JPS5816273B2 - Entoujikuseigiyosouchi - Google Patents

Entoujikuseigiyosouchi

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Publication number
JPS5816273B2
JPS5816273B2 JP50128808A JP12880875A JPS5816273B2 JP S5816273 B2 JPS5816273 B2 JP S5816273B2 JP 50128808 A JP50128808 A JP 50128808A JP 12880875 A JP12880875 A JP 12880875A JP S5816273 B2 JPS5816273 B2 JP S5816273B2
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JP
Japan
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magnetic
loop
magnetic field
bubble
major
Prior art date
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JP50128808A
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Japanese (ja)
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JPS5253637A (en
Inventor
間島庭司
折原尚武
柳瀬武泰
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は円筒磁区制御装置に関し、特にメジャー/マイ
ナー・ループ方式の円筒磁区(磁気バブル)ファイルメ
モリにおいてメジャーループおよびマイナーループの間
に磁気バブルの転送を行わしめる電流制御型トランスフ
ァゲートに適用される円筒状磁区側御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a cylindrical magnetic domain control device, and particularly to a current control device for transferring magnetic bubbles between a major loop and a minor loop in a major/minor loop type cylindrical magnetic domain (magnetic bubble) file memory. The present invention relates to a cylindrical magnetic domain side control device applied to type transfer gates.

周知のとおり磁気バブルは大容量のメモリとして近年活
発に実用化が進められている。
As is well known, magnetic bubbles have been actively put into practical use as large-capacity memories in recent years.

このメモリを作るにあたって現在までに前述のメジャー
/マイナー・ループ方式の他チップ上デコード方式、ダ
イナミックオーダリング方式等が提案されている。
In addition to the major/minor loop method mentioned above, on-chip decoding methods, dynamic ordering methods, and the like have been proposed to date to create this memory.

本発明が適用されるメジャー/マイナー・ループ方式は
1つのメジャーループをζ対して複数個のマイナールー
プを並列に配置した構成からなり、記憶のためのループ
を直列に接続して読み出す場合より平均アクセスタイム
を遥かに短くすることが出来る。
The major/minor loop system to which the present invention is applied has a configuration in which multiple minor loops are arranged in parallel for one major loop. Access time can be much shorter.

このメジャー/マイナー・ループ方式については後述す
るが、磁気バブルを、回転磁界のもとに磁性材からなる
T−Iパターンに沿って循回せしめるメジャーループと
、記憶すべき情報を収納した、同じくT・■パターンか
らなる複数個のマイナーループと、これらのマイナール
ープと前記メジャーループとの間で磁気バブルの転送を
行わしめるトランスファゲートを含んで構成される。
This major/minor loop method will be described later, but there is a major loop that circulates magnetic bubbles along a T-I pattern made of magnetic material under a rotating magnetic field, and a similar loop that stores information to be memorized. It is composed of a plurality of minor loops having a T/■ pattern and a transfer gate that transfers magnetic bubbles between these minor loops and the major loop.

このトランスファゲートには既に$サイン形のゲートが
あり、また本出願人において山形ゲートあるいは変形H
形デート等も提案されている。
This transfer gate already has a $ sign type gate, and the applicant has developed a chevron gate or a modified H
Form dates, etc. have also been proposed.

ところが、これらいずれのトランスファゲートにおいて
も、そのトランスファゲート内に連続して2ケ(若しく
は3ケ)以上の磁気バブルを読み出すことが出来ないた
め、前記メジャーループにおける1つのT−1パターン
を1ピツトとすると2ピツトに1つの割合でしか磁気バ
ブルが存在し得なかった。
However, in any of these transfer gates, it is not possible to read out two (or three) or more magnetic bubbles in succession within the transfer gate, so one T-1 pattern in the major loop is read out as one pit. Therefore, a magnetic bubble could only exist in one out of every two pits.

勿論、前記トランスファゲートに連続2ケ(若しくは3
ケ)の磁気バブルを送出すれば、1ビット当り1ケの磁
気バブルを存在せしめることが出来る。
Of course, two (or three) consecutive transfer gates are connected to the transfer gate.
By sending out the magnetic bubble of (i), it is possible to make one magnetic bubble exist per one bit.

然し実際上は磁気バブルの動作マージンが小さくなり動
作が非常に不安定となるという問題を伴う。
However, in practice, there is a problem in that the operating margin of the magnetic bubble becomes small and the operation becomes extremely unstable.

この結果、従来のトランスファケートの構造では、メジ
ャーループに2ビット当り1磁気バブルのビットデンシ
ティ−しか持たせられないので、例えば回転磁界が10
0にサイクルで回転したとしても、センサーでは50に
サイクルの速度でしか読み出しが出来ない欠点があった
従って本発明の目的は、トランスファゲートに安定に2
ケ(若しくは3ケ)連続して磁気バブルを存在せしめ得
るようにし、これによってメジャーループに1ビット当
り1ケの磁気バブルを存在せしめ得るようにすることが
出来る。
As a result, in the conventional transferate structure, the major loop can only have a bit density of 1 magnetic bubble per 2 bits, so for example, if the rotating magnetic field is 10
Even if the transfer gate rotates at 0 cycles, the sensor has the disadvantage that it can only be read at a speed of 50 cycles.
1 (or 3) magnetic bubbles can be made to exist in succession, thereby making it possible to make it possible to make 1 magnetic bubble exist per 1 bit in the major loop.

トランスファゲートの磁気バブル制御装置を提案するこ
とである。
The purpose of this invention is to propose a magnetic bubble control device for transfer gate.

ただし、この場合マイナーループにおける連続した2ケ
(若しくは3ケ)のアドレスで1ワードを構成すること
を要する。
However, in this case, it is necessary to configure one word with two (or three) consecutive addresses in the minor loop.

上記目的に従い本発明は、メジャーループとマイナール
ープとの間に変形H型パターンを少なくとも2個直列接
続してなるトランスファゲートを設けたことを特徴とす
るものである。
In accordance with the above object, the present invention is characterized in that a transfer gate formed by connecting at least two modified H-shaped patterns in series is provided between a major loop and a minor loop.

以下図面に従って本発明を説明する。The present invention will be explained below with reference to the drawings.

第1図は、メジャー/マイナー・ループ方式の磁気バブ
ルメモリを概説するための模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram for outlining a major/minor loop type magnetic bubble memory.

情報の書き込みを行うには、先ず磁気バブル発生器Gか
ら常時発生している磁気バブルを、情報に従って書き込
みデー)D−Gを開くことによってメジャーループM上
に乗せ、さらにこれを移動させてマイナーループm1
、 m2 、・・・・・・mnの夫々の入口に並ぶ位置
に持ってくる。
To write information, first, the magnetic bubble that is constantly generated from the magnetic bubble generator G is placed on the major loop M by opening the write data (D-G) according to the information, and then moved to the minor loop. loop m1
, m2, . . . mn.

そして各トランスファゲートT −G、 、 T −G
2・・・・・・T−Gnを一斉に開いて磁気バブルを夫
々のマイナーループの中に入れる。
And each transfer gate T-G, , T-G
2...Open T-Gn all at once and put magnetic bubbles into each minor loop.

ここで情報は並列に並んで記憶され情報の書き込みが完
了する。
At this point, the information is stored in parallel and the writing of the information is completed.

一方、情報の読み出しを行うには、希望する情報を並列
に移動させてトランスファゲートT−G□、T−G2・
・・・・・、T−Gnの所まで持って行きこれを一斉に
開いてメジャーループM上に乗せさらに移動させる。
On the other hand, to read information, the desired information is moved in parallel to the transfer gates T-G□, T-G2,
...Take it to T-Gn, open it all at once, place it on top of the major loop M, and move it further.

このメジャーループM上を直列に移動する磁気バブルは
、センサーSに至り、希望の情報Pを得る。
The magnetic bubble moving in series on this major loop M reaches the sensor S and obtains desired information P.

読み終えた情報は再びマイナーループ内の元のアドレス
に戻される。
Once the information has been read, it is returned to the original address within the minor loop.

不要な情報は開となった消去ゲートE−Gを侵入し、バ
ブル消去器Xeにより消去される。
Unnecessary information enters the open erase gate E-G and is erased by the bubble eraser Xe.

また図中Xもバブル消去器である。このようなメジャー
/マイナー・ループ方式を用いれば、既に述べたごとく
平均アクセスタイムを遥かに短くすることが出来る。
Also, X in the figure is a bubble eliminator. If such a major/minor loop method is used, the average access time can be made much shorter, as already mentioned.

なお、第1図の構成素子は全体に、反時計方向(または
この逆)に回転する回転磁界下に置かれ、この回転磁界
によって磁気バブルはメジャーならびにマイナーループ
上を一定方向に且つ回転サイクルに同期して移動する。
The entire component shown in Figure 1 is placed under a rotating magnetic field that rotates counterclockwise (or vice versa), and this rotating magnetic field causes the magnetic bubbles to move in a constant direction on the major and minor loops and in accordance with the rotation cycle. Move in sync.

そして磁気バブルを、トランスフアゲ−)T−G1゜)
T−G2・・・・・・T−Gnを通してメジャーループ
Mからマイナーループm□、m2・・・・・・moに(
またはこの逆)引き込む場合には、各トランスファゲー
ト(T−G)を経由して布線される導体パターンT−C
に電流源Tより電流パルスを選択的に印加することに行
われる。
And the magnetic bubble, transfer game)T-G1゜)
T-G2......From major loop M through T-Gn to minor loop m□, m2...mo (
or vice versa), conductor pattern T-C wired via each transfer gate (T-G).
This is done by selectively applying current pulses from the current source T.

このことは書き込みゲートD−Gおよび消去デー)B−
Gを開閉する場合についても同様である。
This means that write gate DG and erase gate)B-
The same applies to the case where G is opened and closed.

本発明は特に第1図に示したトランスファゲート(T−
G)の構造に関するものである。
The present invention is particularly applicable to the transfer gate (T-
This relates to the structure of G).

従来、このトランスファゲートとしては、既に述べた$
サイン形、変形H形等があるが、いずれも基本原理は類
似であるので後者の変形H形パターンのトランスファゲ
ートの構造ならびに動作を第2図に従って説明する。
Conventionally, this transfer gate has been
There are sine-shaped, modified H-shaped, etc., but the basic principles are similar in all of them, so the structure and operation of the latter modified H-shaped transfer gate will be explained with reference to FIG.

第2図において、1は〜軸異方性を持つ磁性体薄膜、2
−1および2−2はそれぞれメジャーループMを構成す
る、パーマロイで代表される磁性体よりなるT・パター
ンおよびバー・パターン、3はマイナーループmを構成
するパーマロイパターン1.4−1は、パーマロイヨリ
なる一対の変形H形パターン、4−2は一対の変形H形
パターン4−1を結ぶバー・パターンであり、これら4
−1および4−2はトランスファゲートT−Gの主部を
なす。
In Fig. 2, 1 is a magnetic thin film with axial anisotropy, 2
-1 and 2-2 are T-patterns and bar patterns made of a magnetic material represented by permalloy, respectively, which constitute a major loop M; 3 is a permalloy pattern, which constitutes a minor loop m; 4-1 is a permalloy A pair of modified H-shaped patterns 4-2 are bar patterns connecting the pair of modified H-shaped patterns 4-1, and these 4
-1 and 4-2 form the main part of transfer gate TG.

5は導体パターン(第1図のT−C)である。5 is a conductor pattern (TC in FIG. 1).

また図中の破線が磁気バブルの伝播通路であり、上の破
線がメジャーループ量1下の破線がマイナーループmで
ある。
Further, the broken line in the figure is the propagation path of the magnetic bubble, and the upper broken line is the major loop amount 1, and the lower broken line is the minor loop m.

ただし回転磁界HDの回転方向は図示するごとく時計方
向にあるものとする。
However, it is assumed that the rotating direction of the rotating magnetic field HD is clockwise as shown in the figure.

このHDは一方向回転で、磁気バブルの通路切換えは粒
体パターン5に正極性(韮たは負極性)の電流パルスを
印加することによりなされる。
This HD rotates in one direction, and the path of the magnetic bubble is switched by applying a current pulse of positive polarity (or negative polarity) to the particle pattern 5.

磁気バブルの移動方向はメジャーループMでは図の右か
ら左、またはマイナーループmでは時計まわり方向であ
る。
The direction of movement of the magnetic bubble is from right to left in the figure in the major loop M, or clockwise in the minor loop m.

メジャーループM上のa点に磁気バブルが来たときに、
導体パターン5に電流パルスを印加し磁気バブルに対し
てe′点に反撥、b点に吸引磁界を生せしめる。
When the magnetic bubble comes to point a on major loop M,
A current pulse is applied to the conductor pattern 5 to generate a repelling magnetic field at point e' and an attractive magnetic field at point b against the magnetic bubble.

この吸引、反撥磁界の発生により、本来a点からe′点
に移動すべき磁気バブルはa点からb点に移動する。
Due to the generation of this attractive and repulsive magnetic field, the magnetic bubble, which should originally move from point a to point e', moves from point a to point b.

この後、回転磁界HDの方向が■→Q→■と移るにつれ
て、磁気バブルはC点、d点、e点へ移動し、この結果
磁気バブルはB −+ b−b C→d−+eと移動し
てメジャーループMからマイナーループmに転送される
After this, as the direction of the rotating magnetic field HD changes from ■→Q→■, the magnetic bubble moves to point C, point d, and point e, and as a result, the magnetic bubble becomes B −+ bb C→d−+e. and is transferred from major loop M to minor loop m.

なお、この場合導体パターン5に流す電流パルス幅は回
転磁界HDの1/4サイクル程度で良い。
In this case, the current pulse width applied to the conductor pattern 5 may be approximately 1/4 cycle of the rotating magnetic field HD.

一方マイナーループmからメジャーループMへの転送も
同様に、磁気バブルがa′点に達した時点でe点側に反
撥、b′点側に吸引磁界を生じる様に導体パターン5に
電流パルスを流せば磁気バブルは本来進むべきe点に移
動せずb′点lこ移る。
On the other hand, for the transfer from the minor loop m to the major loop M, when the magnetic bubble reaches point a', a current pulse is applied to the conductor pattern 5 so that it is repelled to the point e side and an attractive magnetic field is generated to the point b' side. If it is allowed to flow, the magnetic bubble will not move to point e, where it should originally go, but move to point b' l.

この結果、磁気バブルはa′→b′→C′→d′→e′
と順次移動し、マイナーループmからメジャーループM
へと転送される1ここで、磁気バブルの動きを追ってみ
ると、回転磁界HDが■の方向にあって、磁気バブルが
Iの位置にあり、さらに磁界HDが■→■→■→■と。
As a result, the magnetic bubble is a'→b'→C'→d'→e'
and move sequentially from minor loop M to major loop M.
1 Now, if we follow the movement of the magnetic bubble, we can see that the rotating magnetic field HD is in the direction of ■, the magnetic bubble is in the position of I, and the magnetic field HD is as follows: .

1回転すると、該磁気バブルけ…→■→IT−7I−I
’(7)位置にくる。
When it rotates once, the magnetic bubble...→■→IT-7I-I
'(7) Come to position.

このとき、この磁気バブルめ1つ前にマイナーループm
を出た磁気バブルは磁界口りの1回転と共にI′→…′
→■′→■′→I′の位装置に来る。
At this time, one minor loop m before this magnetic bubble
The magnetic bubble exiting the magnetic field changes I'→...'
→■'→■'→I' comes to the device.

ところが実際上は、磁気バブルが誤りなく前述のルート
を辿るとは限らず、動作マージンが低いという問題があ
る。
However, in practice, the magnetic bubble does not always follow the above-mentioned route without error, and there is a problem that the operating margin is low.

これは、マイナーループ瞥からの、ある磁気バブルがI
→…→■の様に動くトキ、該磁気バブルは導体パターン
5およびこれに通電される電流パルスによって形成され
る吸引磁界内を安定に移動するのに対し、この磁気バブ
ルより1ビツト(磁界HDの1サイクル相当)前にマイ
ナーループmを出た磁気バブルについてみると、この先
に出た磁気バブルがI′→…′→■′の様に動くとき、
前記の導体パターン5特lこ導体パターン5′の部分お
よびここを流れる前記の電流パルスによって、その先に
出た磁気バブルは吸引磁界領域から反撥磁界領域に向わ
なければならないからである。
This is because a certain magnetic bubble from the minor loop
The magnetic bubble moves stably in the attractive magnetic field formed by the conductor pattern 5 and the current pulse applied to it. Looking at the magnetic bubble that exited the minor loop m before (equivalent to one cycle of
This is because, due to the conductor pattern 5, particularly the conductor pattern 5', and the current pulse flowing therethrough, the magnetic bubbles emitted at the tip must be directed from the attractive magnetic field region to the repellent magnetic field region.

この反撥磁界領域において磁気バブルはその移動を阻止
されるか若しくは消滅せしめられる可能性があるので動
作は非常に不安定となり動作マージンが低下する。
In this repelling magnetic field region, the magnetic bubble may be prevented from moving or may be made to disappear, resulting in extremely unstable operation and a reduced operating margin.

この結果、マイナーループmを先に出た磁気バブルが、
後から出る磁気バブルの通路切換えのために通電される
電流パルスの影響を受けないようにしなければならず、
従ってどうしても2ビツトに1磁気バブルという間隔を
もたせなければならず、前述したピットデンシティ−の
低下を招来している。
As a result, the magnetic bubble that exited the minor loop m first becomes
It must not be affected by the current pulse applied to switch the path of the magnetic bubble that comes out later.
Therefore, it is necessary to provide an interval of one magnetic bubble for every two bits, which results in the aforementioned drop in pit density.

そこで本発明は、メジャーループMとマイナーループm
の間に、第3図に示すようなトランスファゲートならび
に導体パターンを構成することとした。
Therefore, the present invention provides a major loop M and a minor loop m.
During this period, a transfer gate and a conductor pattern as shown in FIG. 3 were constructed.

基本的な考えは、マイナーループmから1;ビット1磁
気バブルの割合で送り出された複数の磁気バブルが共に
安定な吸引磁界のもとにトランスファゲートを走り、こ
れら磁気バブルがトランスファゲートからメジャールー
プMK移行する際は通常の回転磁界HDのみでこの移行
を行わしめ、磁気バブルが少なくとも反撥磁界に向って
動くことのないようにするものである。
The basic idea is that multiple magnetic bubbles sent out at a rate of 1: bit 1 magnetic bubble from the minor loop m run together through the transfer gate under a stable attractive magnetic field, and these magnetic bubbles pass from the transfer gate to the major loop. At the time of MK transition, this transition is performed only by the normal rotating magnetic field HD, and the magnetic bubble is prevented from moving at least toward the repelling magnetic field.

第3図において、参照番号(記号)1.2−1および2
〜2,3ならびにmおよびMは、第2図と同一物であり
、新規な構成では、第4変形H形パターン11、第2変
形H形パターン12、バー・パターン13および導体パ
ターン14をもってトランスファゲートが構成される。
In Figure 3, reference numbers (symbols) 1.2-1 and 2
~2, 3 and m and M are the same as in FIG. The gate is configured.

回転磁界の向きはどちらでも良いが、今図示するように
反時計方向の回転磁界H′Dが印加されたとすると、磁
界H′Dが■′の方向にあり磁気バブルがIの位置にあ
り、電流パルスを導体パターン14に通電することによ
り■の位置に吸引し、回転磁界H/ によりIII、I
Vの位置に該磁嫌バブルを移行せしめる。
The direction of the rotating magnetic field can be either direction, but if a counterclockwise rotating magnetic field H'D is applied as shown in the figure, the magnetic field H'D is in the direction of ■' and the magnetic bubble is at the position of I. By applying a current pulse to the conductor pattern 14, it is attracted to the position (■), and by the rotating magnetic field H/
The magnetophobic bubble is moved to the V position.

このとき、既に1ビツト前にマイナーループmを出Cい
た磁気バブルはI′の位置から■′→■′→■′の位置
に来る。
At this time, the magnetic bubble that has already left the minor loop m one bit before comes from the position I' to the position ■'→■'→■'.

この間、後出の磁気バブルをI→■のように導くため、
導電パターン14に電流パルスが印加されるが、前述の
1ビツト前にマイナーループmを出ていた磁気バブルは
l /→…′の位置においてその電流パルスによる吸
引磁界を受けており、何ら反撥磁界へ向う動きを必要と
しない。
During this time, in order to guide the magnetic bubble described later as I→■,
A current pulse is applied to the conductive pattern 14, but the magnetic bubble that had exited the minor loop m one bit before is subjected to an attractive magnetic field by the current pulse at the position l/→...', and no repelling magnetic field occurs. No movement towards is required.

しかも吸引磁界を受けるので磁気バブルそのものにとっ
ても安定である。
Moreover, since it receives an attractive magnetic field, the magnetic bubble itself is stable.

そして、その1ビツト前にマイナーループmを出ていた
磁気バブルならびに引続く磁気バブルがメジャーループ
Mに移行する際は、通常の回転磁界HIDによりその移
行が行われるので、吸引磁界から反撥磁界へ移行すると
いう必要性は発生し得ない。
When the magnetic bubble that had exited the minor loop m one bit before and the subsequent magnetic bubble move to the major loop M, the transition is performed by the normal rotating magnetic field HID, so the magnetic bubble changes from the attractive magnetic field to the repulsive magnetic field. There can be no need to migrate.

この結果マイナーループmからメジャーループMに磁気
バブルを移す際、1ビット当り1磁気バブルの割合で連
続して且つ安定に硝気バブルを転送することが出来る。
As a result, when transferring the magnetic bubbles from the minor loop m to the major loop M, the nitric bubbles can be transferred continuously and stably at a rate of 1 magnetic bubble per 1 bit.

以上説明したように本発明によれば、従来極めて困難と
されていた、1ビット当り1磁気バブルのピットデンシ
ティ−でメジャーループM上に磁気バブルを乗せること
が出来、情報の伝送密度は飛躍的に増大する。
As explained above, according to the present invention, it is possible to place a magnetic bubble on the major loop M with a pit density of one magnetic bubble per bit, which was previously considered extremely difficult, and the information transmission density is dramatically increased. increases to

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はメジャー/マイナー・ループ方式による磁気バ
ブルメモリを図解した模式図、第2図は従来のトランス
ファゲートを示す平面図、第3図は本発明に基づくトラ
ンスファゲートを示す平面図である。 図において、1は一軸異方性の磁性体薄膜、2−1.2
−2.3および4はパーマロイパターン、11,12お
よび13は本発明によるパーマロイパターン、14は本
発明による導体パターン、mはマイナーループ、Mはメ
ジャーループ、T−Gはトランスファゲート、HDおよ
びH/ は回転磁界である。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a magnetic bubble memory based on the major/minor loop method, FIG. 2 is a plan view showing a conventional transfer gate, and FIG. 3 is a plan view showing a transfer gate based on the present invention. In the figure, 1 is a uniaxially anisotropic magnetic thin film, 2-1.2
-2.3 and 4 are permalloy patterns, 11, 12 and 13 are permalloy patterns according to the present invention, 14 is a conductor pattern according to the present invention, m is a minor loop, M is a major loop, T-G is a transfer gate, HD and H / is the rotating magnetic field.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 メジャー/マイナーループ方式の円筒磁区側4御装
置において、メジャーループおよびマイナーループ相互
間に配置されるトランスファゲートは、回転磁界により
円筒磁区を転送する磁性体パターンよりなる転送手段と
、通電により生ずる磁場の作用をもって円筒磁区をメジ
ャーループ、マイナ。 −ループ相互間で転送制御するための導体パターンとよ
りなり、上記転送手段は少なくとも2個の円筒磁区を保
持するに十分な磁性体パターンで構成され、且つ上記導
体パターンは通常の際上記転送手段における磁性体パタ
ーン上の少なくとも2J個の円筒磁区が存在し得る位置
に共通に吸引磁界を与えるよう配置されてなることを特
徴とする円筒磁区制御装置。
[Claims] 1. In a major/minor loop type cylindrical magnetic domain side four-control device, a transfer gate disposed between a major loop and a minor loop is a transfer gate made of a magnetic material pattern that transfers a cylindrical magnetic domain by a rotating magnetic field. A major loop and a minor loop are formed in the cylindrical magnetic domain using means and the action of the magnetic field generated by energization. - a conductor pattern for controlling transfer between loops, the transfer means is composed of a magnetic pattern sufficient to hold at least two cylindrical magnetic domains, and the conductor pattern is normally connected to the transfer means; A cylindrical magnetic domain control device characterized in that the cylindrical magnetic domain control device is arranged so as to commonly apply an attractive magnetic field to positions where at least 2J cylindrical magnetic domains can exist on a magnetic material pattern.
JP50128808A 1975-10-28 1975-10-28 Entoujikuseigiyosouchi Expired JPS5816273B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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JP50128808A JPS5816273B2 (en) 1975-10-28 1975-10-28 Entoujikuseigiyosouchi

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JPS5253637A JPS5253637A (en) 1977-04-30
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ID=14993920

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Application Number Title Priority Date Filing Date
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Cited By (3)

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