JPS5816000B2 - エレクトレツトマイクロホン ノ セイゾウホウ - Google Patents

エレクトレツトマイクロホン ノ セイゾウホウ

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JPS5816000B2
JPS5816000B2 JP47120344A JP12034472A JPS5816000B2 JP S5816000 B2 JPS5816000 B2 JP S5816000B2 JP 47120344 A JP47120344 A JP 47120344A JP 12034472 A JP12034472 A JP 12034472A JP S5816000 B2 JPS5816000 B2 JP S5816000B2
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JP
Japan
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electret
plastic film
microphone
electret microphone
fixed electrode
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JP47120344A
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English (en)
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JPS4864917A (ja
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ヤン・オロフ・ヘドマン
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Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
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Publication date
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Publication of JPS4864917A publication Critical patent/JPS4864917A/ja
Publication of JPS5816000B2 publication Critical patent/JPS5816000B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/006Interconnection of transducer parts
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/01Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49005Acoustic transducer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
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    • Y10T29/49226Electret making

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、固定電極および可動電極を有し、可動電極
が金属化される第1プラスチツク膜と静電的(こ分極さ
れる第2プラスチツク膜とから成るエレクトレットマイ
クロホンの製造法)こ関するものである。
米国特許第3436492号明細書Iこは電界制御半導
体素子の形の固定電極を有し、この電極の制御面上(こ
ダイアフラムとして作用するエレクトレット膜を設けた
上記型のエレクトレットマイクロホンが記載されている
半導体素子から離れたエレクトレット膜の側はマイクロ
ホンの可動電極を構成する薄い金属で被覆される。
仝レフトレッド膜と半導体素子との間にはそれらの対向
した表面の不規則による微視的な間隙が存在する。
この基本的な実例ではエレクトレットマイクロホンは固
定電極と可動電極との間Iこ高キャレクシタンスをもち
、高感度の利益をもっている。
周知のエレクトレットマイクロホンの製造においては、
エレクトレット膜を処理する二つの連続した段階すなわ
ち金属化および静電分極化がある。
二つの連続した処理段階間の順序は逆(こすることがで
きない、というのは金属化処理は分極電荷を中性化する
影響をもっているからである。
しかしながら、付加された金属層は分極化処理中絶縁破
壊の大きな危険を生じることが立証された。
この発明1こよれば、この絶縁破壊の危険は上記二つの
処理段階において単一プラスチック膜またはエレクトレ
ット膜を用いる代りに二つの別個のプラスチック膜を使
用しそれら二枚のプラスチック膜を互い(こ重ねて結合
してエレクトレットマイクロホンのダイアフラムを構成
することによって除去される。
これ1こよって金属化した膜が温度に対するマイクロホ
ン感度の依存性を最小にするようIこ低熱膨張係数をも
ちかつ静電的に分極した膜すなわちエレクトレット膜が
マイクロホンの寿命を最大するよう1こするため高耐久
性をもつようIこして二つのプラスチック膜に対して別
個の材料を選択することができるという別の利益かもた
らされる。
これらの材料の特性(一つの材料に結合するのは不可能
ではないが非常に困難である)それぞれポリエステルお
よびテフロン(こおいて最も良いことが見い出される。
またこの発明の方法)こ従って製造されたエレクトレッ
トマイクロホン(こおいては、分極化処理工程で別個に
作られたエレクトシ・ット膜が挿置されているので、固
定電極と可動電極との間の表面の不規則性)こよって形
成される機械的接触点の数が少なく、また電極間の間隙
の表面は従来周知のエレクトレットマイクロホンの場合
より一層一様となり、従ってマイクロホンの機械的ひず
みを減少させることができる。
この発明を以下添附図面(こついて説明する。
図面1こはこの発明(こよるエレクトレットマイクロホ
ンを断面図で示し、このエレクトレットマイクロホンは
金属基板1から成る固定電極、第1ダイアフラム2を構
成する可動電極、および上記二つの電極間に配置されか
つ第2ダイアフラム3を構成するエレクトレット膜から
成る。
ダイアフラム2,3は、それらが音響波Iこよって生じ
られたダイアフラムの振動運動(こおいて連続して作用
するよう1こ配列され、またそれらはそれぞれ金属化し
たポリエステル膜および静電的に分極化したテフロンか
ら成る。
ポリエステル膜の熱膨張係数が低い(はぼ27X10
’/’C)ので、マイクロホンの感度は比較的温度に
影響されず、一方テフロンの固有抵抗は非常)こ高い(
2,1016Ωm)ので、それの分極電荷は時間と共1
こ非常1こゆつくりと減少し、それでマイクロホンの寿
命は非常1こ長くなる。
すなわち原子を構成する正負の電荷またはイオンが互い
に反対方向(こ変位して双極子モーメントを作る。
この発明lこよるエレクトレットマイクロホンは音響開
口5を備えた従来型のケーシング4を有している。
固定電極1は空気通路6をもつように従、来の仕方で形
成される。
音響波は開口5を通って入り込みそして縦続的(こ作用
する別個のダイアフラム2,3を作動し、固定電極1に
対する電気導体7と可動電極2に対する別の電気導体8
との間に信号電圧が発生される。
導体7は固定電極11こ対するばねとして形成された部
分を備えている。
温度(こ対するマイクロホン感度が温度に・対して依存
性をもつ点からして、固定電極1および可動電極2をそ
れぞれ実質的(こ等しい熱膨張係数をもつ材料で構成す
ることは特に賢明である。
この発明の上記した好ましい実施例はこの発明の範囲内
において種々変更できる。
例えば、上記エレクトレット膜とは別1こ固定電極1と
可動電極2との間にエレクトレットマイクロホンのダイ
アフラムを構成しかつそれの機械的ひずみを一定値1こ
減少する一つまたはそれ以上の付加的プラスチック膜を
挿入してもよい。
この発明(こおいては次のよう1こ実施できる。
(1)固定電極および可動電極を有し、可動電極が金属
化される第1プラスチツク膜と静電的1こ分極される第
2プラスチツク膜とから成るエレクトレットマイクロホ
ンの製造方法)こおいて、上記第1プラスチツク膜を金
属化する処理工程と、上記第2プロスチツク膜を分極す
る処理工程と、上記金属化プラスチック膜と上記分極プ
ラスチック膜と上記固定電極とを互いに組立る処理工程
とから成ることを特徴とするエレクトレットマイクロホ
ンの製造法。
(2)上記第1処理段階1こおいて上記第1プラスチツ
ク膜が上記同率電極、とほぼ同じ熱膨張係数をもつ基準
Iこ対して選択され、一方上記第2プラスチック膜が高
い固有抵抗をもつ基準に対して選択される上記第1項記
載のエレクトレットマイクロホンの製造法。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明によるエレクトレットマイクロホンの断
面図である。 図面中、1は金属基板(固定電極)、2は第1ダイアフ
ラム、3は第2ダイアフラム、4は従来型のケーシング
、5は音響開口、6は空気通路、7は電気導体、8は別
の電気導体である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 固定電極および可動電極を有し、可動電極が金属化
    される第1プラスチツク膜と静電的に分極。 される第2プラスチツク膜とから成るエレクトレットマ
    イクロホンの製造法)こおいて、上記第1プラスチツク
    膜を金属化する処理工程と、上記第2プラスチツク膜を
    分極する処理工程と、上記金属化プラスチック膜と上記
    分極プラスチック膜と上記固定電極とを互い]こ組立る
    処理工程とから成ることを特徴とするエレクトレットマ
    イクロホンの製造法。
JP47120344A 1971-12-02 1972-12-02 エレクトレツトマイクロホン ノ セイゾウホウ Expired JPS5816000B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

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SE15456/71A SE362571B (ja) 1971-12-02 1971-12-02

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JPS4864917A JPS4864917A (ja) 1973-09-07
JPS5816000B2 true JPS5816000B2 (ja) 1983-03-29

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ID=20300673

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JP47120344A Expired JPS5816000B2 (ja) 1971-12-02 1972-12-02 エレクトレツトマイクロホン ノ セイゾウホウ

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JP (1) JPS5816000B2 (ja)
AU (1) AU467222B2 (ja)
BR (1) BR7208381D0 (ja)
CA (1) CA961974A (ja)
CH (1) CH555123A (ja)
DE (1) DE2257358C3 (ja)
DK (1) DK141150B (ja)
ES (1) ES409005A1 (ja)
FI (1) FI57679C (ja)
FR (1) FR2162194B1 (ja)
GB (1) GB1365257A (ja)
IT (1) IT971396B (ja)
NL (1) NL7216115A (ja)
NO (1) NO132015C (ja)
SE (1) SE362571B (ja)

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