JPS58161A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58161A JPS58161A JP9857281A JP9857281A JPS58161A JP S58161 A JPS58161 A JP S58161A JP 9857281 A JP9857281 A JP 9857281A JP 9857281 A JP9857281 A JP 9857281A JP S58161 A JPS58161 A JP S58161A
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- JP
- Japan
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- glass
- contraction
- diode
- studs
- length
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- Pending
Links
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract description 8
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置特に相対して配置されたスタッド
と、これらスタッド端面間の空間に半導体素子をはさん
で組込んだ接続組立体ｔガラス刺止したダブルスタッド
ダイオード（ＤＩＤ ） Ｋ関する。
と、これらスタッド端面間の空間に半導体素子をはさん
で組込んだ接続組立体ｔガラス刺止したダブルスタッド
ダイオード（ＤＩＤ ） Ｋ関する。
凧１図に＋工従来技術にかかるＤ８Ｄが部分的断面図で
示され、図において、１はリード、２はスタンド、３は
ダイオード、ｌはポール、４は封止ガラス管である。Ｄ
ＩＤは小型のものであって、一般の製品において、リー
ド１り径は１〔鳳鵬〕、スタッド２の径は２〔−■〕、
メイオード３０ボールぎを含めた厚さはＯ，ＺＳ （謹
−〕、Ｄ邸Ｄ ＩＩ）図に見て左右方向σノ長さは５〜
６〔１〕１度の−のである。
示され、図において、１はリード、２はスタンド、３は
ダイオード、ｌはポール、４は封止ガラス管である。Ｄ
ＩＤは小型のものであって、一般の製品において、リー
ド１り径は１〔鳳鵬〕、スタッド２の径は２〔−■〕、
メイオード３０ボールぎを含めた厚さはＯ，ＺＳ （謹
−〕、Ｄ邸Ｄ ＩＩ）図に見て左右方向σノ長さは５〜
６〔１〕１度の−のである。
ＤＩＤの製造に際しては、スタッド２０間にダイオード
３を配置し、封止ガラス管４ｖ嵌挿し、次にかかる結舎
体を炉の内に入れ？ ７００〜ｓｏｏ （’ｃ ）に加
熱し１次に炉の外に堆出しで常温まで冷却し。
３を配置し、封止ガラス管４ｖ嵌挿し、次にかかる結舎
体を炉の内に入れ？ ７００〜ｓｏｏ （’ｃ ）に加
熱し１次に炉の外に堆出しで常温まで冷却し。
封止ガラス管のガラス材料の収縮力によっテ／イオード
３とスタッド２との電気的１機械的接続な行なう、スタ
ッド材料としてはガラスとの密着性の良いジュメット同
心金（ＪＩｉｌ ［４５３１）等が用−・られる。
３とスタッド２との電気的１機械的接続な行なう、スタ
ッド材料としてはガラスとの密着性の良いジュメット同
心金（ＪＩｉｌ ［４５３１）等が用−・られる。
封止ガラス管４において、・熱収ＪＩＮ−関係するもの
は第１図Ｋ ｔｌ、で示す巾なもつ両スタッドの端面間
のガラスであり％一般の場合ダイオード３の厚さは前述
したように０．２５ （ｗｍｗａ ） 程度であるか
ら、この部分の収縮力はきわめて小さい。
は第１図Ｋ ｔｌ、で示す巾なもつ両スタッドの端面間
のガラスであり％一般の場合ダイオード３の厚さは前述
したように０．２５ （ｗｍｗａ ） 程度であるか
ら、この部分の収縮力はきわめて小さい。
このため従来技術においては、ダイオードとスタッドと
が十分に接触せず高い製造歩留りｔ得ることが困難であ
つに０まに歳品として判定され電子機器に組み込まれた
場合であって４．装置の使用中に温度の変化や機械的な
衝撃によってダイオードの電気的接続が切れることが生
じ高い信−性ｖ４１ｈることかできなかった□。
が十分に接触せず高い製造歩留りｔ得ることが困難であ
つに０まに歳品として判定され電子機器に組み込まれた
場合であって４．装置の使用中に温度の変化や機械的な
衝撃によってダイオードの電気的接続が切れることが生
じ高い信−性ｖ４１ｈることかできなかった□。
ダイオードとスタッドとの確実な接続Ｖ実現するため、
（１）熱収縮率の大なるガラスの使用、偉）ダイオード
の厚さの増大、（３）ａ立時のリードの加圧、などが提
案されｒ、、 Ｌかし、（１）の解決＠１１とると、リ
ードとり熟ｍＷ率の差（よるガラスのひび割れの問題が
発生り、（２）あるいは口）の対応策をとると工程数が
増し、これは製品ｆ）フスＦ高の原因となる。
（１）熱収縮率の大なるガラスの使用、偉）ダイオード
の厚さの増大、（３）ａ立時のリードの加圧、などが提
案されｒ、、 Ｌかし、（１）の解決＠１１とると、リ
ードとり熟ｍＷ率の差（よるガラスのひび割れの問題が
発生り、（２）あるいは口）の対応策をとると工程数が
増し、これは製品ｆ）フスＦ高の原因となる。
本発明の目的はこりような従来挟Ｉｌｒにおける開−を
解決するにあり、スタッド内端画部分に小径＠に設け、
ガラスの有効収縮長さを大にすることによって封止ガラ
ス管の収縮力な大にし、スタンド端面間に配置された半
導体素子とスタフＦとの接触圧を増大し電気的ＩＩａが
確実にされたＤＩＤ ｔ−提供する。
解決するにあり、スタッド内端画部分に小径＠に設け、
ガラスの有効収縮長さを大にすることによって封止ガラ
ス管の収縮力な大にし、スタンド端面間に配置された半
導体素子とスタフＦとの接触圧を増大し電気的ＩＩａが
確実にされたＤＩＤ ｔ−提供する。
以下１本発明の実施＠に添付図面を参照して説明する。
前述゛しπように、ＤＩＤ＃）！１１１止は７００−ｓ
ｏｏ （’Ｃ）の温度で行う、この温度か＃ＰＤＩＤが
次１１に冷却され！ｉ００ （’Ｃ）に下降してもまだ
ガラスは軟化しており、４００（’Ｃ）付近でガラスの
硬化、従って収縮が始まる。つまり収量は４＠（１（’
Ｃ）から有効と考え【よい、すると、萬ＩＩＩの例で収
縮力は次の如くに計算することができる。
ｏｏ （’Ｃ）の温度で行う、この温度か＃ＰＤＩＤが
次１１に冷却され！ｉ００ （’Ｃ）に下降してもまだ
ガラスは軟化しており、４００（’Ｃ）付近でガラスの
硬化、従って収縮が始まる。つまり収量は４＠（１（’
Ｃ）から有効と考え【よい、すると、萬ＩＩＩの例で収
縮力は次の如くに計算することができる。
メツＹ纏：Ｆｅ、Ｍ１合金として）
ダイオードの厚さＶ ｏｓｓ （ｖａｎ ） として
、従来の第１図の例における有９１に収縮長さ４ ｋは
、ｔｓり長さすなわちダイオードの厚さで決まる。ここ
でＴＶ湿温度すると Δｔ、＝αＧ Ｘ Ｔ Ｘ Ｉｓ寞−Ｘ １０ Ｘ
４００ Ｘ Ｏ，２Ｓ園＝ ａ、ｏ＠ｏ＊ （鴫回
） ＝ Ｏ，Ｓ （声島 〕 ただしＴ＝＝４００（’Ｃ）として かくして、第１図の従来例において、ダイオードに圧力
な与えるガラス材料の収縮した長さは０．９〔μ聰〕
である。
、従来の第１図の例における有９１に収縮長さ４ ｋは
、ｔｓり長さすなわちダイオードの厚さで決まる。ここ
でＴＶ湿温度すると Δｔ、＝αＧ Ｘ Ｔ Ｘ Ｉｓ寞−Ｘ １０ Ｘ
４００ Ｘ Ｏ，２Ｓ園＝ ａ、ｏ＠ｏ＊ （鴫回
） ＝ Ｏ，Ｓ （声島 〕 ただしＴ＝＝４００（’Ｃ）として かくして、第１図の従来例において、ダイオードに圧力
な与えるガラス材料の収縮した長さは０．９〔μ聰〕
である。
本発明においては、菖２図の断面図に見られる如く、ス
タンド２り端１ｉに小径部５とｔと【形成する。なお、
絡２図において第１図に図示しに部品と同じ部品には同
じ符号を付けて示す、かかる小径部５．ダの高さｖｌ、
、１ｍとする。
タンド２り端１ｉに小径部５とｔと【形成する。なお、
絡２図において第１図に図示しに部品と同じ部品には同
じ符号を付けて示す、かかる小径部５．ダの高さｖｌ、
、１ｍとする。
［２図り実施例における収縮長さΔｔ、は、段差１、．
１．およびダイオードの厚さの和で拠まる。
１．およびダイオードの厚さの和で拠まる。
すなわち。
△ ｔ、 ４Ｇ Ｘ Ｔ Ｘ を曾 −α
Ｄ （４＋ 〕＊ ） Ｘ ？ココチー’ｂ
径Ｉｆ ５ ｔ ｒ Ｆ）’ ｌｈ サＩｓ ＝
ｊａ ＝ ０．２１Ｓ （＋ａｍ）とすると。
Ｄ （４＋ 〕＊ ） Ｘ ？ココチー’ｂ
径Ｉｆ ５ ｔ ｒ Ｆ）’ ｌｈ サＩｓ ＝
ｊａ ＝ ０．２１Ｓ （＋ａｍ）とすると。
Δｔ＊ ＝ ９ Ｘ １０ Ｘ ４００ Ｘ Ｏ
，７５−５，７Ｘ １０−’ Ｘ４００ Ｘ Ｏ，５ 二０．００１６ （ｗａｓ ） ＝１．６（μｍ〕 となる。
，７５−５，７Ｘ １０−’ Ｘ４００ Ｘ Ｏ，５ 二０．００１６ （ｗａｓ ） ＝１．６（μｍ〕 となる。
かくして、ｌｉｌ差４ とＩｓ ｔ−ダイオードの厚さ
０２５〔鵬−〕 に等しくすることによって、０．７
（μｍ）の収縮長増加、従ってそｔＬＫ対応するダイオ
ードへの圧力増加が可能である。
０２５〔鵬−〕 に等しくすることによって、０．７
（μｍ）の収縮長増加、従ってそｔＬＫ対応するダイオ
ードへの圧力増加が可能である。
第３図には本発明の他の実施例を示す、この実施例にお
いて小径部１５．Ｉｇ’はテーパー状ｔなしておりスタ
ッド２の内端近傍の断面は台形となっている。なお、第
３図に１４いて、既に図示された部品と同じ部品は同じ
符号を付して示される。
いて小径部１５．Ｉｇ’はテーパー状ｔなしておりスタ
ッド２の内端近傍の断面は台形となっている。なお、第
３図に１４いて、既に図示された部品と同じ部品は同じ
符号を付して示される。
このような形状にしても、封止ガラス管の有効収縮長さ
従ってダイオード３へＣ〕正圧力増大するこ′とは第２
図図示の実施例の場合と同様である。
従ってダイオード３へＣ〕正圧力増大するこ′とは第２
図図示の実施例の場合と同様である。
以上の説明から明らかなように１本発明にかかるＤｌｌ
Ｄにおいては、従来例における封止ガラス管のガラスの
有効収縮長さがスタッド間に配置されるダイオードの厚
さとはげ同じであっｋＩ）に比べ、スタッドの内端部に
小径部を設けることにより。
Ｄにおいては、従来例における封止ガラス管のガラスの
有効収縮長さがスタッド間に配置されるダイオードの厚
さとはげ同じであっｋＩ）に比べ、スタッドの内端部に
小径部を設けることにより。
ガラスの有効収縮長さはかかる小径部分を加えに長さｔ
、となる、小径部の高さをいずれもダイオードの厚さと
同程度に設定すると、ガラス軟化１による流れ込みは押
えられ且つ前記ｂＯ値全全部有効な収縮長さになる。か
くして、木兄１ｊｉ４ＫかかるＤＡＤにお〜・ては、そ
の製造段Ｎにおける不ＪＬ品の発生、および電子−器に
組み込京ｔＬ文後の使用中におけるｌＩ続不東の発生は
皆無に近い状＠Ｂｃ改曹され。
、となる、小径部の高さをいずれもダイオードの厚さと
同程度に設定すると、ガラス軟化１による流れ込みは押
えられ且つ前記ｂＯ値全全部有効な収縮長さになる。か
くして、木兄１ｊｉ４ＫかかるＤＡＤにお〜・ては、そ
の製造段Ｎにおける不ＪＬ品の発生、および電子−器に
組み込京ｔＬ文後の使用中におけるｌＩ続不東の発生は
皆無に近い状＠Ｂｃ改曹され。
半導体装置における製造−奮９の改善と、凝−の信馴性
の向上に寄与するものである。
の向上に寄与するものである。
添付図画の図はすべてダブルスタッドダイオードを部分
的断画図で示し、第１図は従来例の図。 第２１ｉ！ｉｌと第３図とは木兄−の実施例−ノ図であ
る。 １− リード、２−スタッド、３・−ダイオード。 ぎ・−ボー＃、４−１ｔ止Ｘラス管、５ 、 ｔ 、
１５ 。 １ｔ・・・小径部 特許出願人 富士通株式会社 第１図 第２図 第３醤
的断画図で示し、第１図は従来例の図。 第２１ｉ！ｉｌと第３図とは木兄−の実施例−ノ図であ
る。 １− リード、２−スタッド、３・−ダイオード。 ぎ・−ボー＃、４−１ｔ止Ｘラス管、５ 、 ｔ 、
１５ 。 １ｔ・・・小径部 特許出願人 富士通株式会社 第１図 第２図 第３醤
Claims (1)
- 相対して配置されたスタッドと、該スタッド関に配置さ
れた半導体素子とをガラス管により封止してなるダブル
スタッド構造の半導体装置において、前記スタッド内端
部の径がガラス對着部の径より４小とされてなることｖ
１％像とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9857281A JPS58161A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9857281A JPS58161A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161A true JPS58161A (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=14223382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9857281A Pending JPS58161A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0812014A2 (en) * | 1996-06-06 | 1997-12-10 | General Motors Corporation | Power rectifier assembly |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9857281A patent/JPS58161A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0812014A2 (en) * | 1996-06-06 | 1997-12-10 | General Motors Corporation | Power rectifier assembly |
| EP0812014A3 (en) * | 1996-06-06 | 1999-09-22 | General Motors Corporation | Power rectifier assembly |
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