子が非常に薄いと、薄い素子の温度は
気流によシ急速に影響を受けるので、この素子は気流の
高感度測定に適している。これは、半導体に放熱する検
出素子を有する固体熱的風速針とは対照的である。仁の
ような構造の温度感度は、半導体自身の熱質量により非
常に影響される。

第２図の実施例において、部材すなわち検知装置３４は
、凹部２０にわ九ってシ）、この検知装置３４は、半導
体の第１面１４に結合し九第１及び第２端部３８．４０
を有している０前述し丸ように、上から見ると装置３４
ははぼ長方形の形状をしている。を九装置３４は、抵抗
素子１６と誘電体層１２．１１１の一部を有している。

第３図において、抵抗素子１＠と誘電体層１２゜１８の
一部から成る部材すなわち検知装置３２は、凹ｓ２０上
を片持ち支持されている。すなわち装置３２の一端３６
のみが半導体の第１面１４に結合している。半導体１０
に装置３２の一端だけが結合している構造にはいくつか
の利点がある。たとえば、装置３２は半導体１０からの
制限をはとんど受けることなくあらゆる方向に伸縮でき
る。

さらに、装置３２の伝導による熱損失は、支持されてい
る一端部でしか起らないので、装置３２の熱的絶縁はか
な〉高い０装置３４と同様に、装置３２は上から見ると
ほぼ長方形の形をしている（たとえば第７図）。

第４図は、２つの装置３２またはＳ４を有する本実施例
の断面図である０流れセンナにおいて一対の検知装置を
使用する場合、いくつかの利点が得られる。九とえば、
後述するように、２つのｔｌぼ同じ検知装置を用いて、
一方からの信号と他方からの信号を互い違いにすること
により、周囲温度の変化に対して自動的に温度補償する
ことがで龜る。さらＫこのような構成では、一つのセン
ナのパックグラウンド電圧を簡単に除去できるので、測
定精度も大幅に改轡できる。その上、流れセンナに２つ
の測定素子を使用すると、流量だけでなく流れ方向も表
示することができる。九とえに、後述するように、セン
ナを定電流モードで動作すると、上流の素子は下流の素
子よりも冷却する〇しかし、凹部上に支持され九検出装
置が１つであっても、九とえは流れているかｔ九は否か
の固定目的に使用することができる。単一検出素子の流
れセンｔにおいて発生し丸亀気流信号は、気流の有無を
調べるには十分であゐ０まえ、素子の抵抗値変化のａ、
ｅ、（乱ｔｉｔ＞成分だけを増幅すれば、たとえば周囲
温度の変化によ〉生じ九素子のゆっ＜シシたすなわちｄ
、ｅ、変化は検出しないでよい。

パーマロイは、スパッタリングによ勤わずか数千オング
ストロームの厚さの層で４正確に形成でき、かつパーマ
ロイはグリッドすなわち素子１６の抵抗値と素子の温度
とに関する感度が非常に高いため、本実施例で線抵抗素
子１＠をパーマ賞イで形成している。九とえば、非常に
薄い部材すなわち検知装置３２ま九は３４は、抵抗素子
１６と誘電体層１２，１・から形成されている。検出懺
置３２重九祉３４上を流れる空気によ〉抵抗素子１６は
、気流の流量に対して所定の関係で冷却するので、抵抗
の変化によプ気流の測定を行なうことができる。

本実施例では、検知装置１２．３４の厚さは、代表的に
は０．′８〜１．２ミク四ンであ夛、この厚さは素子１
６（代表的には８００オングストロームの厚さ）及び誘
電体層１２．ＩＩ（代表的にはそれぞれ数千オングスト
ロームの厚さ）を含んでいる。

凹部２０（代表的には０．００１〜０．０１インチの深
さ）によ）検出素子１＠を半導体本体１０から実質的に
絶縁し九構造と上記非常に薄い高感度構造とによ〉、検
知装置３２．３４は高感度な流れ測定を行なうことがで
きる。

前述し九ように、本実ＩＩＩＡの素子１６社第５図に示
すようにパーマロイグリッドを有している。リード２４
もパーマロイでできているので、他の処理工程を必要と
しない（他の材料でリニド２４を形成するとさらに他の
処理工程を必要とする。パーマロイのリード２４はわず
かに加熱されるが、第５図に示すようにいくぶん幅広く
、半導体本体１０に放熱するので、リード２４０加熱は
比破的小さい）。

第４図に示すように第１及び第２抵抗素子から成る流れ
ト２ンスデューナにはいくつかの利点がある。このよう
な装置を第６図に示すような回路と組合せ、バックグラ
ウンド信号を除去して測定信号を直接的に供給すること
により感度が良く、かつ周囲温度に左右されない流れト
２ンスデエーサを提供することができる。

第４図に示し九センナの動作及び第６図に示し九回路に
関する説明の丸め、これら図面における検出素子の参照
番号を１６ム、１６１とする◇各素子１＠Ａ、１８Ｂは
素子１６から成っていゐ０索子１６ム。

１１ｉＢは代表的に社整合されている（少くとも実質的
に等しい）が、整合していなくてもよい。

第６図に示し九回路＠Ｏは、３つＯ差動増幅器から成っ
ている。各差動増幅器は、たとえば丁ＬＯ８７である。

図示したように、２つの増幅器５０゜５２のそれぞれは
、フィードバックループに接続した抵抗素子１６Ａまえ
は１６Ｂを有している。抵抗素子１＠ムは、増幅器ｓＯ
の出力５４と負入力５９との間にリード［２４を介して
接続している。抵抗素子１ｓＢは、増幅器５２の出力ｓ
６と負入力５８との関に１　リード線２４を介して接続
している。

増幅器５２の負入力５＠は、抵抗＠４を介してボテンシ
璽メータ・２の摺動子・６に接続している。一方、増幅
器ｓＯの負入力ｓｓも、抵抗ＴＯを介して上記摺動子・
５ＫＩＩＩ続している。増幅器５０．５２の正大カフ２
．７４は、それぞれアース筐九は基準電位７＠Ｋｉｌ続
してい尋。

増幅ｌｌ５２０出力ｓ６は、抵抗・２を介して増幅器魯
ＯＯ負入カフ１に接続し、増幅１）ｉｏの出力ｓ４は、
抵抗＠６を介して増幅器＠Ｏの正入力＠４に接続してい
る。増幅Ｓ＠Ｏの正入力８４も、抵抗８Ｉを介してアー
スを丸線基準電位１６に接続している。抵抗１０社、増
幅器＄００出力■２とこの増幅器の負入力Ｔ８との間に
！Ｉ続している０ポテンシヨメータ６２の第１端子９４
は、正電源たとえば＋１５ＶＤＣＫ接続し、ボテフシｌ
メータ６２の第２端子９６は負電源たとえば一１５ＶＤ
Ｃに接続する。ボテンシ曹メータ６２は、電源のプラス
及びマイナス電圧の間のいずれかで所定の電圧を選択す
る装置である。

動作時に杜、図示の回路は、抵抗素子１１ム、１６Ｂを
有する２つの部材８２１九Ｆｉ３４における気体流量に
関して所定の関係を有する電圧を、出力９２と、アース
または基準電位間ぺ発生する。

抵抗素子１６Ａ、１１１Ｂは、それぞれ増幅器５０゜５
２のフィードバックループに設けられている。

各増幅！１ｉｉｓＯ，５２はそのフィードバックループ
を流れる電流を一定に保持している。従って、各抵抗素
子１６ム、１６Ｂを流れる電流は、素子Ｏ抵抗値に左右
されない。フィードバックループの電流を一定に保持す
るよう、各増幅器は抵抗素子１６ムオ九は１６Ｂの抵抗
値の変化に比例してその出力電圧を有効変化する。

前述したように１第６図に示した回路の定電流モード動
作において、各パーマロイ素子１１ｉＡｔたは１６Ｂの
抵抗値は、抵抗素子の温度に関して所定の関係で変化す
る。従って、各増幅器５０．５２の電圧出力は、その抵
抗素子の温度に関して所定の関係を有している（以下に
述べるように定電流以外の動作モードでも可能である）
。

演算増幅器８０は、演算増幅器Ｓ’０．５２の電圧出力
間の差を増幅する。なお、出力ｓ２の電圧は演算増幅器
５０．５２の出力電圧間の電圧差に比例している。従っ
て、出力！２の電圧は抵抗素子１６Ａ、ｌ＄Ｂ間の温度
差に関する所定の関係を有している。抵抗素子１６ム、
１６Ｂ間の温度差は、素子における気体流量に関する所
定の関係を有している。

よって、増幅器８０の出力９２における電圧は、素子１
６Ａ、１６Ｂにおける流量に関する所定の関係を有して
いる。

第６図に示した回路において、先ず、抵抗素子１６Ａか
ら成る一方の部材すなわち検知装置上に、次に素子１１
ｉＢから成る他方の部材すなわち検知装置上に気体が流
れると、素子１１ｉＡｌを流れる気体は素子１６紛為ら
熱を受は城）かつ素子１６Ｂの周辺に熱を与えるので、
抵抗素子１１ｉＡは抵抗素子１６Ｂよりも冷却される。

摺動子６＠Ｏ回路供給電圧が正である場合、増幅器５２
の出力電圧は増幅器５０の出力電圧より大きい。仁の差
は、増幅器＠ＯＫより増幅される。出力９２の出力電圧
は、気体の流量に関する所定の関係を有している。前述
し丸ように、出力９２における出力電圧は、方向性も表
示することができる。九とえば、素子１８Ａ。

１６Ｂがダクトま九は本実施例のハウジング部分１０６
の流れに沿って配置されている場合、前述したように上
流の素子は下流の素子よりも冷却するので、２つの素子
を有するセンナは、流量の他、流れの方向を決定するこ
とができる。

第６図に示し九回路は、定電流モードで検出素子１６Ａ
、１６Ｂを作動する。しかし、定電圧モート一定温（定
抵抗）モード、を九は定電力モードで流れセンサの検出
素子を作動する回路を含む、他の回路てあってもよい。

第６図に示しえような回路６０は、第７図に示すように
半導体本体１ｏに直接的に一体形成することもできる。

流れセンサは後述するようなバッチ処理方法で製造する
ことができる。

センナを製造するには、代表的には３０００オングスト
ロームの厚さの窒化シリコン層１２を支持する（１００
）シリコンウェファ面１４金準備する。

この窒化シリコン層は、低圧でのガス抜きを行なっての
標準スパッタリング技術によ）形成される。

続イて、代表的には８０パーセントのニッケルｉたは及
び２０パーセントの鉄から成シ、かつ８００オングスト
ロームの厚さを有するパーマロイの均一層をスパッタリ
ングにより窒化シリコン上に形成する。

また、適当なフォトマスク、フォトレジスト。

及び適当なエツチング剤とを用いて、グリッド１６とリ
ード２４とから成るパーマロイ素子２２を形・成する。

続いて、５０００オングストロームの厚さを有する窒化
シリコンの第２層１８をスパッタリング形成し、パーマ
ロイ構造を完全にカバーし、抵抗素子及びその接続部分
とを酸化から守る。（３０００オングストロームの厚さ
の窒化シリコンの第１層と５０００オングストロームの
厚さの窒化シリコンの第２層によシ誘電体の非対照的な
層を有する検出装置を形成するが、この非対照性は勢し
い厚さの層を形成することにょシ補正てきる）。続いて
、１つま九は複数の開口１５２（第７図）を窒化シリコ
ンを通って（１００）シリコン面までエツチング形成し
、各検出装置を作る（検出装置３２１九は３４紘代表的
にはまっすぐな縁部を有しているが、たとえば曲線の縁
部を有している等他の形状であってもよい）。

最後に、窒化シリコンに作用しない異方性エツチング剤
を用いて、検出装置３２壕九は３４の下から制御しなが
らシリコンをエツチング除去する（適尚なエツチング剤
としてはＫＯＨプラスイソプロピルアルコールがある）
。エツチングされた凹部の傾斜側面は、エツチング剤に
作用しない（１１１）及び他の結晶面と凹部の底面とで
結合され、エツチング剤に対して抵抗力のある（１００
）面は、エツチング期間を関節することにょシ検知装置
から所定距離、たとえば０．００４インチだけ離間され
ている。マえ、注入シリコンエツチング停止部材すなわ
ちボロン注入層を用いて凹部の深さを調節することもで
きる。しかし、本発明による方法を使用した場合、この
ような停止部材は必要ない。

検出装置を蝮時間でアンダーカットするため、検知装置
の所定形状すなわち装置のｔつすぐな縁部普九は軸を、
シリコン（’１ｌＯ）軸に対して角度をつけて配置する
。このような角度をほぼ４５にすると、検出装置を最短
時間でアンダーカットすることができる。たとえば、代
表的な寸法の片持ち支持ビームをアンダーカットするの
に１上記軸に対して角度をつけずに配置し九場合エツチ
ング時間に数時間畳したのに較べて、４５°の角度をつ
け九場合には約９０分で済む。

検知装置３２または３４の側面に沿ったエッチング開口
１５２ノ幅は、代表的には０．００２〜０．００５イン
チである。検知装置３２まえは３４の代表的な寸法は、
ｏ、ｏｏｓ〜０．００フインチの幅と、０．０１〜０．
０２インチの長さと、０．８〜１．２ミクロンの厚さを
有する。第５図に示し九ようなパーマロイ素子１６は、
約８００オングストロームの厚さく代表的には約８００
〜約１６００オングストロームの範囲）で、８０パーセ
ントのニッケルと２０パーセントの鉄から成り、かつ室
温で約１０００オームの抵抗値を有している。用途の変
化に応じて抵抗値は室温、たとえば約２５℃で約５００
オーム〜約２０００オームの範囲内となる（最高給４０
０Ｃのパーマロイ素子温度で、抵抗値は最高約３倍に増
加する）。パーマロイグリッド１６の幅は、約６ミクロ
ンで、４ミクロンの間隔がおいている。

凹部２０は、検知装置３２壕九は３４と半導体本体１０
との間に０．００４インチの間隔を有しているが、この
間隔は約０．００１インチ〜約０．０１インチの範囲で
容易に変更することができる。半導体本体１０の代表的
な厚さはｏ、ｏ　ｏ　ｓインチである（なお、上述した
寸法は説明上のものであり、これら寸法に限定されるも
のではない。） 上述した寸法の検知装置の熱容量及び熱インピーダンス
は非常に小さく、約０．００５秒の熱時定数を生ずる。

従って、熱入力がわずかに変化しても、検知素子の別の
温度で急速に新たに熱平衡する。

この差が、実質的な電気出力信号を生じる。

上述し九流れセンサの比強度は非常に高く、上記代表的
な寸法の２端支持ブリツジでは、１０，０００重力以上
の横槍的衝撃力に耐えることができる。

これら寸法の片持ち支持の単一端部構造でも、１０゜０
００重力の衝撃に耐えることができる。

本発明は、室温すなわち周凹温度以上に検知装置３２ま
たは３４を加熱して検知性能を最適化するような、用途
において特に有効である。代表的を動作温度は約１００
〜４００℃の範囲である。パーマロイ素子を使用した場
合、これは数ミリワットの入力電力だけで行なうむとか
で暑る。このよう適している。

なお、本発明は、本発明の思想に基づいて様々に改変で
き、上述した実施例に限定されるものではない。たとえ
ば、（第１図に示した双方向装置に対して）一方向だけ
から流れを受ける単一フィルタ１０２を有する装置であ
ってもよい。また、前述したように、ハウジング部分１
０４が必ずしも平らなテーパ形状でなくてもよく、フィ
ルタ１０２トハウジング部分１０６との間の体積がどの
ような形状でもよい。たとえば部分１０４は一端にフィ
ルタ１０２を有し、他端にオリアイス１０６に対応した
小さな開口を有する円柱であってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示し、第２図〜第５路である
。 １０・・・−半導体本体、１６・・・・検知素子、２２
・・・・抵抗素子、２０・書巻・凹部、５０．５２，８
０・・・・増幅器、１００・・・・ハウジング、１０２
φ・・・フィルタ、１０８・・・・気流センサ、１１４
Φ・・・リード線。 ｒノｌ＝フ８ コで１１２Ｆ、？ ＝ご−一−２兄１ｔ コｙｚｔコｌ＃ ？ソン：迦２フ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 流速を有する気流中で空気を一過するフィルタを備え九
   フィルタ装置と、前記フィルタ下流の流速以上に流速を
   増大させるハウジング装置とからなり、このハウジング
   装置はフィルタ装置に結合しさらに上記増大した流速を
   検出する流れセンナに取付けられていることを特徴とす
   る空気フィルタ及び流速増大装置。