JPS58169151A - クロムマスク及びその製造方法 - Google Patents
クロムマスク及びその製造方法Info
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- JPS58169151A JPS58169151A JP57052989A JP5298982A JPS58169151A JP S58169151 A JPS58169151 A JP S58169151A JP 57052989 A JP57052989 A JP 57052989A JP 5298982 A JP5298982 A JP 5298982A JP S58169151 A JPS58169151 A JP S58169151A
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- Japan
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- oxygen
- mask
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はフォトプロセスに使用するクロムマスク及びそ
の製造方法の故実に関する。
の製造方法の故実に関する。
（ｂ） 技術の背景
近時中導体素子の高密度高集積化に伴って、該半導体素
子を製造する際に用いるクロムマスクのパターンは極め
て微細化されて来ている。そのためクロム膜をパターン
ニングする際のエツチング手段としてサイドエツチング
が少なくパターン形成精度に優れたスパッタエツチング
法が用いられるようになって来た。
子を製造する際に用いるクロムマスクのパターンは極め
て微細化されて来ている。そのためクロム膜をパターン
ニングする際のエツチング手段としてサイドエツチング
が少なくパターン形成精度に優れたスパッタエツチング
法が用いられるようになって来た。
（Ｃ） 従来接衝と問題点
従来のクロムマスクに於ける遮光膜は、完全な不活性雰
囲気例えばアルゴン（Ａｔ）中でスパッタリング成るい
ｆｉ蒸着等の方法により形成させた例えば８００［Ａ）
程度の厚さの酸素を含まない純粋なりロム（Ｃｒ）［か
らなってい舵。
囲気例えばアルゴン（Ａｔ）中でスパッタリング成るい
ｆｉ蒸着等の方法により形成させた例えば８００［Ａ）
程度の厚さの酸素を含まない純粋なりロム（Ｃｒ）［か
らなってい舵。
このように純粋なＣｒ膜は、通常行われる四塩化炭素（
Ｃ（Ｊ）十酸素０２をエツチング・ガスとするりアクテ
ィブ・スパッタエツチング法でパターンニングすル際の
エツチング・レー）ｔ−、２００〔Ｘ／分〕以上に選ぶ
ことが困難である。なぜならば工、チング・ガスの０２
含有量を更に増してＣｒの工、チング・レー）を上げた
場合、Ｃｒの工。
Ｃ（Ｊ）十酸素０２をエツチング・ガスとするりアクテ
ィブ・スパッタエツチング法でパターンニングすル際の
エツチング・レー）ｔ−、２００〔Ｘ／分〕以上に選ぶ
ことが困難である。なぜならば工、チング・ガスの０２
含有量を更に増してＣｒの工、チング・レー）を上げた
場合、Ｃｒの工。
くなり、Ｃｒ１ｌｌの選択エツチングに際してレジスト
・パターンが大きくエツチングされて変形し、Ｃｒ膜の
パターンニング精度が低下するためである。従って純Ｃ
ｒ膜を遺光膜とする場合には該−光端パターンニングに
長時間を要し、クロムマスクの製造効率が悪い。
・パターンが大きくエツチングされて変形し、Ｃｒ膜の
パターンニング精度が低下するためである。従って純Ｃ
ｒ膜を遺光膜とする場合には該−光端パターンニングに
長時間を要し、クロムマスクの製造効率が悪い。
又酸素を含オない純Ｃｒｔｌｌけガラス基板との間に引
張り応力が働くため、製造工程中成るいは完成後のクロ
ムマスクの平面度が低下してパターンの転写精度が低下
するという問題や、クロム膜の剥れが発生するという問
題もある。
張り応力が働くため、製造工程中成るいは完成後のクロ
ムマスクの平面度が低下してパターンの転写精度が低下
するという問題や、クロム膜の剥れが発生するという問
題もある。
（ｄ） 発明の目的
本発明は、ドライ・エツチングの際、酸化クロム（Ｃｒ
Ｏｘ））Ｉσが純Ｃｒ膜に対して３〔倍〕和度の高エツ
チング・レートを示すこと、及び純Ｃ「膜がガラス基板
に対して引張り応力を有するのに反してＣｒＯｘ膜が圧
縮応力を持つことに着目し、不透明なＣｒ膜で且つ牛透
明な ＣｒＯｘ膜に近いエツチング・レートを有し、更
に純Ｃｒ膜とＣｒｕｘ 膜との中間の応力即ちガラス
基板に対して０に近い応力を持つＣｒ膜によってマスク
・パターンが形成されたクロムマスク及びその製造方法
を提供し、上記問題点を除去することを目的とする。
Ｏｘ））Ｉσが純Ｃｒ膜に対して３〔倍〕和度の高エツ
チング・レートを示すこと、及び純Ｃ「膜がガラス基板
に対して引張り応力を有するのに反してＣｒＯｘ膜が圧
縮応力を持つことに着目し、不透明なＣｒ膜で且つ牛透
明な ＣｒＯｘ膜に近いエツチング・レートを有し、更
に純Ｃｒ膜とＣｒｕｘ 膜との中間の応力即ちガラス
基板に対して０に近い応力を持つＣｒ膜によってマスク
・パターンが形成されたクロムマスク及びその製造方法
を提供し、上記問題点を除去することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
即ち本発明は、鍵光膜が、酸素を非化学量論的に含むり
ａムＭＶＣよって形成されてなることを特徴とするクロ
ムマスク、及びガラス基板上に、酸素を非化学量論的に
含んだクロム膜を形成し、核クロム膜をドライ・エツチ
ング法を用いて選択エツチングすることにより清光膜パ
ターンを形成する工程を有することを特命とするクロム
マスクの製造方法とから構成されている。
ａムＭＶＣよって形成されてなることを特徴とするクロ
ムマスク、及びガラス基板上に、酸素を非化学量論的に
含んだクロム膜を形成し、核クロム膜をドライ・エツチ
ング法を用いて選択エツチングすることにより清光膜パ
ターンを形成する工程を有することを特命とするクロム
マスクの製造方法とから構成されている。
（ｆ）発明の実施例
以下本発明を一実施例について、第１図乃至第３図に示
す工程断面図を用いて詳細に説明する。
す工程断面図を用いて詳細に説明する。
なお第１図乃至第３図に於て、同一領域は同一記号で表
わしである。
わしである。
本発明のクロムマスクを形成するには、例えば公知（Ｄ
Ｄ Ｃ−２極プレーナ・マグネトロン方式のスバ、り
装置を用いてリアクティブ・スパッタリング方法により
、第１図に示すように、フォト・マスク用ガラス基板１
上に例えば８００（Ｘ）程度の厚さを有し、酸素（０２
）を非化学量論的に含んだクロム（Ｃｒ）膜２を形成す
る。ここでリアクチ（ブ・スパッタリングの条件は、供
給ガスの流量及び組成；アルゴン（Ａｒ） １０ （ｃ
ｃ／分〕十酸素（Ｏｄ ２ （ｃｃ／分〕、真空度：
２〜４Ｘ １０−３（Ｔｏｒｒ）ターゲット電圧： −
５００（■〕、スノくツタ電流＝１〜４（Ａ１５吋角〕
程度とする。
Ｄ Ｃ−２極プレーナ・マグネトロン方式のスバ、り
装置を用いてリアクティブ・スパッタリング方法により
、第１図に示すように、フォト・マスク用ガラス基板１
上に例えば８００（Ｘ）程度の厚さを有し、酸素（０２
）を非化学量論的に含んだクロム（Ｃｒ）膜２を形成す
る。ここでリアクチ（ブ・スパッタリングの条件は、供
給ガスの流量及び組成；アルゴン（Ａｒ） １０ （ｃ
ｃ／分〕十酸素（Ｏｄ ２ （ｃｃ／分〕、真空度：
２〜４Ｘ １０−３（Ｔｏｒｒ）ターゲット電圧： −
５００（■〕、スノくツタ電流＝１〜４（Ａ１５吋角〕
程度とする。
なお該０２を非化学量論的に含んだＣｒ膜はＲＦスパッ
タ法を用いて形成することもできる。
タ法を用いて形成することもできる。
次いで通常のフォト・プロセスにより、第２図に示すよ
うに、上記Ｃｒｌ！１１２上に例えば５０００〔又〕程
度の厚さを有するポジ・レジスト力・らなるレジスト・
マスクツくターン３を形成する。
うに、上記Ｃｒｌ！１１２上に例えば５０００〔又〕程
度の厚さを有するポジ・レジスト力・らなるレジスト・
マスクツくターン３を形成する。
そして公知の平行平板型プラズマ・エツチング装置を用
い、四基化炭素（ＣＣ／４）に１０Ｃ％’）程度の０２
を混入してなるｏｌ（Ｔｏｒｒ）程度の工、ｆング−ｉ
ｘ中Ｖｃ於て、０．２５ （Ｗ／ｃＩ／ｌ）程度の電力
密度で行う通常のりアクティブ・スノ（ツタエツチング
法により前記Ｃｒ膜２を選択的にエツチングして、第３
図に示すように、０２ を非化学量論的に含んだＣｒ膜
からなる連光）くターフ４をガラス基板１上に形成する
。
い、四基化炭素（ＣＣ／４）に１０Ｃ％’）程度の０２
を混入してなるｏｌ（Ｔｏｒｒ）程度の工、ｆング−ｉ
ｘ中Ｖｃ於て、０．２５ （Ｗ／ｃＩ／ｌ）程度の電力
密度で行う通常のりアクティブ・スノ（ツタエツチング
法により前記Ｃｒ膜２を選択的にエツチングして、第３
図に示すように、０２ を非化学量論的に含んだＣｒ膜
からなる連光）くターフ４をガラス基板１上に形成する
。
該リアクティブ・スバツタエ、チングに於て、Ｃｒ１ｌ
１２中に含まれる０２がＣｒ膜のエツチング・レートの
上昇に寄与し、Ｃｒ膜２のエツチング・レートは純Ｏｒ
の場合の２〔倍〕糧度とがる。
１２中に含まれる０２がＣｒ膜のエツチング・レートの
上昇に寄与し、Ｃｒ膜２のエツチング・レートは純Ｏｒ
の場合の２〔倍〕糧度とがる。
このことはエツチング時間が短縮されることと同時にレ
ジストｌに対してクロム膜のエツチング・レートが２〔
倍〕以上になることを意味しており、従ってエツチング
完了時迄のレジスト・マスクツくターンの目減り量が減
少し、高エツチング・レートに於けるパターンニング精
度が向上する。
ジストｌに対してクロム膜のエツチング・レートが２〔
倍〕以上になることを意味しており、従ってエツチング
完了時迄のレジスト・マスクツくターンの目減り量が減
少し、高エツチング・レートに於けるパターンニング精
度が向上する。
又完成したクロムマスクの遮光ノくターンも０２を非化
学量論的に含んだＣｒ膜からなっているので連光パター
ンのガラス基板に対する引張り応力が減少する。従って
クロムマスクのそりも、殆んど全面にＣｒ膜を有する５
〔吋角〕のクロムマスまる。セして又前記引張り応力に
起因するＣｒ膜のはがれも減少する。
学量論的に含んだＣｒ膜からなっているので連光パター
ンのガラス基板に対する引張り応力が減少する。従って
クロムマスクのそりも、殆んど全面にＣｒ膜を有する５
〔吋角〕のクロムマスまる。セして又前記引張り応力に
起因するＣｒ膜のはがれも減少する。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように、本発明によればクロムマスクの精度
及び製造効率の向上が図れる。
及び製造効率の向上が図れる。
又クロム膜の剥れやマスク基板のそりが防止されるので
クロム膜の製造歩留まりが向上する。
クロム膜の製造歩留まりが向上する。
更に又完成りロムマスクのそりも減少するので、露光精
度の向上が図れる。
度の向上が図れる。
なお前記実施例に於ては、本発明をマスク・パターンが
クロム膜のみで形成される場合について説明したが、本
発明はマスク・パターンがクロム膜上に酸化クロム等の
低反射膜を設けてなるクロムマスクに対しても有効であ
る。
クロム膜のみで形成される場合について説明したが、本
発明はマスク・パターンがクロム膜上に酸化クロム等の
低反射膜を設けてなるクロムマスクに対しても有効であ
る。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例に於ける工程断面
図である。 図に於て、ｌはガラス基板、２は酸素を非化学量論的に
含んだクロム膜、３はレジスト・マスクパターン、４は
酸素を非化学量論的に含んだクロム膜からなる導光パタ
ーンを示す。
図である。 図に於て、ｌはガラス基板、２は酸素を非化学量論的に
含んだクロム膜、３はレジスト・マスクパターン、４は
酸素を非化学量論的に含んだクロム膜からなる導光パタ
ーンを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １４１光膜が、酸素を非化学量論的に含むクロム膜によ
って形成されてなることを特徴とするクロムマスク。 ２、 ガラス基板上に、酸素を非化学量論的に含んだク
ロム膜を形成し、核クロム膜をドライエツチング法を用
いて選択エツチングすることにより擲光膜パターンを形
成する工程を有することを特徴トスるクロムマスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052989A JPS58169151A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | クロムマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57052989A JPS58169151A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | クロムマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169151A true JPS58169151A (ja) | 1983-10-05 |
| JPS6227385B2 JPS6227385B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=12930324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57052989A Granted JPS58169151A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | クロムマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006540A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322425A (en) * | 1976-06-10 | 1978-03-01 | Katsuragawa Denki Kk | Electrophotographic method |
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57052989A patent/JPS58169151A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322425A (en) * | 1976-06-10 | 1978-03-01 | Katsuragawa Denki Kk | Electrophotographic method |
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006540A1 (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227385B2 (ja) | 1987-06-15 |
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