JPS5847790B2 - Magnetic bubble information writing device - Google Patents

Magnetic bubble information writing device

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JPS5847790B2
JPS5847790B2 JP8730878A JP8730878A JPS5847790B2 JP S5847790 B2 JPS5847790 B2 JP S5847790B2 JP 8730878 A JP8730878 A JP 8730878A JP 8730878 A JP8730878 A JP 8730878A JP S5847790 B2 JPS5847790 B2 JP S5847790B2
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JP
Japan
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bubbles
bubble
magnetic
transfer
information
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Expired
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JP8730878A
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Japanese (ja)
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JPS5514565A (en
Inventor
武泰 柳瀬
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルを発生させ所要の書き込み情報バ
ブルを記憶ループへ転送する磁気バブル情報書き込み装
置に関し、ニュークリエーションされた磁気バブルを正
確に書き込むことのできる装置を実現するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble information writing device that generates magnetic bubbles and transfers required write information bubbles to a storage loop, and realizes a device that can accurately write nucleated magnetic bubbles. It is something to do.

磁気バブルメモリーは、情報の1・0を磁気バブルの有
無で表現し、磁気バブルを順次転送するループ状の転送
路でシフトレジスタを形或して、その中に磁気バブルを
送入し情報として記憶させるものである。
Magnetic bubble memory expresses information 1 and 0 by the presence or absence of magnetic bubbles, and forms a shift register with a loop-shaped transfer path that sequentially transfers magnetic bubbles, and sends magnetic bubbles into it to generate information. It is something to remember.

磁気バブルを転送するには、磁性ガーネット等の磁性薄
板上に、Tバーやシェブロン,Y−Y,ハーフディスク
等のパーマロイ−転送パターンを形或し、磁性薄板と垂
直方向の静磁界の下で、磁性薄板面内に平行な回転磁界
を与えて、転送パターンを磁化し、転送する。
To transfer magnetic bubbles, a permalloy transfer pattern such as T-bar, chevron, Y-Y, half disk, etc. is formed on a magnetic thin plate such as magnetic garnet, and the bubble is placed under a static magnetic field perpendicular to the magnetic thin plate. , a rotating magnetic field parallel to the plane of the magnetic thin plate is applied to magnetize and transfer the transfer pattern.

一方、バブル磁区の発生方式には、種バブルを分割する
ものと、ニュークリエーションさせるものとがあるが、
本発明は後者のニュークリエーション式の発生器でバブ
ルを発生させ、書き込む方式を対象としている。
On the other hand, there are two ways to generate bubble magnetic domains: one is to split the seed bubble, and the other is to create new bubbles.
The present invention is directed to the latter method in which bubbles are generated and written using a nucleation type generator.

ところが、ニュークリエーション式の発生器では、漂遊
バブルによる誤動作のおそれがあり、情報書き込みの信
頼性を妨げている。
However, with the NuCreation type generator, there is a risk of malfunction due to stray bubbles, which hinders the reliability of information writing.

第1図が従来のニュークリエーション式の発生器であり
、パーマロイ等でできた変形ノ\−フデイスク形パター
ン11・・・から或る磁気バブル転送路1に、ヘアピン
状のコンダクタパターン2が形戊されており、回転磁界
HRの方向に同期したパルス電流iを流して、局所的に
強い逆方向磁界を作ることにより、コンダクタループ2
内にバブル磁区B1を発生させる。
Fig. 1 shows a conventional nucleation type generator, in which a hairpin-shaped conductor pattern 2 is formed in a certain magnetic bubble transfer path 1 from a deformed nozzle disk-shaped pattern 11 made of permalloy or the like. By passing a pulse current i synchronized with the direction of the rotating magnetic field HR and creating a locally strong reverse magnetic field, the conductor loop 2
A bubble magnetic domain B1 is generated within the magnetic field.

発生した磁気バブルは、回転磁界によって、矢印方向(
図上左方)へB2・・・のように転送される。
The generated magnetic bubble moves in the direction of the arrow (
(to the left in the figure) as B2...

このようにして、バイアス磁界および回転磁界HRの作
用している下で、情報の「1」・「O」に対応して、コ
ンダクタパターン2へのジエネレータ電流iをl−ON
j・「OFF」することにより、磁気バブル情報が書き
込まれる。
In this way, under the action of the bias magnetic field and the rotating magnetic field HR, the generator current i to the conductor pattern 2 is turned l-ON in response to the information "1" and "O".
j. By turning it "OFF", magnetic bubble information is written.

ところがこのようなニュークリエーション式の磁気バブ
ル発生・書き込み装置では、バイアス磁界やジエネレー
タ電流の動作マージン領域臨界値付近において、誤動作
が発生しやすい。
However, in such a nucleation-type magnetic bubble generation/writing device, malfunctions are likely to occur near the critical values of the operating margin region of the bias magnetic field and the generator current.

即ち、コンダクタループ2内に不必要なバブルが余分に
発生し、それらが反発し合って転送路の空位置に混入す
る等、書き込みの誤動作を引き起こす。
That is, unnecessary unnecessary bubbles are generated in the conductor loop 2, and these bubbles repel each other and enter empty positions in the transfer path, causing write malfunctions.

このために、磁気バブル情報書き込み装置のバイアス磁
界マージン、ジエネレータ電流およびチップ温度のマー
ジンが非常に狭くなっている。
For this reason, the bias magnetic field margin, generator current, and chip temperature margin of the magnetic bubble information writing device are extremely narrow.

第2図は、バブル発生器が正常動作するのに要する、回
転磁界HRに対するバイアス磁界HBのマージンを示す
もので、発生器における誤動作は下限値D付近においで
生じやすい。
FIG. 2 shows the margin of the bias magnetic field HB with respect to the rotating magnetic field HR required for the bubble generator to operate normally, and malfunctions in the generator tend to occur near the lower limit value D.

第3図は、磁気バブルチップ温度に対するジエネレータ
電流値のマージンを示すもので、チップ温度を広範囲ま
で保障しようとすると、破線で示すようにジエネレータ
電流値が制限される。
FIG. 3 shows the margin of the generator current value with respect to the magnetic bubble chip temperature. If the chip temperature is to be guaranteed over a wide range, the generator current value is limited as shown by the broken line.

特に高温になるにつれて上限値が極端に下がるので、放
熱等熱設計の負担が大きくなる。
In particular, as the temperature increases, the upper limit value drops dramatically, which increases the burden of thermal design such as heat radiation.

本発明は、磁気バブルの発生書き込み装置における動作
マージン臨界付近における誤動作を防止し、例えば鎖線
で示すようにジエネレータ電流の上限値を高くシ、バイ
アス磁界の下限を下げて、動作特性を改善することを目
的とする。
The present invention prevents malfunctions near critical operating margins in magnetic bubble generation writing devices, and improves operating characteristics by increasing the upper limit of the generator current and lowering the lower limit of the bias magnetic field, as shown by the chain line, for example. With the goal.

この目的を実現するために、本発明は、発生器は磁気バ
ブル発生専用にして毎ビット連続発生させ、発生器と書
き込み情報転送路との間で、ゲート信号によって所要の
情報バブルと不必要なバブルとを選別し、不必要なバブ
ルはガードレールへ転送して消滅させる構或を採ってい
る。
In order to achieve this purpose, the present invention has a generator dedicated to generating magnetic bubbles to continuously generate every bit, and a gate signal between the generator and the write information transfer path to eliminate necessary information bubbles and unnecessary information bubbles. The bubbles are sorted out, and unnecessary bubbles are transferred to the guardrail where they disappear.

次に、本発明の詳細を図示実施例に基づいて説明する。Next, details of the present invention will be explained based on illustrated embodiments.

第4図は第一実施例である。転送パターン11・・・の
列から或る転送路1の一端に、バブル発生用のヘアピン
パターン2を備えており、この導体のループ内に磁気バ
ブルをニュークリエーションさせる点は、第1図と同じ
である。
FIG. 4 shows the first embodiment. A hairpin pattern 2 for generating bubbles is provided at one end of a certain transfer path 1 from a row of transfer patterns 11..., and the point that magnetic bubbles are nucleated within the loop of this conductor is the same as in Fig. 1. It is.

転送路1の他端、即ちバブル転送方向の先端は、書き込
み情報転送路を介して記憶ループへ接続される。
The other end of the transfer path 1, ie, the tip in the bubble transfer direction, is connected to the storage loop via the write information transfer path.

例えば、メイジャ/マイナループ構或であれば、メイジ
ャループを経てマイナループへ接続される。
For example, in the case of a major/minor loop configuration, it is connected to the minor loop via the major loop.

転送路1の途中には、トランスファゲート等のスイッチ
回路3が形或してある。
In the middle of the transfer path 1, a switch circuit 3 such as a transfer gate is formed.

31は、トランスファゲートを構戊するヘアピン状導体
ループであり、その一端32は別の転送路4と重なって
いる。
Reference numeral 31 denotes a hairpin-shaped conductor loop constituting a transfer gate, one end 32 of which overlaps another transfer path 4 .

転送路4も転送パターン41・・・の列から戊り、その
先端は図示されていないガードレールへ接続される。
The transfer path 4 is also cut out from the row of transfer patterns 41, and its tip is connected to a guardrail (not shown).

トランスファゲート3にゲートパルス信号、が流れると
、転送路1中のパターン11′上の磁気バブルB7が、
導体ループ31で引っ張られ、転送路4ヘトランスファ
される。
When a gate pulse signal flows through the transfer gate 3, the magnetic bubble B7 on the pattern 11' in the transfer path 1
It is pulled by the conductor loop 31 and transferred to the transfer path 4.

動作を述べると、発生器2では、従来と違って毎ビット
連続して磁気バブルを発生させ、回転磁界によってB1
・B2・・・と順次転送される。
To explain the operation, generator 2 generates magnetic bubbles continuously for each bit, unlike conventional ones, and uses a rotating magnetic field to generate B1
・B2... are transferred sequentially.

したがって、トランスファゲート3上の転送パターン1
1′までは、すべてのパターン11・・・にB1・・・
B,のようにバブルが保持される。
Therefore, transfer pattern 1 on transfer gate 3
Up to 1', all patterns 11... and B1...
A bubble is retained as shown in B.

トランスファゲート3においてゲート信号が流れると、
転送パターン11′上の磁気バブルB7は、ガードレー
ル側の転送路4ヘトランスファされ、回転磁界によって
B8・13toのように転送され、ガードレールへ送ら
れる。
When the gate signal flows in the transfer gate 3,
The magnetic bubble B7 on the transfer pattern 11' is transferred to the transfer path 4 on the guardrail side, transferred like B8.13to by the rotating magnetic field, and sent to the guardrail.

そしてゲート信号は、書き込み情報とならない不要バブ
ルが、トランスファゲート位置に来たときのみ通電する
The gate signal is energized only when an unnecessary bubble that does not constitute write information comes to the transfer gate position.

このため不要バブルは、B8・13toのようにガード
レールへ捨てられ、必要な情報バブルだけがB,・B1
1のように転送路1上を転送され、書き込み情報転送路
で記憶ループへ送られる。
Therefore, unnecessary bubbles are discarded to the guardrail like B8・13to, and only necessary information bubbles are B,・B1
1, the information is transferred on the transfer path 1 and sent to the storage loop via the write information transfer path.

したがってこの構或によれば、厳密にはバブル発生器と
書き込み部は別れており、バブル発生器2では毎ビット
バブルを発生させて、該発生器2とトランスファゲート
3間の転送路パターンにはすべてバブルを供給し、この
中から不要バブルを除去して必要な情報バブルだけを書
き込む。
Therefore, according to this structure, strictly speaking, the bubble generator and the writing section are separate, and the bubble generator 2 generates a bubble every bit, and the transfer path pattern between the generator 2 and the transfer gate 3 is All bubbles are supplied, unnecessary bubbles are removed from these, and only necessary information bubbles are written.

このため、発生器2で不必要なバブルが発生したりして
も、発生器付近には空きパターンが無く、不要バブルが
侵入する余地が無い。
Therefore, even if unnecessary bubbles are generated in the generator 2, there is no empty pattern near the generator, and there is no room for unnecessary bubbles to enter.

しかも、スイッチング作用をするトランスファゲート部
付近まで不要バブルの影響が及ぶおそれは無いので、書
き込みの誤動作が発生することは無く、信頼性が著しく
向上する。
Moreover, since there is no possibility that the influence of unnecessary bubbles will reach the vicinity of the transfer gate section that performs the switching function, there is no possibility of write malfunctions, and reliability is significantly improved.

特に、これによって、低温・低バイアス側での誤動作が
解消されることにより、第2図および第3図の鎖線に示
すように、バイアス磁界マージンの下限が下がり、チッ
プ温の高温側におけるジエネレータ電流値の上限が上が
ることになり、動作マージンが拡大される。
In particular, this eliminates malfunctions on the low-temperature, low-bias side, lowering the lower limit of the bias magnetic field margin and lowering the generator current on the high-temperature side of the chip, as shown by the chain lines in Figures 2 and 3. The upper limit of the value will be raised, and the operating margin will be expanded.

第5図は本発明の第二実施例であるが、前記実施例とは
逆に、転送路1の先端がガードレールにつながり、トラ
ンスファゲート3側の転送路4が、書き込み情報転送路
で記憶ループへ接続されている。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention, but contrary to the previous embodiment, the tip of the transfer path 1 is connected to a guardrail, and the transfer path 4 on the transfer gate 3 side is a write information transfer path and is a storage loop. connected to.

したがって、トランスファゲートにゲートパルスが入っ
たときに、書き込み情報となる必要なバブルが転送路4
ヘトランスファされ、それ以外のバブルは不要バブルと
して、そのままガードレールへ転送され、消滅する。
Therefore, when a gate pulse enters the transfer gate, the necessary bubble that becomes write information is transferred to the transfer path 4.
Other bubbles are transferred to the guardrail as unnecessary bubbles and disappear.

なお図示例では、書き込み情報バブルと不要バブルを選
別するスイッチング手段として、トランスファゲートを
例示してあるが、他の種のゲートでもよく、また転送パ
ターンもハーフデイス形以外でも一向に差支えない。
In the illustrated example, a transfer gate is used as a switching means for separating write information bubbles from unnecessary bubbles, but other types of gates may be used, and the transfer pattern may be other than half-day.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の磁気バブル発生器のパターンを示す図、
第2図は回転磁界に対するバイアス磁界のマージンを示
すグラフ、第3図は磁気バブルチップ温に対するジエネ
レータ電流のマージンを示すグラフである。 第4図は本発明による磁気バブル情報書き込み装置のパ
ターンを例示する図、第5図は他の例によるパターンの
図である。 図において、1・4は転送路、11・・・11′・41
・・・は転送パターン、2は磁気バブル発生器、3はト
ランスファゲートである。
Figure 1 is a diagram showing the pattern of a conventional magnetic bubble generator;
FIG. 2 is a graph showing the margin of the bias magnetic field with respect to the rotating magnetic field, and FIG. 3 is a graph showing the margin of the generator current with respect to the magnetic bubble chip temperature. FIG. 4 is a diagram illustrating a pattern of the magnetic bubble information writing device according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram of a pattern according to another example. In the figure, 1 and 4 are transfer paths, 11...11', 41
... is a transfer pattern, 2 is a magnetic bubble generator, and 3 is a transfer gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 回転磁界に同期して各周期毎にバブルを連続して発
生するバブル発生器と、該バブル発生器と書き込み情報
転送路との間に、連続して到来するバブルを所要の情報
バブルと不要なバブルとに選別するスイッチ手段を備え
、該スイッチ手段とガードレール間に、不要なバブルを
ガードレールへガイドする転送路を備えていることを特
徴とする磁気バブル情報書き込み装置。
1 A bubble generator that successively generates bubbles every cycle in synchronization with a rotating magnetic field, and a bubble generator that continuously generates bubbles between the bubble generator and a write information transfer path, and distinguishes the continuously arriving bubbles from necessary information bubbles and unnecessary information bubbles. 1. A magnetic bubble information writing device comprising: a switch means for sorting out unnecessary bubbles; and a transfer path between the switch means and a guardrail for guiding unnecessary bubbles to the guardrail.
JP8730878A 1978-07-18 1978-07-18 Magnetic bubble information writing device Expired JPS5847790B2 (en)

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JP8730878A JPS5847790B2 (en) 1978-07-18 1978-07-18 Magnetic bubble information writing device

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Publication Number Publication Date
JPS5514565A JPS5514565A (en) 1980-02-01
JPS5847790B2 true JPS5847790B2 (en) 1983-10-25

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5677978A (en) * 1979-11-30 1981-06-26 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory element
JPS5736494A (en) * 1980-08-14 1982-02-27 Fujitsu Ltd Magnetic bubble memory device
JPS5880186A (en) * 1982-10-25 1983-05-14 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory element

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JPS5514565A (en) 1980-02-01

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