JPS58164776A - グロ−放電化学処理装置 - Google Patents
グロ−放電化学処理装置Info
- Publication number
- JPS58164776A JPS58164776A JP4571382A JP4571382A JPS58164776A JP S58164776 A JPS58164776 A JP S58164776A JP 4571382 A JP4571382 A JP 4571382A JP 4571382 A JP4571382 A JP 4571382A JP S58164776 A JPS58164776 A JP S58164776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- chemical treatment
- glow discharge
- shielding member
- glow
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、金属、セラミックス等からなる基体表面に窒
化チタン等の耐摩耗性装飾性に優れた金属化・合物の被
膜を形成するために用いるグロー放電化学処理装置に係
わり、特に被膜形成を妨害゛するアーク放電現象の発生
を防止したグロー放電化学処理装置に関する。
化チタン等の耐摩耗性装飾性に優れた金属化・合物の被
膜を形成するために用いるグロー放電化学処理装置に係
わり、特に被膜形成を妨害゛するアーク放電現象の発生
を防止したグロー放電化学処理装置に関する。
［発明の技術的背景とその間照点］
従来より、金属、セラミックス等からなる基体表面に、
耐摩耗性にすぐれる、たとえば窒化チタン、炭化チタン
等の高融点化合物の被膜を形成する方法として化学蒸着
法が知られている。この方法では、高融点化合物の被覆
の形成が９００〜１２００℃で行われるため基体が薄物
あるいは細物等の変形を起こしやすい形状のものや融点
の低い材質のものでは適用できないという制限があった
。
耐摩耗性にすぐれる、たとえば窒化チタン、炭化チタン
等の高融点化合物の被膜を形成する方法として化学蒸着
法が知られている。この方法では、高融点化合物の被覆
の形成が９００〜１２００℃で行われるため基体が薄物
あるいは細物等の変形を起こしやすい形状のものや融点
の低い材質のものでは適用できないという制限があった
。
また得られる被膜の表面状態が粗雑であり、装飾用とし
ては不適当であるという欠点があった。
ては不適当であるという欠点があった。
このため腕時計等の外側として用いた場合、耐摩耗性向
上と装飾性付与の目的の為に、上述の金属化合物を被覆
する場合にグロー故電空閑を基体近傍に形成させて、放
電エネルギーにより、化学反応を起こさせ、被覆に要す
るする加熱温度を４００〜６００℃と低くして行なうグ
ロー放電化学蒸着法が検討されている。
上と装飾性付与の目的の為に、上述の金属化合物を被覆
する場合にグロー故電空閑を基体近傍に形成させて、放
電エネルギーにより、化学反応を起こさせ、被覆に要す
るする加熱温度を４００〜６００℃と低くして行なうグ
ロー放電化学蒸着法が検討されている。
この方法を例えば基体表面に金属窒化物を被覆する場合
について第１図貴参照して説明すると、まず初めに真空
ポンプに接続された排気口１より排気して真空容器２内
を１’、”Ｏ’ Ｔ ｏｒｒ以下の真空度まで排気した
後、゛ガス供：、給ロ３から金属ハロゲン化物と窒素と
水素との１１！：□゛、合ガスを、真空容器２内が０．
１〜１０Ｔｏｒｒの圧になるよう真空容器２内に導入す
る。真空容器２内には、被処理基体４を電気的に導通し
た状態で設置しうる陰極体５と陰極体５の上方に所定の
間隔をおいて支持される陽極体６とが配置されている。
について第１図貴参照して説明すると、まず初めに真空
ポンプに接続された排気口１より排気して真空容器２内
を１’、”Ｏ’ Ｔ ｏｒｒ以下の真空度まで排気した
後、゛ガス供：、給ロ３から金属ハロゲン化物と窒素と
水素との１１！：□゛、合ガスを、真空容器２内が０．
１〜１０Ｔｏｒｒの圧になるよう真空容器２内に導入す
る。真空容器２内には、被処理基体４を電気的に導通し
た状態で設置しうる陰極体５と陰極体５の上方に所定の
間隔をおいて支持される陽極体６とが配置されている。
この電極間で２００〜８０００Ｖの直流電圧を印加し、
かつ陰極体５の裏面に設けられた加熱板７を加熱して被
処理基体を２００〜１０００℃、好ましくは４００〜６
００℃にすることにより、被処理基体近傍にグロー放電
、空間が形成され、基体表面で混合ガスが反応して金属
窒化物の被膜が形成される。なお、図中各電極は配線９
により直流電源１０のしかるべき端子に接続され、陽極
側はアース１１により接地されている。
かつ陰極体５の裏面に設けられた加熱板７を加熱して被
処理基体を２００〜１０００℃、好ましくは４００〜６
００℃にすることにより、被処理基体近傍にグロー放電
、空間が形成され、基体表面で混合ガスが反応して金属
窒化物の被膜が形成される。なお、図中各電極は配線９
により直流電源１０のしかるべき端子に接続され、陽極
側はアース１１により接地されている。
しかしながら、この方法においては、陰極体５の陽極側
に形成されるグローが、陰極の縁部を越えて陰極導入部
１材８側に延びてきて矢印に示すように真空容、 ２．
、！□沖底部（陽極）にまで達し、この部分で主放電が
□生じるよ−うになり、遂にはアーク放電へと移行Ｊ）
□薔基体゛表面の被膜形成が妨害され６８いう□わあ”
ｙｋ。 ゛［発明の目的
］ 本発明は上述の問題を解消するもので、陰極導入部材８
表面への金属化合物被膜の形成を防止して、アーク放電
現象の発生を防いだグロー放電化学処ｌＬＩ装置を提供
することを目的とする。
に形成されるグローが、陰極の縁部を越えて陰極導入部
１材８側に延びてきて矢印に示すように真空容、 ２．
、！□沖底部（陽極）にまで達し、この部分で主放電が
□生じるよ−うになり、遂にはアーク放電へと移行Ｊ）
□薔基体゛表面の被膜形成が妨害され６８いう□わあ”
ｙｋ。 ゛［発明の目的
］ 本発明は上述の問題を解消するもので、陰極導入部材８
表面への金属化合物被膜の形成を防止して、アーク放電
現象の発生を防いだグロー放電化学処ｌＬＩ装置を提供
することを目的とする。
［発明の概ｉｌｌ
すなわち本発明は、真空容１１２内の陰極体５の端縁の
外周もしくは陰極導入部材８との接合部にグローが侵入
しない間隙Ａを形成するための遮蔽部材１２を設けたこ
とを特徴とする。
外周もしくは陰極導入部材８との接合部にグローが侵入
しない間隙Ａを形成するための遮蔽部材１２を設けたこ
とを特徴とする。
本発明に使用する遮蔽部材は、石英等の絶縁物で形成さ
れるのが適切であるが、導体表面に絶縁被覆を形成させ
たものも用いることができる。
れるのが適切であるが、導体表面に絶縁被覆を形成させ
たものも用いることができる。
以下図面を参照して本発明装置の詳細を説明する。なお
以下の図において第一図と共通する部分は同一符号で示
す。
以下の図において第一図と共通する部分は同一符号で示
す。
第２図は陰極体５端縁の外周に閤−八が形成されるよう
円筒状の遮蔽部材１２が陰極体５を包囲するよう配置し
た実施例である。遮蔽部材１２と陰極体５との閤１１Ａ
は１〜３ｍが適切であり、遮蔽部材１２の＾さは陰極体
５とほぼ同じかそれより高りのが好ましい。
円筒状の遮蔽部材１２が陰極体５を包囲するよう配置し
た実施例である。遮蔽部材１２と陰極体５との閤１１Ａ
は１〜３ｍが適切であり、遮蔽部材１２の＾さは陰極体
５とほぼ同じかそれより高りのが好ましい。
第３図は陰極体５と陰極導入部材８との接合部にグロー
の侵入しないＩＩＩＩＡが形成されるよう笠状遮蔽部材
１２の基部が接合部にくるよう配置されるように構成さ
れた例である。この笠状遮蔽部材は加熱板の下は断熱板
１゛３を設け、薯れを介して配ｌｌきれるのが好ましい
。また笠状−蔽部材の傾斜角度は２０〜３０′″が適切
であり、大きさは陰極体より大きいことが望ましい。
の侵入しないＩＩＩＩＡが形成されるよう笠状遮蔽部材
１２の基部が接合部にくるよう配置されるように構成さ
れた例である。この笠状遮蔽部材は加熱板の下は断熱板
１゛３を設け、薯れを介して配ｌｌきれるのが好ましい
。また笠状−蔽部材の傾斜角度は２０〜３０′″が適切
であり、大きさは陰極体より大きいことが望ましい。
また、上述の笠状遮蔽部材の代りに第４図のように傾斜
のない円盤状の遮蔽部材を陰極導入部材に周設させるこ
とも可能である。
のない円盤状の遮蔽部材を陰極導入部材に周設させるこ
とも可能である。
このように構成された本発明装置においては、間隙Ａの
形成によりグロー放電は陰極導入部材′まで達すること
がなく遮蔽部材上を延びるが、陰極体と電気的に導通し
ないためアーク放電現象を防止することができる。
形成によりグロー放電は陰極導入部材′まで達すること
がなく遮蔽部材上を延びるが、陰極体と電気的に導通し
ないためアーク放電現象を防止することができる。
［発明の実施例］
次に実施例について説明する。
実施例
第３図に示すような笠状遮蔽部材をその基部が陰極体と
陰極導入部材との接合部にくるよう断熱板の下方に配置
した処理装置を使用し、Ｃ「３８％、Ａ１３．８％、Ｎ
ｉ残の組成の合金からなる２５ｎＸ２５ｎＸ４ｎの金属
板を被処理基体として陰極体に載置し、次の条件で処理
を行なったところ、陰極導入部材表面にはＴｉＮの被膜
は形成されず反応がスムーズに行えた。得られた基体上
のＴｉＮ被膜は均一で光沢があり、装飾性に優れていた
。
陰極導入部材との接合部にくるよう断熱板の下方に配置
した処理装置を使用し、Ｃ「３８％、Ａ１３．８％、Ｎ
ｉ残の組成の合金からなる２５ｎＸ２５ｎＸ４ｎの金属
板を被処理基体として陰極体に載置し、次の条件で処理
を行なったところ、陰極導入部材表面にはＴｉＮの被膜
は形成されず反応がスムーズに行えた。得られた基体上
のＴｉＮ被膜は均一で光沢があり、装飾性に優れていた
。
反応ガス組成 Ｔｉ ＣＪ！４：Ｈ２：Ｎ２−１：１
９：６（モル比） 圧 力 ２Ｔｏｒｒ電 圧
５００Ｖ 電流密度 ０．１１Ａ／ＣＩ 基体の温度 ５５０℃ 処理時間 ３０分 一方、遮蔽部材を配置しない□処理装置を使用しあとは
実施例と同様に処理を行なったところ、途中でＴｉＮ被
膜が基体上に形成されず、陰極導入部材表面の上部から
どんどん下方に向かって形成されたので処理を中止した
。
９：６（モル比） 圧 力 ２Ｔｏｒｒ電 圧
５００Ｖ 電流密度 ０．１１Ａ／ＣＩ 基体の温度 ５５０℃ 処理時間 ３０分 一方、遮蔽部材を配置しない□処理装置を使用しあとは
実施例と同様に処理を行なったところ、途中でＴｉＮ被
膜が基体上に形成されず、陰極導入部材表面の上部から
どんどん下方に向かって形成されたので処理を中止した
。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように、本発明装置によれ
ば陰極導入部材表面へ金属化合物の被膜が形成されるこ
とがないから、アーク放電現象が発生するおそれがな（
、基体表面上への金属化合物被膜の形成がスムーズに行
える。
ば陰極導入部材表面へ金属化合物の被膜が形成されるこ
とがないから、アーク放電現象が発生するおそれがな（
、基体表面上への金属化合物被膜の形成がスムーズに行
える。
第１図は従来の処理装置を模式的に示す概略断面図、第
２図乃至第４図は本発明の処理装置の概略断面図である
。 ２・・・・・・・・・・・・・・・真空容器４・・・・
・・・・・・・・・・・被処理基体５・・・・・・・・
・・・・・・・陰極体６・・・・・・・・・・・・・・
・陽極板７・・・・・・・・・・・・・・・加熱板８・
・・・・・・・・・・・・・・陰極導入部材１２・・・
・・・・・・・・・遮蔽部材第１図 第２図 第４図
２図乃至第４図は本発明の処理装置の概略断面図である
。 ２・・・・・・・・・・・・・・・真空容器４・・・・
・・・・・・・・・・・被処理基体５・・・・・・・・
・・・・・・・陰極体６・・・・・・・・・・・・・・
・陽極板７・・・・・・・・・・・・・・・加熱板８・
・・・・・・・・・・・・・・陰極導入部材１２・・・
・・・・・・・・・遮蔽部材第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ガス供給口と排気口とを備えた真空容器と、陰極
導入部材により前記真空容器の底部から開隔をおいて支
持された被処理基体を載■する電極体と、この陰極体と
陰極導入部材との闇に設けたグ０−を遮蔽する遮蔽部材
と、前記陰極体を加・熱する加熱装置と、前記陰極体と
対向して設置された陽極を具備することを特徴とするグ
ロー放電化学処理装置。 （２）遮蔽部材が、陰極体を包囲する円筒状部材である
特許請求の範囲第１項記載のグロー放電化学処理装置。 （３）遮蔽部材が、基部を陰極体と陰極導入部材との接
合部に位置させた笠状部材である特許請求の範囲第１項
記載のグロー放電化学処理装−０（４）遮蔽部材が、陰
極導入部材に周設された円盤状部材である特許請求の範
囲第１項記載のグロー放電化学処理装置。 （５）遮蔽部材の表面が、電気絶縁体で構成されてなる
特許請求の範囲第１項記載のグロー放電化学処理装置。 （６）遮蔽部材が石英である特許請求の範囲第１項記載
のグロー放電化学処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4571382A JPS58164776A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | グロ−放電化学処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4571382A JPS58164776A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | グロ−放電化学処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164776A true JPS58164776A (ja) | 1983-09-29 |
| JPS6134506B2 JPS6134506B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=12726986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4571382A Granted JPS58164776A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | グロ−放電化学処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187375U (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478624A (en) * | 1987-06-29 | 1989-03-24 | Tsubakimoto Chain Co | Storing and carrying device for heavy object |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4571382A patent/JPS58164776A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187375U (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134506B2 (ja) | 1986-08-08 |
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