JPS58169856A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置Info
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- JPS58169856A JPS58169856A JP57052551A JP5255182A JPS58169856A JP S58169856 A JPS58169856 A JP S58169856A JP 57052551 A JP57052551 A JP 57052551A JP 5255182 A JP5255182 A JP 5255182A JP S58169856 A JPS58169856 A JP S58169856A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷電粒子線装置に関し、特に複数のイオンから
特定のイオンを選別して使用するようにした伺電粒子１
ｉｉ＋装置に関する。
特定のイオンを選別して使用するようにした伺電粒子１
ｉｉ＋装置に関する。
金属イオン源によるイオンビーム露光はフォトレジスト
内ぐのイオーンの拡散が電子ビームによる露光と比較し
て小さいことから、微細パターンの露光を行うことがで
きる。又金属イオンγｉを細く較って半導体つ■ハ上の
所望微細領域（こ照ＱＪ ｉＪれば、マスクレスのイオ
ン注入が可能である３、従つでイオンによる微細加Ｔは
超り、ＳＩ製造の将来技術として注目をされており、そ
れに適しｌこ金属イオン源の研究が各方面で盛んに行わ
れている。この種イオン源は通常イオン化すべき物質を
リザーバに入れ、該リザーバを直接あるいは間接的に加
熱することによって該物質を加熱して液状とし、諜液状
物質を先端の径が１μｍ程度に鋭くされに１１状部材の
先端部に導き、該先端部近傍に形成された強電界によっ
てイオン化覆るようにしている。
内ぐのイオーンの拡散が電子ビームによる露光と比較し
て小さいことから、微細パターンの露光を行うことがで
きる。又金属イオンγｉを細く較って半導体つ■ハ上の
所望微細領域（こ照ＱＪ ｉＪれば、マスクレスのイオ
ン注入が可能である３、従つでイオンによる微細加Ｔは
超り、ＳＩ製造の将来技術として注目をされており、そ
れに適しｌこ金属イオン源の研究が各方面で盛んに行わ
れている。この種イオン源は通常イオン化すべき物質を
リザーバに入れ、該リザーバを直接あるいは間接的に加
熱することによって該物質を加熱して液状とし、諜液状
物質を先端の径が１μｍ程度に鋭くされに１１状部材の
先端部に導き、該先端部近傍に形成された強電界によっ
てイオン化覆るようにしている。
このようなイオン源は物質を加熱して液状としな（ブれ
ばならず、従って融点の高い物質を単体の状態ではイオ
ン化物質として使用することができない。その結果、一
般に合金の融点はその合金を構成する物質単体の融点よ
りも低いことから高融点の物質のイオンを得るためには
その物質を含む合金を上述したリザーバに入れ、加熱し
て液状としている。例えば、融点が２，０００℃Ｌスト
の硼木（ｎ）のイオンを得たい揚台には、白金（ＰＩ
）との合金Ｐｔ −Ｂ （融出７９５℃）を用い、該Ｐ
ｔ−８を加熱して液状どし、強電界によってＰｔイイオ
とＢイオンとを発生させ、更に両イオンの混合したイオ
ンビームを直交する電界と磁界からなるウィーン型の荷
電粒子フィルタに導き、Ｂイオンのみを得るようにして
いる。
ばならず、従って融点の高い物質を単体の状態ではイオ
ン化物質として使用することができない。その結果、一
般に合金の融点はその合金を構成する物質単体の融点よ
りも低いことから高融点の物質のイオンを得るためには
その物質を含む合金を上述したリザーバに入れ、加熱し
て液状としている。例えば、融点が２，０００℃Ｌスト
の硼木（ｎ）のイオンを得たい揚台には、白金（ＰＩ
）との合金Ｐｔ −Ｂ （融出７９５℃）を用い、該Ｐ
ｔ−８を加熱して液状どし、強電界によってＰｔイイオ
とＢイオンとを発生させ、更に両イオンの混合したイオ
ンビームを直交する電界と磁界からなるウィーン型の荷
電粒子フィルタに導き、Ｂイオンのみを得るようにして
いる。
！−述した直交する電場と磁場を使って所定のエネルギ
ー及び質量の荷電粒子を選択的に通過させる荷電粒子フ
ィルタの一例を第１図に示す。図中１は荷電粒子線であ
り、該荷電粒子線１は開口を有した入射絞り板２によっ
て一定の線東径に絞られ、磁極３，４及び電極５，６に
よって形成される磁場及び電場の中を進行する。この場
の中に入射する荷電粒子線の内、所定のエネルギー及び
質量を有する荷電粒子のみが場の下方に設けられたスリ
ット板７の開１１８を通過するように該電場及び磁場が
設定される。それ以外のエネルギーもしくは質量の粒子
は開［−］８を通過できずにスリット板７に衝突する。
ー及び質量の荷電粒子を選択的に通過させる荷電粒子フ
ィルタの一例を第１図に示す。図中１は荷電粒子線であ
り、該荷電粒子線１は開口を有した入射絞り板２によっ
て一定の線東径に絞られ、磁極３，４及び電極５，６に
よって形成される磁場及び電場の中を進行する。この場
の中に入射する荷電粒子線の内、所定のエネルギー及び
質量を有する荷電粒子のみが場の下方に設けられたスリ
ット板７の開１１８を通過するように該電場及び磁場が
設定される。それ以外のエネルギーもしくは質量の粒子
は開［−］８を通過できずにスリット板７に衝突する。
このフィルタは基本的には該荷電粒子線が進行する範囲
内で電場と磁場状（こ一様ｎつその方向が直交（るよう
に構成される。、３下の市場の強さをＥ（ベクトル）、
磁束密度をＢりｌ゛＼＼クトルすると、 −Ｅ−外 ｘ （７３−−−（１） と設定できる。ここで抹は荷電粒子の３！痘Ｃある。
内で電場と磁場状（こ一様ｎつその方向が直交（るよう
に構成される。、３下の市場の強さをＥ（ベクトル）、
磁束密度をＢりｌ゛＼＼クトルすると、 −Ｅ−外 ｘ （７３−−−（１） と設定できる。ここで抹は荷電粒子の３！痘Ｃある。
このような場の中で電荷Ｑ、質ＭＭ、速庶Ｆ（７）荷電
粒子の受ける力を考えると、電場による力ｂ（ｔ Ｆｅ ＝ ｏ Ｅ 磁場によるカフＦ６は ７Ｆ６＝ａｖＸ１３ となり、荷電粒子が受ける力ｆは Ｆ＝Ｆ＝−Ｆ＋ どなるか第（１）式を考慮すると、 Ｆ＝ＱＥ十〇？ｘｌ１３ ＝Ｑ （ｌｆｉ＋ （究＋Δｔ）Ｘβ）＝ＱＸΔυ×の となる。但しン＝碗＋Δｐである。従つＣ，１Ｇのとき
Ｐ−０であって荷電粒子は力を受４Ｊ ／ＮいのＣ゛直
進る。スリット板の間口８をこの方向に配首しておけば
、ｒ−Ｈの荷電粒子のみをフィルタ外に取出寸ことがＣ
・きる。一方速ｊηｒｔ、Ｌ荷電粒子の運動エネルギー
Ｕを使って とよくことができる。ｌ ｕ １−ＶＱとｔノｃとする
と、一般的にはＭ＃ＭｏあるいはＵ≠ＵＯである荷電粒
子はｖ−：： ｖＯとなり、フ、Ｃルタを通過できない
。
粒子の受ける力を考えると、電場による力ｂ（ｔ Ｆｅ ＝ ｏ Ｅ 磁場によるカフＦ６は ７Ｆ６＝ａｖＸ１３ となり、荷電粒子が受ける力ｆは Ｆ＝Ｆ＝−Ｆ＋ どなるか第（１）式を考慮すると、 Ｆ＝ＱＥ十〇？ｘｌ１３ ＝Ｑ （ｌｆｉ＋ （究＋Δｔ）Ｘβ）＝ＱＸΔυ×の となる。但しン＝碗＋Δｐである。従つＣ，１Ｇのとき
Ｐ−０であって荷電粒子は力を受４Ｊ ／ＮいのＣ゛直
進る。スリット板の間口８をこの方向に配首しておけば
、ｒ−Ｈの荷電粒子のみをフィルタ外に取出寸ことがＣ
・きる。一方速ｊηｒｔ、Ｌ荷電粒子の運動エネルギー
Ｕを使って とよくことができる。ｌ ｕ １−ＶＱとｔノｃとする
と、一般的にはＭ＃ＭｏあるいはＵ≠ＵＯである荷電粒
子はｖ−：： ｖＯとなり、フ、Ｃルタを通過できない
。
本発明は上述した如き荷電粒子フィルタを使った荷電粒
子線装置において、所望とする特定イオンのみを面倒な
調整作業なしに得ることができ、操作性を内子させた荷
電粒子線装置を提供することを・目的とする。
子線装置において、所望とする特定イオンのみを面倒な
調整作業なしに得ることができ、操作性を内子させた荷
電粒子線装置を提供することを・目的とする。
本発明に基づく荷電粒子線装置は一対の電極と、該一対
の電極間の電場に直交する方向に磁場を形成りるための
磁極どを備え、該ｎ交する電場と磁場によつＣ所定の１
ネルギーと質量を右づる荷電粒子を選別りる伺宙ネ１“
−了フィルタを備えた伺電粒子Ｉ！装置において、該電
場あるいは′４４ｉ場の強さ４周期的（こ変動させるた
めの手段を設け、該周明的ｌ、−変動に伴っＣ実質的に
該フィルタによって選別された荷電粒子の強度を検出す
るための１段を置端している。
の電極間の電場に直交する方向に磁場を形成りるための
磁極どを備え、該ｎ交する電場と磁場によつＣ所定の１
ネルギーと質量を右づる荷電粒子を選別りる伺宙ネ１“
−了フィルタを備えた伺電粒子Ｉ！装置において、該電
場あるいは′４４ｉ場の強さ４周期的（こ変動させるた
めの手段を設け、該周明的ｌ、−変動に伴っＣ実質的に
該フィルタによって選別された荷電粒子の強度を検出す
るための１段を置端している。
以下本発明の一実施例を添付図面に基１さ詳述づる。
第２図は本発明に基づくイオノビーム装尼を示しており
、１１はイオン源であり、該イオン源１１によって例え
ば、共晶合金ｐｔ−８がイオン化され、＋ＪＩＩ速され
る。該加速されたｐｔイイオとＢイオンどから成るイオ
ンビームは大剣スリッｈ Ｕ２１２、一対の磁極１３Ａ
及び１３Ｂ、一対の電極＋４Ａ及び１４Ｆ３（１４Ａの
み図示）、出則ス；ｊット板１５より成る荷電粒子フィ
ルタに入ＩＩＩ ツる１゜１６Ａ及び１６Ｂは該磁ｌ１
１３Δ、 １３１３間じ磁場を発生させるための励磁二
］イルＣあり、該励磁」イルには励磁電源１７から励磁
電流が供給（きれる。１８は該磁極１３Ａ、 １３ｓ
の間に記動され！＝ホール素子であり、該素子１８には
加鋒器１９から電流が供給され、該素子におい（該電流
値と該磁極間の磁場の強さに応じて発生した電圧伝号は
増幅器２０によっ（増幅された後、差動増幅器２１の一
方の端子に供給される。該差動増幅器２１の他方の端子
には可変電源２２からの基準電圧が供給されてＪ３す、
該差動増幅器は２種の差電圧を発生する。該差電）１は
前記励磁電源′１７に供給されるが該電源１７は該差電
圧によって制御されＣおり、該差電圧が０となるように
コイル１６Ａ。
、１１はイオン源であり、該イオン源１１によって例え
ば、共晶合金ｐｔ−８がイオン化され、＋ＪＩＩ速され
る。該加速されたｐｔイイオとＢイオンどから成るイオ
ンビームは大剣スリッｈ Ｕ２１２、一対の磁極１３Ａ
及び１３Ｂ、一対の電極＋４Ａ及び１４Ｆ３（１４Ａの
み図示）、出則ス；ｊット板１５より成る荷電粒子フィ
ルタに入ＩＩＩ ツる１゜１６Ａ及び１６Ｂは該磁ｌ１
１３Δ、 １３１３間じ磁場を発生させるための励磁二
］イルＣあり、該励磁」イルには励磁電源１７から励磁
電流が供給（きれる。１８は該磁極１３Ａ、 １３ｓ
の間に記動され！＝ホール素子であり、該素子１８には
加鋒器１９から電流が供給され、該素子におい（該電流
値と該磁極間の磁場の強さに応じて発生した電圧伝号は
増幅器２０によっ（増幅された後、差動増幅器２１の一
方の端子に供給される。該差動増幅器２１の他方の端子
には可変電源２２からの基準電圧が供給されてＪ３す、
該差動増幅器は２種の差電圧を発生する。該差電）１は
前記励磁電源′１７に供給されるが該電源１７は該差電
圧によって制御されＣおり、該差電圧が０となるように
コイル１６Ａ。
１６Ｂに供給するｆｌｉ１１磁電流を制御°する。その
結果所望の磁場の強さに応じた電圧を可変電源２２にお
いて設定すれば、所望の磁場を該磁極間において得るこ
とがぐきる１、該ホール素子１８に電流を供給する加算
器１９は可変電源２３からの電流と鋸歯状波発生回路２
７１からの鋸歯状波電流とを加のしＣいる。
結果所望の磁場の強さに応じた電圧を可変電源２２にお
いて設定すれば、所望の磁場を該磁極間において得るこ
とがぐきる１、該ホール素子１８に電流を供給する加算
器１９は可変電源２３からの電流と鋸歯状波発生回路２
７１からの鋸歯状波電流とを加のしＣいる。
該電極１４Ａ、１４Ｂには図示しない電源から所定の電
圧が印加されてお６、該磁極１３Ａ、１３Ｂとの間に９
じた磁場に直交する電場が形成され、践電揚と磁場の強
さに応じて入射ビームは選別され、特定の質量とエネル
Ｖ−のイオンの・７表か出射スリット板１５の開口を通
過りる。誤出身・ｌＪ。
圧が印加されてお６、該磁極１３Ａ、１３Ｂとの間に９
じた磁場に直交する電場が形成され、践電揚と磁場の強
さに応じて入射ビームは選別され、特定の質量とエネル
Ｖ−のイオンの・７表か出射スリット板１５の開口を通
過りる。誤出身・ｌＪ。
リット板１５の開口を通過したイオンの一部はリング状
のイオン検出器２５にＪ、・）で検出される。
のイオン検出器２５にＪ、・）で検出される。
該検出化号は増幅器２６によつＣ増幅され、ｆｊＩｉ分
回路２７によって微分された後にパルス発／１回路２８
に供給される。該パルス発生回路２８にＪ：、 −）で
発生したパルスは比較回路２９に供給されるが、該比較
（ロ）路２９は回路２８からのパルスと鋸歯状波発９−
回路２４からの鋸歯状波電流に応じＣパルスを発′１す
るパルス発生回路３０からのパルスとを比較する。該比
較回路２９の出力信号は前記目安電源２３に供給され、
′焦電８２３からの電流１「１を制御する。尚、荷電粒
子フィルタの出射スリツ１〜板１５に入射したイオンビ
ームの電流値は増幅器３１を介して表示装ｆＷ３２に供
給されている３、上述した如き構成においＣ、イオン源
１１から発生したＰ１イオンとＢイオンの内、１うイオ
ンのみを荷電粒子フィルタによって選別する揚台、該フ
ィルタは該Ｂイオンの質量とＴネルギーに応１１、−電
場ど磁場の強さく、：設定される。この設定＆、、−Ｊ
、す、略Ｂイオンが出１＝１スリット１５の開口を通過
４るが、最適な状態ＣＢイオンを取り出寸Ｉこめ、ｇｌ
調整が行われる。この微調整の為、鋸歯状波発（１：回
路２４からは第３図へに示す如き−ｒから−ＩＩにまで
変化する鋸歯状波電流が発生され、この変動する電流は
電ｉ２３からの一定電流と加ｑされてホール素子１８に
供給される。その結果ホール素子１８の出力電［「は入
力電流に応じて鋸歯状に変化Ｊるため、差動増幅器２１
の出力電圧、 ｔｉＪ＋罎電源１７からの出力電流、更
には磁極１３△。
回路２７によって微分された後にパルス発／１回路２８
に供給される。該パルス発生回路２８にＪ：、 −）で
発生したパルスは比較回路２９に供給されるが、該比較
（ロ）路２９は回路２８からのパルスと鋸歯状波発９−
回路２４からの鋸歯状波電流に応じＣパルスを発′１す
るパルス発生回路３０からのパルスとを比較する。該比
較回路２９の出力信号は前記目安電源２３に供給され、
′焦電８２３からの電流１「１を制御する。尚、荷電粒
子フィルタの出射スリツ１〜板１５に入射したイオンビ
ームの電流値は増幅器３１を介して表示装ｆＷ３２に供
給されている３、上述した如き構成においＣ、イオン源
１１から発生したＰ１イオンとＢイオンの内、１うイオ
ンのみを荷電粒子フィルタによって選別する揚台、該フ
ィルタは該Ｂイオンの質量とＴネルギーに応１１、−電
場ど磁場の強さく、：設定される。この設定＆、、−Ｊ
、す、略Ｂイオンが出１＝１スリット１５の開口を通過
４るが、最適な状態ＣＢイオンを取り出寸Ｉこめ、ｇｌ
調整が行われる。この微調整の為、鋸歯状波発（１：回
路２４からは第３図へに示す如き−ｒから−ＩＩにまで
変化する鋸歯状波電流が発生され、この変動する電流は
電ｉ２３からの一定電流と加ｑされてホール素子１８に
供給される。その結果ホール素子１８の出力電［「は入
力電流に応じて鋸歯状に変化Ｊるため、差動増幅器２１
の出力電圧、 ｔｉＪ＋罎電源１７からの出力電流、更
には磁極１３△。
１３Ｆ３間の磁場の強さも鋸歯状に変化３メる。この磁
場の強さの変動に伴ない、向電粒子−フイルタの選別条
例も変動し、出射スリット１５の開［］を通過づるイオ
ンは磁場の強さに応じて変動ＪるＪとになる。第２四Ｂ
はイオン検出器２５の出力信号を示しているが、この信
号は出射スリット１５の開１］を通過したイオンど−ム
量の変動に対応したもの【・ある。該検出器２５の出力
信号は増幅器２６によって増幅された後、微分回路２７
において微分され、第３図Ｃの微分伝号が得られる１、
該微カイ８号はパルス発生回路２ε３に供給されてｉＡ
’ｉ ：１図りに示すパルスが得られるが、該パルスは
第３四Ｂに示した信号のピークＷ／ 首に対応してＲ’
ｌＬ、／、：ものである。該パルスは比較回路２９に供
給さ−れるが、該比較回路２９にはパルス発生回路３ｏ
がらのパルスも供給されている。該回路３０は鋸南状波
発住回路２４がらの鋸歯状波の中心、４なゎら鋸歯状波
がＯレベルとなった時に第３図Ｆに示すパルスを介′１
する。該社較回路２つはｌＪ給される２種のパルスの間
の時間差を求め、それに応した１ｍ１Ｊを発生してホー
ル素子の電流電源２３に供給する。該電源２３は該比較
回路２９がらの（Ａ ；：；が０になるように制御され
、第３図に示した波形の状態においては、電流電源２３
がらの電流値が２種のパルスの時間差に応じて減少させ
られる。１Ｊれに伴ってホール素子の出カ電デは減じら
れるが、差動増幅器２１と電源１７どによって１イル１
６Ａ、１６Ｂに供給される励磁電流が増加さＵられ、Ｒ
終的に２種のパルスが同１１１刻に介）１づるＪ、−）
に制御される。（ＪイＣわち、変動づる鋸歯状波がＯレ
ヘルとなったＨ）に第３図Ｂに示市波形のピークが１！
Ｊられるように／、する。このような制御の後、スイッ
チ３３を切り、鋸歯状波発生回路２４から力１１紳器１
９への鋸歯状波電流の供給を停止すれば、選別すべき所
望の単一イオンを最大強磨で出射スリット１５の開口か
ら継続して取り出すことができる。
場の強さの変動に伴ない、向電粒子−フイルタの選別条
例も変動し、出射スリット１５の開［］を通過づるイオ
ンは磁場の強さに応じて変動ＪるＪとになる。第２四Ｂ
はイオン検出器２５の出力信号を示しているが、この信
号は出射スリット１５の開１］を通過したイオンど−ム
量の変動に対応したもの【・ある。該検出器２５の出力
信号は増幅器２６によって増幅された後、微分回路２７
において微分され、第３図Ｃの微分伝号が得られる１、
該微カイ８号はパルス発生回路２ε３に供給されてｉＡ
’ｉ ：１図りに示すパルスが得られるが、該パルスは
第３四Ｂに示した信号のピークＷ／ 首に対応してＲ’
ｌＬ、／、：ものである。該パルスは比較回路２９に供
給さ−れるが、該比較回路２９にはパルス発生回路３ｏ
がらのパルスも供給されている。該回路３０は鋸南状波
発住回路２４がらの鋸歯状波の中心、４なゎら鋸歯状波
がＯレベルとなった時に第３図Ｆに示すパルスを介′１
する。該社較回路２つはｌＪ給される２種のパルスの間
の時間差を求め、それに応した１ｍ１Ｊを発生してホー
ル素子の電流電源２３に供給する。該電源２３は該比較
回路２９がらの（Ａ ；：；が０になるように制御され
、第３図に示した波形の状態においては、電流電源２３
がらの電流値が２種のパルスの時間差に応じて減少させ
られる。１Ｊれに伴ってホール素子の出カ電デは減じら
れるが、差動増幅器２１と電源１７どによって１イル１
６Ａ、１６Ｂに供給される励磁電流が増加さＵられ、Ｒ
終的に２種のパルスが同１１１刻に介）１づるＪ、−）
に制御される。（ＪイＣわち、変動づる鋸歯状波がＯレ
ヘルとなったＨ）に第３図Ｂに示市波形のピークが１！
Ｊられるように／、する。このような制御の後、スイッ
チ３３を切り、鋸歯状波発生回路２４から力１１紳器１
９への鋸歯状波電流の供給を停止すれば、選別すべき所
望の単一イオンを最大強磨で出射スリット１５の開口か
ら継続して取り出すことができる。
尚、この実施例においては、出射スリット１５によって
遮蔽したイオンも検出するようにしておｔ〕、該スリン
１−１５に入射したイオンωに対応した電流は増幅器３
１によって増幅された後、表示駅「り３２に供給される
１、該表示装置３２には鋸歯状波発生回路２４から鋸歯
状波が参照信号として供給されており、該表示装置には
第３図Ｆに示づ波形が表示される。この表示装置３２に
よって表示された波形を観察しなが、、ら、電源２３を
手動に【制御づることら可能て・あり、又、増幅器２６
からの出カイ＾シ〕を表示装置３２に供給し−Ｃ第３図
Ｂの波形を表示させ、該波形を観察しながら電源２３を
手動にて制御しても良い。更に、第３図［の信号を処理
して自動的に電源２３からの電流舶を制御する」、うに
しても良い。１ 以り本発明を詳述したが、本発明は／Ｉ：１電＄１°ｆ
了ノイルタにおｔ′Ｊる同型粒子選別の条件を自動的に
変化さゼ、実質的に該フィルタによつ”Ｃ選別された荷
電粒子の強磨を検出しており、所望とづるイオンを正確
に取り出すための調整を筒中に行うことかできる。尚、
本発明は」−述した実施例に限定さｉすること無く幾多
の変形が可能である。例えば、ｉｔ’ｊ交する電場と磁
場の内、磁場の強さを周期的（こ疫化させたが、電場の
強さを変動さぜるＪ、うに（。
遮蔽したイオンも検出するようにしておｔ〕、該スリン
１−１５に入射したイオンωに対応した電流は増幅器３
１によって増幅された後、表示駅「り３２に供給される
１、該表示装置３２には鋸歯状波発生回路２４から鋸歯
状波が参照信号として供給されており、該表示装置には
第３図Ｆに示づ波形が表示される。この表示装置３２に
よって表示された波形を観察しなが、、ら、電源２３を
手動に【制御づることら可能て・あり、又、増幅器２６
からの出カイ＾シ〕を表示装置３２に供給し−Ｃ第３図
Ｂの波形を表示させ、該波形を観察しながら電源２３を
手動にて制御しても良い。更に、第３図［の信号を処理
して自動的に電源２３からの電流舶を制御する」、うに
しても良い。１ 以り本発明を詳述したが、本発明は／Ｉ：１電＄１°ｆ
了ノイルタにおｔ′Ｊる同型粒子選別の条件を自動的に
変化さゼ、実質的に該フィルタによつ”Ｃ選別された荷
電粒子の強磨を検出しており、所望とづるイオンを正確
に取り出すための調整を筒中に行うことかできる。尚、
本発明は」−述した実施例に限定さｉすること無く幾多
の変形が可能である。例えば、ｉｔ’ｊ交する電場と磁
場の内、磁場の強さを周期的（こ疫化させたが、電場の
強さを変動さぜるＪ、うに（。
でも良い。又、磁場の強さを鋸歯状に変化さぜｌこが、
他の波形、例えば、正弦波状に変化Ｕてｂ良い。
他の波形、例えば、正弦波状に変化Ｕてｂ良い。
第１図は直交した電場と磁場を用いたイＩ：１電粒子フ
ィルタを示す藺、第２図は本発明の一実施例を示すブロ
ック図、第３図は第２図の実施例にお（ノろ各信号波形
を示す図である。 １１：イオン源 １２：大剣スリソＩ−板 １３△、１３Ｆ”３：磁極 １４Ａ、１４Ｂ：電極 １５：出射スリット板 １６Ａ、１６Ｂ：励磁コイル １７：励磁電源 １８：小−ル県了 １９：加綽器 ２０．２６．、”’）１ ：増幅器 ２１：差動増幅器 ２２．２３：ｎＪ変電源 ２４：鋸歯状波発生回路 ２５：イオン検出器 ２７：微分回路 ２８．３０：パルス発生回路 ２９：比較回路 ３２：表示装冒
ィルタを示す藺、第２図は本発明の一実施例を示すブロ
ック図、第３図は第２図の実施例にお（ノろ各信号波形
を示す図である。 １１：イオン源 １２：大剣スリソＩ−板 １３△、１３Ｆ”３：磁極 １４Ａ、１４Ｂ：電極 １５：出射スリット板 １６Ａ、１６Ｂ：励磁コイル １７：励磁電源 １８：小−ル県了 １９：加綽器 ２０．２６．、”’）１ ：増幅器 ２１：差動増幅器 ２２．２３：ｎＪ変電源 ２４：鋸歯状波発生回路 ２５：イオン検出器 ２７：微分回路 ２８．３０：パルス発生回路 ２９：比較回路 ３２：表示装冒
Claims (1)
- 一対の電極と、該一対の電極間の電場に直交する方向に
磁場を形成するための磁極とを備え、該直交する電場と
磁場によって所定のエネルギーと質量を有する荷電粒子
を選別する荷電粒子フィルタを備えた荷電粒子線装置に
おいて、該電場あるいは磁場の強さを周期的に変動させ
るための手段を設け、該周期的な変動に伴って実質的に
該フィルタによって選別された荷電粒子の強度を検出す
るための手段を具備した荷電粒子線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052551A JPS58169856A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052551A JPS58169856A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169856A true JPS58169856A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH0232746B2 JPH0232746B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=12917933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052551A Granted JPS58169856A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169856A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237654A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
| JP2006526881A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | モニター インスツルメンツ カンパニー，エルエルシー | マススペクトロメータと、それに関係するイオナイザ及び方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853664A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-07-27 | ||
| JPS5177384A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-07-05 | Philips Nv |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57052551A patent/JPS58169856A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853664A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-07-27 | ||
| JPS5177384A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-07-05 | Philips Nv |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237654A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビ−ム装置 |
| JP2006526881A (ja) * | 2003-06-03 | 2006-11-24 | モニター インスツルメンツ カンパニー，エルエルシー | マススペクトロメータと、それに関係するイオナイザ及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232746B2 (ja) | 1990-07-23 |
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