JPS58157094A - プラズマ装置 - Google Patents

プラズマ装置

Info

Publication number
JPS58157094A
JPS58157094A JP57038152A JP3815282A JPS58157094A JP S58157094 A JPS58157094 A JP S58157094A JP 57038152 A JP57038152 A JP 57038152A JP 3815282 A JP3815282 A JP 3815282A JP S58157094 A JPS58157094 A JP S58157094A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
plasma
potential
magnetic field
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57038152A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0467320B2 (ja
Inventor
影山 賀都鴻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP57038152A priority Critical patent/JPS58157094A/ja
Publication of JPS58157094A publication Critical patent/JPS58157094A/ja
Publication of JPH0467320B2 publication Critical patent/JPH0467320B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は開放系磁場による長時間のプラズマの閉じ込め
を可能とするプラズマ装置に関する。
〔従来技術及び其の問題点〕
開放系磁場でプラズマを閉じ込める場合、プラズマの閉
じ込め時間を長くすることが核融合炉で必要なことはよ
く知られているが、核融合炉以外の用途に使用されるプ
ラズマ装置に於ても、閉じ込め時間を長くすればプラズ
マ発生装置の消費成力が少くて済み、プラズマの密度を
高くすることかで自、受にプラズマを包囲する固体壁へ
の熱人力が軽減されるなど、大きな効果が得られる。開
放系磁場によるプラズマ閉じ込めで閉じ込め時間を長く
するためには、開放端におけるプラギングが必要とされ
る。このことは、たとえば、CoGormezano:
Reduction of Losses in 0p
en−Ended Mag−nelicTraps;N
uclear  Fusion、13(’   79)
、8. 1085などの文献に1繊されている。
プラギングには高層mKよるtのと静電場によるものか
あ抄、静電場によるものKは電極を用いる電極法と、タ
ンデムミラー形磁場による両極性電位閉じ込めがあり、
これらはいずれも研究途上にある0鍍電極法には、カス
プ磁場のポイント及びラインカスプに陽極及び陰極から
なる静電プラグを用い九電磁トラップがある。第1図は
電磁トラップの原理図で1文献T、J、Do鳳an、B
、L、8 tanifieldandJ 0M、Lar
san:Plasma  Potential  in
  alectrostatica鳳typlugg@
d  cu@ps  and  m1rrors:Th
e  Phycics  of  Fluids。
18 (’ 75) 、10.1383 K 4載され
たものである。
(1)は2個1組のコイルで2軸のまわりに軸対称ニ捲
カれ、カスプ磁場を形成する。(2)はポイントカスプ
に配設され丸中空円筒状の陽極、(3)はポイントカス
プに配役された中空円筒状の陰極、(4)はラインカス
プに配設された2個1組の環状の陽極、(5)はライン
カスプに配役された2個1組の環状の陰極である02個
1組のコイル(1)K挾まれた空間及び咳コイル(1)
の内部の空間には一つの図示されない真空容器が配設さ
れ、該真空容器にはプラズマとなるべき気体が充填され
、陽極(3)の少なくとも一方の陽極(2)の反対の側
には図示されない電子銃が配設され、該電子銃から射出
された電子は咳陰極(3)及び皺陽極(2)を貫通して
図示されない真空容器内部を運動し、充填された気体を
イオン化してプラズマが形成される。点線(6)は、プ
ラズマの存在する空間の境界を示す。陽極(3)及び(
5)の電位を零、陽極(2)及び(4)の電位をφムと
じたとき、2軸近傍の空間電位φは第2図に示す様に分
布する。
プラズマの存在する空間の電位はφeで、O〈φC〈φ
Aである。プラズマの存在する空間の両側には、該陽極
(2)の内部に電位の山が形成され、電位の最も高い所
で電位はφe+φiとなる。イオンの電価をZe、電子
の電価を−eとおいたと自、運動エネルギがZeφムよ
り小さいイオン及び運動エネルギがCφCより小さい電
子はプラズマの存在する空間から磁場方向に脱出できず
、イオンは矢印(7)に示す様K  ′電子は矢印(8
)K示す様に反射されてプラズマに戻される。すなわち
、プラズマのイオン温度をTi鴫子一度をT、とすると
き。
φ4−>>kT7 /Ze 、φ、>、)kTe/a 
 、    ・(1)とすることにより、プラズマの開
放端におけるプラギングができ、閉じ込め時間を格段に
改養できることが、従来の電磁トラップの効果であ、&
この電磁トラップにも1次の様な問題点があった。第2
図に示す如く、咳陽極(2)の内部に於て、空間電位は
最大φi+φ6となるが、 Δφ=φ人−(φ1+φe)      ・・・(2)
で与えられる陽極電位と鋏空間電位の差Δφは零になら
ず、Δφ〉0である。Δφが形成される原因は誼陽極の
内部に電子が捕獲されて電子群を形成し、誼電子群が作
る空間電荷により電場が形成されることである。Δφは
Z軸からの距離rの関数であり、Δφ=Δφ(「) とあられすことができる0電子群の作る電場の向きを考
慮して。
であることがわかる。2軸上で電場のr成分は0である
から、Δφはr=0で最大値Δφn1□、ΔφmmN 
”Δφ(0) をとる。従って皺陽極内で、2軸上の電位は(2)より
、 幻+φ。ニー□−Δφm□ となる。φゑとφ。はプラズマの粒子数平衡等で定まる
が、概ね同様1度の大傘さで、φ五〜φ6であるから、
2軸上で、 一五〜φ。〜i(φム−へφmaX )となる。電磁ト
ラップに於ては、Am1HH1が非常に大傘くなり、は
とんどφムに等しくなる結果、2軸上すなわち「=0で
φ五 〜φ6〜0.r=Q             
    ・・・(3)となり、(1)が成立しないこと
が知られている。1゜かじ、該陽極内の大部分では(1
)が成立し、(3)はrの非常に小さい部分だけで成立
するから電磁トラップでは静電プラグのプラズマ閉じ込
め時間を増加させる効果は大きいが、r〜0で13)が
成立する結果静電プラグにロスアパーチャが形成され、
これを通してプラズマが漏れるために、プラズマ閉じ込
め時間の増加の効果が制限されてい九〇〔発明の目的〕 本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ロスアパーチャのない静電プラグを設
けることにより、プラズマ閉じ込め時間を大幅に増加さ
せることのできる開放系プラズマ装置を提供するにある
〇 〔発明の概畳〕 本発明は、静電プラグを具備する開放系プラズマ装置に
於て、該静電プラグの少くともひとつはプラズマを包囲
するリミタと、峡り2夕の中空部を*、iiした磁力線
が全て貫通する中空部を有する陽極と、陽極の開口を覆
うごと角形状の板状部とそれと一体に形成された陽極の
軸上の一部に延在する管状部からなる第一陰極と、鋏第
−陰極の管状部を貫通して陽極の中空部の一部に延在す
る棒−状部と鉄棒状部の陽極の中空部内の先端に固着さ
れた板状部とよ妙形成される第二陰極を具備させ更に各
電極等に、陽極 g−陰極、IJ jり、第二陰極の順
に高い電位を与える手段を具備させてなるものであるり 〔発明の効果〕 陽極と第一陰極とリミタと、該りSりに包囲されたプラ
ズマにより第二陰極とプラズマの間の空間にイオンに対
するロスアパーチャのない電位障壁を形成し、第二陰極
は電子に対するロスアパーチャのない電位障壁を形成し
、もってプラズマに対するロスアパーチャのない静電プ
ラグを構成したことくより、プラズマ閉じ込め時間を大
幅に増加させることができる効果を奏する。
〔発明の実施例〕
第3図は本発明の一実施例を示すプラズマ装置の構成図
、第4図はその主豐部の構成と作用を示すもので、(→
け静電プラグ構成図、(呻は空間電位の2依存を示す線
図である。2個1組のコイル(])Hz軸のまわりに軸
対称に捲かれ、図示されない励磁電源とともに、プラズ
マを収容する開放系磁場の一種のカスプ磁場を発生する
装置を構成する。
(4)はカスプ磁場の開放端のひとつであるラインカス
プに′配設された2個1組の環状の陽極、(5)はライ
ンカスプに配設された2個1組の環状の陰極で。
ラインカスプに於て磁場の方向と平行な零でない成分を
有する磁場を形成する静電プラグを構成し2fjIA1
組の咳コイル(1)に挾まれた空間及び絨コイル11)
の内部の空間には、一つの図示されない真空容器が配設
され、咳真空容器にはプラズマ境界面(6)を定める磁
場方向に貫通した中空部を有するすiり特が収容されて
いる。プラズマの存在する空間の電位φ、はプラズマを
包囲するリオタ翰の電位φIで制御される。すなわち、
該リミタ0・とプラズマの間に存在するシースを介する
プラズマ電子及びイオンの伝導により、プラズマと峡り
2夕OQの電位差すなわちシース電圧−3が定まるから
、φ、=φl+φ、           ・・・(4
)により、φ、が定まる。
(9)は磁場方向に貫通した中空部(19を有する陽極
で、りンタa呻の中空部を貫通した磁力線は全て咳陽極
(9)の中空部aIを貫通する。5 (xla)は鍍陽
極(9)の中空部a優と同軸に配設され、鍍陽極(9)
の中空部0のリミタと反対側の一部に延在する管状部、
 (llb)は鍍管状部(lla)に陽極(9)の開口
を覆うごとく陽極(9)と−関して固着された板状部で
、管状部(lla)と板状部(Ilb)は嬉−繍man
を形成する。(12m >は第一陰極の管状部(til
l)を貫通して陽極(9)の中空部(IIJに延在する
棒状部、(12b )は鍍欅状部(12m)の陽極(9
)の中空部as内の先端に固着された板状部で棒状部(
12m)と板状部(12b )は第二陰極0を形成する
。すを夕傾は接地されその電位は一1=0である。
as a41asは電gで、陽w(9)icIIE位*
、ヲ、g−陰極avK電位−1を、第二陰極QJK電位
−2を与える0各電極等の電位の関には、 φ3〈φ1=0〈φ1くφ8     ・・・(5)の
関係が成立する。リミタα呻、陽41 (91、第一陰
極り、第二陰極り及び電源(13(14) (lsは静
電プラグ轡を構成し、本実施例ではカスプ磁場の開放端
である二つのポイントカスプにそれヤれ峡靜電プラグ四
が配設され、鋏靜電プラグ[株]は以下に詳述する襟に
磁場の方向と平行な零でない成分を有する磁場を形成す
る。リミタa呻の内部にはシースaカを介してプラズマ
a樽が接触している。プラズマの存在する空間の電位り
は(4)から、φ、=φ、である。各電位φ2.φl、
φ1の絶対値は静電プラグが有効に作用するように大き
くとられているから、1φ、1(1φ21゜φ1.φa
である。すなわち、(5)を参照して、−2〈φ、〈φ
1くφ8       ・・・(6)が成立する。
かくして構成された114図(a)に実施例を示した静
電プラグ嗜の作用と効果を第4図(→を参照して再び説
明すると、陽極の中空部lには、電磁トラップのポイン
トカスプにおける静電プラグの陽極内部と同様、電子が
捕獲されて電子群を形成し、皺電子群が作る空間電荷に
より電場が形成される。
本発明におけるプラズマ装置の静電プラグが電磁トラッ
プのポイントカスプにおける静電プラグ′と異なるとこ
ろは、本発明による静電プラグにおいてti、陽極の中
空部<113に形成される電子群の密度は第一陰極Iの
電位φ1と陽極(9)の電位φ1に呵って制御され、そ
の結果、陽極の中空部αlの+7 iりQl側の開口近
傍における空間電位φ(r、x)が制御されることで、
電磁トラップのポイントカスプにおける静電プラグの様
に、(3)式に示される様なc〜0における電位障壁の
低下とそれによるロスアパーチャの形成は1本発明にお
ける静電プラグにおいては容墨に回避できる0咳陽極の
中空部!11における電子群の密度は第一陰極りの管状
部(11m ”)の周辺部及び第二陰極りの板状部(1
2b)の外周部の陽極(9)に近い部分及び第二陰極@
が延在しないIJ iりa〔に面する開口部の近傍とで
ほぼ等しく、すZり鵠に包囲されたプラズマ特に面する
陽極の中空部α値の部分で、電子群の存在する空間の電
位は全ての轍でプラズマ電位φ、より高くなる。一方第
二隘極りの表面近傍では、第二陰極に与えられた負の高
電位のために電子群は存在できず、空間電位はプラズマ
電位より低くなる。第4図(→の対称軸C−Cと、それ
に平行でプラズマa絆1する直線W−Wに沿った電位分
布が、第4図(b)にC及びWとして示されている。同
図に示されるようK、この静電プラグにはロスアパーチ
ャは存在しないからプラズマの長い時間の閉じ込めが可
能となる。
〔発明の他の実施例〕
本発明は開放系プラズマ装置に関するものであも。実施
例ではカスプ磁場を用いたプラズマ装置について説明し
たが、磁場はカスプに限定せず、開放系なら本発明を適
用できることに言うまでもなく、例えば−檄磁鳩、2ラ
ー磁場に適用してよい。またプラズマ装置の用途は限定
しないO例えば核融合P1表面加工i−娼埋、溶接、イ
オン源等のプラズマ装置に適用できる0
【図面の簡単な説明】
第1図は電磁トラップの原理図、第2図は電磁トラップ
のZ軸近傍の空間電位の分布を示す線図、第3図は本発
明の一実施例を示すプラズマ装置構(1)・・・コイル
、121 、14) 、 +9ノ・・陽極、+3) 、
 (5)・・・電極。 +11・・すSり、0υ・・・第一#に極、(ila)
・・管状部、(+3・、!IE二陽極、(12a )−
・・棒状部、(ub) 、 Q2b) −・・板状部、
(13、1141、(L9・・・電源、II・・・静電
プラグ。 01・・・プラズマ、α優・・・陽極(9)の中空部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 プラズマを収容する開放系磁場を発生する装置と、プラ
    ズマの存在する空間の電位を制御する上膜と、鍍開放系
    磁場の開放端に配設され該磁場の方向と平行な零でない
    成分を有する電場を形成する静電プラグとを具備するプ
    ラズマ装置に於て。 帥紀靜電プラグの少くともひとつは、前記開放系磁場の
    磁場方向に貫通した中空部を有し、プラズマを包囲する
    リミタと、該リミタの中空部を貫通し九磁力線は全て[
    通する中空部を有する陽極と、該陽極の中空部と同軸に
    配設され該陽極の中空部のlJミタと反対側の一部に延
    在する管状部と#管状部に陽極の開口を覆うごとく陽極
    と離間して固着された板状部により形成される第一陽極
    と、該第−一極の・I状部を貫通して陽極の中空部の一
    部に延在する棒状部と該棒状部の陽極の中空部内の先端
    に固着された板状部とより形成される第二陰極と、各電
    極等に、陽極、第一陽極、リミタ、第二陰極の順に高い
    電位を与える手段とを具備することを特徴とするプラズ
    マ装置。
JP57038152A 1982-03-12 1982-03-12 プラズマ装置 Granted JPS58157094A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57038152A JPS58157094A (ja) 1982-03-12 1982-03-12 プラズマ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57038152A JPS58157094A (ja) 1982-03-12 1982-03-12 プラズマ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58157094A true JPS58157094A (ja) 1983-09-19
JPH0467320B2 JPH0467320B2 (ja) 1992-10-27

Family

ID=12517437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57038152A Granted JPS58157094A (ja) 1982-03-12 1982-03-12 プラズマ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58157094A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4868621B1 (ja) * 2010-07-20 2012-02-01 大王製紙株式会社 ティシュペーパー製品

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0467320B2 (ja) 1992-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Miller An introduction to the physics of intense charged particle beams
EP0075953B1 (en) Plasma devices
Ott Investigation of a Caesium Plasma Diode Using an Electron Beam Probing Technique 1, 2
JPS58157094A (ja) プラズマ装置
JPH0512727B2 (ja)
JPH0144000B2 (ja)
JPS58157096A (ja) プラズマ装置
JPS58137995A (ja) プラズマ装置
JPS58100398A (ja) プラズマ装置
JPS59112596A (ja) プラズマ装置
JPS5987799A (ja) プラズマ装置
JPS58157097A (ja) プラズマ装置
JPH0237679B2 (ja)
JPS58100393A (ja) プラズマ装置
JPS59121797A (ja) プラズマ装置
JPS59112597A (ja) プラズマ装置
JPS58157100A (ja) プラズマ装置
JPS58137996A (ja) プラズマ装置
JPS59112598A (ja) プラズマ装置
JPS58157098A (ja) プラズマ装置
JPS59112600A (ja) プラズマ装置
JPS58117697A (ja) プラズマ装置
JPS58140998A (ja) プラズマ装置
JPS59121798A (ja) プラズマ装置
JPS58157099A (ja) プラズマ装置