JPS58167A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58167A JPS58167A JP56098573A JP9857381A JPS58167A JP S58167 A JPS58167 A JP S58167A JP 56098573 A JP56098573 A JP 56098573A JP 9857381 A JP9857381 A JP 9857381A JP S58167 A JPS58167 A JP S58167A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体装置特にモリブデン配線／二酸化シリ
コン／多結晶シリコン（半導体層）の構造にお（・て、
多結晶シリコンをヒータとして用い１選択的［１りｌを
流してそり上のモリブデン配線の−ｇ＆−ＩＩ化、昇華
させ切断することによってプログラムｋ ｔＬした絖出
し専用記憶装置に関する。 従来技術において、ヒユーズ方式により）−タラムされ
る続出し専用記憶装置のヒユーズ＃科には、多結晶シリ
コン（ポリシリプン）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン・タ
ングステン（丁ｔ−Ｗ）などが用いられ、これはヒユー
ズとして集積副路（ＩＣ）内に配線の一部として組込ま
れ、それ
コン／多結晶シリコン（半導体層）の構造にお（・て、
多結晶シリコンをヒータとして用い１選択的［１りｌを
流してそり上のモリブデン配線の−ｇ＆−ＩＩ化、昇華
させ切断することによってプログラムｋ ｔＬした絖出
し専用記憶装置に関する。 従来技術において、ヒユーズ方式により）−タラムされ
る続出し専用記憶装置のヒユーズ＃科には、多結晶シリ
コン（ポリシリプン）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン・タ
ングステン（丁ｔ−Ｗ）などが用いられ、これはヒユー
ズとして集積副路（ＩＣ）内に配線の一部として組込ま
れ、それ
【切断することによってブーダラｉングがなさ
れている。 プρグラξングに用いるこれらの材料から成るヒユーズ
の切断は一般的Ｋｌ気的な溶断により、切断には１４０
０℃以上の高温を必要とするので大電力を必要とする。 とい５＃）は、かかる材料はＩＣの配線の一部として使
用されるので、それを切断のための高ＩＫに上げやす（
・ように抵抗を大にしｋとすると、もしその部分が一路
的に切断の必要がなく、回路の一部として使用されｋと
き一路に高抵抗層が存在することになり１回路の動作時
、間が遅くなる。従つ−ｃｍ現実には、抵抗をあまり大
にすることｔせず、切断のｇめには電流を大（すること
によってカバーしてきた。更に切断はポリシリコン材料
などの溶断であるｋめ、切断がすっきりしπ形にならず
、外見上、切断の確認がむすかし−・。 本願の発明者は、ＦＲＯＭ のプログラミングに用−・
る配Ｉｖ１１にモリブデンを用い、それに＃ｌＡ寥囲気
中テレーザヒームの照射を行うと、モリブデンを五線化
してＭｏＯ＊となり、それｆ）揮発性を利用して所望の
部分りモリブデン【昇華させることか可能であることＶ
確認しに０ 本発明の目的は従来技術における前述り間１１を解決す
るにあり、そり目的を達成するために上記したモリブデ
ン酸化、昇華によるモリブデン配線の切断によってＰＲ
ＯＭ のプルグラミング１行う。 より具体的には１選択的に配線したポリシリ】ンの如き
半導体層の上に絶縁膜を介してモリブデン配線を形成し
、ポリシリコン層に選択的に電Ｒ４′流してポリシリコ
ン層
れている。 プρグラξングに用いるこれらの材料から成るヒユーズ
の切断は一般的Ｋｌ気的な溶断により、切断には１４０
０℃以上の高温を必要とするので大電力を必要とする。 とい５＃）は、かかる材料はＩＣの配線の一部として使
用されるので、それを切断のための高ＩＫに上げやす（
・ように抵抗を大にしｋとすると、もしその部分が一路
的に切断の必要がなく、回路の一部として使用されｋと
き一路に高抵抗層が存在することになり１回路の動作時
、間が遅くなる。従つ−ｃｍ現実には、抵抗をあまり大
にすることｔせず、切断のｇめには電流を大（すること
によってカバーしてきた。更に切断はポリシリコン材料
などの溶断であるｋめ、切断がすっきりしπ形にならず
、外見上、切断の確認がむすかし−・。 本願の発明者は、ＦＲＯＭ のプログラミングに用−・
る配Ｉｖ１１にモリブデンを用い、それに＃ｌＡ寥囲気
中テレーザヒームの照射を行うと、モリブデンを五線化
してＭｏＯ＊となり、それｆ）揮発性を利用して所望の
部分りモリブデン【昇華させることか可能であることＶ
確認しに０ 本発明の目的は従来技術における前述り間１１を解決す
るにあり、そり目的を達成するために上記したモリブデ
ン酸化、昇華によるモリブデン配線の切断によってＰＲ
ＯＭ のプルグラミング１行う。 より具体的には１選択的に配線したポリシリ】ンの如き
半導体層の上に絶縁膜を介してモリブデン配線を形成し
、ポリシリコン層に選択的に電Ｒ４′流してポリシリコ
ン層
【加熱し、こりポリシリコン層Ｖ（・わばヒータと
して利用してモリブテン配線り昇華１！を実現し、それ
によってプログラミングされ７．： ＰＲＯＭ ｔ−
提供する。 かかるＰＲＯＭ においては、モリブデン配線で直接Ｉ
Ｃの配４！１を行（・、他方モリブデンを昇華させるｋ
めのし一部まｋは抵抗体としては配線とは別″ にポリ
シリコンの如き半導体層で抵抗体を用意する。つまり、
切断用回路とＩＣ用配線とは区別され独立しているので
、ヒータまたは抵抗体（よって構成される切断用回路が
ＩＣの高速化の妨げまたは障害となることはな−・。 以下、本発明の半導体装置の実施例な添付図面を参照し
て説明する。 第１図には従来技術によるヒユーズ方式のＦＲＯＭの一
部が平面図で示される。図において、１とｒとはプログ
ラミングに用いられるアルミニウム配線を示し、両配綜
は例えばポリシリコンまたはＴｊ −Ｗ 合金の配Ｉｍ
！２で接続されている。ブーグラミングリにめアルミニ
ウム配線ｌと−ｆ Ｉ）接続を切りた−・ときは両者間
に大電流を流して配線２を溶断する。配線２が溶断する
ときその熱でフルミニラム配＠１．ｆ特にそれぞれの端
部分が溶融してつながってしまうことを回避するために
１配線２は少なくとも５μｍ 以上の長さく設計しなけ
ればならなかっｋ（その巾は２μ−前後として）。 配−２り溶断に必要な電流は、印加電圧１ｋｌＯＶとし
て、一般に数十１９７ンベ７８！度の大きさのものであ
りた。 本発明の実施例は％第２図（＆）の平面図とそｆ） （
ｂｌの断面図に示される。この実施例にお−・て、断線
されるべきヒユーズ材料としてモリブデンｖ７１び、そ
れの酸化、昇華を利用する１図にお（・て、１１はモリ
ブテン配線で、その切断またはヒユーズ部分］２１工、
厚さはＩＩｇｍ より小にまた巾を工約２ｐＫ設定す
る。ところで％ａＫ２図闇に示されるものは、全面が例
えば燐珪酸ガラス（ＰＩＧ ）の保護膜で債われており
、切断部分１２を切断するときには、保”ａＰａＫ窓１
３を窓開けしなければならな（・。 切断部分１２の長さしはかかる窓開は技術によって定ま
る窓１３す（図に見て）横方向の拡がりに左右さｔ′Ｌ
る。つまり、切断部分１２は次に説明するポリシリコン
層の加熱により酸化、昇華するから、従来技術の場合の
如（配線σ）他の部分の溶融ｔ１！念する必要がないか
ら、切断部分な空気にさらすために必要な保ｓＩ展の窓
開は技術が許す限りにおいてかなり短くすることができ
、そのことは製造される半導体装置の小皺化に寄与する
。 かかる４リプデン配線１１り切断部分は １１２図（ａ
ｔ Ｉ） Ｂ−１ｍ Ｋ ｆ８５断１１１ｇである第２
図伽）に見られる如く、厚さ＃１００・ｌの二酸化シリ
コン展１４ｇ）如き絶縁層な介しく、厚さ２０００〜４
０００五のポリシリコン層（半導体層）１５の上に形成
される。モリブデンは酸素雰囲気または９！気中で５０
０℃以上で酸化し昇華するから、ヒータすなわち抵抗体
であるポリシリコン層に電流なＫＬその自己発熱でモリ
ブデン配線の切断部分ｖ、 ｓｏｏ、’Ｃ以上ＫＩＩｍ
してやらなければならない、こり電流値は電圧およびヒ
ータとして動くポリシ□コン層の抵抗値によって決定さ
れるが、実験の結果、電圧ｔ１０Ｖ として、ｉ来技術
＃Ｃおいてポジシリ】ン層シ溶断に必要な数十ミνアン
ペアに比べ２０ ｉシアンペア未満で足りることが確
認された。 以上に説明した如（１本発明にかがるＦＲＯＭ におい
てｋＸ。 イ、 ＩＣ＠路（モリブデン配線ｌ“ｌはその一部と切
餠用回路また着工ヒータ回路（ポリシリコン層１５）と
は完全に分離され５る。 口、切断用回路（ヒータ回路）はｘｃ １ｇｌ路から
独立であるσノで、それは素子の操作速度に影譬な与え
な（・、そのために％抵抗体として用いるポリシリコン
層の抵抗値はいわば自由に高い値に設定することが可能
となる。 □ＸＩＣ回路の配−に舌エモリブデン（金属）を使用す
るりで、ＩＣ回路の操作の高速化が可能となる。 へ 前述したように保ｓｉｎに窓開はをしておくと、モ
リブデンは空気にさらされ５００″ＣＳ度の低温度で酸
化、昇傘するので、従来のヒユーズ方式の場合の如く大
なる電流値を必要としない、更に、従来技術における溶
断で着工ないので、モリブデン配−−ノ切断Ｓ（昇華し
た部分）はきれいに保にれ。 配−材料り飛散、付着による短絡の危険や美観の低下が
なし・。 と（・う効果が得られる。 モリブデン配線の切断部分の昇華のためには保ｔ１ＭＨ
Ｋ廖開けｔなしたが、保護膜Ｋ１１えばｐｔｔｔａ ｔ
−用〜・ｋものであれば、切断ｌｌＫおい工、レーザビ
ームの照射によってＰｇＧ Ｖ ＩＩ融して窓をふさぐ
ようにしてもよい。 なお、以上の本発明の説明においてはモリブデンを例に
とったが１本発明の適用範囲はそり場合に限定されるも
のでなく、タングステンの如きそり他の金属材料を用い
る場合にも及ぶものである。
して利用してモリブテン配線り昇華１！を実現し、それ
によってプログラミングされ７．： ＰＲＯＭ ｔ−
提供する。 かかるＰＲＯＭ においては、モリブデン配線で直接Ｉ
Ｃの配４！１を行（・、他方モリブデンを昇華させるｋ
めのし一部まｋは抵抗体としては配線とは別″ にポリ
シリコンの如き半導体層で抵抗体を用意する。つまり、
切断用回路とＩＣ用配線とは区別され独立しているので
、ヒータまたは抵抗体（よって構成される切断用回路が
ＩＣの高速化の妨げまたは障害となることはな−・。 以下、本発明の半導体装置の実施例な添付図面を参照し
て説明する。 第１図には従来技術によるヒユーズ方式のＦＲＯＭの一
部が平面図で示される。図において、１とｒとはプログ
ラミングに用いられるアルミニウム配線を示し、両配綜
は例えばポリシリコンまたはＴｊ −Ｗ 合金の配Ｉｍ
！２で接続されている。ブーグラミングリにめアルミニ
ウム配線ｌと−ｆ Ｉ）接続を切りた−・ときは両者間
に大電流を流して配線２を溶断する。配線２が溶断する
ときその熱でフルミニラム配＠１．ｆ特にそれぞれの端
部分が溶融してつながってしまうことを回避するために
１配線２は少なくとも５μｍ 以上の長さく設計しなけ
ればならなかっｋ（その巾は２μ−前後として）。 配−２り溶断に必要な電流は、印加電圧１ｋｌＯＶとし
て、一般に数十１９７ンベ７８！度の大きさのものであ
りた。 本発明の実施例は％第２図（＆）の平面図とそｆ） （
ｂｌの断面図に示される。この実施例にお−・て、断線
されるべきヒユーズ材料としてモリブデンｖ７１び、そ
れの酸化、昇華を利用する１図にお（・て、１１はモリ
ブテン配線で、その切断またはヒユーズ部分］２１工、
厚さはＩＩｇｍ より小にまた巾を工約２ｐＫ設定す
る。ところで％ａＫ２図闇に示されるものは、全面が例
えば燐珪酸ガラス（ＰＩＧ ）の保護膜で債われており
、切断部分１２を切断するときには、保”ａＰａＫ窓１
３を窓開けしなければならな（・。 切断部分１２の長さしはかかる窓開は技術によって定ま
る窓１３す（図に見て）横方向の拡がりに左右さｔ′Ｌ
る。つまり、切断部分１２は次に説明するポリシリコン
層の加熱により酸化、昇華するから、従来技術の場合の
如（配線σ）他の部分の溶融ｔ１！念する必要がないか
ら、切断部分な空気にさらすために必要な保ｓＩ展の窓
開は技術が許す限りにおいてかなり短くすることができ
、そのことは製造される半導体装置の小皺化に寄与する
。 かかる４リプデン配線１１り切断部分は １１２図（ａ
ｔ Ｉ） Ｂ−１ｍ Ｋ ｆ８５断１１１ｇである第２
図伽）に見られる如く、厚さ＃１００・ｌの二酸化シリ
コン展１４ｇ）如き絶縁層な介しく、厚さ２０００〜４
０００五のポリシリコン層（半導体層）１５の上に形成
される。モリブデンは酸素雰囲気または９！気中で５０
０℃以上で酸化し昇華するから、ヒータすなわち抵抗体
であるポリシリコン層に電流なＫＬその自己発熱でモリ
ブデン配線の切断部分ｖ、 ｓｏｏ、’Ｃ以上ＫＩＩｍ
してやらなければならない、こり電流値は電圧およびヒ
ータとして動くポリシ□コン層の抵抗値によって決定さ
れるが、実験の結果、電圧ｔ１０Ｖ として、ｉ来技術
＃Ｃおいてポジシリ】ン層シ溶断に必要な数十ミνアン
ペアに比べ２０ ｉシアンペア未満で足りることが確
認された。 以上に説明した如（１本発明にかがるＦＲＯＭ におい
てｋＸ。 イ、 ＩＣ＠路（モリブデン配線ｌ“ｌはその一部と切
餠用回路また着工ヒータ回路（ポリシリコン層１５）と
は完全に分離され５る。 口、切断用回路（ヒータ回路）はｘｃ １ｇｌ路から
独立であるσノで、それは素子の操作速度に影譬な与え
な（・、そのために％抵抗体として用いるポリシリコン
層の抵抗値はいわば自由に高い値に設定することが可能
となる。 □ＸＩＣ回路の配−に舌エモリブデン（金属）を使用す
るりで、ＩＣ回路の操作の高速化が可能となる。 へ 前述したように保ｓｉｎに窓開はをしておくと、モ
リブデンは空気にさらされ５００″ＣＳ度の低温度で酸
化、昇傘するので、従来のヒユーズ方式の場合の如く大
なる電流値を必要としない、更に、従来技術における溶
断で着工ないので、モリブデン配−−ノ切断Ｓ（昇華し
た部分）はきれいに保にれ。 配−材料り飛散、付着による短絡の危険や美観の低下が
なし・。 と（・う効果が得られる。 モリブデン配線の切断部分の昇華のためには保ｔ１ＭＨ
Ｋ廖開けｔなしたが、保護膜Ｋ１１えばｐｔｔｔａ ｔ
−用〜・ｋものであれば、切断ｌｌＫおい工、レーザビ
ームの照射によってＰｇＧ Ｖ ＩＩ融して窓をふさぐ
ようにしてもよい。 なお、以上の本発明の説明においてはモリブデンを例に
とったが１本発明の適用範囲はそり場合に限定されるも
のでなく、タングステンの如きそり他の金属材料を用い
る場合にも及ぶものである。
第１図は従来のヒユーズ方式によるＰＲＯＭ の一部の
平面図、第２図は本発明にかかるＰＲＯＭ の一部の平
面図と断面図である・ １１・−・モリブデン配線、１２・−モリブデン配線の
切断（ヒユーズ）ｌＩＳ分、１３・−窓、１４・−・二
酸化シリフン膜、１５・−ポリシリコン層 特許出願人 富士通株式会社
平面図、第２図は本発明にかかるＰＲＯＭ の一部の平
面図と断面図である・ １１・−・モリブデン配線、１２・−モリブデン配線の
切断（ヒユーズ）ｌＩＳ分、１３・−窓、１４・−・二
酸化シリフン膜、１５・−ポリシリコン層 特許出願人 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 集積回路な構成する配線の切断によりプログラムされる
記憶装置において、皺配縮はモサプデ／又はタングステ
ンの如き酸化、昇華する金属材料にて形成し、該配線は
絶縁層を介し【＃集積回路とは成立の半導体層の抵抗体
上に配置し、繊半纏体層に通電してそれを加熱し、こＩ
） ＩＩ！ｋ Ｋより該配−の切断部分を酸化し昇華せ
しめたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098573A JPS58167A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56098573A JPS58167A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167A true JPS58167A (ja) | 1983-01-05 |
| JPH0332229B2 JPH0332229B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=14223407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56098573A Granted JPS58167A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4485464A (en) * | 1981-11-16 | 1984-11-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Door opening and closing mechanism for disc driving apparatuses |
| EP0166240A2 (en) * | 1984-06-27 | 1986-01-02 | AlliedSignal Inc. | Reinforced plastic composites |
| US4564930A (en) * | 1982-07-20 | 1986-01-14 | Pioneer Electronic Corporation | Disc carrying system |
| JPS61111563A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の金属配線切断方法 |
| JP2006024937A (ja) * | 1995-11-30 | 2006-01-26 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ヒータおよびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617060A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS5643758A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56098573A patent/JPS58167A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617060A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-18 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS5643758A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4485464A (en) * | 1981-11-16 | 1984-11-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Door opening and closing mechanism for disc driving apparatuses |
| US4564930A (en) * | 1982-07-20 | 1986-01-14 | Pioneer Electronic Corporation | Disc carrying system |
| EP0166240A2 (en) * | 1984-06-27 | 1986-01-02 | AlliedSignal Inc. | Reinforced plastic composites |
| JPS6119879A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-28 | アライド・コーポレーシヨン | プラスチツク複合材料強化用繊維及び繊維強化プラスチツク複合材料 |
| JPS61111563A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の金属配線切断方法 |
| JP2006024937A (ja) * | 1995-11-30 | 2006-01-26 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ヒータおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332229B2 (ja) | 1991-05-10 |
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