JPS5817734B2 - ソジアリ−ルテレフタレ−トノセイセイホウ - Google Patents
ソジアリ−ルテレフタレ−トノセイセイホウInfo
- Publication number
- JPS5817734B2 JPS5817734B2 JP50010951A JP1095175A JPS5817734B2 JP S5817734 B2 JPS5817734 B2 JP S5817734B2 JP 50010951 A JP50010951 A JP 50010951A JP 1095175 A JP1095175 A JP 1095175A JP S5817734 B2 JPS5817734 B2 JP S5817734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terephthalate
- group
- periodic table
- phenols
- hydroxides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジアリールテレフタレートの精製法に関スる。
更に詳細に説明すると、テレフタル酸とフェノール類と
を直接エステル化することによって得られた粗ジアリー
ルテレフタレートを精製する方法に関する。
を直接エステル化することによって得られた粗ジアリー
ルテレフタレートを精製する方法に関する。
従来、ジアリールテレフタレートはテレフタル酸とフェ
ノール類とを直接エステル化することにより得られるこ
とは知られており、工業的に価値ある化合物である。
ノール類とを直接エステル化することにより得られるこ
とは知られており、工業的に価値ある化合物である。
ジアリールテレフタレートを製造する方法は種種提案さ
れているが、その中でテレフタル酸とフェノール類とを
アンチモン、モリブデン、ビスマス、鉛、スズ、マンガ
ン、コバルト等の金属の化合物を触媒として使用し、２
５０〜３５０℃の温度に加熱して直接エステル化する方
法は工業的に有利な方法である。
れているが、その中でテレフタル酸とフェノール類とを
アンチモン、モリブデン、ビスマス、鉛、スズ、マンガ
ン、コバルト等の金属の化合物を触媒として使用し、２
５０〜３５０℃の温度に加熱して直接エステル化する方
法は工業的に有利な方法である。
しかし、この方法の欠点の一つは反応を充分に完結しな
いと、得られる粗ジアリールテレフタレート中の遊離の
カルボキシル基量が多いということである。
いと、得られる粗ジアリールテレフタレート中の遊離の
カルボキシル基量が多いということである。
一般にエステル化反応は、その反応率があがるに従って
反応速度が遅くなるが、前記ジアリールテレフタレート
の製造の場合にその傾向は著しい。
反応速度が遅くなるが、前記ジアリールテレフタレート
の製造の場合にその傾向は著しい。
例エバ、テレフタル酸１モルに対しフェノール４モルを
使用し、テレフタル酸に対して１モル％の三酸化アンチ
モンの存在下２８０℃でエステル化を行った場合、エス
テル化率を５０％、８０％、９０％、９５％、９８％と
するためには夫々約１．５時間、２．５時間、３時間、
４時間、６時間、１２時間を要する。
使用し、テレフタル酸に対して１モル％の三酸化アンチ
モンの存在下２８０℃でエステル化を行った場合、エス
テル化率を５０％、８０％、９０％、９５％、９８％と
するためには夫々約１．５時間、２．５時間、３時間、
４時間、６時間、１２時間を要する。
一方、ジアリールテレフタレートをポリエステルの重合
促進剤として用いるためには１５０当量／１０６グ程度
又はそれ以下の遊離カルボキシル基量の高純度のものが
必要であり、それ以上のものを使用すると得られるポリ
エステルの末端カルボキシル基量が増大し好ましくない
。
促進剤として用いるためには１５０当量／１０６グ程度
又はそれ以下の遊離カルボキシル基量の高純度のものが
必要であり、それ以上のものを使用すると得られるポリ
エステルの末端カルボキシル基量が増大し好ましくない
。
また遊離カルボキシル基量の多いジアリールテレフタレ
ートはそれ自体沸点が高く、その上未反応テレフタル酸
は昇華性であるので単なる蒸留法によっては、カルボキ
シル基量の少いジアリールテレフタレートを得ることは
困難であった。
ートはそれ自体沸点が高く、その上未反応テレフタル酸
は昇華性であるので単なる蒸留法によっては、カルボキ
シル基量の少いジアリールテレフタレートを得ることは
困難であった。
本発明者らはテレフタル酸とフェノール類とを直接エス
テル化することによって得られた粗ジアリールテレフタ
レートを蒸留して遊離カルボキシル基量の少いジアリー
ルテレフタレートを得る方法について研究した結果、本
発明に到達したものである。
テル化することによって得られた粗ジアリールテレフタ
レートを蒸留して遊離カルボキシル基量の少いジアリー
ルテレフタレートを得る方法について研究した結果、本
発明に到達したものである。
即ち本発明はテレフタル酸とフェノール類とを直接エス
テル化することによって得られた粗ジアリールテレフタ
レートを、周期律表第１ａ族元素の酸化物、水酸化物、
フェノラート及び周期律表第１Ｉａ族元素の炭酸塩、脂
肪族モノカルボン酸塩、酸化物、水酸化物、フェノラー
トよりなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物の存
在下で蒸留することを特徴とする前記粗ジアリールテレ
フタレートの精製法である。
テル化することによって得られた粗ジアリールテレフタ
レートを、周期律表第１ａ族元素の酸化物、水酸化物、
フェノラート及び周期律表第１Ｉａ族元素の炭酸塩、脂
肪族モノカルボン酸塩、酸化物、水酸化物、フェノラー
トよりなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物の存
在下で蒸留することを特徴とする前記粗ジアリールテレ
フタレートの精製法である。
本発明方法においてジアリールテレフタレートの形成反
応に使用されるフェノール類としては、例えばフェノー
ル、Ｐ−クレゾール、Ｐ−オクチルフェノール、Ｐ−７
”チルフェノール、Ｐ−ノニルフェノール、ｍ−クロル
フェノール、Ｐ−クロルフェノール、０−クロルフェノ
ール ｐ −７エニルフェノール、Ｐ−ベンジルフェノ
ール、α−ナフトール、β−ナフトール等の種々のフェ
ノール類を挙げることができる。
応に使用されるフェノール類としては、例えばフェノー
ル、Ｐ−クレゾール、Ｐ−オクチルフェノール、Ｐ−７
”チルフェノール、Ｐ−ノニルフェノール、ｍ−クロル
フェノール、Ｐ−クロルフェノール、０−クロルフェノ
ール ｐ −７エニルフェノール、Ｐ−ベンジルフェノ
ール、α−ナフトール、β−ナフトール等の種々のフェ
ノール類を挙げることができる。
これらは一種または二種以上の混合物でも使用すること
ができる。
ができる。
上記したフェノール類はテレフタル酸に対して通常２モ
ル倍以上、好ましくは４〜１０モル倍使用される。
ル倍以上、好ましくは４〜１０モル倍使用される。
前記したフェノール類とテレフタル酸との直接エステル
化反応は、通常触媒の存在下に行われ、かかる触媒とし
ては例えばアンチモン、ビスマス、モリブデン、鉛、ス
ズ、マンガン、コバルトの金属及びそれらの下記に示し
た種々の化合物を挙げることができる。
化反応は、通常触媒の存在下に行われ、かかる触媒とし
ては例えばアンチモン、ビスマス、モリブデン、鉛、ス
ズ、マンガン、コバルトの金属及びそれらの下記に示し
た種々の化合物を挙げることができる。
例えば前記金属の酸化物、水酸化物、酸素酸又はその塩
、カルボン酸塩、ハロゲン化物（例えば沸化物、塩化物
、臭化物）、フェノオキサイド、アルコオキサイド、錯
体、その他従来ポリエステルの重合触媒として知られて
いる化合物が挙げられる。
、カルボン酸塩、ハロゲン化物（例えば沸化物、塩化物
、臭化物）、フェノオキサイド、アルコオキサイド、錯
体、その他従来ポリエステルの重合触媒として知られて
いる化合物が挙げられる。
その具体的化合物を示すと、例えば三酸化アンチモン、
五酸化アンチモン、三酸化ビスマス酸化鉛、酢酸アンチ
モン、酢酸ビスマス、三酸化モリブデン、安息香酸アン
チモン、塩化アンチモン、酢酸鉛、三硫化アンチモン、
酸化第１スズ、酸化第２スズ、水酸化第１スズ、亜スズ
酸金属塩塩化第１スズ、塩化第２スズ、炭酸スズ、脂肪
族又は芳香族カルボン酸とのスズ塩、マンガン、コバル
トについても同様に酸化物、水酸化物、酸素酸塩、ハロ
ゲン化物、炭酸塩、又アルコール、フェノール類とのア
ルコオキサイド、フェノオキサイド類等の化合物を挙げ
ることができる。
五酸化アンチモン、三酸化ビスマス酸化鉛、酢酸アンチ
モン、酢酸ビスマス、三酸化モリブデン、安息香酸アン
チモン、塩化アンチモン、酢酸鉛、三硫化アンチモン、
酸化第１スズ、酸化第２スズ、水酸化第１スズ、亜スズ
酸金属塩塩化第１スズ、塩化第２スズ、炭酸スズ、脂肪
族又は芳香族カルボン酸とのスズ塩、マンガン、コバル
トについても同様に酸化物、水酸化物、酸素酸塩、ハロ
ゲン化物、炭酸塩、又アルコール、フェノール類とのア
ルコオキサイド、フェノオキサイド類等の化合物を挙げ
ることができる。
前記エステル化反応において使用される触媒はテレフタ
ル酸に対して０．１〜５モル％の量使用される。
ル酸に対して０．１〜５モル％の量使用される。
前記した触媒の使用量が０．１モル％より少ないと目的
とする効果が少なく、５モル％より多くなると生成物が
着色し、触媒の回収等の問題が生じる。
とする効果が少なく、５モル％より多くなると生成物が
着色し、触媒の回収等の問題が生じる。
又、反応温度は２５０℃以上３５０℃の範囲である。
反応温度が２５０℃より低くては反芯速度が遅くなり又
３５０℃より高くなると分解をともない、反応生成物の
着色が多くなり収量も低下する。
３５０℃より高くなると分解をともない、反応生成物の
着色が多くなり収量も低下する。
本発明方法は、前記の如き直接エステル化反応によって
得られた粗ジアリールテレフタレートを、周期律表第１
ａ族元素の酸化物、水酸化物、フェノラート、周期律表
第１Ｉａ族元素の炭酸塩、脂肪族モノカルボン酸塩、酸
化物、水酸化物、フェノラートよりなる群から選ばれた
少なくとも一種の化合物の存在下で蒸留することにより
精製するのである。
得られた粗ジアリールテレフタレートを、周期律表第１
ａ族元素の酸化物、水酸化物、フェノラート、周期律表
第１Ｉａ族元素の炭酸塩、脂肪族モノカルボン酸塩、酸
化物、水酸化物、フェノラートよりなる群から選ばれた
少なくとも一種の化合物の存在下で蒸留することにより
精製するのである。
本発明方法において周期律表第１ａ族元素とは、例えば
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ムであり、本発明方法ではこれら元素の酸化物、水酸化
物、フェノラートが使用される。
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ムであり、本発明方法ではこれら元素の酸化物、水酸化
物、フェノラートが使用される。
その具体的化合物としては、例えば酸化リチウム、酸化
ナトリウム、酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム及び粗ジ
アリールテレフタレートの製造原料となるフェノール類
との塩たとえばナトリウムフェノラート、カリウムフェ
ノラート等をあげることができる。
ナトリウム、酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム及び粗ジ
アリールテレフタレートの製造原料となるフェノール類
との塩たとえばナトリウムフェノラート、カリウムフェ
ノラート等をあげることができる。
また、周期律表第１Ｉａ族元素とは、例えばベリリウム
、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウ
ムであり、本発明方法ではこれら元素の炭酸塩、脂肪族
モノカルボン酸塩、酸化物、水酸化物、フェノラートが
使用される。
、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウ
ムであり、本発明方法ではこれら元素の炭酸塩、脂肪族
モノカルボン酸塩、酸化物、水酸化物、フェノラートが
使用される。
その具体的化合物としては、例えば炭酸べＩＪ ’ Ｉ
Ｊウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム、炭酸ストロンチウム、・ギ酸ベリリウム、ギ酸マ
グネシウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、プロ
ピオン酸バリウム、ステアリン酸ストロンチウム、酸化
ベリリウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム及び粗
ジアリールテレフタレートの製造原料となるフェノール
類との塩たとえばマグネシウムフェノラート、カルシウ
ムフェノラート、バリウムフェノラート等をあげること
ができる。
Ｊウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリ
ウム、炭酸ストロンチウム、・ギ酸ベリリウム、ギ酸マ
グネシウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、プロ
ピオン酸バリウム、ステアリン酸ストロンチウム、酸化
ベリリウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム及び粗
ジアリールテレフタレートの製造原料となるフェノール
類との塩たとえばマグネシウムフェノラート、カルシウ
ムフェノラート、バリウムフェノラート等をあげること
ができる。
前記した周期律表第１ａ及び／又は第１Ｉａ族の元素を
含む化合物は、そのまま粗ジアリールテレフタレートに
添加してもよいが、前記直接エステル化反応の際に使用
したものと同じフェノール類に分散又は溶解して添加す
ることもできる。
含む化合物は、そのまま粗ジアリールテレフタレートに
添加してもよいが、前記直接エステル化反応の際に使用
したものと同じフェノール類に分散又は溶解して添加す
ることもできる。
かかる周期律表第１ａ及び／又は第１Ｉａ族の元素を含
む化合物の使用量は、粗ジアリールテレフタレートに対
し０．５〜１５重量％、好ましくは１〜１０重量％であ
ることが望ましい。
む化合物の使用量は、粗ジアリールテレフタレートに対
し０．５〜１５重量％、好ましくは１〜１０重量％であ
ることが望ましい。
本発明方法においては、前記周期律表第１ａ及び／又は
第１Ｉａ族の元素を含む化合物を粗ジアリールテレフタ
レートに添加して後、直ちに蒸留してもよいが、３０〜
６０分間攪拌下に２００〜２８０℃に加熱した後蒸留す
ることが望ましい。
第１Ｉａ族の元素を含む化合物を粗ジアリールテレフタ
レートに添加して後、直ちに蒸留してもよいが、３０〜
６０分間攪拌下に２００〜２８０℃に加熱した後蒸留す
ることが望ましい。
以上本発明方法によれば周期律表第１ａ族元素及び／又
は周期律表第１Ｉ ａ族元素を含む化合物を少量使用す
るだけで遊離カルボキシル基量の少いジアリールテレフ
タレートを蒸留という簡単な手段で得ることができる。
は周期律表第１Ｉ ａ族元素を含む化合物を少量使用す
るだけで遊離カルボキシル基量の少いジアリールテレフ
タレートを蒸留という簡単な手段で得ることができる。
またかくして得られたジアリールテレフタレートは着色
度が極めて少いものである。
度が極めて少いものである。
以下実施例を掲げて本発明方法を説明する。
尚例中の部は重量部を意味する。
実施例 １
テレフタル酸６１部、フェノール１３９部、三酸化アン
チモン１０部をコンデンサー付オートクル−プに仕込み
、２８０℃で８時間反応の結果生成する水を留去しなが
ら攪拌下に反応を行なった。
チモン１０部をコンデンサー付オートクル−プに仕込み
、２８０℃で８時間反応の結果生成する水を留去しなが
ら攪拌下に反応を行なった。
反応終了後、酸化ナトリウム３部を加え、１００〜２０
０℃で３０分間加熱してからアスピレータ−減圧下に過
剰のフェノールを留去させ、ひきつづき１〜１．５ｍｍ
Ｈｇのもとで長さ約２０Ｃｗｌの精留塔を用いて蒸留し
た。
０℃で３０分間加熱してからアスピレータ−減圧下に過
剰のフェノールを留去させ、ひきつづき１〜１．５ｍｍ
Ｈｇのもとで長さ約２０Ｃｗｌの精留塔を用いて蒸留し
た。
白色のジフェニルテレフタレート１０４部が得られた。
このジフェニルテレフタレ−１・の遊離カルボキシル基
量は４２当量／１０６グであった。
量は４２当量／１０６グであった。
比較例 １
酸化ナトリウムを使用しない以外は実施例］と同様にし
て減圧蒸留によりジフェニルテレフタレートを精製した
。
て減圧蒸留によりジフェニルテレフタレートを精製した
。
やや黄色味をおびたジフェニルテレフタレー） １０８
部が得られた。
部が得られた。
ここで得たジフェニルテレフタレ−１・の遊離カルボキ
シル基量は２０ｇ当量／１０６グであった。
シル基量は２０ｇ当量／１０６グであった。
実施例 ２〜１４
酸化ナトリウムのかわりに表１に示す各種化合物を所定
量加えた以外は実施例１と全く同様にしてジフェニルテ
レフタレ−１・の蒸留を行った。
量加えた以外は実施例１と全く同様にしてジフェニルテ
レフタレ−１・の蒸留を行った。
得られた結果を下記表１に示した。
Claims (1)
- １ テレフタル酸とフェノール類とを直接エステル化す
ることによって得られた粗ジアリールテレフタレートを
、周期律表第１ａ族元素の酸化物、水酸化物、フェノラ
ート及び周期律表第１Ｉ ａ族元素の炭酸塩、脂肪族モ
ノカルボン酸塩、酸化物、水酸化物、フエノラーＩ・よ
りなる群から選ばれた少な（とも一種の化合物の存在下
で蒸留することを特徴とする粗ジアリールテレフタレー
トの精製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50010951A JPS5817734B2 (ja) | 1975-01-28 | 1975-01-28 | ソジアリ−ルテレフタレ−トノセイセイホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50010951A JPS5817734B2 (ja) | 1975-01-28 | 1975-01-28 | ソジアリ−ルテレフタレ−トノセイセイホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5186435A JPS5186435A (ja) | 1976-07-29 |
| JPS5817734B2 true JPS5817734B2 (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=11764491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50010951A Expired JPS5817734B2 (ja) | 1975-01-28 | 1975-01-28 | ソジアリ−ルテレフタレ−トノセイセイホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817734B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176339U (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | 信越ポリマ−株式会社 | 押釦スイツチ用カバ−部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502606A (ja) * | 1973-04-30 | 1975-01-11 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5256322Y2 (ja) * | 1973-05-01 | 1977-12-20 |
-
1975
- 1975-01-28 JP JP50010951A patent/JPS5817734B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502606A (ja) * | 1973-04-30 | 1975-01-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176339U (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | 信越ポリマ−株式会社 | 押釦スイツチ用カバ−部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5186435A (ja) | 1976-07-29 |
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