JPS5817427A - エレクトロクロミツク素子絞り - Google Patents
エレクトロクロミツク素子絞りInfo
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- JPS5817427A JPS5817427A JP56115140A JP11514081A JPS5817427A JP S5817427 A JPS5817427 A JP S5817427A JP 56115140 A JP56115140 A JP 56115140A JP 11514081 A JP11514081 A JP 11514081A JP S5817427 A JPS5817427 A JP S5817427A
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- electrochromic
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/081—Analogue circuits
- G03B7/085—Analogue circuits for control of aperture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透過率制御型エレクトロクロミンク素子絞シに
関する。
関する。
スチルカメラ、シネカメラ又はＴＶカメラの撮影には動
きのある被写体を撮影することが多く、適正露出設定の
為の自動露出制御機構が不可欠である。
きのある被写体を撮影することが多く、適正露出設定の
為の自動露出制御機構が不可欠である。
従来この用途に使われる絞りとしては殆ど機械的な絞り
が使われて居たが、機械的数シは絞り羽根、駆動モータ
ー等多くの機械部品を要し、構造が複雑となり、占有ス
ペースも大となシ製造、組立が厄介で、コスト高となシ
、設計の自由度も制限され、信頼性も低下する欠点を免
れなかった。
が使われて居たが、機械的数シは絞り羽根、駆動モータ
ー等多くの機械部品を要し、構造が複雑となり、占有ス
ペースも大となシ製造、組立が厄介で、コスト高となシ
、設計の自由度も制限され、信頼性も低下する欠点を免
れなかった。
近来エレクトロクロミック現象即ち１方向に通電するこ
とにニジ酸化還元作用を生じて発色し、通電を断てばそ
の状態を維持してメモリー作用を有すると共に逆方向に
通電することにｘ９消色して透明に戻シ、シかもその発
色程度が通電量に関係して自由に調節可能となされる現
象を利用したエレクトロクロミック素子が実用化されつ
＼あり、これを利用したエレクトロクロミック素子（Ｅ
ＣＤ）絞シが種々提案されている。
とにニジ酸化還元作用を生じて発色し、通電を断てばそ
の状態を維持してメモリー作用を有すると共に逆方向に
通電することにｘ９消色して透明に戻シ、シかもその発
色程度が通電量に関係して自由に調節可能となされる現
象を利用したエレクトロクロミック素子が実用化されつ
＼あり、これを利用したエレクトロクロミック素子（Ｅ
ＣＤ）絞シが種々提案されている。
エレクトロクロミック素子絞シには同心円環状の多数の
エレクトロクロミック素子を総て発色させて全閉状態と
なし、内方、ｃシ順次消色させることにより所望の絞シ
ロ径を設定する面積制御型絞りと、絞シ開口は不変とし
て通電量を制御して透過率を調節して所望の光量絞シ値
を設定する透過率制御型数シの２種類がある。
エレクトロクロミック素子を総て発色させて全閉状態と
なし、内方、ｃシ順次消色させることにより所望の絞シ
ロ径を設定する面積制御型絞りと、絞シ開口は不変とし
て通電量を制御して透過率を調節して所望の光量絞シ値
を設定する透過率制御型数シの２種類がある。
本発明は後者の透過率制御型エレクトロクロミック素子
絞シに指向されるものである。この種の絞りは機械的数
シに比して構造が簡単で占有スペースも小さく設計の自
由度も大きく、信頼性も大で、ＥＥクロッ機能も単に通
電を遮断するのみで行い得て、極めて便利であシ、軽量
、小型になし得る利点を有するがその反面法の工うな困
難もある。即ち （１） 消色する為に逆方向の通電を要する。
絞シに指向されるものである。この種の絞りは機械的数
シに比して構造が簡単で占有スペースも小さく設計の自
由度も大きく、信頼性も大で、ＥＥクロッ機能も単に通
電を遮断するのみで行い得て、極めて便利であシ、軽量
、小型になし得る利点を有するがその反面法の工うな困
難もある。即ち （１） 消色する為に逆方向の通電を要する。
（２） 透過率を調節する為に通電量を制御しなけれ
ばならない。
ばならない。
（３）過度の通電を行うと副反応を生じて性能の劣化、
寿命の短縮を来たすから、過度の通電を避けなければな
らない。
寿命の短縮を来たすから、過度の通電を避けなければな
らない。
（４）透過率制御型絞りでは単に通電量のみを制御する
だけでは個々のエレクトロクロミック素子の性状にニジ
精密な透過率制御には問題がある。
だけでは個々のエレクトロクロミック素子の性状にニジ
精密な透過率制御には問題がある。
本発明は上述の種々の困難を考慮して正確確実に所望の
絞シ制御を可能となす自動露出制御及び手動絞シ調節を
行う為の透過率制御型エレクトロクロミック素子絞りを
提供することを目的とする。
絞シ制御を可能となす自動露出制御及び手動絞シ調節を
行う為の透過率制御型エレクトロクロミック素子絞りを
提供することを目的とする。
以下に添付図面を参照して本発明の望ましい実施例を説
明する。
明する。
第１図は本発明による絞シをシネカメラに組込んだ１例
を概略的に示す。アフォーカルレンズＡＬを通過した被
写跡光はビームスプリッタ−ＢＳｌに、Ｃり１部上方に
反射されてファインダーＦへ、残りの大部分の光は直進
して本発明による透過率制御型エレクトロクロミック素
子絞りＥＣＤを通シマスターレン′ズＭＬを経てビーム
スグリツタ−ＢＳ２にニジ１部反射されて被写体光側光
用光電素子Ｃｄ５１に入射し、残シの大部分の光は直進
してシャッターＳを経てフィルム等の受光面Ｆ′に入射
される。
を概略的に示す。アフォーカルレンズＡＬを通過した被
写跡光はビームスプリッタ−ＢＳｌに、Ｃり１部上方に
反射されてファインダーＦへ、残りの大部分の光は直進
して本発明による透過率制御型エレクトロクロミック素
子絞りＥＣＤを通シマスターレン′ズＭＬを経てビーム
スグリツタ−ＢＳ２にニジ１部反射されて被写体光側光
用光電素子Ｃｄ５１に入射し、残シの大部分の光は直進
してシャッターＳを経てフィルム等の受光面Ｆ′に入射
される。
受光したｃａｓ ｌの出力信号は本発明による制御回路
ＣＣに与えられ、エレクトロクロミック素子絞りＥＣＤ
の所望の透過率を設定するのに必要な通電量をＥＣＤに
与えて自動霧出制御を行い得ると共に制御回路ＣＣを手
動絞シ設定に切換えることにニジ後述する如＜ＥＣＤの
対向両面に夫々設けた基準光発光素子ＬＥＤ及びＥＣＤ
を通してＬＥＤからの基準光を受光してＥＣＤの透過率
を検知する透過率検知用光電素子Ｃｄ５２の出力信号を
利用して、手動にｘｂ設定された所望の絞シ値に合致す
るようにＥＣＤの透過率を制御することが出来るように
なっている。更に又この透過率検知用光電素子Ｃａ５ｚ
の出力信号は後述の如く自動露出制御及び手動絞り設定
の何れの場合にもＥＣＤ保護の為の過度の通電を制限す
る保護回路にも利用されることが出来るのである。
ＣＣに与えられ、エレクトロクロミック素子絞りＥＣＤ
の所望の透過率を設定するのに必要な通電量をＥＣＤに
与えて自動霧出制御を行い得ると共に制御回路ＣＣを手
動絞シ設定に切換えることにニジ後述する如＜ＥＣＤの
対向両面に夫々設けた基準光発光素子ＬＥＤ及びＥＣＤ
を通してＬＥＤからの基準光を受光してＥＣＤの透過率
を検知する透過率検知用光電素子Ｃｄ５２の出力信号を
利用して、手動にｘｂ設定された所望の絞シ値に合致す
るようにＥＣＤの透過率を制御することが出来るように
なっている。更に又この透過率検知用光電素子Ｃａ５ｚ
の出力信号は後述の如く自動露出制御及び手動絞り設定
の何れの場合にもＥＣＤ保護の為の過度の通電を制限す
る保護回路にも利用されることが出来るのである。
示す。図示０ＥＣＤ絞シは１対の透明基板ＴＢＩ。
ＴＢ２と、これらＴＢＩ、ＴＢ２の内面に夫々設けられ
た対向透明電極ＴＥＩ、ＴＥ２と、ＴＥｌの内面に′設
けられたエレクトロクロミック物質ＥＣと、ＴＥ２とＥ
Ｃとの間に介在する電解液ＥＬとを含み、周囲は遮蔽体
ＳＨにより封止されていて、第３図に示すように中央範
囲に必要な絞シロ径ＥＡを規定し、その外側の適所に遮
光膜ＳＦで遮光された基準光発光素子ＬＥＤがＴＢＩ内
に埋設され、同様にＳＦで遮光されたＥＣＤ透過率検知
用光電素子Ｃｄ５ｔがＴＢ２内にＬＥＤに対置されて埋
設されている、必要に応じて点線ＳＢで示すように必要
な口径ＥＡからの光がＬ Ｅ Ｄ １！：Ｃａ５２との
対設部分範囲に迷光として侵入しないように遮光体を設
けることが出上述したＥＣＤを利用した本発明による透
過率制御型エレクトロクロミック素子絞シの制御回路の
第１の実施例を第４図を参照して説明する。
た対向透明電極ＴＥＩ、ＴＥ２と、ＴＥｌの内面に′設
けられたエレクトロクロミック物質ＥＣと、ＴＥ２とＥ
Ｃとの間に介在する電解液ＥＬとを含み、周囲は遮蔽体
ＳＨにより封止されていて、第３図に示すように中央範
囲に必要な絞シロ径ＥＡを規定し、その外側の適所に遮
光膜ＳＦで遮光された基準光発光素子ＬＥＤがＴＢＩ内
に埋設され、同様にＳＦで遮光されたＥＣＤ透過率検知
用光電素子Ｃｄ５ｔがＴＢ２内にＬＥＤに対置されて埋
設されている、必要に応じて点線ＳＢで示すように必要
な口径ＥＡからの光がＬ Ｅ Ｄ １！：Ｃａ５２との
対設部分範囲に迷光として侵入しないように遮光体を設
けることが出上述したＥＣＤを利用した本発明による透
過率制御型エレクトロクロミック素子絞シの制御回路の
第１の実施例を第４図を参照して説明する。
第４図に示された回路は電源ＢＴと、電源投入スイッチ
ＳＷｌと、基準電圧を発生させる分圧抵抗Ｒ１＋ Ｒ２
より成る基準電圧発生回路と、抵抗Ｒ８及び可調ボリュ
ームＶＲ１ニジ成り■ｌを手動調節して手動絞シ設定電
圧を発生させる手動絞シ設定電圧発生回路と、ダイオー
ドＤｌを介してＢＴＫニジ附勢され、ＢＴ遮断後もコン
デンサーＣ１に蓄積されたエネルギーが消滅する迄附勢
されるようになされたＥＣＤ透過被写体光を受光する光
電素−７ｃｄＳｌ及び抵抗Ｒ６エシ成る光情報電圧発生
回路と、前述の光電素子Ｃｄ５２及び抵抗Ｒ７エシ成シ
、同じ（ＢＴ遮断後もＣ１の蓄積エネルギーが消滅する
迄附勢されるＥＣＤ透過率検知回路と、ＡＵＴＯ及び手
動ＭＡＮ切換スイッチＳＷ２を介してＭＡＮの時ＫＤｔ
を介してＢＴによシ附勢される前述のＬＥＤと、ＥＣＤ
の１方の電極ＴＥｌに出力が接続される反転増巾器に形
成された演算増巾器ＯＰ２と、ＥＣＤの他方の電極ＴＥ
２に出力が接続された反転増巾器に形成された演算増巾
器ＯＰＩと、ＯＰｌ及びＯＦ２の増巾率を調節する可調
ボリューム■２とを有し、ＯＦ２の負入力端子は抵抗Ｒ
４を介して基準電圧発生回路の基準分圧電圧又は手動絞
り設定電圧発生回路の分圧電圧を選択的に与えられるよ
うに紫２にニジ切換えられる如く接続されると共にＯＰ
ｌの負入力端子も抵抗Ｒ６を介して光情報電圧発生回路
の分圧電圧又はＥＣＤ透過率検知回路の分圧電圧を選択
的に与えられる工うにｙ２にニジ切換えられる如く接続
されている。ＯＦ２の正入力端子は点ｄに、又ＯＰｓの
正入力端子は点Ｃに接続されている。
ＳＷｌと、基準電圧を発生させる分圧抵抗Ｒ１＋ Ｒ２
より成る基準電圧発生回路と、抵抗Ｒ８及び可調ボリュ
ームＶＲ１ニジ成り■ｌを手動調節して手動絞シ設定電
圧を発生させる手動絞シ設定電圧発生回路と、ダイオー
ドＤｌを介してＢＴＫニジ附勢され、ＢＴ遮断後もコン
デンサーＣ１に蓄積されたエネルギーが消滅する迄附勢
されるようになされたＥＣＤ透過被写体光を受光する光
電素−７ｃｄＳｌ及び抵抗Ｒ６エシ成る光情報電圧発生
回路と、前述の光電素子Ｃｄ５２及び抵抗Ｒ７エシ成シ
、同じ（ＢＴ遮断後もＣ１の蓄積エネルギーが消滅する
迄附勢されるＥＣＤ透過率検知回路と、ＡＵＴＯ及び手
動ＭＡＮ切換スイッチＳＷ２を介してＭＡＮの時ＫＤｔ
を介してＢＴによシ附勢される前述のＬＥＤと、ＥＣＤ
の１方の電極ＴＥｌに出力が接続される反転増巾器に形
成された演算増巾器ＯＰ２と、ＥＣＤの他方の電極ＴＥ
２に出力が接続された反転増巾器に形成された演算増巾
器ＯＰＩと、ＯＰｌ及びＯＦ２の増巾率を調節する可調
ボリューム■２とを有し、ＯＦ２の負入力端子は抵抗Ｒ
４を介して基準電圧発生回路の基準分圧電圧又は手動絞
り設定電圧発生回路の分圧電圧を選択的に与えられるよ
うに紫２にニジ切換えられる如く接続されると共にＯＰ
ｌの負入力端子も抵抗Ｒ６を介して光情報電圧発生回路
の分圧電圧又はＥＣＤ透過率検知回路の分圧電圧を選択
的に与えられる工うにｙ２にニジ切換えられる如く接続
されている。ＯＦ２の正入力端子は点ｄに、又ＯＰｓの
正入力端子は点Ｃに接続されている。
ＥＣＤの配置はＯＦ２の出力がＨレベルで、ＯＰｌの出
力レベルがＬレベルで点すから点ａへ通電される時にＥ
ＣＤが発色し、逆に点ａから点すへ通電される時に消色
するように選ばれている。
力レベルがＬレベルで点すから点ａへ通電される時にＥ
ＣＤが発色し、逆に点ａから点すへ通電される時に消色
するように選ばれている。
同ＥＣＤの通電を遮断してその時のＥＣＤの透過率を維
持させるメモリー機能を与える為のＥＥロック用スイッ
チｙ８が点ａとＴＥ２との間に介装されている。
持させるメモリー機能を与える為のＥＥロック用スイッ
チｙ８が点ａとＴＥ２との間に介装されている。
上述の工うに構成された第４図の制御回路の作動は次の
通りである。
通りである。
ｙ２をＡＵＴＯＩＩＩＩに接続した状態テＳｗｌを閉じ
ＢＴＫ工！０附勢すると、 Ｒｔ及びＲ２の分圧電圧に
より与えられる基準電圧が抵抗Ｒ４を介してＯＦ２の負
入力端子へ、叉点ＣからＯＰｌの正入力端子に与えられ
る。
ＢＴＫ工！０附勢すると、 Ｒｔ及びＲ２の分圧電圧に
より与えられる基準電圧が抵抗Ｒ４を介してＯＦ２の負
入力端子へ、叉点ＣからＯＰｌの正入力端子に与えられ
る。
同時にＤｌを介してＣＩが充電され、この電圧・が光情
報電圧発生回路及びＥＣＤ透過率検知回路に与えられる
。Ｃｄ５１とＪ６による分圧電圧にＬつて与えられる被
写体光情報電圧がＲ６を介してＯＰｌの負入力端子へ、
叉点ｄからＯＦ２の正入力端子に与えられる。この時若
し、点ｄと点Ｃが同電位であれば点ａ、ｂ間には電位差
がなく、ＥＣＤには通電されないからＥＣＤの透過率は
不変に保たれる。。
報電圧発生回路及びＥＣＤ透過率検知回路に与えられる
。Ｃｄ５１とＪ６による分圧電圧にＬつて与えられる被
写体光情報電圧がＲ６を介してＯＰｌの負入力端子へ、
叉点ｄからＯＦ２の正入力端子に与えられる。この時若
し、点ｄと点Ｃが同電位であれば点ａ、ｂ間には電位差
がなく、ＥＣＤには通電されないからＥＣＤの透過率は
不変に保たれる。。
若し、被写体光が明るくなりＥＣＤを透過した被写体光
を受光するＣｄ５１の受光光量が大となると、Ｃｄ５１
の抵抗が小さくなるから点ｄの電位が上昇し、ＯＰＩの
出力即ち点ａの電位が低下してＯＦ２の出力即ち点すの
電位が上昇するから点すから点ａへ向つてＥＣＤを通し
て発色通電が行われる。従ってＥＣＤの透過率が小さく
な、りＣａ５ｔの受光光量が低下するからＣａＳ＋の抵
抗が増し、点ｄの電位は低下し、点Ｃと同電位になった
時点で通電を停止し、その時のＥＣＤの透過率を維持す
る。これが適正露“出〜を規定する。
を受光するＣｄ５１の受光光量が大となると、Ｃｄ５１
の抵抗が小さくなるから点ｄの電位が上昇し、ＯＰＩの
出力即ち点ａの電位が低下してＯＦ２の出力即ち点すの
電位が上昇するから点すから点ａへ向つてＥＣＤを通し
て発色通電が行われる。従ってＥＣＤの透過率が小さく
な、りＣａ５ｔの受光光量が低下するからＣａＳ＋の抵
抗が増し、点ｄの電位は低下し、点Ｃと同電位になった
時点で通電を停止し、その時のＥＣＤの透過率を維持す
る。これが適正露“出〜を規定する。
ＶＨ２を調節すればＯＰＩ 、 ＯＦ２の増巾率が変化
し点ａ、ｂ間の電位差を増巾するからＥＣＤの発色消色
の速度を調節することが出来る。
し点ａ、ｂ間の電位差を増巾するからＥＣＤの発色消色
の速度を調節することが出来る。
逆に被写体光の明るさが弱くなった場合も同様にして前
述とは反対方向に点ａから点すに通電されてＥＣＤを消
色させ、点ａ、ｂが同電位になった時点で通電を停止し
、自動露出制御を行うのである。
述とは反対方向に点ａから点すに通電されてＥＣＤを消
色させ、点ａ、ｂが同電位になった時点で通電を停止し
、自動露出制御を行うのである。
腑２を手動ＭＡＮに切換えるとＯＦ２の負入力端子及び
ＯＰｌの正入力端子に手動絞シ設定電圧が与えられ、Ｌ
ＥＤが附勢されると共にＥＣＤ透過率検知用Ｃｄ５２に
よる透過率検知電圧がＯＰＩの負、入力端子及びＯＦ２
の正入力端子に与えられ、■ｌにニジ手動設定された絞
シ設定電圧と平衡する迄ＥＣＤに発色又は消色通電が行
われて絞シを所望値に設定出来る。
ＯＰｌの正入力端子に手動絞シ設定電圧が与えられ、Ｌ
ＥＤが附勢されると共にＥＣＤ透過率検知用Ｃｄ５２に
よる透過率検知電圧がＯＰＩの負、入力端子及びＯＦ２
の正入力端子に与えられ、■ｌにニジ手動設定された絞
シ設定電圧と平衡する迄ＥＣＤに発色又は消色通電が行
われて絞シを所望値に設定出来る。
ＳＮｔを開放してＢＴＯ附勢を断つと、先ず点ｆ及びｇ
が接地電位に低下するが、Ｃｄ５１及びＣｄ５２はＢＴ
遮断後もＣ１の蓄積エネルギーが消滅する迄尚附勢され
ているから、点Ｃの電位ニジも点ｄの電位が高く、従っ
て点すから点ａへ向ってＥＣＤを通して発色通電が行わ
れ、絞り切勺即ちクローズ状態となる。
が接地電位に低下するが、Ｃｄ５１及びＣｄ５２はＢＴ
遮断後もＣ１の蓄積エネルギーが消滅する迄尚附勢され
ているから、点Ｃの電位ニジも点ｄの電位が高く、従っ
て点すから点ａへ向ってＥＣＤを通して発色通電が行わ
れ、絞り切勺即ちクローズ状態となる。
ＳＡ／ａを開放すれば透過率が変化しないメモリー状態
にロックされる。
にロックされる。
第５図はＥＣＤの過度の通電を阻止してＥＣＤの副反応
を防止し寿命を長く保たせる為の保護回路を組込んだ本
発明の第２の実施例を示す。
を防止し寿命を長く保たせる為の保護回路を組込んだ本
発明の第２の実施例を示す。
全体的には第４図のものと実質的に同様であるが、ＬＥ
Ｄはｙ２にょシ接断されずに常時３３ Ｔｉｓ”ＯＮの
間附勢される工うになっていて、その代シに自Ｓｌ及び
Ｒ６の分圧電圧による光情報電圧又はＣｄＳ ａびＲ７
の分圧電圧によるＥＣＤ透過率検知電圧がＳＷ２にニジ
選択的に切換えられて点ｅに与えられるようになってい
る。
Ｄはｙ２にょシ接断されずに常時３３ Ｔｉｓ”ＯＮの
間附勢される工うになっていて、その代シに自Ｓｌ及び
Ｒ６の分圧電圧による光情報電圧又はＣｄＳ ａびＲ７
の分圧電圧によるＥＣＤ透過率検知電圧がＳＷ２にニジ
選択的に切換えられて点ｅに与えられるようになってい
る。
点ｅＦｉＥｃＤ透過率下限値設定基準電圧ＶＲｅｆｌが
負入力端子に接続されているコンパレーターＣＯＭＰ１
の、正入力端子存びＥＣＤ透過率上限値設定基準電圧Ｖ
Ｒｅｆ２が負入力端子に接続されているコンパレーター
ＣＯＭＰ２の正入力端子に接続され、００ＭＰ＋の出力
はアナログスイッチＳＷ４の制御端子に入力され、００
ＭＰ＋の出力がＨレベルの時にｙ４がＯＮＬ、Ｌレベル
の時にＯＦＦする工うになっている、 又ＣＯＭＰ２の出力はアナログスイッチＳＷ５の制御端
子に入力され、出力がＨレベルの時ＳＷ５がＯＦＦされ
、Ｌレベルの時にＳＷ５がＯＮするようになっている。
負入力端子に接続されているコンパレーターＣＯＭＰ１
の、正入力端子存びＥＣＤ透過率上限値設定基準電圧Ｖ
Ｒｅｆ２が負入力端子に接続されているコンパレーター
ＣＯＭＰ２の正入力端子に接続され、００ＭＰ＋の出力
はアナログスイッチＳＷ４の制御端子に入力され、００
ＭＰ＋の出力がＨレベルの時にｙ４がＯＮＬ、Ｌレベル
の時にＯＦＦする工うになっている、 又ＣＯＭＰ２の出力はアナログスイッチＳＷ５の制御端
子に入力され、出力がＨレベルの時ＳＷ５がＯＦＦされ
、Ｌレベルの時にＳＷ５がＯＮするようになっている。
ＥＷａの１方の端子はＤｔを介してＢＴの正側に接続さ
れ、他方の端子はＮＰＮ型トランジスターＴＲ１のコレ
クターに接続され、ＴＲ１のエミッターはＰＮＰ型トラ
ンジスターＴＲ２のエミッターに接続され、ＴＲ２のコ
レクターはＢＴの負側に接続され、ＴＲＩ 、 ＴＲ２
のベースがＯＦ２の出力に接続されると共にエミッター
が共にＥＣＤの１方の電極ＴＥ＋に接続されている。
れ、他方の端子はＮＰＮ型トランジスターＴＲ１のコレ
クターに接続され、ＴＲ１のエミッターはＰＮＰ型トラ
ンジスターＴＲ２のエミッターに接続され、ＴＲ２のコ
レクターはＢＴの負側に接続され、ＴＲＩ 、 ＴＲ２
のベースがＯＦ２の出力に接続されると共にエミッター
が共にＥＣＤの１方の電極ＴＥ＋に接続されている。
同様にしてＳＷｓの１方の端子はＤｌを介してＢＴの正
側に接続され、他方の端子はＮＰＮ型トランジスターＴ
Ｒｓのコレクターに接続され、ＴＲａのエミッターはＰ
ＮＰ型トランジスターＴＲ４のエミッターに接続され、
ＴＲ４のコレクターがＢＴの負側に接続されている。Ｔ
Ｒｓ及びＴＲ４のベースは共にＯＰＩの出力に接続され
、エミッターは共に５ｌｉｌｉ／ｓを介してＥＣＤの他
方の電極ＴＥ２に接続されている。
側に接続され、他方の端子はＮＰＮ型トランジスターＴ
Ｒｓのコレクターに接続され、ＴＲａのエミッターはＰ
ＮＰ型トランジスターＴＲ４のエミッターに接続され、
ＴＲ４のコレクターがＢＴの負側に接続されている。Ｔ
Ｒｓ及びＴＲ４のベースは共にＯＰＩの出力に接続され
、エミッターは共に５ｌｉｌｉ／ｓを介してＥＣＤの他
方の電極ＴＥ２に接続されている。
点ｄに於ける電位がＶＲｅｆｔ及びＶＲｅ ｆ ２の間
にあれば第４図の制御回路と全く同様にＣＯＭＰ、及び
ＣＯＭＰ２の出カニニジ！ｇ１ｖ４，５ｗｌ５カ共に０
ＮＣＤ状態に保たれて発色、消色通電が可能で自動露出
制御及び手動絞り設定を行い得るが、若し発色通電が著
しく進んで点ｄの電位がＶＲｅｆｔよりも低くなるとＣ
ＯＭＰＩの出力がＬレベルとなってＳｗ４がＯＦＦされ
てＴＲＩ ｂ−圧Ｄ ａ ＴＲ４を経て行われる
発色通電が禁止され、過度の発色を防止し、ｙ６はＣＯ
ＭＰ２Ｑ出力カＬ ｖ ヘＡ、 テＳＷｓ カＯＮに保
たれているからＴＲｓ ａ Ｅ）：：Ｄ ｂ
ＴＲ４を通る消色通電は可能の状態に保たれる。
にあれば第４図の制御回路と全く同様にＣＯＭＰ、及び
ＣＯＭＰ２の出カニニジ！ｇ１ｖ４，５ｗｌ５カ共に０
ＮＣＤ状態に保たれて発色、消色通電が可能で自動露出
制御及び手動絞り設定を行い得るが、若し発色通電が著
しく進んで点ｄの電位がＶＲｅｆｔよりも低くなるとＣ
ＯＭＰＩの出力がＬレベルとなってＳｗ４がＯＦＦされ
てＴＲＩ ｂ−圧Ｄ ａ ＴＲ４を経て行われる
発色通電が禁止され、過度の発色を防止し、ｙ６はＣＯ
ＭＰ２Ｑ出力カＬ ｖ ヘＡ、 テＳＷｓ カＯＮに保
たれているからＴＲｓ ａ Ｅ）：：Ｄ ｂ
ＴＲ４を通る消色通電は可能の状態に保たれる。
逆に過度に消色が行われようとする時に点ｄの電位がＶ
Ｒｅ ｆ ２ニジも高く々ると今度はＣＯＭＰ２の出力
がＨレベルとなってＥＷｓがＯＦＦされ、消色通電が禁
止され、発色通電のみ可能の状態となされてＥＣＤの保
護が行われる。
Ｒｅ ｆ ２ニジも高く々ると今度はＣＯＭＰ２の出力
がＨレベルとなってＥＷｓがＯＦＦされ、消色通電が禁
止され、発色通電のみ可能の状態となされてＥＣＤの保
護が行われる。
第１図は本発明によるＥＣＤ絞シをシネカメラに適用し
た場合の説明図。 第２図は本発明にょるＥＣＤ絞シの断面図。 第３図は第２図０ＥＣＤ絞シの正面図。 第４図は本発明のＥ′ＣＤ絞シの制御回路の第１の実施
例の回路図。 第５図は制御回路の第２の実施例の回路図。 ＥＣＤ・・・・・・・・・・・・エレクトロクロミック
素袴シＬＥＤ・・・・・・・・・・・・基準光発光素子
ＣＣ・・・・・・・・・・・・・・・制御回路Ｃ（ＩＳ
１＊Ｃｄ５ｇ・・・・・・光電素子ＴＥＩ ＠ＴＥ２・
・・・・・・・・電極ＢＴ・・・・・・・・・・・・・
・・電源ＳＷｔ・・・・・・・・・・・・・・・電源ス
ィッチｙ２・・・・・・・・・・・・・・・自動露出制
御及び手動絞シ設定切換スイッチ ＳＷｓ・・・・・・・・・・・・・・・ＥＥロック用ス
イッチＣＩ・・・……………コンデンサー Ｄ１・・・・・・・・・・・・・・・・・・ダイオード
ＶＲＩＩ■２・・・・・・・・・可調ボリュームＯＰ１
．ＯＰ２・・・・・・・・・反転増巾器に形成された演
算増巾器 ＥＪＮ４ ＃ ｓｗ５・・・・・・・・・アナログスイ
ッチＣＯＭＰ１．ＣＯＭＰ２ ・・・・・・コンパレ
ーターＴＲ１＝ＴＲ４・・・・・・・・・トランジスタ
ー特許出願人 株式会社 コバル
た場合の説明図。 第２図は本発明にょるＥＣＤ絞シの断面図。 第３図は第２図０ＥＣＤ絞シの正面図。 第４図は本発明のＥ′ＣＤ絞シの制御回路の第１の実施
例の回路図。 第５図は制御回路の第２の実施例の回路図。 ＥＣＤ・・・・・・・・・・・・エレクトロクロミック
素袴シＬＥＤ・・・・・・・・・・・・基準光発光素子
ＣＣ・・・・・・・・・・・・・・・制御回路Ｃ（ＩＳ
１＊Ｃｄ５ｇ・・・・・・光電素子ＴＥＩ ＠ＴＥ２・
・・・・・・・・電極ＢＴ・・・・・・・・・・・・・
・・電源ＳＷｔ・・・・・・・・・・・・・・・電源ス
ィッチｙ２・・・・・・・・・・・・・・・自動露出制
御及び手動絞シ設定切換スイッチ ＳＷｓ・・・・・・・・・・・・・・・ＥＥロック用ス
イッチＣＩ・・・……………コンデンサー Ｄ１・・・・・・・・・・・・・・・・・・ダイオード
ＶＲＩＩ■２・・・・・・・・・可調ボリュームＯＰ１
．ＯＰ２・・・・・・・・・反転増巾器に形成された演
算増巾器 ＥＪＮ４ ＃ ｓｗ５・・・・・・・・・アナログスイ
ッチＣＯＭＰ１．ＣＯＭＰ２ ・・・・・・コンパレ
ーターＴＲ１＝ＴＲ４・・・・・・・・・トランジスタ
ー特許出願人 株式会社 コバル
Claims (2)
- （１）電源投入にニジ附勢される基準電圧発生回路及び
手動設定電圧発生回路と、電源投入にニジダイオードを
介して附勢されると共に電源遮断後もコンデンサー蓄積
エネルギーの消滅する間附勢されるＬうになしたエレク
トロクロミック素子を通過した被写体光を受光する光電
素子を含む光情報電圧発生回路及びエレクトロクロミッ
ク素子の対向両面に夫々配置される基準光発生素子及び
これにニジ発生されてエレクトロクロミンク素子を通過
した光を受光するエレクトロクロミック素子透過率測定
用光電素子を含むエレクトロクロミック素子透過率検知
回路と、エレクトロクロミック素子の対向電極の１方に
与えられる基準電圧発生回路又は手動設定電圧発生回路
の電位を前記対向電極の他方に与えられる光情報電圧発
生回路又はエレクトロクロミ・ツク素子透過率検知回路
の電位と比較して前者が後者ニジ高い時にはエレクトロ
クロミック素子を消色させ、前者が後者Ｌシ低い時には
エレクトロクロミック素子を発色させる方向に通電を行
わせて両者の差が零になる迄エレクトロクロミック素子
の透過率を変化させる平衡化回路とを含むことを特徴と
する透過率制御型エレクトロクロミック素子絞シ。 - （２） 電源投入にニジ附勢される基準電圧発生回路
及び手動設定電圧発生回路と、電源投入によシダイオー
ドを介して附勢されると共に電源遮断後もコンデンサー
蓄積エネルギーの消滅する間附勢される工うになしたエ
レクトロクロミック素子を通過した被写体光を受光する
光電素子を含む光情報電圧発生回路及びエレクトロクロ
ミック素子の対向両面に夫々配置される基準光発生素子
及びこれにニジ発生されてエレクトロクロミック素子を
通過した光を受光するエレクトロクロミック素子透過率
測定用光電素子を含むエレクトロクロミック素子透過率
検知回路と、エレクトロクロミック素子の対向電極の１
方に与えられる基準電圧発生回路又は手動設定電圧発生
回路の電位を前記対向電極の他方に与えられる光情報電
圧発生回路又はエレクトロクロミック素子透過率検知回
路の電位と比較して前者が後者ニジ高い時にはエレクト
ロクロミック素子を消色させ、前者が後者、ｃシ低い時
にはエレクトロクロミック素子を発色させる方向に通電
を行わせて両者の差が零になる迄エレクトロクロミック
素子の透過率を変化させる平衡化回路とを含むと共に更
に前記エレクトロクロミック素子透過率検知回路の電位
をエレクトロクロミック素子透過率の上限及び下限値設
定基準電位と比較してエレクトロクロミック素子通電量
を制限する通電量制限比較回路を設けたことを特徴とす
る透過率制御型エレクトロクロミック素子絞シ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115140A JPS5817427A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | エレクトロクロミツク素子絞り |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115140A JPS5817427A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | エレクトロクロミツク素子絞り |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817427A true JPS5817427A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14655273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115140A Pending JPS5817427A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | エレクトロクロミツク素子絞り |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817427A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6093886A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 撮像装置 |
| US5332479A (en) * | 1991-05-17 | 1994-07-26 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Biosensor and method of quantitative analysis using the same |
| WO2012128179A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | 富士フイルム株式会社 | レンズ装置及びその制御方法 |
| KR20130111890A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성전자주식회사 | 셔터 조립체 및 이를 구비한 촬영 장치 |
| KR20140009761A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 삼성전자주식회사 | 셔터 구동 시스템과 이를 포함하는 카메라 장치 및 카메라 구동 방법 |
| KR20140089852A (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-16 | 삼성전자주식회사 | 개구 조절 방법 및 개구 조절 장치 |
| JP2017219781A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 株式会社リコー | 調光システム、調光方法、プログラム及び表示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938237B1 (ja) * | 1969-06-11 | 1974-10-16 | ||
| JPS5557829A (en) * | 1978-10-25 | 1980-04-30 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Manual servo control unit of iris |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115140A patent/JPS5817427A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4938237B1 (ja) * | 1969-06-11 | 1974-10-16 | ||
| JPS5557829A (en) * | 1978-10-25 | 1980-04-30 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Manual servo control unit of iris |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6093886A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-25 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 撮像装置 |
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| US5382346A (en) * | 1991-05-17 | 1995-01-17 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Biosensor and method of quantitative analysis using the same |
| US5496453A (en) * | 1991-05-17 | 1996-03-05 | Kyoto Daiichi Kagaku Co., Ltd. | Biosensor and method of quantitative analysis using the same |
| WO2012128179A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | 富士フイルム株式会社 | レンズ装置及びその制御方法 |
| JPWO2012128179A1 (ja) * | 2011-03-22 | 2014-07-24 | 富士フイルム株式会社 | レンズ装置及びその制御方法 |
| JP5816679B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-11-18 | 富士フイルム株式会社 | レンズ装置及びその制御方法 |
| KR20130111890A (ko) * | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성전자주식회사 | 셔터 조립체 및 이를 구비한 촬영 장치 |
| KR20140009761A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 삼성전자주식회사 | 셔터 구동 시스템과 이를 포함하는 카메라 장치 및 카메라 구동 방법 |
| KR20140089852A (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-16 | 삼성전자주식회사 | 개구 조절 방법 및 개구 조절 장치 |
| JP2017219781A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 株式会社リコー | 調光システム、調光方法、プログラム及び表示装置 |
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